「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A blood vessel pattern X is extracted from the frame image PF of an endoscope animation P obtained by a pattern extraction means 3.例文帳に追加

パターン抽出手段３により取得した内視鏡動画像Ｐのフレーム画像ＰＦから血管パターンＸが抽出される。 - 特許庁

Thus, an input pattern on a display panel 67 and a bit pattern based on the Y and X coordinate signals Coy and Cox become similar.例文帳に追加

その結果、表示パネル６７上の入力パターンと、Ｙ,Ｘ座標信号Ｃoy,Ｃoxに基づくビットパターンとが相似形になる。 - 特許庁

At that time, a final required deceleration change pattern, Pattfin(x) to be a target to follow control an actual deceleration of the vehicle is produced.例文帳に追加

このとき、車両の実際の減速度が追従制御される目標となる最終要求減速度変化パターンPattfin(x)が作製される。 - 特許庁

Preferably, the Ti-MWW layered precursor is one giving an X-ray diffraction pattern having values below and having a composition represented by general formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (wherein x is a numerical value of 0.0001-0.1).例文帳に追加

該Ｔｉ-ＭＷＷ層状前駆体としては、下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ一般式ｘTiO2・(1−x)SiO2（式中ｘは0.0001〜0.1の数値を表す。）で表される組成を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

In the conduction pattern of the connection portion 3, a density (number of holes/unit of area) of holes (through holes or depressions) 4 varies in the direction of X-X perpendicular to a direction in which the conduction pattern extends.例文帳に追加

この連結部３の導体パターンに対し、導体パターンの延設方向に直交するＸ−Ｘ方向において穴（貫通孔または凹部）４の密度（個数／単位面積）を変えている。 - 特許庁

To propose a dot pattern on which code information and x and y coordinate information can be defined even if the dot pattern is extremely small, and to propose an information reproducing device based on the dot pattern.例文帳に追加

極小領域であってもコード情報やＸＹ座標情報が定義可能なドットパターンを提案し、係るドットパターンに基づいた情報再生装置を提案する。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY, OR UV, AND PATTERN FORMING METHOD USING IT例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV OR X-RAY AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ又はＸ線用ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

A pattern portion X, within which register marks TC, TM, TY and TK, is photographed with a color camera.例文帳に追加

トンボマークＴＣ、ＴＭ、ＴＹ、ＴＫが印刷された絵柄部分Ｘをカラーカメラで撮影する。 - 特許庁

A density sensor 520 of an image forming part 14 obtains density data of a gradation patch pattern X.例文帳に追加

画像形成部１４の濃度センサ５２０は階調パッチパターンＸの濃度データを取得する。 - 特許庁

FORMATION OF RESIST, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF MASK FOR X-RAY EXPOSURE例文帳に追加

レジストの成膜方法、レジストパターンの形成方法、およびＸ線露光用マスクの製造方法 - 特許庁

The solid crystal, called COK-7, has a specific X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

本発明は、ＣＯＫ−７と称される、特定のＸ線回折図を有する固体結晶に関する。 - 特許庁

The α-crystal form of the compound represented by formula (I) shows a characteristic powder X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

その粉末Ｘ線回折パターンを特徴とする、式（Ｉ）の化合物のα結晶型。 - 特許庁

A signal characteristic control part 336 corrects frequency characteristics of the sound source signal X(n) in accordance with the correction pattern P(S).例文帳に追加

そして、信号特性制御部３３６は、補正パターンP(S)にしたがって、音源信号X(n)の周波数特性を補正するようにしたものである。 - 特許庁

Then the threshold of developing energy is set, so that the edge position of each section of the pattern formed on a wafer correspondingly to the profile E(x) becomes close to a prescribed position.例文帳に追加

このE(x)に応じて形成されるウェハ上のパターン各部のエッジ位置が所定位置に近くなるように現像エネルギーの閾値を設定する。 - 特許庁

The wiring pattern is expressed with sides extended to an X direction or Y direction, and the wiring pattern is divided into the rectangular patterns by the division part based on extended lines obtained by extending each side of the wiring pattern to the inside of the pattern, wherein the X direction is orthogonal to the Y direction.例文帳に追加

前記配線パターンは、Ｘ方向又はＹ方向に延びる辺によって表現され、前記分割部は、前記配線パターンの各辺をパターン内側に延ばした延長線により、前記配線パターンを前記矩形パターンに分割し、前記Ｘ方向と前記Ｙ方向とは直交する方向である。 - 特許庁

A correction quantity Δ(N) including the wear of the grinding wheel and the thermal deformation and elastic deformation of a machine is found from the original point value pair S(0), X(0) and the machining completion point pair S(N), X(N), and a machining pattern PP_std is shifted onto the table 11 side by the correction quantity Δ(N) portion.例文帳に追加

原点値対S(０)、X(０)と加工完了点対S(Ｎ)、X(Ｎ)から、砥石磨耗と機械の熱変形と弾性変形を含んだ補正量Δ(Ｎ)を求め、補正量Δ(Ｎ)分だけ加工パターンPP_stdをテーブル１１側にシフトする。 - 特許庁

Since a driving pattern and pickup pattern are formed on a flat surface to surround magnetic bodies in the x-axis direction and another driving pattern and pickup pattern are formed on another flat surface to surround magnetic bodies in the y-axis direction perpendicular to the x-axis direction in this weak magnetic field detecting sensor, this sensor can detect terrestrial magnetic fields in both x- and y-axis directions.例文帳に追加

ｘ軸方向に磁性体を取り囲むように、同一平面上にドライビングパターン及びピックアップパターンが形成され、これと垂直なｙ軸方向に磁性体を取り囲むように、同一平面上にドライビングパターン及びピックアップパターンが形成されることで、ｘ軸及びｙ軸方向に対する地磁界を検出する。 - 特許庁

The graduation pattern is so provided that a reading at a position across the graduation pattern of the reticle main body is x when the irradiation light emitted from a point light source corresponding to σ=x passes through the pin hole.例文帳に追加

σ＝ｘに相当する点光源から放射された照明光がピンホールを通過する際、レチクル本体の目盛りパターンと交差する位置の目盛りがｘになるように、目盛りパターンが目盛られている。 - 特許庁

A dimension of the pattern elements 3a in a vertical direction Y with respect to a light guide direction X of the light emitted from the light source 1 is shorter than that of the pattern elements 3a in the light guide direction X.例文帳に追加

光源１からの光の導光方向Ｘに関するパターン要素３ａの寸法に比して、導光方向Ｘに垂直な方向Ｙに関するパターン要素３ａの寸法が短い。 - 特許庁

A device pattern, with which regular cell parts 63 and irregular non-cell parts 67 are mixed in X-direction, exists on a chip pattern 61.例文帳に追加

チップパターン６１上には、Ｘ方向に規則性のあるセル部６３と規則性のない非セル部６７とが混在するデバイスパターンが存在する。 - 特許庁

The back drum 1 for the rubber pattern buttresses the rubber part 3 by sealing the former to the latter with a patterning surface X fashioned after the tread pattern of the tire.例文帳に追加

タイヤのトレッドパターンを型取りした型取り面Ｘを有するゴム部３に固着されて、ゴム部３を補強するゴム型用裏胴１である。 - 特許庁

The stencil mask is used in which a pattern to be transferred to a wafer is divided into an X-direction pattern P1 extended in the X-direction, and a Y-direction pattern P2 extended in the Y-direction and the patterns P1 and P2 are separately arranged in different areas.例文帳に追加

ウエハに転写すべきパターンをＸ方向に延びるＸ方向パターンＰ１と、Ｙ方向に延びるＹ方向パターンＰ２とに分割し、Ｘ方向パターンＰ１とＹ方向パターンＰ２とを異なる領域に振り分けて配置したステンシルマスクを用いる。 - 特許庁

Then the mask area 11 with the X-direction pattern P1 arranged therein is exposed to an electron beam EB having smaller out-of-focus in the X-direction as compared with the Y-direction.例文帳に追加

そして、Ｘ方向パターンＰ１が配置されたマスク領域１１にはＸ方向に比べてＹ方向のぼけが小さい電子線ＥＢで露光する。 - 特許庁

In addition, pattern control air is blown forward along two imaginary planes P1 and P2 inclined to the blowing axis X from both sides of the blowing axis X.例文帳に追加

さらに、パターン制御エアーを、上記吹出軸Ｘの両側からこの吹出軸Ｘに対して傾斜する２つの仮想平面Ｐ１，Ｐ２に沿って前方に吹出す。 - 特許庁

Formation pattern of the electrodes 6 is symmetric about X-X axis parallel to longer side of the substrate 3 and each of the electrodes 6 has the same thickness.例文帳に追加

電極６の形成パターンは基板３の長辺に平行な軸Ｘ−Ｘについて対称であり、電極６夫々の厚さは同一である。 - 特許庁

To obtain an apparatus a method for X-ray beam exposure system, with which a pattern of high resolution can be obtained, using X rays within a range of 0.45 to 0.7 nm.例文帳に追加

０．４５ｎｍ〜０．７ｎｍの範囲内のＸ線を用いて高解像度のパターンが得られるＸ線露光装置やＸ線露光方法を得ること - 特許庁

The X-ray mask 1 is characterized in that the pattern of an X-ray absorber 6 is formed in a film of an X-ray transmission material 8, which is light-reactive epoxy resin.例文帳に追加

Ｘ線吸収体６のパターンがＸ線透過材８の膜中に形成されたＸ線マスク１であって、前記Ｘ線透過材８が光反応性エポキシ樹脂であることを特徴とする。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EXTREME ULTRAVIOLET RAY (EUV), AND PATTERN FORMING PROCESS BY USE OF IT例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

CRYSTAL DEFECT RESTORATION METHOD, CRYSTAL PRODUCTION METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, AND X-RAY DOSE DETECTION BODY例文帳に追加

結晶欠陥の回復方法、結晶体の作製方法、パターン形成方法、Ｘ線量の検出体 - 特許庁

RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV OR X-RAY, AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ又はＸ線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

The second conductor pattern 12-2 extends in a second direction (y) crossing the first direction (x).例文帳に追加

第２の導体パターン１２−２は、第１の方向ｘに交わる第２の方向ｙに延在している。 - 特許庁

POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV RAY, AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

ポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

By the pattern matching, a movement position X of an image having the largest correlation to the template image is detected.例文帳に追加

このパターンマッチングにより、テンプレート画像と最も相関が大きい画像の移動位置Ｘを検出する。 - 特許庁

POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X RAY OR EUV RAY, AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

An X-ray diffraction pattern of the composite metal cyanide complex catalyst involved in this invention is represented by the figure.例文帳に追加

本発明に係る複合金属シアン化物錯体触媒の例のＸ線回折パターンを図に示す。 - 特許庁

Also, the plane directional dimension of the pattern should be used when converting the detected X-ray dosage into the film thickness.例文帳に追加

また、検出した蛍光Ｘ線量を膜厚に換算する際に、パターンの面方向寸法を用いる。 - 特許庁

The rectangular pattern TP2 is detected and the recording position is operated in the main scanning direction X (step S6).例文帳に追加

矩形パターンＴＰ２を検出し、主走査方向Ｘにおける記録位置を演算する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The rectangular pattern TP1 is detected and the recording position is operated in the main scanning direction X (step S2).例文帳に追加

矩形パターンＴＰ１を検出し、主走査方向Ｘにおける記録位置を演算する（ステップＳ２）。 - 特許庁

The means 2 receives a departure place and destination data and searching pattern data from a user's mobile (x).例文帳に追加

データ受信手段２はユーザのモバイルｘから出発地・目的地データと、探索パターンデータとを受信する。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV LIGHT OR X-RAY AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ光又はＸ線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁