「write operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby strong discharge is made to occur before the write-in period to more stabilize the write-in operation and consequently unlighting of the cell can be suppressed and the display characteristic can be improved.例文帳に追加

これにより、書き込み期間の前で強放電を起こさせ、書き込み動作をより安定させることで、セルの不灯を抑制し表示特性を向上させることができる。 - 特許庁

The controller continues the read-modify-write operation without correcting the error when the error is detected in the data in the modify-write area by the error detection module.例文帳に追加

コントローラは、前記エラー検出モジュールにより前記書き換え領域のデータからエラーが検出されたときに、エラー訂正を実行せずに前記書き込み動作を継続させる。 - 特許庁

To improve image display quality by stabilizing write-in operation by suppressing the occurrence of abnormal discharge in a write-in period, even in a plasma display panel being made in a highly precise manner.例文帳に追加

高精細化されたプラズマディスプレイパネルにおいても、書込み期間における異常放電の発生を抑えて書込み動作を安定にし、画像表示品質を向上させる。 - 特許庁

To sharply shorten write time of data in nonvolatile semiconductor memory by eliminating overheads in a whole bit write termination determination operation which will terminate in fail.例文帳に追加

フェイル終了するであろう全ビット書き込み終了判定動作のオーバヘッドをなくし、不揮発性半導体メモリにおけるデータの書き込み時間を大幅に短縮する。 - 特許庁

To realize read operation of a high speed low consumption current while increasing the number of parallel write cells and shortening a write time, in a non-volatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置において、並列書込みセル数を増やし書込み時間の短縮をはかりつつ、高速低消費電流の読み出し動作を実現する。 - 特許庁

To provide a write-in/erasion control method for flash memory by which a test time for write-in/erasion can be shortened by eliminating a verification operation at the time of initial eration.例文帳に追加

初期消去時のベリファイ動作をなくし、書き込み・消去動作にかかるテストタイムを短くすることのできるフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法を提供する。 - 特許庁

The method includes determining the size of command window for use in (n) write operations for the non-volatile memory, each write operation has the same time period.例文帳に追加

この方法は、不揮発性メモリのｎ個の書き込みオペレーションに使用するためのコマンドウインドウのサイズを決定することを含み、各書き込みオペレーションは、同じ期間を有する。 - 特許庁

To provide a write-protect method for a media reader/writer for restraining a writing operation by an OS and preventing data breakage, without applying write protect to media.例文帳に追加

メディアにライトプロテクトを施すことなくＯＳによる書込動作を抑止し、データ破損を未然に防止することができるメディアリーダ／ライタの書込禁止方法を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor storage device 10 receives write data, an error detection operation decoder 150 determines whether any error arises in the write data.例文帳に追加

半導体記憶装置１０は、書き込みデータを受信すると、誤り検出オペレーションデコーダ１５０によって書き込みデータに誤りが発生しているか否かを判定する。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that the present write-in operation is to be masked, the column selection circuit element 42 invalidates a redundant column selection signal line.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきであるという内容の時、カラム選択回路要素は、冗長カラム選択信号ラインを無効とする。 - 特許庁

When a write-operation is once discontinued and then carried out again, one of both the heads that has a shorter rotation waiting time set to the data write part in the discontinuation mode is used.例文帳に追加

ライト動作がいったん中断して再開した場合には、複数のヘッドの中で、中断時のデータライト部分までの回転待ち時間が少ないほうのヘッドを用いる。 - 特許庁

When a write operation is once discontinued and then carried out again, one of both heads that has a shorter rotation waiting time set to the data write part in the discontinuation mode is used.例文帳に追加

ライト動作がいったん中断して再開した場合には、複数のヘッドの中で、中断時のデータライト部分までの回転待ち時間が少ないほうのヘッドを用いる。 - 特許庁

A read operation can be performed on the synchronous memory device 300 while the write data is transferred from the write latch 304 to the memory cells of the memory array 310.例文帳に追加

書き込みデータが書き込みラッチ３０４からメモリアレイ３１０のメモリセルに転送されている間にシンクロナスメモリ３００に対する読み出し処理を実行することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device for shortening write time by suppressing an increase in chip area, and highly parallelizing data writing through a stable write operation.例文帳に追加

チップ面積の増大を抑制し、安定的な書込み動作でデータ書込みを高並列化し、書込み時間を短縮する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Current capability of a write-access transistor 21 constituting memory cells 1a2, 1b2 is made lower than current capability of a read-access transistor 3 in a range in which write-operation can be finished.例文帳に追加

メモリセル１ａ２、１ｂ２を構成するライトアクセストランジスタ２１の電流能力を、ライト動作が完了できる範囲で、リードアクセストランジスタ３の電流能力よりも低くする。 - 特許庁

The monitoring of software operation is made by posting the occurrence of incorrect write operation in the address range specified freely to the microcomputer with an interruption and logging the incorrect write locations in a program.例文帳に追加

任意のアドレス範囲を設定し、この範囲に対する不正な書込み動作が発生したときは、マイクロコンピュータへ割込みで通知し、プログラム中での不正な書込み箇所をロギングすることにより、ソフトウェアの動作を監視する。 - 特許庁

A CPU 10 automatically prohibits the write operation in the case of the low-temperature limit or less accompanying magnetic recording properties on the basis of a temperature value from a temperature sensor 12 during a write operation mode in which the host system 20 is not involved.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、ホストシステム２０が関与しないライト動作モード時に、温度センサ１２からの温度値に基づいて、磁気記録特性に伴なう低温限界以下の場合には、当該ライト動作を自動的に禁止する。 - 特許庁

The address control circuit includes a read column address control circuit to generate a read column address from an address during a first burst period for performing a read operation, and a write column address control circuit to generate a write column address from the address during a second burst period for performing a write operation.例文帳に追加

リード動作実行のための第１のバースト区間で、アドレスからリードカラムアドレスを生成するリードカラムアドレス制御回路と、ライト動作実行のための第２のバースト区間で、前記アドレスからライトカラムアドレスを生成するライトカラムアドレス制御回路と、を含むアドレス制御回路を提供する。 - 特許庁

An ink jet compound machine 1 performs operation in a write mode when a memory card 241 is loaded into a card slot and a memory card detection sensor 242 detects that a write prohibition switch of the memory card 241 is turned on, and performs operation in a read mode when it is detected that the write prohibition switch is not turned on.例文帳に追加

インクジェット複合機１は、メモリカード２４１がカードスロットに挿入され、メモリカード検出センサ２４２がメモリカード２４１の書込み禁止スイッチがオンであることを検出すると、読み込みモードの動作を行い、書込み禁止スイッチがオンでないことを検出すると、書込みモードの動作を行う。 - 特許庁

In operation of write-verify in which it is determined whether programming is performed appropriately for a memory cell or not during write operation, the number by which a page latch circuit 175 is not reset by a page latch data read-out circuit 178, that is, the number of memory cells by which write is not yet finished is counted by a counter 179.例文帳に追加

書き込み動作中に、メモリセルに適正にプログラムされているか判定する書き込みベリファイ時に、ページラッチデータ読み出し回路１７８によってページラッチ回路１７５がリセットされていない数、つまり書き込みが終了していないメモリセルの数をカウンタ１７９でカウントする。 - 特許庁

In a rewriting test mode in which a test signal LPMAX is inputted, write-in operation of data of one page and verify-read-out operation confirming a write-in state are repeated until it is discriminated that a write-in cycle reaches the maximum number of times independently of a result of verify-read-out.例文帳に追加

テスト信号ＬＰＭＡＸを入力した書き換えテストモードでは、１ページ分のテストデータの書き込み動作及び、書き込み状態を確認するベリファイ読み出し動作を、ベリファイ読み出しの結果の如何に拘わらず、書き込みサイクルが最大回数に達したことが判定されるまで繰り返す。 - 特許庁

Data is written in a memory array during first write-in operation by using a row enable signal (row decoder 305) and a write-in data signal (write- in driver 315) generated at a first phase (a first clock phase) of a clock signal.例文帳に追加

クロック信号の第１の位相（第１のクロック位相）において発生される行イネーブル信号（行デコーダ３０５）及び書き込みデータ信号（書き込みドライバ３１５）を用いて、データが第１の書き込み動作中にメモリアレイに書き込まれる。 - 特許庁

A program data latch circuit PDL supplies either of a write-in bit line potential VS corresponding to multi value data to be written in accordance with a level of a node NN3 and a write blocking potential to a bit line BL in write operation.例文帳に追加

プログラムデータラッチ回路ＰＤＬは、書込動作において、ノードＮＮ３のレベルに応じて、書込まれるべき多値データに対応する書込ビット線電位ＶＳと書込阻止電位とのいずれか一方を、ビット線ＢＬに供給する。 - 特許庁

Write data externally given is latched to data latch circuits DLL, DLR, it is discriminated that latched write data corresponds to which threshold of multi-level values for every write operation of plural stages, write control information being a discriminated result is latched to a sense latch circuit SL, write operation for setting threshold voltage of a multi-level to a memory cell is performed step up step.例文帳に追加

外部から与えられる書込みデータをデータラッチ回路（ＤＬＬ，ＤＬＲ）にラッチし、ラッチした書込みデータが多値のどの閾値に対応するかを複数段階の書込み動作毎に判定してその判定結果である書込み制御情報をセンスラッチ回路（ＳＬ）にラッチさせ、ラッチされた書込み制御情報に従って、多値の閾値電圧をメモリセルに設定するための書込み動作を段階的に行なう。 - 特許庁

The control circuit controls a corresponding write buffer so as to selectively hold data supplied to the external input circuit in the corresponding write buffer during a period of time for the refresh operation and the read operation of a corresponding memory bank, and control the corresponding write buffer to supply data to the corresponding memory bank after the completion of the refresh operation and the read operation of the corresponding memory bank.例文帳に追加

制御回路は、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファに選択的に保持させる様に、対応するライトバッファを制御し、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に、対応するメモリバンクにデータが対応するライトバッファに供給するよう制御する。 - 特許庁

To stabilize erase characteristics of a flash memory cell, suppress increase of power consumption in switching from write operation to the erase operation and make the switching operation faster.例文帳に追加

フラッシュメモリセルの消去特性の安定化を図ると共に書き込み動作から消去動作に切り替える際の消費電力の増大を抑制し、かつ切り替え動作を高速化する。 - 特許庁

The synchronous random access memory 30 performs further write or read of a data bus 25 through a synchronous burst operation (BT) or a synchronous wrap operation (WT), in addition to a synchronous random access operation.例文帳に追加

前記の同期ランダムアクセスメモリは更に同期ランダムアクセス動作に加えて、同期バースト動作（ＢＴ）または同期ラップ動作（ＷＴ）でデータ（２５）の書き込みまたは読み出しを行う。 - 特許庁

A flash memory 1 is provided with a boost circuit 5b for operation generating initial verification-voltage used for initial verifying at the time of read-out operation included in write-in and erase operation.例文帳に追加

フラッシュメモリ１には、書き込みや消去動作に含まれる読み出し動作時の初期ベリファイに用いられる初期ベリファイ電圧を生成するオペレーション用ブースト回路５ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in which a sense amplifier is not affected by an operation of a write driver.例文帳に追加

ライトドライバの動作によってセンスアンプが影響を受けることのない半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To perform printing by searching for the original data through a simple operation, without having to write special information during the printing.例文帳に追加

印刷時に特殊な情報を書込まなくても、簡単な操作で元のデータがあるか検索し、印刷を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of increasing the speed of block write operation without expanding the chip area.例文帳に追加

チップ面積を増大することなくブロックライト動作を高速化できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

In a test of RAM 13, a CPU 12 performs write/read operation of data for the RAM 13.例文帳に追加

ＲＡＭ１３の試験において、ＣＰＵ１２は、ＲＡＭ１３に対するデータの書き込み／読み出し動作を行う。 - 特許庁

To easily write prescribed information without performing special operation to a desired ID tag.例文帳に追加

所望のＩＤタグに特別の操作を行うことなく簡単に所定情報を書込むことができるようにする。 - 特許庁

Read/write operation of data of a memory cell is controlled based on a timing signal ICL generated in a SRAM.例文帳に追加

メモリセルのデータのリード・ライト動作をＳＲＡＭで発生するタイミング信号ＩＣＬに基づいて制御する。 - 特許庁

To provide an information storage apparatus which performs write-in operation to a storage domain safely when a hard-disk autonomously operates as a media player.例文帳に追加

ハード・ディスクがメディア・プレーヤとして自走動作するときに、記憶領域への書き込み動作を安全に行なう。 - 特許庁

In a write operation, an error of regular data read from a regular memory cell is detected and corrected using parity data.例文帳に追加

書き込み動作時に、レギュラーメモリセルから読み出されたレギュラーデータのエラーが、パリティデータを用いて検出、訂正される。 - 特許庁

To provide a method of driving a 1-transistor type DRAM by which the margin of write operation can be improved.例文帳に追加

書込み動作のマージンを改善させることができる１−トランジスタ型ＤＲＡＭの駆動方法を提供する。 - 特許庁

To improve write quality in verify operation in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体装置において、ベリファイによる書き込み品質の向上を図る。 - 特許庁

Thus, correction data can be written back to a main storage along with write-back operation that originally occurs.例文帳に追加

これにより、本来発生するライトバック動作に付随して訂正データの主記憶への書き戻しが可能になった。 - 特許庁

To provide an address control circuit, along with a semiconductor memory device, capable of minimizing the occurrence of skew in a write operation.例文帳に追加

ライト動作でスキューの発生を最小化できるアドレス制御回路及び半導体メモリ装置を開示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus in which deterioration of write recovery time can be suppressed without depending on a start address of burst operation.例文帳に追加

バースト動作の開始アドレスによらずライトリカバリタイムの悪化を抑止可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, a plurality of logic values can be written respectively in a plurality of memory cells with one time write-in operation.例文帳に追加

このため、１回の書き込み動作で複数の論理値を複数のメモリセルにそれぞれ書き込むことができる。 - 特許庁

If the argument buf is NULL, only the mode is affected; a new buffer will be allocated on the next read or write operation. 例文帳に追加

もし、引数bufが NULL ならば、モードだけが変更される。 新しいバッファは次に読み書きした際に割り当てられる。 - JM

A file mark is automatically written to tape if the last tape operation before close was a write.例文帳に追加

テープをクローズする直前のテープ操作命令が書き込みであれば、ファイルマークが自動的にテープへ書き込まれる。 - JM

To provide a technology for performing an operation test where data Read and data Write of a memory chip are consecutive.例文帳に追加

メモリチップのデータＲｅａｄとデータＷｒｉｔｅとを連続させた動作テストする技術を提供する。 - 特許庁