「write current」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In an exemplary embodiment, the incident write current signal is provided by providing an incident voltage signal across the write head, and the reflection cancellation signal is provided by applying an incident voltage signal across the write head.例文帳に追加

１つの実施例においては、この入射書込み電流信号は、書込みヘッドに入射電圧信号を加えることで供給され、この反射相殺信号は書込みヘッドに反射相殺電圧信号を加えることで供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device using a TMR element as a memory cell in which a write-in current at the time of write-in for a memory cell can be outputted accurately and temperature dependencies of write-in margin and read-out margin are eliminated.例文帳に追加

メモリセルの書込時の書込電流を正確に出力できるように、そして書込マージン及び読出マージンの温度依存性を排除するようにした、メモリセルとしてＴＭＲ素子を使用した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When data to be written is recorded as an ECC (error correction code) in a plurality of physical blocks constituting a nonvolatile memory and a write error occurred, a time interval between a previous write error and a current write error is detected.例文帳に追加

書き込むべきデータをＥＣＣ符号として不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックに記録し、書き込みエラーが発生した場合は、直前に発生した書き込みエラーと現書き込みエラーとの時間間隔を検出する。 - 特許庁

The current sources (700, 800) may be provided with temperature sensors (750, 850) providing an output continuously and instantly for a current sensor to enable to adjust accurately a write-in current.例文帳に追加

電流源(700,800)は、書込み電流を正確に調整することができるようにするために、電流センサに対して連続的かつ即時に出力を提供する温度センサ(750,850)を備えることができる。 - 特許庁

In addition, a write bit line current and a write word line current are selected so as to form a synthetic magnetic field on a curve between a point H1 and a point H2 on the asteroid curve AC_out in order to prevent multi-selection.例文帳に追加

さらに、マルチセレクションを防止するため、アステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔ上の点Ｈ１と点Ｈ２との間の曲線上に合成磁界を形成するような書込ビット線電流及び書込ワード線電流を選択する。 - 特許庁

In response to the transfer prohibition instruction, a write memory address generation unit (15) specifies a write memory address for overwriting the data part of the current frame stored in a memory block (12) with the data part of a frame next to the current frame.例文帳に追加

書き込みメモリアドレス生成部（１５）は、転送禁止命令に応答して、メモリブロック（１２）に格納されている現在フレームのデータ部分を、現在フレームの次のフレームのデータ部分で上書きするような書き込みメモリアドレスを指定する。 - 特許庁

In a write current control part 9 provided to a flash memory 1, the current flowing in the memory cell S when writing is detected by a write current detection circuit 11, and a word line voltage control circuit 12 controls the word line voltage, on the basis of the detection result.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に設けられた書き込み電流制御部９において、書き込み電流検出回路１１により、書き込み時にメモリセルＳに流れる電流を検出し、その検出結果に基づいてワード線電圧制御回路１２がワード線電圧を制御する。 - 特許庁

To provide: a driving circuit for a current driven device, which quickly pre-charges the current driven device and precisely write a current signal; a current driven system provided with the driving circuit and the current driven device; and a driving method thereof.例文帳に追加

電流駆動型デバイスに対するプリチャージを速やかに行うことができ、電流信号の書込みを精度よく行うことができる電流駆動型デバイスの駆動回路、この駆動回路と電流駆動型デバイスとを備えた電流駆動型装置、及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A correlation is set between the frequency of a high frequency current flowing through a second write conductor line 7 and its current value so as to prevent inversion of magnetized states of one or more magnetic storage cells 1 arranged corresponding to one or more intersections where no DC current Iw flows through the first write conductor line 6 while a high-frequency current Ia flows through the second write conductor line 7.例文帳に追加

そして第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れておらず且つ第２の書き込み導体線７に高周波電流Ｉａが流れている１以上の交差点に対応して配置された１以上の磁気記憶セル１の磁化状態を反転させることがないように、第２の書き込み導体線７に流される高周波電流の周波数とその電流値に相関関係を持たせる。 - 特許庁

A writing circuit W generates writing current to supply to the writing head in a data memory to write data on a magnetic disk 5.例文帳に追加

磁気ディスク５にデータを書き込むため、ライト回路においてライト・ヘッドに供給される書き込み電流を生成する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory device capable of write-in at low current and having an enhanced magnetic resistance change ratio.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、低電流で書き込み可能にするとともに、磁気抵抗変化比を向上する。 - 特許庁

To write a desired driving current value promptly to a load of each pixel even if load variations may occur in each pixel.例文帳に追加

各画素において負荷のばらつきがあっても、各画素の負荷に対して速やかに所望の駆動電流値を書き込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage for suppressing a peak current reliably without depending on write data patterns.例文帳に追加

書き込みデータのパターンに依存せず、確実にピーク電流を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent consumption of a needless current by eliminating needless precharege operation at write operation of a semiconductor memory apparatus.例文帳に追加

半導体メモリ装置の書込み動作時に不要なプリチャージ動作を省略して不要な電流の消耗を防止する。 - 特許庁

To provide the power circuit which can write and erase data fast and reduce current consumption.例文帳に追加

高速のデータの書込及び消去を行うことができ、消費電流を低減することができる電源回路を提供する。 - 特許庁

To locate a magnetoresistance element at a position at which a current magnetic field generated by a write line is most effectively applied.例文帳に追加

書き込み線から発生する電流磁界が最も効果的に印加される位置に磁気抵抗効果素子を配置する。 - 特許庁

Bit lines BL and write-word lines WWL through which a data write-in current is made to flow are arranged along respectively a short side direction and a long side direction of the tunnel magnetic resistance element TMR.例文帳に追加

データ書込電流が流されるビット線ＢＬおよびライトワード線ＷＷＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの短辺方向および長辺方向にそれぞれ沿って配置される。 - 特許庁

The interleaving of data bit write windows allows a larger number of data bits to be written without exceeding system specifications (e.g., maximum current), thus shortening an overall memory write time.例文帳に追加

この、データビット書込みウィンドウをインターリービングすることは、システム仕様（例えば最大電流）を越えることなく、大量のデータビットを書込むことを可能にし、全書込み時間を低減する。 - 特許庁

To make a memory element store information, preventing destruction of the memory element by making the direction of magnetization of a storage layer reverse by applying a write current having less write-in voltages.例文帳に追加

少ない書き込み電圧から成る書き込み電流を印加することによって記憶層の磁化の向きを反転させることで、記憶素子の破壊を防ぎつつ、記憶素子に情報を記憶させる。 - 特許庁

A resistance value at the time of write-in operation is set to a large value and a source potential is floated, a sub-threshold leak current of a non-selection cell is decreased, and write-in drain disturbance tolerance is improved.例文帳に追加

書き込み動作時の抵抗値を大きく設定してソース電位を浮かせ、非選択セルのサブスレッショルドリーク電流を減少させて書き込みドレインディスターブ耐性を向上させる。 - 特許庁

To mitigate the influence of an input error in the control loop of a bias current exerted on the control loop of a current pulse, in a laser drive control device employing write strategy techniques.例文帳に追加

ライトストラテジ技術を採用したレーザ駆動制御装置において、バイアス電流の制御ループの入力誤差が電流パルスの制御ループに与える影響を、緩和する。 - 特許庁

The write driver receives data, responds to a set pulse or a reset pulse and generates a set current or a reset current for controlling the state of a phase change material.例文帳に追加

書き込みドライバはデータを受信し、セットパルスまたはリセットパルスに応答して、相変化物質の状態を制御するセット電流またはリセット電流を発生させる。 - 特許庁

The thin film magnetic memory device is provided with a plurality of current supply circuits provided respectively to a plurality of digit lines and supplying a first data write current.例文帳に追加

薄膜磁性体記憶装置は、複数のデジット線にそれぞれ対応して設けられ、第１のデータ書込電流を供給する複数の電流供給回路を設ける。 - 特許庁

A width of a write-in current pulse for writing information into a magnetic storage layer is larger than a width of a read-out current pulse for reading the information from the magnetic storage layer.例文帳に追加

磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きい。 - 特許庁

Setting data deciding supply/cut-off timing, amplitude, and its temporal variation (current waveform) of a write-word/bit-line-current is registered in a setting circuit 23.例文帳に追加

設定回路２３には、書き込みワード／ビット線電流の供給／遮断タイミング、大きさ、及び、その時間的変化（電流波形）を決定する設定データが登録される。 - 特許庁

In a phase change memory cell MC, a write voltage is transmitted from a write voltage generation circuit 24 to a bit line BL to which a selection memory cell MC is connected, and then a word line WL is driven to a selection state to supply a write current to the memory cell.例文帳に追加

相変化メモリセル（ＭＣ）において、選択メモリセル（ＭＣ）が接続されるビット線（ＢＬ）に、書込電圧を書込電圧発生回路（２４）から伝達した後、ワード線（ＷＬ）を選択状態へ駆動し、書込電流をメモリセルに供給する。 - 特許庁

When conducting a write operation for a memory cell MC existing at a cross point of a write word line WWL0 and a bit line BL0, a current directed from a WWL driver 13 toward a voltage down-converter 20 is supplied to the write word line WWL0.例文帳に追加

ライトワード線ＷＷＬ０とビット線ＢＬ０の交点に存在するメモリセルＭＣに対してライト動作を実行する場合、ライトワード線ＷＷＬ０には、ＷＷＬドライバ１３から電圧ダウンコンバータ２０に向かう電流が流れる。 - 特許庁

In the control circuit 101, the plurality of write power current sources generate currents having waveforms corresponding to the respective input control signals WP1on-WP3on, and the plurality of currents output from the plurality of write power current sources and the current output from the reproduction power current source 302 are summed up and output to a semiconductor laser 3.例文帳に追加

制御回路１０１において、複数のライトパワー電流源が各々入力された制御信号ＷＰ1on〜ＷＰ3onに対応する波形を有する電流を生成し、複数のライトパワー電流源から出力された複数の電流と再生パワー電流源３０２から出力された電流とが加算されて半導体レーザ３に出力する。 - 特許庁

Each write drive circuit WWD supplies the data write current Iww by tuning on both driver transistors 101 and 102 and supplies the magnetic field cancel current ▵Iww by turning on only the driver transistor 102.例文帳に追加

各ライトドライブ回路ＷＷＤにおいて、データ書込電流Ｉｗｗは、ドライバトランジスタ１０１および１０２の両方のターンオンによって供給され、磁界キャンセル電流ΔＩｗｗは、ドライバトランジスタ１０２のみのターンオンによって供給される。 - 特許庁

In verify-read operation at the time of write, any of reference cells RC01, RC02, RC11, RC12, RC21 and RC22 is selected in accordance with write data and the same voltage as that at the time of the read operation is given, and a reference current value Iverify for verify-read is compared with a cell current.例文帳に追加

書き込み時のベリファイ読み出し動作では、書き込みデータに応じて参照セルＲＣ０１，ＲＣ０２，ＲＣ１１，ＲＣ１２，ＲＣ２１，ＲＣ２２のいずれかを選択して読み出し動作と同じ読み出し電圧を与え、ベリファイ読み出し用基準電流値Ｉｖｅｒｉｆｙとセル電流を比較する。 - 特許庁

The write-in of data is performed by controlling the supply time of the first current in accordance with write-in data, the read-out of data is performed by detecting the supply time of the second current until the potential of the bit line 11 becomes equal to prescribed potential.例文帳に追加

データの書き込みは書き込むデータに応じて第１電流の供給時間を制御して行い、データの読み出しはビット線１１の電位が所定の電位と等しくなるまでの第２電流の供給時間を検出して行う。 - 特許庁

The laminated magnetic recording medium can have a single peak in the normalized DC erase noise vs. head write current plot indicating that the magnetic transitions in the non-slave magnetic layers are written at the same head write current.例文帳に追加

本発明の積層磁気記録媒体は、ヘッド書込み電流に対する正規化されたDC消去ノイズ値のプロットで単一のピークを持つことができ、非従属磁性層内の磁気的変化が、同一のヘッド書込み電流で書き込まれることを示している。 - 特許庁

To provide a current generating circuit which eliminates write insufficiency and current fluctuations while maintaining merits of a current program system and is adequate for an electrooptical device, and to provide an electrooptical device and electronic device.例文帳に追加

電流プログラム方式の優れた点を維持しつつ、書き込み不足、電流変動を解消する電気光学装置に好適な電流生成回路、電気光学装置、及び、電子機器を提供することにある。 - 特許庁

When the read data are "0", it progresses to a step S6 and a current is applied to a memory cell to write "1".例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

To provide a suspension structure which can reduce the thermal deformation of a suspension during impression of a write current.例文帳に追加

サスペンション構造に関し、ライト電流印加時にサスペンションの熱変形を軽減させることができるようにすることを目的とする。 - 特許庁

That is, the crosstalk current, proceeding toward the read-out head element 46 from the induction write-in head element 45, can be reduced.例文帳に追加

すなわち、誘導書き込みヘッド素子４５から読み出しヘッド素子４６に向かうクロストーク電流は低減されることができる。 - 特許庁

If the read data are "0", the processing proceeds to step S6, and applies a current in order to write "1" in a memory cell.例文帳に追加

読出データが“０”であった場合にはステップＳ６に進み、メモリセルに対して“１”を書込むために電流の印加が行なわれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device reducing current consumption and circuit scale without delaying read/write operation.例文帳に追加

読出し／書込み動作を遅延させることなく、消費電流が低くかつ回路規模の小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) WITH ON- CHIP AUTOMATIC DETERMINATION OF OPTIMIZED WRITE CURRENT METHOD AND APPARATUS例文帳に追加

最適化された書込み電流をオンチップで自動的に判定する方法及び装置を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ） - 特許庁

To provide a storage element which has a high coercive force and can improve thermal stability without increasing a write current.例文帳に追加

書込電流を増大させることなく、高い保磁力を有し熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。 - 特許庁

To provide a storage element which enables a high holding power and improvement of heat stability without increasing a write current.例文帳に追加

書込電流を増大させることなく、高い保持力を有し熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。 - 特許庁

To provide a memory cell which has high selectivity of the memory cell and a large margin of write current and to provide a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁

The circuit controls the rise, amplitude and width of OS respectively independently for controlling the OS waveform of the write current.例文帳に追加

書き込み電流のオーバーシュート波形を制御するために、オーバーシュートの立ち上がり、振幅、幅をそれぞれ独立に制御する回路。 - 特許庁

The Write Snapshot routine writes the current pasteboard buffer to the file or hardcopy terminal specified by the pasteboard identifier. 例文帳に追加

この書き込みスナップショットルーチンは現在のペーストボード・バッファをファイルまたはペーストボード識別子で指定されたハードコピー端末に書き出す。 - コンピューター用語辞典

In a bit weighting current source circuit 43, during reference current write operation, reference current IREF[2] from a reference current line 40 is guided so as to pass through an n-type TFT 48, and a gate voltage at that time is held at a capacitor 49.例文帳に追加

ビット重み付け電流源回路４３において、基準電流書込み動作時には、基準電流線４０からの基準電流ＩＲＥＦ［２］がｎ型ＴＦＴ４８を通過するように導かれ、そのときのゲート電圧がキャパシタ４９に保持される。 - 特許庁