「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The host system 3 measures the error patterns and error rates of the errors included in read data by setting plural write current values and executing the write/read operation of the data to the disk 10 and determines the optimum write current value in accordance with the results of the measurement.例文帳に追加

ホストシステム３は、複数のライト電流値を設定して、ディスク１０に対するデータのライト／リード動作を実行することにより、リードデータに含まれるエラーのエラーパターン及びエラーレートを測定し、この測定結果に基づいて最適のライト電流値を決定する。 - 特許庁

To provide a spin injection type magnetoresistance effect element capable of reducing high write-in current and also increasing the value of read-out current.例文帳に追加

書込み電流が高いことを解消でき、しかも、読出し電流の値を大きくし得るスピン注入型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, whose thermal stability can be improved without increasing a write current.例文帳に追加

書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

The method uses a fixed write current and thermal assistance to record on the patterned perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

パターン状垂直磁気記録媒体に記録するために、一定書込電流を熱アシストと共に用いる。 - 特許庁

To provide a storage element that can improve heat stability without increase in a write current.例文帳に追加

書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を実現する。 - 特許庁

When a write current passes through the magnetic element 100, free layer magnetization is switched using spin transition.例文帳に追加

書き込み電流が磁気素子１００を通過する時、自由層磁化がスピン転移を用いて切換えられる。 - 特許庁

To make feasible of adjusting the write voltage by suppressing the leakage current from a nano-crystal floating gate to a channel.例文帳に追加

ナノクリスタル浮遊ゲートからチャネルへのリーク電流を抑制し、書込み電圧の調節を可能とする。 - 特許庁

To provide a storage element that can improve heat stability without increase in a write current.例文帳に追加

書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。 - 特許庁

To supply a stable write current having the fast rise time while suppressing the power loss of a circuit.例文帳に追加

回路の電力損失を抑えて、かつ立ち上がり時間が早く、安定したライト電流を供給する。 - 特許庁

A data write-in current control circuit 51 can control easily a direction of a data write-in current flowing in a pair of bit lines as a going and returning current in accordance with a level of write-in data by setting each of data lines IO and /IO to each one side of a high potential state (Vcc) and a low potential state (Vss).例文帳に追加

データ書込電流制御回路５１は、データ線ＩＯおよび／ＩＯのそれぞれを高電位状態（Ｖｃｃ）および低電位状態（Ｖｓｓ）の一方ずつに設定することにより、往復電流としてビット線対を流れるデータ書込電流の方向を書込データのレベルに応じて簡易に制御できる。 - 特許庁

A write digit line WDL is connected to a power supply wiring 90 when the data writing current is supplied.例文帳に追加

ライトディジット線ＷＤＬは、データ書込電流の供給時に電源配線９０と接続される。 - 特許庁

A transistor Tr1 controls the magnitude of a flowing current to control the waveform of a write scan pulse.例文帳に追加

トランジスタＴｒ１は、流れる電流の大きさを制御して、ライト走査パルスの波形を制御する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value.例文帳に追加

書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

A write driver circuit can control overshoot (OS) amplitude and a width in an output current waveform independently.例文帳に追加

出力電流波形中のオーバーシュート(ＯＳ)振幅と幅を独立に制御できるライトドライバ回路。 - 特許庁

In order to distinguish this from the current "Gosannen Kassen Ekotoba," we will write this as "'Gosannen-e' in the Joan edition" hereafter. 例文帳に追加

以下これを現存『後三年合戦絵詞』と区別するため、以降承安版『後三年絵』と記す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for deciding the write current for the magnetic memory cell includes a step for supplying test write current for the test magnetic memory cell, a step for determining the response to the switching for the test magnetic memory cell by detecting a magnetization state for the test magnetic memory cell and a step for generating the write current having the quantity dependent on the switching response.例文帳に追加

磁気メモリセルのための書込み電流を決定するための方法は、テスト磁気メモリセルにテスト書込み電流を供給するステップと、テスト磁気メモリセルの磁気状態を検知してテスト磁気メモリセルの切替え応答を判定するステップと、切替え応答に依存する量を有する書込み電流を生成するステップを含む。 - 特許庁

To suppress an overshoot occurring to a current flowing through write lines and bit lines at the time of writing data.例文帳に追加

データ書き込み時に書き込み線及びビット線に流れる電流に発生するオーバーシュートを抑圧する。 - 特許庁

To suppress an overshoot occurring to a current flowing through write lines and bit lines at the time of writing data.例文帳に追加

データ書き込み時に書き込み線およびビット線に流れる電流に発生するオーバーシュートを抑圧する。 - 特許庁

To provide a storage element in which thermal stability can be improved without increasing the write current.例文帳に追加

書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。 - 特許庁

Write the amount after deducting tax from the total amount of current profit/loss and extraordinary profit/loss. 例文帳に追加

経常損益と特別損益の合計額から法人税等を差し引いた金額を記入してください。 - 経済産業省

That is, when the row cycle and each column cycle are finished, each write-word line WWL is made non-activation, and supply of a data write-in current Ip made to flow in the fixed direction is stopped temporarily in spite of write-in data.例文帳に追加

すなわち、ロウサイクルおよび各コラムサイクルの終了時には、各ライトワード線ＷＷＬを非活性化にて、書込データによらず一定方向に流されるデータ書込電流Ｉｐの供給は一旦停止される。 - 特許庁

The write driver control circuit varies at least one of a pulse width and a pulse count of at least one of the reset pulse current and the set pulse current according to a load between the write driver and the memory cell selected by the address circuit.例文帳に追加

前記ライトドライバ制御回路はアドレス回路により選択されたライトドライバとメモリセルとの間の負荷に応じて少なくとも一つのリセットとセットパルス電流の少なくとも一つのパルス幅とパルスカウントを変化させる。 - 特許庁

Control signal lines (210l, 211a, and 211b) having a divided structure for transferring a control signal are disposed in a wiring layer which is parallel with and different from write current lines (BL0 and BL1) for transmitting a write current to memory cells.例文帳に追加

メモリセルに書込み電流を伝達する書込電流線（ＢＬ０、ＢＬ１）と平行にかつ異なる配線層に、制御信号を転送する分割構造の制御信号線（２１０ｌ、２１１ａ、２１１ｂ）を配置する。 - 特許庁

According to this constitution, since the magnetic field by the write current can be provided efficiently for the TMR element 4, the magnetizing direction of the first magnetic layer 41 can be inverted even with a small write current.例文帳に追加

この構成によれば、書き込み電流による磁界をＴＭＲ素子４へ効率よく提供できるので、第１磁性層４１の磁化方向を小さな書き込み電流でもって反転させることができる。 - 特許庁

The write-in transistor controls the writing and eliminating of data, and is configured by a transistor with a small off-time current so that electric charge stored in the capacitor is not lost by a leakage current of the write-in transistor.例文帳に追加

書き込みトランジスタは、データの書き込みおよび消去を制御するとともに、キャパシタに蓄積された電荷が、該書き込みトランジスタのリーク電流で消失しないように、オフ時の電流が小さいトランジスタで構成する。 - 特許庁

A current is supplied by improving current supply capability in a plurality of stages at the time of rise of a pulse type current by a current generating means generating a pulse type current instead of generating a rectangular current pulse as a write-in current and an assist current, and a pulse being an originally prescribed current value (prescribed value) I is generated finally.例文帳に追加

書き込み電流やアシスト電流として矩形の電流パルスを発生する代わりに、パルス状の電流を発生させる電流発生手段によって、パルス状の電流の立ち上がり時において複数段階で電流供給能力を高めることで電流を供給させ、最終的には本来の規定された電流値（規定値）Ｉとなるパルスを生成する。 - 特許庁

Since resistance is large against spin injection magnetization inversion due to the read current, the intensity of the write current can be reduced.例文帳に追加

本発明では、読み出し電流によるスピン注入磁化反転に対する耐性が高くなっているため、書き込み電流の大きさを低減することができる。 - 特許庁

a leak magnetic field from a data write-in current of an adjacent row is cancelled by a magnetic field cancel current ΔIww made to flow by the transistor 102.例文帳に追加

トランジスタ１０２によって流される磁界キャンセル電流ΔＩｗｗによって、隣接行のデータ書込電流からの漏れ磁界が打ち消される。 - 特許庁

A flow of a field assist current is substantially applied adjacent the magnetic memory element during continued application of the write current to induce a magnetic field upon the element.例文帳に追加

フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。 - 特許庁

The switches S2 and S3 are turned on during a current program period, and the first and second field-effect transistors are connected in parallel to write a programmed current.例文帳に追加

電流プログラム期間にスイッチＳ２、Ｓ３をオンして、第１及び第２の電界効果トランジスタを並列に接続して設定電流を書き込む。 - 特許庁

By switching response of at least one test magnetic memory cell (530), the amount of current generated by the write current generator (510) is decided.例文帳に追加

この少なくとも１つのテスト磁気メモリセル(530)の切替え応答により、書込み電流発生器(510)によって生成される書込み電流の量が決定される。 - 特許庁

When data are written, such a cancel current (-ΔIW(BL)) as cancels the induced magnetic field of a data write current (IW(BL)) flows in bit lines (BL2 and BL4) adjacent to a selection bit line (BL3) in the direction opposite to the data write current to the selection bit line.例文帳に追加

データ書込時、選択ビット線（ＢＬ３）に対するデータ書込電流（ＩＷ（ＢＬ））と逆方向に，このデータ書込電流の誘起磁界をキャンセルするようなキャンセル電流（−ΔＩＷ（ＢＬ））を選択ビット線と隣接するビット線（ＢＬ２，ＢＬ４）に流す。 - 特許庁

To enhance write-in precision by reducing a maximum current required at a write-in time and reducing noise to be generated.例文帳に追加

書込み時に必要な最大電流が小さく、発生するノイズが少なく、これによって書込み精度を高めた半導体メモリ及び該半導体メモリへの書込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric charges saving type write-in method and a device for reducing an average write-in current in an integrated circuit magnetic resistance random access memory (MRAM) system.例文帳に追加

集積回路（IC）磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（MRAM）システムにおける平均的書込電流を低減するための電荷節約書込方法および装置を提供する。 - 特許庁

The write-enhancing circuit on the head carrier provides additional write current overshoots while exceeding overshoots supplied by the writing driver circuit in a magnetic recording disk drive.例文帳に追加

磁気記録ディスクドライブのヘッドキャリア上の書き込み強化回路は、書き込みドライバ回路により提供されるオーバーシュートを超えて、追加の書き込み電流オーバーシュートを提供する。 - 特許庁

In data writing, supply of data write current to a write word line WWL of a selection column is started from time t1 without waiting for the redundancy determination.例文帳に追加

データ書込時において、選択行のライトワード線ＷＷＬに対するデータ書込電流の供給は、冗長判定を待つことなく時刻ｔ１より開始される。 - 特許庁

To realize read operation of a high speed low consumption current while increasing the number of parallel write cells and shortening a write time, in a non-volatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、並列書込みセル数を増やし書込み時間の短縮をはかりつつ、高速低消費電流の読み出し動作を実現する。 - 特許庁

Since a property of a magnetic disk 16 is varied depending on temperature, set values of parameters of a write-current, bias voltage, or the like of write/read system are required to change depending on temperature.例文帳に追加

温度によって磁気ディスク１６の特性が変化するため、ライト／リード系のライト電流、バイアス電圧等のパラメータを温度によって設定値を変える必要がある。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of easy magnetization to the selected memory cell is supplied to bit lines BLj and /BLj corresponding to a selected column.例文帳に追加

選択列に対応するビット線ＢＬｊ，／ＢＬｊには、磁化容易軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

To provide a plasma display device which is capable of suppressing a peak current of write discharge to realize stable write discharge without enlarging a circuit scale.例文帳に追加

回路規模を大きくすることなく、書込み放電のピーク電流を抑制し安定した書込み放電を実現することが可能なプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a self-scanning type light emitting element array capable of reducing a power loss by an external resistor for limiting a write current and suppressing raising of the temperature of an optical write head.例文帳に追加

書込み電流制限用の外付け抵抗による電力損失を減らし、光書込みヘッドの昇温を小さくできる自己走査型発光素子アレイを提供する。 - 特許庁

To obtain a current driver circuit of which the writing is exactly allowed even when the writing is made with a high speed transfer rate, by taking the impedance-matching for a driver and a write head, and the write head and a receiver.例文帳に追加

ドライバとライトヘッド、ライトヘッドとレシーバのインピーダンスマッチングを取り、高速転送レートで書き込んだ場合でも、正確には書き込むことができる電流ドライバ回路を得る。 - 特許庁

At the write operation, a writing current Iw is made to flow into the element for write-in consisting of a metal wiring, and a magnetic field generated by the writing current Iw is impressed on a target cell (cell of address desired to write in) TC-w which is positioned at one end of the magnetic wiring 10.例文帳に追加

書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Ｉｗを流し、この書き込み電流Ｉｗにより発生する磁場を磁性配線１０の一端部に位置するターゲットセル（書き込みたいアドレスのセル）ＴＣ−ｗに印加する。 - 特許庁

To suppress a charge and discharge current of a non-selection column and to secure read/write operation margin in low voltage operation.例文帳に追加

非選択カラムの充放電電流を抑制し、かつ、低電圧動作でのリード／ライト動作マージンを確保する。 - 特許庁

To actualize an optical disk drive which eliminates the need for a DC bias and exerts no influence on the write current in data recording.例文帳に追加

ＤＣバイアスが不要で且つデータ記録時のライト電流に影響を与えない光ディスク装置を実現する。 - 特許庁