「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

All the liquid droplet ejection nozzles 28 are made to be a first nozzle group, and the eight continued liquid droplet ejection nozzles 28 on the X arrow direction side in the first nozzle group are used to simultaneously form dots D which are formed in the column direction for every column of the first dot pattern 10A to draw the first dot pattern 10A.例文帳に追加

全ての液滴吐出ノズル２８を第１ノズル群とし、その第１ノズル群のＸ矢印方向側の連続する８個の液滴吐出ノズル２８を使用して、第１ドットパターン１０Ａの列毎に、列方向に形成されるドットＤを一斉に形成して第１ドットパターン１０Ａを描画する。 - 特許庁

In this method for image forming, a polarization reversal pattern based on image information is formed on the ferroelectric substance 2, an electrostatic latent image is obtained by means of surface charge in accordance with the polarization reversal pattern and, therein, inorganic ferroelectric oxide such as LiNbxTa1-xO3 (0≤x≤1) is used as the ferroelectric substance 2.例文帳に追加

強誘電体２に画像情報に基づいた分極反転パターンを形成し、この分極反転パターンに対応した表面電荷によって静電潜像を得る画像形成方法において、強誘電体２としてＬｉＮｂ_ｘＴａ_１−ｘＯ_３ （０≦ｘ≦１）等の無機強誘電体酸化物を用いる。 - 特許庁

Subsequently, the difference between the address of peak value of the first intensity waveform 75A and the minimum address jmin is multiplied by the scanning movement of an exposure pattern image 66 per address to determine the distances of the exposed images 673 and 671 in the direction of X-axis thus measuring the dimensions of the exposure pattern image 66.例文帳に追加

続いて、この第１強度波形７５Ａのピーク値のアドレスと該最小値アドレスｊｍｉｎとの差に、１アドレス当たりの露光パターン像６６の走査移動量を乗算して、露光像６７3と露光像６７1とのＸ軸方向の距離寸法を算出して、露光パターン像６６の寸法を測定する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and development defect performance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray as an exposure light source, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、現像欠陥性能を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In this traffic information management system, the traveling required time of an automobile x on a route L_i is predicted based on a "similar pattern" similar to the current pattern (of the traveling required time of an automobile(traveling object) on the route L_i) in a current time zone by a traveling required time predicting unit 14.例文帳に追加

本発明の交通情報管理システムによれば、移動所要時間予測ユニット１４により現時間帯における（経路Ｌ_ｉ における自動車（移動体）ｘの移動所要時間の）現パターンに類似する「類似パターン」に基づき、経路Ｌ_ｉ における自動車ｘの移動所要時間が予測される。 - 特許庁

A sample is irradiated simultaneously with two X-rays X1, X2 by an X-ray source 2, and one-time scanning is executed for detecting simultaneously photo-electron spectrums of two photo-electrons E1, E2 emitted from the sample by an energy analyzer 3 over a prescribed solid angle spread from the irradiation spot, to thereby acquire a photo-electron intensity distribution pattern.例文帳に追加

Ｘ線源２により２つのＸ線Ｘ１，Ｘ２を試料に同時照射し、この試料から放出された２つの光電子Ｅ１，Ｅ２の光電子スペクトルを、エネルギー分析器３によりこの照射スポットから張った所定立体角にわたって同時検出する走査を１回実行して光電子強度分布パターンを取得する。 - 特許庁

To provide an evaluation method and an apparatus for carrying out comparison of homology permitting molecular structural vibration, and a method and an apparatus for analyzing structural patterns, on a conformational structure of a molecular model obtained by X-ray crystal structure analysis and a molecular model obtained by theoretical calculation, and provide a method for extracting an amino acid sequence pattern having a high structural homology.例文帳に追加

X線結晶構造解析から得られた分子モデルと理論計算から得られた分子モデルとの立体配座構造について、分子構造の揺れを許容する相同性比較を行う評価方法及び装置並びに構造パターン解析方法及び装置、並びに、構造相同性の高いアミノ酸配列パターンの抽出方法を提供する。 - 特許庁

The RHx compound (R represents one metal element in rare earth elements, H is hydrogen and (x) is 2 or around 2) has an FCC (face-centered cubic) structure and a crystalline structure showing high diffraction intensity on the (311) plane than the diffraction intensity on the (111) plane by X-ray diffraction pattern analysis.例文帳に追加

本発明のＲＨｘ（Ｒは希土類元素のうちのいずれか一の金属元素。Ｈは水素元素。ｘは２又はその近傍。）化合物は、ＦＣＣ構造を有し、かつ、Ｘ線回折パターン結果において（１１１）面の回折強度よりも（３１１）面の回折強度のほうが大きい結晶構造を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

A catalyst comprising aM2O・bM'O・Al2O3・cSiO2・nH2O (where M = alkali metal and/or hydrogen atom, M' = alkali earth metal, a = 0-1.5, b = 0.2-40, except a+b >1, c = 12-3,000 and n = 0-40) as its constituent, and alkali earth metal including crystal alminocilicate zeolite catalyst having X-ray defecation pattern indicated as xxx for production of low-grade olefin from methanol 例文帳に追加

aM2O・bM′O・Al2O3・cSiO2・nH2O（式中Mはアルカリ金属及び／又は水素原子、M′はアルカリ土類金属、aは０～1.5、bは0.2～40、ただしa＋b＞１、cは12～3,000及びnは０～40である）で表される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有するアルカリ土類金属含有結晶性アルミノシリケートゼオライトからなる、メタノールを原料として低級オレフィンを製造するための触媒。 - 特許庁

To solve the problem of a performance enhancing technique in the microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly electron beams or X-rays and to provide a resist composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness when electron beams or X-rays are used.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はＸ線の使用に対して感度と、解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性とを同時に満足するレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A laser marking apparatus inhibits writing of the marking pattern in the state that the line speed v of the X-ray film does not reach a predetermined speed vs, and eliminates the inhibiting of writing when the line speed becomes the speed vs or higher (steps 100 to 106).例文帳に追加

マーキング装置では、Ｘレイフィルムのライン速度ｖが所定の速度ｖｓに達しない状態では、マーキングパターンの書込み処理を禁止し、速度ｖｓ以上となると、書込み禁止を解除する（ステップ１００〜１０６）。 - 特許庁

To provide a pattern drawing method for contact X-ray lithography wherein drawing is carried out by moving the zeroth-order diffraction image of an opening formed in a mask relatively with respect to a substrate applied with a photosensitive agent, and which enables high-contrast continuous drawing.例文帳に追加

マスクに形成した開口部の０次回折像を、感光剤を塗布した基板に対して相対移動させることにより描画する近接Ｘ線リソグラフィのパターン描画方法であって、コントラストの高い連続描画を可能にする。 - 特許庁

When a signal is fed to an antenna 6 from a radio communication circuit 5, a pattern 7a radiates an electromagnetic wave of a strong electric field in an X axial direction, and a line 8a radiates an electromagnetic wave of a strong electric field in a Y axial direction.例文帳に追加

無線通信回路５から信号がアンテナ６に対して給電されると、パターン７ａがＸ軸方向に電界の強い電磁波を輻射すると共に、線路８ａがＹ軸方向に電界の強い電磁波を輻射する。 - 特許庁

In a night time, light emitted from the LED gets incident into the emitter 11 to make surface-luminous uniformly the whole surface of the emitter 11, so as to clearly display a shape of the X-mark and stripe pattern comprising the black and yellow colors of the warning sign.例文帳に追加

夜間は、ＬＥＤの発する光を面発体１１内に入射させ、面発光体１１の表面全面を均等に面発光させ、警標のＸマークの形状と共に、黒と黄との縞模様を浮かび上がらせる。 - 特許庁

Fine vibration is supplied to the guide wire of a catheter 20 by a guide wire vibration control means 101 and a pixel strongly correlated to a vibration pattern is extracted from an X-ray image and is emphatically displayed on a monitor 10.例文帳に追加

ガイドワイヤー振動制御手段１０１によりカテーテル２０のガイドワイヤーに微小な振動を与え、Ｘ線画像中から前記振動パターンと強い相関を持つ画素を抽出してモニタ１０上に強調表示する。 - 特許庁

The composite bead is prepared by adding a second component as a main component to Y_2O_3, maintains chemical solubility to a mineral acid, and has an X-ray diffraction pattern identically similar to cubic or monoclinic Y_2O_3.例文帳に追加

複合ビーズは、主成分としてのＹ_２Ｏ_３に第二成分を添加し、鉱酸に対する化学的溶解性を維持しつつ、Ｘ線回折パターンが立方晶又は単斜晶のＹ_２Ｏ_３と同一類似であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has a high sensitivity and high resolution and decreased development defects in pattern formation by irradiation with active radiations (electron beams, X-rays, or EUV: extreme ultraviolet rays) for manufacturing of semiconductors, photomasks, etc.例文帳に追加

半導体、フォトマスク製造等のための、活性放射線（電子線、Ｘ線、又はＥＵＶ）の照射によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

When a cylinder bore 10 is used as a sliding member in manufacturing the cylinder bore 10, a mask having a pattern extending in a sliding direction X is formed on a sliding surface 11, and a seizure-resistant coating 12 is formed on the sliding surface 11.例文帳に追加

摺動部材としてシリンダボア１０を用いる場合、シリンダボア１０の製造では、摺動面１１に、摺動方向Ｘに延在するパターンを有するマスクを形成し、摺動面１１に耐焼付き性を有する被膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition which has high sensitivity to high-energy rays such as far ultraviolet rays, an electron beams, and X rays and can form a pattern with a superior contrast through development using an alkali solution.例文帳に追加

本発明は、遠紫外線、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりコントラストの優れたパターンを形成できるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new method for producing such an alkaline earth thioaluminate-based fluorescent compound that only the diffraction pattern of a perfect alkaline earth thioaluminate compound is detected and no other substances' diffraction patterns are recognized in the X-ray diffractometry.例文帳に追加

Ｘ線回折分析において完全なアルカリ土類チオアルミネート化合物の回折パターンのみ検出され、他の物質の回折パターンが認められないアルカリ土類チオアルミネート系蛍光体化合物の新規な製造法を提供する。 - 特許庁

The substrate 1 on which photoresist is applied is mounted on the chuck 10 and the substrate 1 is scanned with the light beam from a light beam irradiating device 20 while the chuck 10 is moved by an X stage 5 to draw a pattern on the substrate 1.例文帳に追加

フォトレジストが塗布された基板１をチャック１０に搭載し、Ｘステージ５によりチャック１０を移動しながら、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１を走査して、基板１にパターンを描画する。 - 特許庁

A substrate after solder printing is imaged, a misalignment amount of solder printing is detected for each axial direction of x and y for each land on an image, and a vector (average value vector) which is a combination of an average value of the pattern misalignment amounts is set.例文帳に追加

はんだ印刷後の基板を撮像し、画像上の各ランドについて、ｘ，ｙの各軸方向毎にはんだの印刷ずれ量を検出し、これらの印刷ずれ量の平均値を合成したベクトル（平均値ベクトル）を設定する。 - 特許庁

In the respective prime code images 82a, 82b and 82c, the regions reproduced as the black color are printed by being sequentially shifted in the X-direction in the printing order of the respective paper sheets, and a repetitive pattern is formed on a side surface of a paper sheet bundle.例文帳に追加

素数コード画像８２ａ，８２ｂ，８２ｃのそれぞれにおいて、各用紙の印刷順に、黒色として再現する領域をＸ方向に順次シフトさせて印刷を行い、用紙束の側面に繰り返し模様を形成する。 - 特許庁

In each display area S, the planting data X such as the ridge width A, the root distance B, the ridge distance C, and the ridge height D corresponding to the designation of a planting crop are displayed in a pattern with an actual size of the crop name.例文帳に追加

各表示域Ｓに植え付け作物における上記呼称に応じた畦幅Ａ、株間Ｂ、条間Ｃ、及び、畦高Ｄ等の植え付けデータＸを実物大寸法にて作物名の絵柄によって表示している。 - 特許庁

The silica hydrogel produced shows such properties that, when the gel is dried without hydrothermal treatment and measured by wide-angle X-ray scattering, the spectral pattern has a peak in each of two regions of a q-value satisfying 0.7≤q≤1.3 and 1.3<q≤2.0.例文帳に追加

水熱処理することなしに乾燥してシリカとした際に測定した広角Ｘ線散乱スペクトルパターンにおいて、０．７≦ｑ値≦１．３と１．３＜ｑ値≦２．０の２つのｑ値の領域にそれぞれピークを有するシリカヒドロゲルを製造する。 - 特許庁

At that time, an ejection pattern of the ink during the movement of the ejection nozzle with respect to each of the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y is controlled corresponding to the inclination of the object 9 with respect to the position of the ejection head 50.例文帳に追加

この際、吐出ヘッド５０の位置に対応する印刷対象物９の傾斜に応じて、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙのそれぞれに対する吐出ノズルの移動過程でのインクの吐出パターンを制御する。 - 特許庁

An original pattern 10, which is formed on an Si substrate that is to serve as an epitaxial wafer, is so regulated in a line width dx in the direction of an X-axis and a line width dy in the direction of a Y-axis as to compensate for anisotropy in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャルウエハの元になるＳｉ基板上に形成する原パターン１０で、エピタキシャル成長の異方性を補償するように、Ｘ軸方向の線幅ｄｘとＹ軸方向の線幅ｄｙとを調整する。 - 特許庁

The number of micromirrors for exposing border parts Rb_01, Rb_02,... of two adjacent beltlike regions is gradually decreased or increased at a fixed ratio in X direction or the Y direction to obtain the circuit pattern which has excellent continuity and unitedness.例文帳に追加

隣り合う２つの帯状領域の境界部Ｒｂ_01、Ｒｂ_02・・・を露光するマイクロミラーの数をＸ方向およびＹ方向に沿って一定の割合で漸減させるまたは増加させ、一体的かつ連続性の良好な回路パターンを得る。 - 特許庁

When the solid-state image pickup element package is mounted, the end part 311a of the mounting pattern is matched with the lead wire 21 in an X-axis direction, while the positioning recognition mark 312 is matched with the end part of lead wire 21 in a Y-axis direction.例文帳に追加

固体撮像素子パッケージの実装にあたり、Ｘ軸方向は実装パターンの先端部分３１３ａとリード線２１とのマッチング、Ｙ軸方向は位置合わせ認識マーク３１２とリード線２１の先端とのマッチングで行う。 - 特許庁

The electrical connection component 100 or the like connects electrodes by bringing the end surface 120A of a conductive pattern part 120 exposed from a side surface orthogonal to a laminating direction X into contact with electrodes 604, 614.例文帳に追加

電気接続部品１００等は、積層方向Ｘと直交する側面から露出した導電パターン部１２０の端面１２０Ａを、電極６０４、６１４に接触させることによって電極間を電気的に接続する。 - 特許庁

A positive type resist composition for electron beams, X-rays, and UV, which contains a specific trianylsulfonium compound having benzenesulfonic acid anion having a specific substituent, and the pattern forming method using the composition are provided.例文帳に追加

特定置換基を有するベンゼンスルホン酸アニオンを有する特定のトリアリールスルホニウム化合物を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To obtain a thin film having uniform crystallization characteristics without X-overlap and Y-overlap by applying a slit having a certain pattern to a mask and proceeding with the laser crystallization, taking such a slit repeatability into account.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることにより、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜を得る。 - 特許庁

The Al electrode layer 4 is an oriented film grown by epitaxial growth and is also a polycrystalline thin film having a twin structure in which a diffraction pattern observed in an X-ray diffraction pole figure has a plurality of symmetry centers.例文帳に追加

Ａｌ電極層４は、エピタキシャル成長した配向膜であり、かつＸ線回折極点図において観察される回折パターンが複数の対称中心を有する双晶構造を持つ多結晶薄膜となるようにされる。 - 特許庁

In the pattern drawing system, a plurality of light beams emitted from a light source unit are guided to each of a plurality of irradiation regions 61 arrayed at a specified pitch with respect to an X direction on a substrate by an optical system.例文帳に追加

パターン描画装置では、光源ユニットから出射される複数の光ビームが、光学系により基板上においてＸ方向に関して一定の照射ピッチで配列される複数の照射領域６１のそれぞれへと導かれる。 - 特許庁

Because a head 5 is moved in the Y-direction with the movement in the X-direction by the joint mechanism control by a controller 7, the inclination of the columns 41, 42 in the Y-direction is corrected and a simultaneous applying pattern is high-precisely obtained.例文帳に追加

制御器７による連結機構制御により、ヘッド５をＸ方向への移動に合わせてＹ方向に移動できるので、コラム４１，４２のＹ方向への傾きを補正して、同時塗布パターンを高精度に得ることができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that satisfies, at a high level, all of high sensitivity, high resolution, good pattern profile and good line edge roughness in an ultrafine region, particularly in electron beam, X-ray or EUV photolithography, and satisfactorily reduces a problem of outgassing during exposure, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガスの問題が充分に低減された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In the extraction of planning pattern data, a predetermined range of respective X and Y including defect coordinates is calculated at every defect by a control calculator 110 and a cluster or cell data wherein the origin is present within a predetermined range is subsequently extracted from the planning pattern data read from a first magnetic disk drive 109a to form an output file.例文帳に追加

設計パターンデータの抽出は、欠陥一つ毎に、制御計算機１１０が欠陥座標を包含するＸ、Ｙそれぞれの所定範囲を算出し、次いで、第１の磁気ディスク装置１０９ａから読み出した設計パターンデータから、所定範囲内に原点が存在するクラスタまたはセルデータを抽出して出力ファイルを作成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that can simultaneously satisfy the requirements for high sensitivity, high resolution, desirable pattern configuration, desirable line edge roughness and desirable iso/dense bias in especially lithography using an electron beam, X-rays or EUV light as an exposure radiation source, and to provide a method of forming a pattern using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist material such as a chemically amplified resist material for providing an excellent pattern profile even at a substrate interface, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F_2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a pattern forming method utilizing the resist material.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ_２レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える化学増幅レジスト材料等のレジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When a mode for a projection device 100 is set to a pattern image change mode, a control circuit 105 detects the movement of the projection device 100, based on an output from an angular velocity sensor 103a in X direction and an output from an angular velocity sensor 103b in Y direction, and based on these detection results, changes the pattern image to be projected.例文帳に追加

制御回路１０５は、投射装置１００のモードがパターン画像変更モードに設定されている場合には、Ｘ方向の角速度センサ１０３ａおよびＹ方向の角速度センサ１０３ｂからの出力に基づいて、投射装置１００の動きを検出し、その検出結果に基づいて投射するパターン画像を変更する。 - 特許庁

In the diffraction lens having a diffraction relief pattern on the lens surface, the diffraction relief pattern on at least one lens surface is expressed by formula (2) when the distance h in the perpendicular direction from the x-axis, which is the optical axis of the diffraction lens, is in the range of formula (1).例文帳に追加

レンズ面上に回折レリーフを有する回折レンズにおいて、前記回折レンズの光軸をｘ軸とし、前記光軸と垂直な方向の前記光軸よりの距離をｈとして、ｈが下記の式（１）の範囲にあるとき、少なくとも１つのレンズ面上の回折レリーフの形状が下記の式（２）で表されることを特徴とする回折レンズ。 - 特許庁

The image pickup device includes an optical element 10 for imaging and focusing an object Obj; an imaging unit 30 for picking up an image of the object Obj imaged by the optical element 10; and a pattern 20, provided between the optical element 10 and the imaging unit 30 to optically superimpose a pattern image h (x/k) on the image of the object Obj.例文帳に追加

撮像装置は、被写体Ｏｂｊを結像し、合焦するための光学素子１０と、光学素子１０によって結像された被写体Ｏｂｊの像を撮像する撮像素子３０と、光学素子１０と撮像素子３０との間に設けられ、被写体Ｏｂｊの像に対してパターン像ｈ（ｘ／ｋ）を光学的に重畳するためのパターン２０を含む。 - 特許庁