「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonvolatile semiconductor memory device 10 includes a constant current circuit 500 to which write or erase is performed by a current which is subjected to constant current control in writing or erasure in electric processing to the memory cell Mmn in a memory cell array section 100.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置１０は、メモリセルアレイ部１００におけるメモリセルＭｍｎに対しての電気的処理による書き込みあるいは消去において、定電流制御された電流によって書き込みあるいは消去が行われる定電流回路５００を備える。 - 特許庁

For instance, in response to a decision that the present position of the magnetic-recording head is farther away from an edge of a current track being written than a desired position of the magnetic-recording head, the current adjustment component increases the current to the magnetic-recording head to cause an increase in the intensity of the write magnetic field.例文帳に追加

例えば磁気記録ヘッドの現在の位置が磁気記録ヘッドの所望位置より、書き込み中の現在のトラックの端からさらに離れているという決定に応答して、電流調整部品は書き込み磁場の強さの増加を引き起こすために磁気記録ヘッドへの電流を増加する。 - 特許庁

To provide constitution capable of easily executing the adjustment of data write-in current quantity for securing the predetermined write-in margin by compensating the variation of magnetic characteristics caused by the variation of manufacturing in an MRAM device including an MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、製造ばらつきに起因する磁気特性の変動を補償して所定のデータ書込マージンを確保するための、データ書込電流量の調整を容易に実行可能な構成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an integrated circuit which reduces a current value of a magnetoresistive element used for read and write of information without increase in area of memory cells when viewed from above, and inhibits read/write errors and a short circuit between magnetoresistive elements.例文帳に追加

メモリセルの平面視における面積を増加せずに、磁気抵抗素子の情報の読み書きに用いる電流値を低減しながら、読み書きエラーや磁気抵抗素子間の短絡が抑制された集積回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration in an overwrite characteristic independently of environment conditions and variation in heads, in a magnetic disk device in which the magnetic head is projected by a write-current given to a write-element, while projection quantity is controlled by a heating element provided at the magnetic head.例文帳に追加

ライト素子に付与するライト電流で、磁気ヘッドを突き出すとともに、磁気ヘッドに設けた発熱素子で、突き出し量を制御する磁気ディスク装置において、環境条件やヘッドのばらつきによらず、オーバーライト特性の劣化を防止する。 - 特許庁

A read area at any address in the register 21 becomes a recording area of electric current values and a write area at the same address becomes a recording area of control signals and for instance, a permission bit for the use of electric current and a function effective bit are prepared.例文帳に追加

そしてこのレジスタ２１の任意のアドレスの読み出しエリアが電流値の記載エリアとされ、同じアドレスの書き込みエリアは制御信号の記載エリアとされて、例えば電流使用許可ビットと機能有効化ビットが設けられる。 - 特許庁

Therefore, even if difference of current values in an erasion state and a write-in state in individual memory cells is small, difference of current values flowing in a node 104 of a second memory cell part 101 can be made large by data 0 and data 1.例文帳に追加

このため、個々のメモリセルでの消去状態と書き込み状態での電流値の差が小さくても、データ０とデータ１とでメモリブロックの第２のメモリセル部１０１のノード１０４に流れる電流値の差を大きくすることができる。 - 特許庁

A constant current circuit 1 and a non-volatile memory cell 2 are connected in series, and writing is performed in the non-volatile memory cell in a write state in a read or retention mode using the connecting point of the constant current circuit 1 and the non-volatile memory cell 2 as an output.例文帳に追加

定電流回路１と不揮発性メモリセル２を直列接続し、前記両者の接続点を出力とし、読出、もしくは保持モードにおいて、ＷＲＩＴＥ状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおきる。 - 特許庁

Therefore, while the characteristic that charge implantation efficiency is kept high during the write operation, the read current can be increased more than that in the structure of the related art.例文帳に追加

このため、書き込み動作時の電荷注入効率が高いと言う特長を有したまま、従来の構造よりも読み出し電流量を多くすることができる。 - 特許庁

To realize high thermal disturbance resistance and high write-in efficiency by making reduction of a wrote-in current value and thermal disturbance resistance of bit information compatible in a MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて書き込み電流値の低減とビット情報の熱擾乱耐性の確保を両立させ、高い熱擾乱耐性と高い書き込み効率を実現する。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by the output of a column latch via a memory cell of write complete when verifying the program is bypassed by the source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

The switching transistors 16, 18 are formed in parallel along both sides of the memory cell contact part 95 and when writing data, both transistors are turned on and a data write current is made to pass.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ１６，１８は、メモリセルコンタクト部９５の両側に沿って並列に形成され、データ書込時には両方がオンしてデータ書込電流を通過させる。 - 特許庁

To speed up a writing speed and to reduce power consumption by preventing a period before a write current reaches a prescribed value from being prolonged by a parasitic capacitor.例文帳に追加

本発明は、寄生キャパシタにより書込電流が所定値に達するまでの時間が長引くことを防止することにより、書込み速度を速め、消費電力を削減する。 - 特許庁

A switching circuit 20 includes a plurality of transistors, and switches the direction of a write current Iw flowing to the magnetic head 12 corresponding to the conducting state of each transistor.例文帳に追加

スイッチング回路２０は、複数のトランジスタを含み、各トランジスタの導通状態に応じて磁気ヘッド１２に流れる書込電流Ｉｗの方向を切り換える。 - 特許庁

To provide a novel magnetic recording head capable of realizing energy irradiation by a heat assisting method and contributing to the reduction of the write current magnetic field of an MRAM, and a magnetic storage device.例文帳に追加

熱アシスト法によるエネルギー照射を実現し、また、MRAMの書込み電流磁場の低減に寄与する新規な磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The current data and the past data in the write data creating part 14 become data related to the same point in the coordinate system fixed to the global surface to improve the correspondence relationship.例文帳に追加

ライトデータ作成部１４における現在のデータと過去のデータが地球表面固定の座標系における同一点に係るデータとなり、対応関係が改善される。 - 特許庁

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data.例文帳に追加

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To provide a memory element together with its manufacturing method where a distance between an MTJ cell and a second word line as a write line is reduced to allow writing operation on less current.例文帳に追加

ＭＴＪセルとライトラインである第２ワードラインの距離を縮小させ、少量の電流でライト動作を可能にした、メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To write the magnetic information into a magnetic recording medium by a discriminated appropriate writing current which is discriminated for the magnetic recording medium.例文帳に追加

この発明は、磁気記録媒体の適切な書込み電流を判定し、その判定した適切な書込み電流で磁気情報を磁気記録媒体に書込むことである。 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a write current is applied through a selected magnetic memory cell to initiate magnetic precession of the selected cell to a desired magnetic state.例文帳に追加

さまざまな実施形態に従えば、書込電流が選択された磁気メモリセルに印加されて、選択されたセルの所望の磁化状態への磁気歳差運動を開始する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic substance storage device which comprises a structure capable of supplying a data write current stably and effectively without causing an increase in size of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A series of demagnetization pulses and the gradually reduced write current demagnetize a head to reduce the writing head magnetic bias, which influences a reading head in the vicinity of a head of the disk drive.例文帳に追加

一連の消磁パルスおよび漸減するライト電流はヘッドを消磁して、ディスク・ドライブのヘッドの近傍の読出しヘッドに影響する、書込みヘッド磁気バイアスを低減する。 - 特許庁

A plurality of first surrounding circuits 4 for making current flow into the first write-in lines are connected to one or both of the second ends and fourth ends, and also to the first connection sections.例文帳に追加

第１書き込み線に電流を流す複数の第１周辺回路４は、第２端および第４端の一方または両方と、第１接続部と、に接続される。 - 特許庁

A management 60 registers the maximum allowable bit rate, the current write/read bit rate and the free space on a recorder management table 61 for every recorder 10_1-10_n and manages them.例文帳に追加

管理部６０は、記録装置１０_1〜１０_nごとに、最大許容ビットレート、現在の書込／読出ビットレート、および空き容量を記録装置管理テーブル６１に登録し管理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for reducing an unnecessary current consumption related to a process of generating addresses for use in read operation and write operation.例文帳に追加

読み出し動作及び書き込み動作のためのアドレスを生成する過程に係る不必要な電流消耗を減少させることができる半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

A cell current made to flow from the bit line by output of a column latch via a memory cell in which write is completed is bypassed by this source line MSL outside the block.例文帳に追加

プログラムベリファイ時にカラムラッチの出力でビット線から書き込み完了のメモリセルを介して流れるセル電流をこのブロック外ソース線ＭＳＬでバイパスさせる。 - 特許庁

At the same time, an SRAM circuit reduces the leak current by controlling a substrate bias, setting the power switch for a read amplifier or write amplifier, and shutting off the switch.例文帳に追加

同時にＳＲＡＭ回路では、基板バイアスを制御することと、リードアンプあるいはライトアンプへの電源スイッチを設け、且つそのスイッチを遮断してリーク電流を低減する。 - 特許庁

In a second embodiment, a current switch of a bit line of a selected bit line and a bit write-in driver circuit are enabled selectively, average use of the driver is balanced.例文帳に追加

第２実施例においては、選択されたビット線の電流スイッチとビット書込ドライバ回路が選択的に可能化され、ドライバの平均的な利用を平衡化する。 - 特許庁

To provide an electric current generating and supplying circuit with which a display can shift quickly from a regular display state to a black display state and which can improve picture quality of the display by outputing a write-in current having a proper current value corresponding to display data and its control method and a display device which is equipped with the electric current generating and supplying circuit.例文帳に追加

通常の表示状態から黒表示状態に迅速に移行することができるとともに、表示データに対応した適切な電流値の書込電流を出力して、表示画質の改善を図ることができる電流生成供給回路及びその制御方法、並びに、該電流生成供給回路を備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

In accordance with the charging voltage based on the current signal held by the voltage holding elements, the driving current generating elements supply the generated driving current to the light emitting elements to generate the accurate driving current corresponding to the data of the emitted light quantity, and reduce the time which is required for data write in the voltage holding elements.例文帳に追加

電圧保持素子に保持された電流信号に基づく充電電圧に応じて前記駆動電流発生素子が発生する駆動電流を発光素子に供給することで、発光量についてのデータ応じた正確な駆動電流の発生を可能とすると共に、電圧保持素子へのデータ書き込みに要する時間を短縮することを可能とする。 - 特許庁

In an asteroid curve represented by a bit line magnetic field H_x generated by a write bit line current I_B and a word line magnetic field H_y generated by a write word line current I_W, manufacturing variations and a design margin are taken into consideration to assume an asteroid curve AC_out outside all memory cell asteroid curves (located with a hatched area of Figure).例文帳に追加

書込ビット線電流Ｉ_Ｂにより発生するビット線磁界Ｈ_ｘと書込ワード線電流Ｉ_Ｗにより発生するワード線磁界Ｈ_ｙとにより表されるアステロイド曲線において、製造ばらつきと設計マージンを考慮し、全メモリセルのアステロイド曲線（図中ハッチング領域内に収まる）よりも外側にアステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔを想定する。 - 特許庁

Regarding a pixel 101 including a light emitting element 34 that emits light in accordance with a drive current, a write transistor 31 for writing a video signal, a driver transistor 32 for supplying a drive current to the light emitting element 34 and an auxiliary capacitor 231 connected between the write transistor 31 and a GND, N pixels (N is integer ≥2) are arranged on the same horizontal line.例文帳に追加

駆動電流に応じて発光する発光素子３４と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタ３１と、駆動電流を発光素子３４に供給する駆動トランジスタ３２と、書き込みトランジスタ３１とＧＮＤとの間に接続される補助容量２３１とを備える画素１０１は、同一水平ラインにＮ個（Ｎは２以上の整数値）配置される。 - 特許庁

To reduce power consumption by making dull the peak of a waveform of a current that flows in a write bit line, when writing data into a flip-flop circuit, while inverting a voltage to be supplied to a pair of write bit lines, thereby reducing the power supply noise.例文帳に追加

書込用ビット線対に供給される電圧を反転させてフリップフロップ回路にデータを書き込む場合に、書込用ビット線を流れる電流波形のピークを鈍らせて、電源ノイズを低減させ、ひいては低消費電力化を図ることができるようにする。 - 特許庁

In an exemplary embodiment, the reflection cancellation signal is a delayed and filtered version of the incident write current signal that cancels a reflected signal that is reflected at the interface between the interconnection and the write head due to impedance mismatching.例文帳に追加

１つの実施例においては、この反射相殺信号は相互接続と書込みヘッド間のインタフェースの所でインピーダンスの不整合のために反射される反射信号を相殺するための入射書込み電流信号の遅延され、かつフィルタリングされたバージョンから成る。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、ＷＯＲＭ(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the load current from the power source to a MRAM device is supplied at the time of charge of a digit line capacitor 60 and a bit line capacitor 65, and is not consumed at the time of making the data write-in current Ip, Iw(0), IW(1) to flow.例文帳に追加

したがって、電源からＭＲＡＭデバイスへの負荷電流は、ディジット線容量６０およびビット線容量６５の充電時に供給され、データ書込電流ＩｐおよびＩｗ（０），Ｉｗ（１）を流す際には消費されない。 - 特許庁

When the data is written, write current is supplied to a selection digit line (DL) by a digit line drive circuit (2), and magnetization direction of a free layer of a memory cell, coupled with the digit line by a current induction magnetic field, is set in the direction opposite to a fixed layer.例文帳に追加

データ書込時、デジット線ドライブ回路（２）により、選択デジット線（ＤＬ）に書込電流を供給し、その電流誘起磁界により、デジット線に結合されるメモリセルの自由層の磁化方向を、固定層と反対の方向に設定する。 - 特許庁

To write information into one of the memory cells MC1-MC3, the 1st terminal A1 of the 1st conductor line LB1 is connected with a current source Q1, and the 2nd terminal A2 of the 2nd conductor line LB2 is connected with another current source Q2.例文帳に追加

情報をメモリセルＭＣ１〜ＭＣ３の１つへ書き込むため、第１の導体路ＬＢ１の第１の端子Ａ１は電流源Ｑ１と接続されており、第２の導体路ＬＢ２の第２の端子Ａ２は別の電流源Ｑ２と接続されている。 - 特許庁

Here, the digital value of the setting preparation data is determined so that write of a drive current corresponding to the image data into a circuit to be driven with the supply of the drive currents during the setting preparation time period and the current setting time period.例文帳に追加

なお、設定準備期間および電流設定期間における駆動電流の供給によって駆動対象回路に対する画像データに応じた駆動電流の書き込みが完了するように、設定準備データのデジタル値が決定される。 - 特許庁

The servo signal writing system is for writing servo signals SS, SS, SS, and SS to servo tracks ST, ST, ST, and ST on a magnetic tape MT by supplying a recording current (recording pulse current) to a servo write head and characterized in that the recording current PC includes a pattern whose plus polarity and minus polarity are supplied alternatedly and continuously.例文帳に追加

サーボ書込ヘッドに記録電流（記録パルス電流）ＰＣを供給し、磁気テープＭＴのサーボトラックＳＴ，ＳＴ，ＳＴ，ＳＴにサーボ信号ＳＳ，ＳＳ，ＳＳ，ＳＳを書き込むためのサーボ信号書き込み方式であって、記録電流ＰＣはプラス極性とマイナス極性とが交互に連続して供給されるパターンを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a current generation supply circuit and a display device equipped with the same, in which a normal display state is promptly transferred to a black display state, while display quality is improved by outputting a write current of a suitable current value corresponding to a display data.例文帳に追加

通常の表示状態から黒表示状態に迅速に移行することができるとともに、表示データに対応した適切な電流値の書込電流を出力して、表示画質の改善を図ることができる電流生成供給回路及び該電流生成供給回路を備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

A scanning line driving circuit after supplying a constant current from the constant current circuit by turning ON the 2nd switch ON to keep the video signal wiring at a designated potential turns ON the 1st switch to write the signal wiring current supplied from the video signal driving circuit to the video signal wiring to the pixel portion.例文帳に追加

走査線駆動回路は、第２スイッチをオン状態として定電流回路から定電流を供給し映像信号配線を所定の電位とした後、第１スイッチをオン状態とし映像信号駆動回路から映像信号配線に供給された信号配線電流を画素部に書き込む。 - 特許庁

A data write-in circuit 51 sets the other end of the bit line BL of the selection column and the other end of the current feedback wiring RL to power source voltage Vcc and ground voltage GND respectively in accordance with a level of write-in data DIN through data buses DBo, DBe and an inversion data bus/WDB.例文帳に追加

データ書込回路５１はデータバスＤＢｏ，ＤＢｅおよび反転データバス／ＷＤＢを介して、選択列のビット線ＢＬの他端および電流帰還配線ＲＬの他端を、書込データＤＩＮのレベルに応じて、電源電圧Ｖｃｃおよび接地電圧ＧＮＤの一方ずつに設定する。 - 特許庁

The information storage device can be equipped with a temporary storage means for temporarily storing the information read by the reading means, and further equipped with a write control means which is connected to the temporary storage means and for controlling the current applied to the write means.例文帳に追加

該読み取り手段によって読み取った情報を臨時に保存するための臨時保存手段を備えることが可能であり、臨時保存手段に連結されたものであり、書き込み手段に印加される電流を制御するための書き込み制御手段をさらに備えることができる。 - 特許庁

A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加

メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁