「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem that the reduction of advertising costs is not expected under a current status that the charge of Web or radio wave and paper medium(manufacture/write) advertisements are processed still directly or by the intervention of an advertising agent although a personal computer and the Internet become wide-spread.例文帳に追加

パーソナルコンピュータの普及とインターネットの普及の中、Ｗｅｂもしくは電波及び紙媒体（制作・著作）広告は未だに直接もしくは広告代理店の介在で料金などが処理されている現状下では広告費の低減は期待できない。 - 特許庁

To provide liquid crystal display device having high visible quality by obtaining a sufficient storage capacity along with high aperture ratio, and sequentially distributing load (pixel write-in current) on capacitor line for effective reduction thereof.例文帳に追加

高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, since the voltage written in the data lines DL in the preceding write-in cycle can be effectively utilized in the current written-in cycle, it becomes possible to reduce the power consumption caused by charging/discharging of the data lines DL.例文帳に追加

そのため、直前の書き込みサイクルにおいてデータ線ＤＬに書き込まれている電圧を、現書き込みサイクルにおいて有効に利用することができるため、データ線ＤＬの充放電に起因する消費電力を低減することが可能となる。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁

When the signal voltage Vsig of the video signal is written by a write transistor 23, a switching transistor 25 disconnects a node N1 and the gate electrode of a driving transistor 22 from each other to stop a current from flowing to the driving transistor 22.例文帳に追加

書込みトランジスタ２３によって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込むときに、スイッチングトランジスタ２５によってノードＮと駆動トランジスタ２２のゲート電極との間を遮断することで、駆動トランジスタ２２に電流が流れないようにしている。 - 特許庁

To provide an electrooptical device which is increased in reliability against electrostatic discharge of a TFT though write characteristics (an increase in ON current and a decrease in threshold voltage) of the TFT are improved by reducing the thickness of a gate insulating film of the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚さを薄くしてＴＦＴの書き込み特性（オン電流増大及び閾値電圧の低下）を良好となしながらもＴＦＴの静電破壊に対する信頼性を大きくした電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

Because the nonvolatile memory element has the block layer 14 capable of blocking the phase change of the recording layer 13, radiation is inhibited to the side of the upper electrode 15, and a phase changing area P is largely limited when a write current is applied.例文帳に追加

本発明によれば、記録層１３の相変化をブロック可能なブロック層１４を有していることから、上部電極１５側への放熱が抑制されるとともに、書き込み電流を印加した場合の相変化領域Ｐが大きく制限される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device of high display quality by assuring a sufficient retention capacitance (Cs) with a high aperture, while the load on a capacitor wiring (pixel write-in current) is distributed in time, so that it is effectively reduced.例文帳に追加

高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, a current exhausted at the time of precharging operation can be lessened and a write rate can be improved, and a voltage difference between the pair of the global data lines does not decrease at the time of read operation, an undesirable impact for a read rate can be prevented.例文帳に追加

従って、プリチャージ動作時に消耗となる電流を少なくさせることができると共に、ライト速度を改善することができ、リード動作時にグローバルデータライン対間の電圧差が減少しないので、リード速度によくない影響を及ぼすことを防止できる。 - 特許庁

When storing the entirety of the stack information, a page wherein a current stack exists on the stack area 201 is recorded as an updated page as indicated by an arrow 205, and the remaining pages on the stack area is write-protected as indicated by an arrow 206.例文帳に追加

また、スタック情報全体を保存した際には、スタック領域２０１上のカレントスタックが存在するページを更新ページとして矢印２０５で示すように記録すると共に、スタック領域上の残りのページに矢印２０６で示すようにライトプロテクトをかける。 - 特許庁

In the optical-write display element manufactured by successively laminating a first electrode, EC layer, photoconductive layer and second electrode, the photoconductive layer is formed from a photoconductor in which the carrier generated in a photoelectric conversion process is multiplied by a current amplifying mechanism.例文帳に追加

第一電極、ＥＣ層、光導電層、第二電極を順次積層してなる光書込み表示素子において、光導電層を、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成した。 - 特許庁

When a CPU 104 performs read/write of a recording medium 110 or a flash ROM 108 in response to an access request via the USB cable 300, the power source circuit 111 controls the current supplied for charging of the rechargeable battery 112.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ１０４が、ＵＳＢケーブル３００を介したアクセス要求により、記録媒体１１０またはフラッシュＲＯＭ１０８の読み書きを行う場合に、電源回路１１１は、充電式バッテリ１１２の充電用に供給する電流を制御する。 - 特許庁

In order to compensate the dependency of the output current on the threshold voltage Vth, the pixel circuit has a correction means (Tr3, Tr4) that operates in a part of the horizontal scanning period to detect the threshold voltage Vth of the drive transistor Trd and to write in the pixel capacitor Cs.例文帳に追加

出力電流の閾電圧Ｖｔｈに対する依存性を打ち消すために、水平走査期間の一部で動作し、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧Ｖｔｈを検出して画素容量Ｃｓに書き込んでおく補正手段（Ｔｒ３，Ｔｒ４）を備える。 - 特許庁

When a disk array control part 2 receives a write instruction, an address computation part 11 computes the final address of the instruction and a comparison part 13 compares the final address of the current instruction with the value of a count part 12 where the maximum final address among instructions processed in the past is written.例文帳に追加

ディスクアレイ制御部２で書き込み命令を受けた際に、アドレス計算部１１で命令の最終アドレスを計算し、現命令の最終アドレスと過去に処理した命令の最大最終アドレスを書き込んであるカウント部１２の値を比較部１３で比較する。 - 特許庁

Next, the current meeting a gate voltage of a drive TFT 24 is passed from the power source line PVDD to an organic EL element 32 by setting the control lines ES and WS at an H level and turning the write TFT 22 and the selection TFT 20 off and turning the the control TFT 30 on.例文帳に追加

次に、制御ラインＥＳ、ＷＳをＨレベルとして、書き込みＴＦＴ２２、選択ＴＦＴ２０をオフし、制御ＴＦＴ３０をオンして、電源ラインＰＶＤＤから有機ＥＬ素子３２に駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧に応じた電流を流す。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

When a magnetic card 11 is inserted in this magnetic card reader and writer, a CPU 21 transports the card 11 and also successively applies 2F data to a current supplying circuit 22 before transported magnetic head reaches the position of a magnetic head 23 to control the energizing of the write coil 23A of the head 23.例文帳に追加

磁気カード１１が挿入されると、ＣＰＵ２１はカード１１の搬送を行うとともに、その搬送カードが磁気ヘッド２３の位置に到達する前に、電流供給回路２２に２Ｆデータを順次与え、磁気ヘッドのライトコイル２３Ａを通電制御する。 - 特許庁

Each write-in driver transmits voltage selected by the voltage switch circuit to a bit line of which a group is selected in accordance with a data bit signal applied to a corresponding input/output pad during a test operation mode for measuring a cell current, and cuts off it.例文帳に追加

各書き込みドライバは、セル電流を測定するためのテスト動作モードの間、対応する入出力パッドに印加されるデータビット信号に応じて電圧スイッチ回路によって選択された電圧をグループの選択されたビットラインに伝達したり、遮断する。 - 特許庁

Heat propagation block layers (35, 38) are provided between a chalcogenide film (36) where resistance is changed based on a crystalline state and a conductive layer (32) that configures a bit line, and between a heater (37) and an emitter impurity region (44) in a bipolar transistor for write current driving, respectively.例文帳に追加

結晶状態により抵抗値が変化するカルコゲナイド膜（３６）とビット線を構成する導電層（３２）の間およびヒータ（３７）と書込電流駆動用のバイポーラトランジスタのエミッタ不純物領域（４４）との間に熱伝播ブロック層（３５，３８）を設ける。 - 特許庁

The two switching transistors T2, T4 are driven before a video signal Vsig is sampled in a pixel capacitor C1 to detect the threshold voltage of the drive transistor T5 and write the threshold voltage in the pixel capacitor C1, so that the dependency of an output current on the threshold voltage is corrected.例文帳に追加

二つのスイッチングトランジスタＴ２，Ｔ４は、映像信号Ｖｓｉｇが画素容量Ｃ１にサンプリングされる前に動作し、ドライブトランジスタＴ５の閾電圧を検出して画素容量Ｃ１に書き込み、以って出力電流の閾電圧に対する依存性を補正する。 - 特許庁

In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.例文帳に追加

このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁

To decrease a current made to flow in a head, and to achieve reduction of power consumption of a device, reduction of a load for the head and a circuit, and reduction of cross talk noise from a head chip for write-in to a head chip for read-out, when a data signal is recorded in a magnetic recording medium.例文帳に追加

磁気記録媒体にデータ信号を記録する時に、ヘッドに流す電流を少なくすることができ、装置の消費電力低減、ヘッドや回路への負荷低減、書き込み用ヘッドチップから読み出し用ヘッドチップへのクロストークノイズ低減などを実現する。 - 特許庁

Pixels (PX1-PX3) aligned to one column are provided with a plurality of data lines (DLIO and DLIE) and one of them is precharged to a prescribed voltage (VP) and the voltage corresponding to a write current or the voltage corresponding to the black data is supplied to a selected pixel via the other.例文帳に追加

１列に整列する画素（ＰＸ１−ＰＸ３）に対し、複数のデータ線（ＤＬ１Ｏ，ＤＬ１Ｅ）を設け、一方を所定電圧（ＶＰ）にプリチャージし、かつ他方を介して選択画素に書込電流または黒データに対応する電圧を供給する。 - 特許庁

To suppress a peak current generated by batch selection of word lines, non-selection control, setting of a write-in level of a bit line, and batch control of recovery, when accelerated stress is applied to a memory cell in burn-in and the like and screening is performed.例文帳に追加

バーンインなどでメモリセルに加速したストレスを印加し、スクリーニングを行う際に、ワード線の一括選択、非選択制御及びビット線の書き込みレベル設定、リカバリの一括制御によって生じるピーク電流の発生を抑えることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

When the magnetization control signal MAGCH is on the H-level, since the transistors 46, 41 or transistors 48, 43 are turned on in accordance with the write data signals DATA, *DATA, the exciting current flows into both of the windings 31a and 31b from the side of low voltage VL.例文帳に追加

磁化制御信号ＭＡＧＣＨがＨレベルのときは、ライトデータ信号ＤＡＴＡ，＊ＤＡＴＡに応じて、トランジスタ４６，４１又はトランジスタ４８，４３がオンになるので、低電圧ＶＬから両方の巻線３１ａ及び３１ｂに励磁電流が流れる。 - 特許庁

Since a leak current to the adjacent cell from the reference cell is prevented by performing write-in operation for the adjacent cell using this constitution, the original property of the reference cell can be reflected to read-out operation as the property of the reference side, and stable read can be achieved.例文帳に追加

この構成を用いて隣接セルに対して書込み動作を行うことにより、レファレンスセルから隣接セルへ漏れ電流がなくなるため、レファレンスセル本来の特性を、基準側の特性として読出し動作に反映させることができ、安定読出しを実現できる。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第１の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

When data after correlation processing created by a write data creating part 14 according to the current data and the past data are written to a scan memory 17 or 18, addressing is performed according to the coordinate system fixed to a loaded ship, thereby retaining the correspondence relationship to the antenna relative azimuth.例文帳に追加

現在のデータ及び過去のデータに基づきライトデータ作成部１４が作成した相関処理後のデータをスキャンメモリ１７又は１８に書き込む際に、搭載先船舶に固定した座標系に従いアドレシングすることによって、アンテナ相対方位との対応関係を保持する。 - 特許庁

To provide a memory element and a memory unit having the same, in which the occurrence of write disturbance can be prevented even with electric pulses having different polarities applied thereto, and a large current can be passed through a resistance change element, and into which data can be written with no problems.例文帳に追加

極性の異なる電気パルスを印加する場合でも書き込みディスターブの発生を防止することが可能であり、かつ抵抗変化素子に大電流を流すことが可能である、データを問題無く書き込み可能な記憶素子、及び、それを備える記憶装置を提供する。 - 特許庁

Among respective memory cells 10, with respect to the memory cell 10 to be a data writing object of a first logic level, a high-voltage source voltage is applied to a source region thereof and a low voltage is applied to a drain region thereof so that a write current flows in the memory cell 10.例文帳に追加

メモリセル１０各々の内で第１論理レベルのデータ書き込み対象となるメモリセル１０に対しては、そのソース領域に高電圧のソース電圧を印加すると共に、そのドレイン領域には低電圧を印加することによりこのメモリセル１０内に書込電流を流す。 - 特許庁

Driving current waveform of a LD driver 105 is waveform being proportional to amplitude (Pr+Pw) during time T1 from rising of the write pulse WP2 till just before falling thereof and waveform being proportional to amplitude (Pr+Pw+Pe) in which Pe is further added during time T2 from just before falling till falling.例文帳に追加

ＬＤドライバ１０５の駆動電流波形は、ライトパルスＷＰ２の立ち上がりから立下り直前までの時間Ｔ１では振幅（Ｐｒ＋Ｐｗ）、立下り直前から立下りまでの時間Ｔ２においてはさらにＰｅを加えた振幅（Ｐｒ＋Ｐｗ＋Ｐｅ）に比例した波形になる。 - 特許庁

Write of recording is possible, by forming the state of high concentration of diffusion species in the electrode A102 or the electrode B103 by making a current flow, and read of record is possible, by employing method for detecting movement of charge from the sense electrode 104 which anompanies the movement of diffusion species.例文帳に追加

電流を流して電極Ａ１０２または電極Ｂ１０３に拡散種の濃度が高い状態を形成することで、記録の書き込みができ、また、拡散種の移動にともなうセンス電極１０４からの電荷の移動を検出する方法を用いることにより記録の読み出しができる。 - 特許庁

The temperature sensor for changing the set value is a temperature sensor 64 of a non-contact type, sure temperature can be measured by setting the sensor to a mount 12 opposing to the magnetic disk, the more exact write-current or the bias voltage corresponding to temperature can be determined.例文帳に追加

設定値を変更するための温度センサを、非接触型の温度センサ６４とし、これを基台１２に磁気ディスクに対向して設置することで確実な温度測定が可能となり、温度に対応したより正確なライト電流もしくはバイアス電圧を決定することが可能となる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can reliably write and erase a memory cell while suppressing the increase of the current consumption when writing or erasing and which is constituted of a variable resistor element the electric resistance of which is changed by the voltage applied to the memory cell and a selection transistor.例文帳に追加

書き込みまたは消去時の消費電流の増大を抑制しつつ、確実にメモリセルの書き込み及び消去を実現できる、メモリセルに電圧印加により電気抵抗の変化する可変抵抗素子と選択トランジスタを備えて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

With such a layout, a chip area is reduced by avoiding an enlargement of a layout pitch of the memory cell depending on a dimension of the driver transistor, and also the operation reliability can be enhanced by avoiding an increase in a local current density on the write digit line WDL.例文帳に追加

このような配置とすることにより、ドライバトランジスタの寸法に依存したメモリセルの配置ピッチの拡大を回避してチップ面積を小型化するとともに、ライトディジット線ＷＤＬ上での局部的な電流密度の増大を回避して動作信頼性を向上できる。 - 特許庁

A data current is passed from a power source line PVDD via a selection TFT 20 to a data line DL by setting control lines ES and WS at an LL level and turning a write TFT 22 and a selection TFT 20 on and turning a control TFT 30 off in the off state of a capacitance TFT 26.例文帳に追加

制御ラインＥＳ、ＷＳをＬレベルとして容量ＴＦＴ２６をオフの状態で、書き込みＴＦＴ２２、選択ＴＦＴ２０をオン、制御ＴＦＴ３０をオフして、電源ラインＰＶＤＤから駆動ＴＦＴ２４、選択ＴＦＴ２０を介し、データラインＤＬにデータ電流を流す。 - 特許庁

The driving current waveform of an LD driver 105 has an amplitude (Pr+Pw) in the time T1 from a rise to directly before a fall of a write pulse WP2 and an amplitude (Pr+Pw+Pe) which is further plus Pe in the time T2 from directly before the fall to the fall.例文帳に追加

ＬＤドライバ１０５の駆動電流波形は、ライトパルスＷＰ２の立ち上がりから立下り直前までの時間T１では振幅（Ｐｒ＋Ｐｗ）、立下り直前から立下りまでの時間T２においてはさらにＰｅを加えた振幅（Ｐｒ＋Ｐｗ＋Ｐｅ）に比例した波形になる。 - 特許庁

The voltage of the internal node N1 of an inverter composed of a load transistor Lo1 and a driver transistor Dr1 connected to the bit line BL1 on the low voltage side is varied forcibly to evaluate a write operation margin using the current of the internal node N1 measured at that time.例文帳に追加

そして、その低電圧側のビット線ＢＬ１に接続された、ロードトランジスタＬｏ１とドライバトランジスタＤｒ１で構成されるインバータの、その内部ノードＮ１の電圧を強制的に変化させ、そのときに測定されるその内部ノードＮ１の電流を用いて書き込み動作マージンを評価する。 - 特許庁

In a driving period Pdrv, the electrooptical element 1 is driven by supplying the driving current Idr corresponding to the voltage set in the write period Pwrt to the gate G0, and the transistor T1 is turned off to electrically disconnect the gate G0 and capacity element C1 from each other.例文帳に追加

駆動期間Ｐdrvにおいては、ゲートＧ0に書込期間Ｐwrtにて設定された電圧に応じた駆動電流Ｉdrの供給によって電気光学素子１１が駆動されるとともに、トランジスタＴ1がオフ状態とされてゲートＧ0と容量素子Ｃ1とが電気的に切り離される。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To reduce current consumption by detecting an address change and an input data change, determining whether normal operation is performed or not when a clock is inputted, and stopping needless operation such as the read-out operation of the same address and the write-in of the same data.例文帳に追加

アドレス変化や、入力データの変化を検出し、クロックが入力された時に、通常動作を行うかどうかを判断し、同一アドレスへの読み出し動作や、同一データの書き込みなど、不要な動作を自動的に停止させ消費電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

A level control signal /CS[0] is set to an H level in conjunction with a level control signal /CS[1] for setting the potential of power supply lines VM[0], VM[1] lower than power supply potential VDD, thus sharply reducing a gate leak current when a memory cell array 110A is at standby and in write operation.例文帳に追加

レベル制御信号／ＣＳ［０］，／ＣＳ［１］を共にＨレベルに設定して電源線ＶＭ［０］，ＶＭ［１］の電位を共に電源電位ＶＤＤより低くすることにより、メモリセルアレイ１１０Ａの待機時および書込み動作時におけるゲートリーク電流を大幅に低減することができる。 - 特許庁

A controller 21 computes, at an operation unit 25, Q3(t) which represents half the sum of a constant pulse interval Q1 of a current during magnetization by the first write head 18 and a pulse interval Q(t) which is read by the read head 19 and detected by a pulse-interval detection unit 24.例文帳に追加

コントローラ２１は、第１書込みヘッド１８による着磁時の電流の一定のパルス間隔Ｑ１と、読込みヘッド１９が読み込んでパルス間隔検出部２４が検出したパルス間隔Ｑ（ｔ）との和の１／２の値であるＱ３（ｔ）を演算部２５で演算する。 - 特許庁

An independent magnetic layer farther away from a recording head is selected to have a lower magnetic anisotropy to allow magnetic switching of the multiple magnetic layers to occur at approximately the same head write current even though the recording head field is reduced with increased distance from the head.例文帳に追加

記録ヘッドから遠く離れている方の独立磁性層は、より低い磁気異方性を持ち、ヘッドからの距離の増加によって記録ヘッドからの磁場が低下していても、ほぼ同じヘッド書込み電流で多重磁性層の磁化スイッチングが起こり得るように選択されている。 - 特許庁

A detection unit 80 detects a voltage proportional to a current flowing to a transistor in a write scanning circuit 40, and a power supply control unit 220 controls voltage values of power supply voltages Vdd and Vss according to temporal variation in detected voltage of the detection unit 80.例文帳に追加

書込み走査回路４０内のトランジスタに流れる電流に比例した電圧を検出部８０で検出し、この検出部８０の検出電圧の経時的な変化に応じて電源電圧Ｖｄｄ，Ｖｓｓの電圧値を電源制御部２２０によって制御する。 - 特許庁