「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a current drive circuit for improving signal write speed even when a signal current is small and an element driving speed, and a display device using the same.例文帳に追加

信号電流が小さな場合であっても信号の書き込み速度や素子駆動速度を向上させることのできる電流駆動回路及びこれを用いた表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The processing unit is responsive to a return state data processing instruction to write return state data of the processing unit from its current mode of operation to a stack corresponding to a different mode of operation to the current mode of operation.例文帳に追加

処理ユニットは現在の作動モードからの処理ユニットのリターンステートデータを現在の作動モードと異なる作動モードに対応するスタックに書き込むよう、リターンステートデータ処理命令に応答自在である。 - 特許庁

Therefore, the supply time of a readout current is shortened as compared with the supply time of a write current to secure the readout disturbance margin, so that the occurrence of the readout disturbance can be suppressed.例文帳に追加

したがって、読出し電流の供給時間を書込み電流の供給時間に比較して短くすることで、読出しディスターブマージンを確保し、読出しディスターブの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To reduce current consumption by cutting down the extreme current consumption due to a shortcircuit between write-buffers and a wasteful operation even when writing operations in the same address are simultaneously generated, in a semiconductor memory.例文帳に追加

この発明は、同時に同一アドレスの書き込み動作が発生した場合でも、ライトバッファー同士のショートによる極端な電流消費や、無駄な動作を省き消費電流の低減を目的とする。 - 特許庁

In a first transistor Tr_LIM, first voltage generated by the voltage generating circuit is supplied to one end of a current path and a gate, and write-in voltage is output from the other end of the current path.例文帳に追加

第１のトランジスタTr_LIMは、電圧生成回路により生成された第１の電圧が電流通路の一端及びゲートに供給され、電流通路の他端から書き込み電圧を出力する。 - 特許庁

An MRAM device comprises: MTJ memory cells placed in a matrix; multiple bit lines corresponding to memory cell columns; multiple digit lines corresponding to memory cell rows; and a write current regulation part which regulates amperage of write current to be passed through the bit lines and/or the digit lines, for proper data write into each of the MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＲＡＭデバイスは、行列状に配置されたＭＴＪメモリセルと、メモリセル列に対応して配置される複数のビット線と、メモリセル行に対応して配置される複数のディジット線と、各ＭＴＪメモリセルに正常にデータ書込を行なうために、ビット線および／またはディジット線に流すべき書込電流の電流量を調整する書込電流調整部と備える。 - 特許庁

The method further comprises supplying the determined drive current to the calibration memory cell, and using the calibration memory cell to determine(403) strength of a weak write to be utilized by a weak write test for detecting defective RAM cells.例文帳に追加

方法は更に、較正メモリセルに決定された駆動電流を供給し、較正メモリセルを使用して、欠陥ＲＡＭセルを検出するために弱い書き込みテストにより利用されるべき弱い書き込み強度を決定する(403)ことを含む。 - 特許庁

Thus, the write line W and the read line R are not adjacent to each other, and by the entry of the ground line therebetween, the crosstalk to the read line R by a high-frequency recording current flowing through the write line W is reduced.例文帳に追加

したがって、ライト線Ｗとリード線Ｒの配線が隣りあうことは無く、また、グランドラインＧが間に入ることにより、ライト線Ｗに流れる高周波の記録電流によるリード線Ｒへのクロストークが低減される。 - 特許庁

Then miniaturization is realized by adopting circuit constitution in which a data write terminal 14 which is connected electrically to the poly-silicon fuse resistor 21 and to which trimming voltage or current is applied is grounded at the time of reading write data.例文帳に追加

そこで、ポリシリコンヒューズ抵抗２１に電気的に接続されてトリミングする電圧または電流を印加するデータ書き込み端子１４を、書き込みデータ読み出し時に接地するという回路構成を採用することで小型化を実現した。 - 特許庁

When measurement in each write current value set beforehand is completed, the test execution control section 231 transmits the measurement data to the test computer 51.例文帳に追加

予め設定されている各ライト電流値における測定が終了すると、テスト実行制御部２３１は、測定データをテスト・コンピュータ５１に転送する。 - 特許庁

The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction.例文帳に追加

磁気接合は、磁気接合に書き込み電流が流されるときに自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される。 - 特許庁

At the time of read-out of data, voltage of the write-word line WWL is set to ground voltage Vss, and a current path for reading out data is formed.例文帳に追加

データ読出時において、ライトワード線ＷＷＬの電圧は接地電圧Ｖｓｓに設定されて、データ読出のための電流経路が形成される。 - 特許庁

To prevent write/read errors, etc. by reducing a leak current flowing through a defective memory cell even if a short circuit failure occurs in the memory cell.例文帳に追加

メモリセルにショート不良が生じた場合においても、不良のメモリセルにおけるリーク電流を低減して、誤書き込み／誤読み出し等を防止する。 - 特許庁

To provide nonvolatile storage that prevents increase of leakage current in a broad sense to enable consistent identification of write and erase states even when it is exposed to electromagnetic waves or light.例文帳に追加

電磁波又は光が照射されても広義のリーク電流が増大せず、書き込み状態及び消去状態の安定した判別を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which current consumption at the time of write-in is reduced by performing pre-charge of a data linewith an intermediate level of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の中間レベルによりデータラインのプリチャージを行って、書き込み時の電流の消耗を減少させる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In testing a reference memory cell MC_REF, the cell current of the reference memory cell MC_REF is directly measured from an external terminal 3 via a write driver 31.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのテスト時において、外部端子３からライトドライバ３１を介してリファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのセル電流を直接測定する。 - 特許庁

Tungsten of the contact 13 leaks along a flow of electrons in the opposite direction from the write current, the resistance value of the contact 13 increases and information is written.例文帳に追加

書き込み電流と逆方向の電子の流れにそってコンタクト１３のタングステンが漏出し、コンタクト１３の抵抗値が上がり情報が書き込まれる。 - 特許庁

Thereby, it can be prevented that a through current is generated from a pre-charge transistor 6 through the write-amplifier 4 during pre-charge of data buses DB, *DB.例文帳に追加

これにより、データバスＤＢ，＊ＤＢのプリチャージ期間中にプリチャージトランジスタ６からライトアンプ４を経由して貫通電流が発生するのを防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a current input type pixel in which a signal write speed is increased and an effect of variations between adjacent transistors is reduced.例文帳に追加

電流入力型画素において、信号書き込み速度を速め、トランジスタの隣接間ばらつきの影響を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve operation reliability and reduce magnetic noise by reducing data write current in an MRAM device including MTJ memory cells.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流を低減することによって、動作信頼性の向上と磁気ノイズの抑制を図ることである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that stores data using a transistor having a low leak current between a source and a drain in an off-state as a write transistor.例文帳に追加

オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを保存する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

Likewise, under the control of the clock oscillator, write current, generated by the writer driver bridge, incorporates the demagnetization pulse and gradually reduces it to be almost zero.例文帳に追加

同様にクロック発振器の制御の下に、ライタ・ドライバ・ブリッジにより生成されたライト電流が、消磁パルスを組み込み、ほぼゼロまで漸減させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, in which a read current difference before and after write can be enlarged; and also to provide its manufacturing method and information rewriting method.例文帳に追加

書き込み前と書き込み後の読み出し電流の差を大きくできる半導体記憶装置、その製造方法及び情報書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To realize a CPU system which is made dual without extending signal lines between current and standby CPU boards and the processing time of memory write.例文帳に追加

現用系および予備系ＣＰＵボード間の信号線およびメモリライトの処理時間を増大させることなく二重化されたＣＰＵシステムを実現する。 - 特許庁

Since the write data are sequentially written to the memory cells, a current flowing through a bit line can be minimized, and the wiring width of the bit line can be narrowed.例文帳に追加

書き込みデータがメモリセルに順次書き込まれるため、ビット線に流れる電流値を最小限にでき、ビット線の配線幅を小さくできる。 - 特許庁

By forming an MRAM with a reduced distance between the write line and the MTJ cell, writing operation is allowed on less current.例文帳に追加

ライトラインとＭＴＪセルとの距離を縮小させてＭＲＡＭを形成することにより、少量の電流でライト動作を可能にする技術である。 - 特許庁

To provide a storage circuit block in which a write-in current can be reduced, and to provide a method for accessing the storage circuit block.例文帳に追加

本発明の目的は、書き込み電流の削減が可能な記憶回路ブロック及びその記憶回路ブロックへのアクセス方法を提供することにある。 - 特許庁

Then, the power supplying operation is executed at first to an address decoder/write current driver 31 of low-speed power supply set-up and to a data I/O system circuit 33.例文帳に追加

そして、電源セットアップの遅いアドレスデコーダ・書込電流ドライバ３１およびデータＩ／Ｏ系回路３３に対して最初に電源供給を実行する。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a write current is applied through a magnetic memory cell to initiate magnetic precession of the element to a desired magnetic state.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従えば、書込電流が磁気メモリセルを通して印加されて、所望の磁化状態への素子の磁気歳差運動を開始する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and a drive method thereof, whereby write/read is made at a low voltage and low current consumption with less reliability deterioration.例文帳に追加

書き込み・消去が低電圧化・低消費電流化され、信頼性の劣化の少ない不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide an address comparing circuit in which switching of an output of a comparing signal in a write-cycle is suppressed and a needless charging/discharging current of comparing signal line can be reduced.例文帳に追加

ライトサイクルでの比較信号出力の切替わりを抑え、不要な比較信号線の充放電電流を削減可能なアドレス比較回路を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change storage element for reducing a write current required for the phase change of a phase change film, and to provide a method for manufacturing the phase change storage element.例文帳に追加

相変化膜の相変化に必要とする書込電流を低めることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a one-chip microcomputer allowing the level of a reference current to be controlled in a write operation of a sense amplifier before a read failure happens.例文帳に追加

読み出し不良が発生する前に、センスアンプの読み出し動作時の基準電流の大きさを制御できる１チップマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

Thus, mis-write to the memory cells not selected and a delay in data read caused by the production of the charging/ discharging current can be prevented.例文帳に追加

これにより、非選択メモリセルに対する誤書込および充放電電流の生成に伴い生じるデータ読出遅延を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can be operated by low power source voltage by making a write-in current constant even when power source voltage (Vcc) is dropped.例文帳に追加

電源電圧（Ｖｃｃ）が低下した場合にも、書き込み電流を一定にすることによって、低電源電圧化が可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

Since impedance is reduced, write current flows within the coils 54a, 54b, and so on in a short time, as compared with the case when the single coil is utilized.例文帳に追加

インピーダンスは低減されることから、単一のコイルが利用される場合に比べて短時間で書き込み電流は薄膜コイル５４ａ、５４ｂ…内に流通する。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING DATA STORAGE SYSTEM BY TEMPERATURE, DATA STORAGE SYSTEM CONTROL APPARATUS BY TEMPERATURE, AND METHOD FOR DETERMINING WARMING WRITE CURRENT IN DATA STORAGE SYSTEM例文帳に追加

温度によるデータ記憶システム制御方法，温度によるデータ記憶システム制御装置，およびデータ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法 - 特許庁

To effectively suppress the generation of an operating current caused by a noise in externally given address signals without adversely affecting the operating speed during read/write.例文帳に追加

リード・ライト時の動作速度を阻害することなく、外部から与えられたアドレス信号のノイズに起因する動作電流の発生を有効に抑制すること。 - 特許庁

To provide a plasma display panel reduced in the power consumption of a scanning driver by controlling a write discharge current at the time of writing, and to provide a driving method thereof.例文帳に追加

書込み時の書込放電電流を抑制し、走査ドライバの消費電力を低減させたプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The direction of the current flowing into the write line 6X (6Y) connected between drive points A and B is decided in accordance with the switching states of the transistors Q1 to Q4.例文帳に追加

トランジスタＱ１〜Ｑ４の開閉に応じて、ドライブポイントＡ，Ｂ間に接続された書込線６Ｘ（６Ｙ）に流れる電流の方向が決まる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic memory device in which write-in of data of a plurality of bits can be performed in parallel at high speed without increasing current consumption.例文帳に追加

消費電流を増加させることなくまた高速に、複数のビットのデータ書込を並列に実行可能な薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To attain stable write-in discharge by generating write-in discharge surely separately by a difference of voltages applied to respective data electrode groups without setting a difference of timing for applying write-in pulse voltage, and by sufficiently suppressing a peak value of a discharge current flowing to a scanning electrode in discharging during a write-in period and thereby stabilizing an application voltage to each discharge cell.例文帳に追加

書き込みパルス電圧の印加のタイミングに差を設けることなく、各データ電極群に印加される電圧の差によって、書き込み放電を確実に分離して発生させることができ、書き込み期間の放電に際して走査電極に流れる放電電流のピーク値を十分に抑えて各放電セルへの印加電圧を安定させ、安定な書き込み放電を実現する。 - 特許庁

When a write operation or an erase operation on the memory cells MC is repeated a plurality of times, the current mirror circuit 2b sets the upper limit Icomp in the p-th write or erase operation higher than the upper limit Icomp in the q-th (q<p) write or erase operation.例文帳に追加

カレントミラー回路２ｂは、メモリセルＭＣに対する書込み動作又は消去動作が複数回繰り返し行われる場合に、ｐ回目の書き込み動作又は消去動作における上限値Ｉｃｏｍｐを、ｑ回目（ｑ＜ｐ）の書き込み動作又は消去動作における上限値Ｉｃｏｍｐよりも大きく設定する。 - 特許庁

This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加

書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁