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write currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 569件
This test circuit detects a bit in which a shift is caused in a write-in property in a memory cell array 1 as a defective bit using a method by which one axis write-in current of a difficult axis direction is applied.例文帳に追加
このテスト回路は、メモリセルアレイ1中の書き込み特性にシフトがあるビットを、困難軸方向の一軸書き込み電流を印加する手法を用いて不良ビットとして検出する。 - 特許庁
Each of the setting files stores both specific information about a data file that is a current target for write-in and specific information about a block with already-written data in the data file that is the target for the write-in.例文帳に追加
各設定ファイルには、現在書込対象とされているデータファイルの特定情報,及び、書込対象とされているデータファイルにおけるデータ書込済みのブロックの特定情報が格納されている。 - 特許庁
An MR head is provided by being overlapped in the relative moving direction of a medium with respect to the gap of an inductive write head, and the inductive write head is driven by a driver at a constant direct current during reading.例文帳に追加
インダクティブライトヘッドのギャップに対してメディアが相対移動する方向に重ねてMRリードヘッドが設けられ、かつ、インダクティブライトヘッドには、リード時において一定の直流でドライバにより駆動がなされる。 - 特許庁
The write wiring 5 is located adjacent to the inversion nucleation area 61, and first write current is applied thereto to produce a magnetic field for inverting the magnetization of the inversion nucleation area 61.例文帳に追加
書き込み配線5は、反転核形成領域61の近傍に位置し、且つ、反転核形成領域61の磁化を反転する磁場を発生するために使用される第1書き込み電流が流される。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device in which current consumption at the time of write-in of data can be reduced, operation speed can be increased, stable operation can be performed by reducing occurrence of a noise caused by write-in operation.例文帳に追加
データ書き込み時の低消費電流化、あるいは高速化、及び書き込み動作によるノイズの発生を低減して安定動作を図ることができる半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁
To make a nonvolatile semiconductor memory minute and to make power source voltage low by reducing a peak current required for write-in to reduce current capacity and boosting capability, and to shorten a write time by increasing generation efficiency of hot electrons.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリにおいて、書込みに要する電流ピークを下げることにより、電流容量と昇圧能力を低減して微細化と低電源電圧化を図ると共に、ホットエレクトロンの発生効率を増加させることにより、書込み時間を短縮する。 - 特許庁
A control IC9 controls the overshooting part out a recording current supplied to a head 2 from a write-driver 71 in accordance with the write-data, that is, an overshooting current is controlled through an overshoot control circuit 72 in accordance with temperature detected by a temperature sensor 10.例文帳に追加
コントロールIC9は、ライトデータに応じてライトドライバ71からヘッド2に供給される記録電流のうちのオーバーシュート部の電流、つまりオーバーシュート電流を、温度センサ10により検知された温度に応じて、オーバーシュート制御回路72を介して制御する。 - 特許庁
To control a power source current of an entire magnetic disk device by suppressing read/write processing of a magnetic disk drive when the power source current reaches a certain value or higher.例文帳に追加
或る一定以上の電源電流に達した場合に、磁気ディスクドライブのリ−ド/ライト処理を抑止することにより、磁気ディスク装置全体の電源電流を一定以下に抑えること。 - 特許庁
In a drive transistor Tr_0, Tr_1, Tr_2, ..., one end of the current path is connected to the word line, the first voltage is supplied to the gate, and the write-in voltage is supplied to the other end of the current path.例文帳に追加
駆動トランジスタTr_0、Tr_1、Tr_2…は、電流通路の一端がワード線に接続され、ゲートに第1の電圧が供給され、電流通路の他端に書き込み電圧が供給される。 - 特許庁
The writer is synchronized with intervals reflected by the current position of the sliding write window, and transmits the data only when the data to be written conforms to current intervals of the window.例文帳に追加
ライタは、スライディング書き込みウィンドウの現在位置によって反映される間隔と同期を取られ、書き込むべきデータがウィンドウの現行間隔に収まる場合のみ、このデータを送信する。 - 特許庁
A CPU 200 determines the optimum bias electric current and the write electric current, based on the temperature measurement result of the GMR read element, and executes the reset operation by the supply of these electric currents.例文帳に追加
CPU200は、GMRリード素子の温度測定結果に基づいて、最適なバイアス電流とライト電流を決定し、これらの電流供給によりピン・リセット動作を実行する。 - 特許庁
To solve such a problem that because a current is required to make to flow for each bit line when data are written simultaneously in a plurality of data bits belonging to the same column address, a current required for write-in is enlarged.例文帳に追加
同一カラムアドレスに属する複数のデータ・ビットに同時にデータを書き込む場合、ビット・ラインごとに電流を流す必要があるので、書き込みに必要な電流が大きくなる。 - 特許庁
To set large a write current of a current control type driving circuit which drives an active matrix type device, and to reduce unevenness between elements which are supplied with currents.例文帳に追加
アクティブマトリクス型の装置を駆動する電流制御型駆動回路において、書き込み電流を大きく設定可能とし、かつ、電流供給を受ける素子間の電流ムラを低減する。 - 特許庁
To provide a current driving circuit capable of increasing a signal write speed and an element driving speed even when a signal current is small and a display device using the same.例文帳に追加
信号電流が小さな場合であっても信号の書き込み速度や素子駆動速度を向上させることのできる電流駆動回路及びこれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a write current driving device for a magnetic head, in which the overshoot amount at the current changeover is adjustable to the optimum value without affecting other characteristics such as a normal current value or ringing characteristics.例文帳に追加
電流切り替え時のオーバーシュート量の調整を、定常電流値やリンギング特性などの他の特性に影響を与えることなく、最適値に調整することができる磁気ヘッド書き込み電流駆動装置を提供すること。 - 特許庁
An HDD generates a recording signal recording in a disk, and has a recording current supply part generating a recording current I_W based on this recording signal and a write head 112a recording data in the disk by the recording current.例文帳に追加
HDDは、ディスクに記録する記録信号を生成し、この記録信号に基づき記録電流I_Wを生成する記録電流供給部と、記録電流によりディスクにデータを記録するライトヘッド112aとを有する。 - 特許庁
Thus, during the write period, either of the transistors Q10 and Q11 is turned off, thereby preventing the flow of through current.例文帳に追加
これにより、書き込み期間中は、トランジスタQ10、Q11のいずれか一方はオフになり、貫通電流が流れるのを回避できる。 - 特許庁
Further, a bias magnetic field of a level not destroying stored data is applied to the selected memory cell by a current flowing through a write digit line.例文帳に追加
さらに、ライトディジット線を流れる電流によって選択メモリセルには、記憶データを破壊しないレベルのバイアス磁界が印加される。 - 特許庁
The magnetic layer is remagnetized by the second write head 20 with a current of the pulse interval Q3(t) which is generated by a pulse-generating circuit 26.例文帳に追加
パルス生成回路26が生成したパルス間隔Q3(t)の電流で第2書込みヘッド20により磁性層に再着磁する。 - 特許庁
Also, the second driver unit of the selection memory block connects a corresponding digit line and second voltage and supplies a data write current.例文帳に追加
また、選択メモリブロックの第2のドライバユニットは対応するデジット線と第2の電圧とを接続してデータ書込電流を供給する。 - 特許庁
To provide a magnetic head in which a crosstalk current proceeding toward a read-out head element, from an induction write-in head element, can be reduced.例文帳に追加
誘導書き込みヘッド素子から読み出しヘッド素子に向かうクロストーク電流を低減することができる磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic memory device capable of reducing fluctuation in a write current of a TMR element, highly reliable and capable of being downsized.例文帳に追加
TMR素子の書き込み電流のばらつきを低減でき、信頼性が高く、かつ小型化が可能な磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁
By this circuit constitution, a cell current of a memory cell can be measured by using a write-in driver without using another pass gate.例文帳に追加
このような回路構成によると、別途のパスゲートを使用しないで、書き込みドライバを利用してメモりセルのセル電流を測定できる。 - 特許庁
That is, the drive voltage signal impressed to the writing head is substantially and entirely differential during the transition period of a write head current.例文帳に追加
即ち、書込ヘッドへ印加される駆動電圧信号は書込ヘッド電流遷移期間中に実質的に完全に差動的である。 - 特許庁
A nonvolatile memory device for reducing programming current and improving reliability includes a memory cell array, a write circuit, and a verification circuit.例文帳に追加
プログラミング電流を低減し、信頼性を向上させる不揮発性メモリ素子は、メモリ・セル・アレイ、書き込み回路、及び検証回路を有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, wherein a cell leakage current at the write-in is reduced without impairing an erase property or a data holding property.例文帳に追加
消去特性やデータ保持特性を損なうことなく書き込み時のセルリーク電流を低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
The release circuit selectively applies the first write-current pulse to the PRAM cell for releasing the PRAM cell into the non-crystal state.例文帳に追加
復旧回路は前記PRAMセルを非結晶状態に復旧するために前記PRAMセルに前記第1書込電流パルスを選択的に印加する。 - 特許庁
This device includes a memory cell having a phase change material, a write driver which supplies a program current to the memory cell, and a set program control circuit which controls the set program time of a step-down set current when the program current is the step-down set current.例文帳に追加
本発明に係る相変化メモリ装置は相変化物質を有するメモリセル、前記メモリセルにプログラム電流を提供する書き込みドライバ、及び前記プログラム電流がステップダウンセット電流である場合、前記ステップダウンセット電流のセットプログラム時間を調節するセットプログラム制御回路を含む。 - 特許庁
This spin injection is executed in parallel to the memory cells to which the data "1" is written, the bit line write drive circuit is only required to constantly supply the data write current in one direction, and reduction for a layout space for the write drive circuit and high-speed writing can be realized.例文帳に追加
このスピン注入は、データ“1”を書込むメモリセルに対して並行して実行され、ビット線書込ドライブ回路は、常に一方方向にデータ書込電流を供給することが要求されるだけであり、書込ドライブ回路のレイアウト面積の低減および高速書込を実現することができる。 - 特許庁
A write-drive circuit WWDj has a transistor 101 connecting the write-word line WWLj to the power source voltage Vcc to supply a data write-in current Iww at the time of selecting (j)th row and a transistor 102 connecting the write-word line WWLj to the power source voltage Vcc at the time of selecting an adjacent row.例文帳に追加
ライトドライブ回路WWDjは、第j行の選択時に、データ書込電流Iwwを供給するためにライトワード線WWLjを電源電圧Vccと接続するトランジスタ101と、隣接行の選択時にライトワード線WWLjを電源電圧Vccと接続するトランジスタ102とを有する。 - 特許庁
A bit line corresponding to a selected memory cell is connected between write current control line of both sides of the corresponding memory block by turning on transistor switches 102, 103 in response to activation of a column selection line CSL shared between memory blocks, and a data write current flows.例文帳に追加
メモリブロック間で共有されるコラム選択線CSLの活性化に応答してトランジスタスイッチ102,103がオンすることによって、選択メモリセルに対応するビット線は、対応のメモリブロックの両側の書込電流制御線の間に接続されて、データ書込電流が流される。 - 特許庁
The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加
第2強磁性層の磁化反転は、第2強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁
A resistance variable memory device includes a resistance variable memory cell MC and a driving circuit that generates a combined pulse of write pulses (current value: I_z) constituted of a plurality of pulses and an offset pulse (current value I_z0) defining the level between pulses of the write pulses and supplies the generated combined pulse to the memory cell MC in writing.例文帳に追加
抵抗変化型のメモリセルMCと、複数のパルスからなる書き込みパルス(電流値:I_z)と、書き込みパルスのパルス間レベルを規定するオフセットパルス(電流値I_z0)との合成パルスを発生し、発生した合成パルスをメモリセルMCに書き込み時に与える駆動回路と、を有する。 - 特許庁
In a first embodiment, a switch selected out of pairs of current switch connected between each end of pairs of bit line in which each of bit lines are selected links bit lines being enabled and selected, one bit write-in current performs write-in simultaneously for each bit/cell in both bit lines.例文帳に追加
第1実施例において、各々が選択される対のビット線の各端の間に接続される1対の電流スイッチのうち選択されたスイッチが可能化されて選択されたビット線を連鎖させ、1つのビット書込電流が両方のビット線内の個々のビット・セルに同時に書き込む。 - 特許庁
To maintain a potential difference between the source and the drain of a memory cell, while lowering the current peak required for write and prevent energy and production efficiency of hot electrons from lowering to suppress the increase in write time to a minimum.例文帳に追加
書き込みに要する電流ピークを下げる一方で、メモリーセルのソース−ドレイン間の電位差を保ち、ホットエレクトロンのエネルギーと発生効率が低下することを防止して、書き込み時間の増加を最小限におさえる。 - 特許庁
To prevent an error from being caused in write verify-discrimination because a power source potential and a ground potential are fluctuated due to large current consumption caused by read operation when read-out operation is applied during write-in operation.例文帳に追加
書き込み動作中に読み出し動作が実行される場合に,読み出し動作に伴う大電流消費により電源電位やグランド電位が変動して,書き込みベリファイ判定に誤りが生じるのを防止する。 - 特許庁
A magnetic write head 2 has a coil of a pixel unit, and magnetizes the surface of a magnetic recording roller 1 by passing an electric current through each coil to generate a leakage magnetic flux from a tip part of a magnetic pole of the magnetic write head 2.例文帳に追加
磁気書込ヘッド2は、画素単位のコイルを有しており、各コイルに電流を流して磁気書込ヘッド2の磁極先端部から漏洩磁束を生じさせることにより、磁気記録ローラ1の表面を磁化させる。 - 特許庁
In reading or erasing data, write determination voltage or erasure determination voltage is applied to a control gate of a memory transistor, a write or erasure result is determined on the basis of the level of the drain current.例文帳に追加
データの書き込み時或いは消去時に、書き込み判定電圧或いは消去判定電圧をメモリトランジスタのコントロールゲートに印加し、そのドレイン電流のレベルに基づいて書き込み・消去結果を判定する。 - 特許庁
This magnetic recorder has a magnetic head 2 for writing the data to a magnetic disk, a write circuit 12 for supplying current to the magnetic head 2 and a controller 7 for controlling the operation of the write circuit 12.例文帳に追加
磁気記録装置は磁気ディスクにデータを書き込むための磁気ヘッド2と、磁気ヘッド2に電流を供給するための書き込み回路12と、書き込み回路12の動作を制御するためのコントローラ7とを備える。 - 特許庁
An N-fold current reset operation, a current reset operation, a signal write operation of writing an image signal, and a display operation of causing a driving current corresponding to the written image signal to flow from the driving circuit to the display element are performed in order.例文帳に追加
N倍電流リセット動作と、電流リセット動作と、映像信号を書込む信号書込み動作と、書込まれた映像信号に対応する大きさの駆動電流を駆動回路から表示素子に流す表示動作と、を順次行う。 - 特許庁
To provide a complex computer system which can write in a memory for both a current operational system and a standby system without slowing CPU access operation.例文帳に追加
CPUのアクセス動作を低下させることなく現用系および予備系のメモリに書き込みを行うことができる複合計算機システムを得る。 - 特許庁
To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加
磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるMRAMデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁
In data reading, a voltage of the write word line WWL is set to a ground voltage Vss for forming a current path for data reading.例文帳に追加
データ読出時において、ライトワード線WWLの電圧は接地電圧Vssに設定されて、データ読出のための電流経路が形成される。 - 特許庁
The variable write-in current is generated so that variations of coercive force of the memory cell (130) varied conforming to variations of array temperature can be adjusted.例文帳に追加
可変の書込み電流は、アレイの温度が変化するに従い変化するメモリセル(130)の保持力の変化を調整するように生成される。 - 特許庁
To improve write current of memory cells accurately, while suppressing deterioration in the reading characteristic, even over a wide range of temperature and under low power source voltage.例文帳に追加
広い温度範囲にわたって、低電源電圧下においても、正確にメモリセルの書込電流を読出特性の劣化を抑制しつつ改善する。 - 特許庁
Thereby, a current from the bit line BLj (or /BLj) of a 'H' level to the pseudo ground line VGj is prevented, and write-in speed is not reduced.例文帳に追加
これにより、“H”レベルのビット線BLj(または、/BLj)から疑似グランド線VGjへの電流が阻止され、書き込み速度は低下しない。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which stores data using a transistor having a low leakage current between a source and a drain in an OFF state as a write transistor.例文帳に追加
オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを保存する半導体装置を提供する。 - 特許庁
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