「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, by bit line current from a write drive circuit, a polarized spin electron in the same direction as the polarized spin of the fixed layer is injected into the free layer, and the writing is executed solely for data "1".例文帳に追加

次いで、書込ドライブ回路からのビット線電流により、固定層の偏極スピンと同一方向の偏極スピン電子を自由層に注入し、データ“１”のみの書込を実行する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element which is rewritable with a small write current of approximately 100 μA and to provide a nonvolatile semiconductor storage device in which transistors of a drive circuit are made compact.例文帳に追加

１００μＡ程度の小さな書き込み電流で書き換えが可能な可変抵抗素子を実現し、駆動回路のトランジスタの小型化が可能な不揮発性半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

While, the supply of a data write current ±Iw to a bit line BL or a sub bit line SBL of a selection row is started from the time t2 reflecting the result of redundancy determination.例文帳に追加

一方、選択列のビット線ＢＬまたはサブビット線ＳＢＬに対するデータ書込電流±Ｉｗの供給は、冗長判定結果を反映して時刻ｔ２より開始される。 - 特許庁

To provide a phase change memory device and a program method thereof in which a pump circuit is used to improve current supply capacity of a write driver and a programming time can be decreased.例文帳に追加

書き込みドライバの電流供給能力を高めるためにポンプ回路を使用し、プログラム時間を減らすことができる相変化メモリ装置及びそのプログラム方法を提供すること。 - 特許庁

To apply a write-in mechanism which hardly makes a drain current flow like an FN(Flower Nordheim) tunnel phenomenon to a nonvolatile semiconductor memory device having main-sub-bit line structure.例文帳に追加

主−副ビット線構造を有する不揮発性半導体記憶装置に、ＦＮトンネル現象のようにドレイン電流をほとんど流さない書き込みメカニズムを適用できるようにする。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device which meets requirements for both low current write operation and external magnetic field tolerance, and to provide especially a means for suppressing the shift of magnetic characteristics of free layers.例文帳に追加

低電流書き込みと外部磁場耐性を両立した磁性体記憶装置を提供することにあり、特にフリー層の磁気特性のシフトを抑制する手段を提供する。 - 特許庁

A touch-down determining device periodically varies the power of a heater by an alternating current, the heater being configured to adjust protrusion amounts of a write magnetic pole and a read element of a magnetic head in a direction towards a recording medium.例文帳に追加

タッチダウン判定装置は、磁気ヘッドが有するライト磁極およびリード素子の記録媒体方向への突出し量を調節するヒーターのヒーターパワーを周期的に交流変動させる。 - 特許庁

To provide a recording/reproducing device capable of appropriately controlling a write current corresponding to the variation of characteristics of recording medium or a head and a variance of characteristics caused by temperature changes.例文帳に追加

記録媒体やヘッド個々の特性のばらつき、および温度変化による特性のばらつきに対応して、適切なライト電流の制御が可能な記録再生装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, so to speak the disturb-test which is performed by using a magnetic field generated by the first and the second data write current can be executed in parallel to a memory cell column.例文帳に追加

したがって、第１および第２のデータ書込電流により生じる磁界を用いて行なういわゆるディスターブ試験をメモリセル列に対して並列に実行することができる。 - 特許庁

Two write current control lines (WCL1 and /WCL1, WCL2 and /WCL2) are arranged respectively along a row direction at both sides of respective memory blocks MB1 to MB3.例文帳に追加

各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３の両側に、行方向に沿って２本の書込電流制御線（ＷＣＬ１および／ＷＣＬ１，ＷＣＬ２および／ＷＣＬ２）がそれぞれ配置される。 - 特許庁

When a power source potential Vcc is increased, in write-operation in which a current value flowing into the memory cell is large, a cell power source potential which drops more is supplied to the memory cell MC.例文帳に追加

電源電位Ｖｃｃが上昇した場合、メモリセルに流入する電流値が大きなライト動作では、より大きく降圧したセル電源電位がメモリセルＭＣへ供給される。 - 特許庁

A plurality of selection bit lines selected to respectively write data having a plurality of bits are serially connected to one current path and receives a supply of bit line writing currents.例文帳に追加

複数ビットの書込データをそれぞれ書込むために選択される複数の選択ビット線は、１本の電流経路に直列に接続されて、ビット線書込電流の供給を受ける。 - 特許庁

To provide a circuit and a method which comparatively rapidly transition a current flowing through a write head during normal operating conditions, without generating capacitively coupled noise.例文帳に追加

容量結合されたノイズを発生することなしに書込ヘッドを介して流れる電流を定常状態の間で比較的に迅速に遷移させる回路及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a MRAM which can reduce the resistance of a route in which a write current flows while stabilizing the magnetizing direction of a free ferromagnetic layer in non-writing operation.例文帳に追加

非書き込み動作時の自由強磁性層の磁化の向きを安定化しつつ，書き込み電流が流れる経路の抵抗を小さくすることを可能にするＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The element constituting first, second read/write switches SW4, SW5 and the memory sector 10 have higher breakdown voltage than that of the elements constituting the load current supply part 12 and the sense amplifier 13.例文帳に追加

第１、第２読出／書込切換スイッチＳＷ４、ＳＷ５及びメモリセクタ１０を構成する素子は、ロード電流供給部１２及びセンスアンプ１３を構成する素子よりも高耐圧である。 - 特許庁

A spin torque transfer magnetic memory device has magnetic tunneling junction elements, entering the same resistance state when a write current is applied, disposed in series at both sides of the source and drain of a selection transistor.例文帳に追加

スピン注入磁気メモリ装置は、選択トランジスタのソース・ドレインの両側に、書き込み電流印加時に同じ抵抗状態をとる磁気トンネル接合素子が直列に配置されている。 - 特許庁

So, even when a comparatively small write current flows to the word line 10 and the bit line 20, ample magnetic field necessary for magnetic inversion of a free layer 57 can be obtained.例文帳に追加

よって、ワード線１０およびビット線２０に対して比較的小さな書込電流を流した場合であっても、フリー層５７の磁化反転に要する磁界を十分に得ることができる。 - 特許庁

To prevent an error rate from being deteriorated even when a write current at writing is set high, in a method and program for designing a magnetic recording medium.例文帳に追加

磁気記録媒体設計方法及びプログラムにおいて、書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合であってもエラーレートの悪化を防止可能とすることを目的とする。 - 特許庁

can provide a controllable, bi-directional write current to selected word and bit lines (14, 16) without exceeding breakdown limits of the memory cells (12).例文帳に追加

該書き込み回路（２４）は、メモリセル（１２）の破壊限界を超えることなく選択されたワード及びビットライン（１４，１６）に制御可能で双方向の書き込み電流を提供することができる。 - 特許庁

A write circuit 26 for making a current flow through the lines 16 and a ground 28 are connected to the lines 16 via a switch 30 for selecting the circuit 26 and the ground 28.例文帳に追加

金属線１６に書き込み電流を流す書き込み回路２６とアース２８とが、書き込み回路２６とアース２８とを選択するスイッチ３０を介して金属線１６に接続されている。 - 特許庁

Moreover, when a magnetic resistance of the yoke 20 is defined as R and a necessary write current value of the wire 5 as Iw, these elements are required to satisfy the relationship a(mA H)=6E-11, wherein Iw≤a×R.例文帳に追加

更に、ヨーク２０の磁気抵抗をＲ、配線５に必要な書込み電流値をＩｗとした場合に、Ｉｗ≦ａ・Ｒ 但し、ａ（ｍＡ・Ｈ）＝６Ｅ−１１を満たすようにする。 - 特許庁

A write/read circuit 4 applies a write voltage between a cantilever 3 and the conductive member of the memory element 1 to write information in the memory thin film, applies a read voltage between the cantilever 3 and the conductive member of the memory element 1, and measures a current flowing between the cantilever 3 and the conductive member to read the information recorded in the memory thin film.例文帳に追加

書込／読取回路４は、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に書き込み電圧を印加して、メモリ薄膜に情報を書き込み、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に読み出し電圧を印加して、カンチレバー３と導電性部材との間を流れる電流を測定することにより、メモリ薄膜に記録された情報を読み取る。 - 特許庁

This recording/reproducing device 100 is provided with: a magnetic head 3 for recording/reproducing information in a track of a disk 1; and a control unit 14 for controlling the magnetic head 3 to record a signal in a predesignated track by a predetermined write current and to reproduce a signal, and optimizing a write current for each track based on the signal reproduced by the magnetic head 3.例文帳に追加

本発明の記録再生装置１００は、ディスク１上のトラックに情報を記録再生する磁気ヘッド３と、予め指定されたトラックに所定のライト電流で信号を記録し、さらに信号を再生するように磁気ヘッド３を制御し、磁気ヘッド３において再生された信号に基づいて、トラックごとにライト電流を最適化する制御部１４と、を備えている。 - 特許庁

After that, a current is made to flow from the other side to one side of the word line WLn, and '1' is written in only the memory cell S3 by flowing a current from the other side to one side in only the bit line BLn+1, to which the memory cell S3 in which '1' is desired to write is connected.例文帳に追加

その後、ワード線ＷＬｎには他方から一方にかけて電流を流し、’１’を書き込みたいメモリセルＳ３が接続されているビット線ＢＬｎ＋１だけに他方から一方にかけて電流を流すことにより、メモリセルＳ３だけに’１’を書き込む。 - 特許庁

A test execution control section 231 sets a selected head element section 12 and a write current value in AE 13 and writes data to a magnetic disk 11 using each component in an HDD 1.例文帳に追加

テスト実行制御部２３１は、ＡＥ１３に選択したヘッド素子部１２とライト電流値とを設定し、ＨＤＤ１内の各構成要素を使用して、磁気ディスク１１へのデータ書き込みを行う。 - 特許庁

In a write period, a transistor 213 is turned on and a data signal X-j is supplied and the voltage of the node B is changed by as much as the voltage meeting the current to be passed to an OLED element 230.例文帳に追加

書込期間では、トランジスタ２１３をオンさせるとともに、データ信号Ｘ−ｊを供給して、ノードＢの電圧を、ＯＬＥＤ素子２３０に流す電流に応じた分だけ電圧変化させる。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which disturbance of the potential on a pair of bit lines and noise of sense operation are suppressed and current consumption at the time of data write-operation can be reduced with simple constitution.例文帳に追加

ビット線対上の電位のディスターブやセンス動作のノイズを抑制し、かつデータのライト動作時における消費電流を低減できる半導体記憶装置を簡単な構成により実現できるようにする。 - 特許庁

As the device has the select-transistors S1, S2, source side injection write-in can be performed, also, even if over-erasure is performed, as an off-leak current can be prevented, the number of times of applying erasure pulses can be decreased.例文帳に追加

セレクトトランジスタＳ１，Ｓ２を有することからソースサイド注入書き込みができ、また、過剰消去してもオフリーク電流が防止できるので消去パルスの印加回数が低減できる。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

That is, the magnitude of the write current I_W required for both positive change and negative change of the magnetization direction can be reduced when compared to a case free from the permanent magnet layer 9.例文帳に追加

すなわち、永久磁石層９が無い場合と比較して、磁化の向きの正変更、負変更の双方の場合に必要な書き込み電流Ｉ_Ｗの大きさを減少させることができる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic storage device in which area of a write current control circuit can be reduced and area of a whole circuit for a MRAM device of large capacity also can be reduced.例文帳に追加

書込電流制御回路の面積を縮小し、また、大容量のＭＲＡＭデバイスに対しても回路全体の面積を縮小することを可能とする薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can stably write information by efficiently utilizing a magnetic field which is formed by a current that passes through a writing line, and to provide a magnetic memory device.例文帳に追加

書込線を流れる電流によって形成される磁界を効率よく利用し、情報の書込を安定して行うことのできる磁気抵抗効果素子およびそれを備えた磁気メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加

本発明は、ＥＥＰＲＯＭ混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム（ＦＮ）電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The first switching element, the second switching element, and the third switching element are controlled by the control circuit part, an operation current is supplied to at least one of the magnetic track and the write/read unit.例文帳に追加

制御回路部によって、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が制御され、磁性トラックと書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに動作電流が印加されうる。 - 特許庁

To provide a CPP (current-perpendicular-to-plane) type MR (magnetoresistive) read sensor having reduced operating temperature necessary for its proper continuous operation of the MR head sensor and proper electrical performance of a read/write head.例文帳に追加

ＭＲ読取センサーの適切な継続的動作と、読取り・書込みヘッドの適切な電気的性能にとって必要な低い動作温度に維持するのできるＣＰＰ型ＭＲ読取センサーの提供。 - 特許庁

Thereafter, during operation of an LSI, a write-in/read-out circuit 13 of the memory data measures a forward voltage VF2 obtained when the constant current I1 is made to flow through the PN junction diode of the PNP transistor 11.例文帳に追加

その後ＬＳＩの動作時に、メモリデータの書き込み／読出し回路１３は、ＰＮＰトランジスタ１１のＰＮ接合ダイオードに定電流Ｉ１を流したときの順方向電圧ＶＦ２を測定する。 - 特許庁

By using the heated diode 410, temperature is increased in the selected magnetic memory element 100, and the switching of a magnetic state in the magnetic memory element can be thermally supported when a write current is added.例文帳に追加

加熱されたダイオード(410)を用いて、選択された磁気メモリ素子(100)の温度を上げて、書込み電流を加える際に磁気メモリ素子の磁気的な状態を切り替えるのを熱により支援することができる。 - 特許庁

To provide an active matrix display device which eliminates poor signal write at the time of low gradation display and suppresses the variance in light emission current to have an improved display quality, and a driving method thereof.例文帳に追加

低階調表示時の信号書き込み不足を無くすとともに発光電流のバラツキを抑制し、表示品位の向上したアクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

When all of WRITE, CHRDY and RA become "H", an output signal of NAND circuit ND1 becomes "H", and the writing electric current flows into the writing wordline WWL1.例文帳に追加

ＷＲＩＴＥ、ＣＨＲＤＹ及びＲＡ１の全てが“Ｈ”になると、ＮＡＮＤ回路ＮＤ１の出力信号は、“Ｈ”となり、書き込み電流が書き込みワード線ＷＷＬ１に流れる。 - 特許庁

Write the total of current assets (cash & deposits, receivables, notes and bills receivables, securities, etc.), fixed assets (tangible fixed assets, intangible fixed assets, investments, etc.), and assets deferred (foundation cost, R&D expenses, costs for issuing new shares, etc.) 例文帳に追加

流動資産（現預金、売掛金、受取手形、有価証券等）、固定資産（有形固定資産、無形固定資産、投資等）、繰延資産（創立費、開発費、新株発行費等）の合計を記入してください。 - 経済産業省

When simultaneously reading/writing plural non-contact IC cards 30a,..., 30h,... while using the IC card reader/writer, by generating a magnetic field by the IC card reader/writer, a current flows to the antenna 34 and this current is supplied to an IC chip 32 so that read/write operation can be started.例文帳に追加

複数の非接触型ＩＣカード３０ａ，・・，３０ｈ，・・をＩＣカードリーダライタを使って一括して読み書きする場合は、ＩＣカードリーダライタが磁界を発生させることにより、アンテナ３４に電流が流れ、これをＩＣチップ３２に供給することで読み書き動作を開始する。 - 特許庁

A pulse current amplitude value applied to the write element of a magnetic head to be tested is set to a saturation state current value with which a magnetic field having sufficient magnitude to reverse all magnetic moment included in one bit area can be generated, test data is written, and asymmetry A_asym is measured.例文帳に追加

被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントをすべて反転させるのに十分な大きさの磁界を発生させることが可能な飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、非対称性Ａ_asymを計測する。 - 特許庁

The address circuit selects at least one of memory cells, and the write driver generates a reset pulse current to program the memory cell selected by the address circuit into the amorphous state, and also generates a set pulse current to program the memory cell selected by the address circuit into the crystalline state.例文帳に追加

前記アドレス回路は少なくとも一つのメモリセルを選択し、前記ライトドライバはリセットパルス電流を発生してアドレス回路により選択されたメモリセルを非晶質状態にプログラムし、また、セットパルス電流を発生してアドレス回路により選択されたメモリセルを結晶状態にプログラムする。 - 特許庁

To provide a current driver which can rapidly and well write display data into respective display pixels even when the gradation currents supplied to light emitting elements are slight and a driving control method for the same, and a display device using the current driver.例文帳に追加

発光素子に供給される階調電流が微小な場合であっても、各表示画素に表示データを迅速かつ良好に書き込みを行うことができる電流駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、該電流駆動装置を用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

A pulse current amplitude value applied to the write element of a magnetic head to be tested is set to an un-saturation state current value with which a magnetic field having magnitude in which magnetic moment included in one bit region does not become a saturation state is generated, test data is written, and asymmetry A_asym is measured.例文帳に追加

被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントが飽和状態とならない大きさの磁界を発生させる未飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、非対称性Ｂ_asymを計測する。 - 特許庁