「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A pattern PA is divided into a plurality of partial patterns PAa and PAb with respect to the non-scan direction (X axis direction), the forming state of image is adjusted for each image (partial image) of the partial patterns PAa and PAb, and then the adjoining partial images out of the partial images are connected and formed on a wafer W.例文帳に追加

パターンＰＡを非走査方向（Ｘ軸方向）に関して複数の部分パターンＰＡａ，ＰＡｂに分割し、部分パターンＰＡａ，ＰＡｂの像（部分像）のそれぞれについて像の形成状態を調整するとともに、部分像のうちの互いに隣接する部分像を繋ぎ合わせて、ウエハＷ上に形成する。 - 特許庁

A position where a reference mark is to be formed is found based on the image data of the internal electrode pattern obtained by irradiating the X ray 38 to the ceramic green block 27, the reference mark is formed at the position where the reference mark is to be formed, and the ceramic green block 27 is cut based on the reference mark.例文帳に追加

セラミックグリーンブロック２７にＸ線３８を照射して得た内部電極パターンの画像データに基づいて、基準マーク形成予定位置を求め、この基準マーク形成予定位置に基準マークを形成し、基準マークに基づいて、セラミックグリーンブロック２７に対して切断加工を行なうようにする。 - 特許庁

To provide a laser mask obtaining a thin film having uniform crystallization characteristics without any X- and Y-overlaps, by applying a slit having a fixed pattern to the mask and considering repeatability in such a slit for advancing laser crystallization, and to provide a crystallization method utilizing the laser mask.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることによって、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜が得られるレーザーマスク及びこれを利用した結晶化方法を提供する。 - 特許庁

This is the non-aqueous electrolyte secondary battery which is equipped with a cathode 1 that contains a cathode active material having reflecting angles 2θ of peak positions of diffraction pattern by X-ray diffraction method at least at 40±2°, 47±2°, and 68±2°, a cathode 2 that contains a material that stores and releases lithium ions, and a non-aqueous electrolyte 5.例文帳に追加

この非水電解質二次電池は、Ｘ線回折法による回折パターンのピーク位置の反射角２θを、少なくとも、４０±２度と、４７±２度と、６８±２度とに有する正極活物質を含む正極１と、リチウムイオンを吸蔵および放出する材料を含む負極２と、非水電解質５とを備えている。 - 特許庁

A calibrating function (F) is computed by comparing reference measured values (R), measured at three or more points within the input value region of at least the brightness among the brightness, x chromaticity, and y chromaticity of the display (1) for displaying calibration pattern which is the same type as a display to be tested, with a calibration object measured value (D).例文帳に追加

試験対象のディスプレイ装置と同型の校正パターン表示用ディスプレイ装置（１）の輝度，ｘ色度，ｙ色度のうちの少なくとも輝度の入力値範囲内の３点以上で実測した基準測定値（Ｒ）と校正対象測定値（Ｄ）とを比較して校正関数（Ｆ）を算出する。 - 特許庁

Also, in the carbon layer section arranged inside the insulating material section, a positioning pattern composed of metal is formed at least on one surface of the coating layer of an electrically insulating material formed on both the surfaces, thus accurately positioning holes by allowing the positioning patterns to be read with X rays.例文帳に追加

また、絶縁材部の内部に配設されるカーボン層部は、両面に形成された電気絶縁性材料の被覆層の少なくとも一方の表面に、金属から構成される位置決めパターンが形成されており、かかる位置決めパターンをＸ線によって読み取らせることによって孔の正確な位置決めを可能にする。 - 特許庁

This invention relates to: novel salt forms of [R-(R^*,R^*)]-2-(4-fluorophenyl)-β,δ-dihydroxy-5-(1-methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1H-pyrrole-1-heptanoic acid characterized by their X-ray powder diffraction pattern and solid-state NMR spectra; and methods for the preparation and pharmaceutical composition of the same.例文帳に追加

Ｘ線粉末回析パターンおよび固体ＮＭＲスペクトルにより特徴付けられる［Ｒ−（Ｒ^*，Ｒ^*）］−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）−３−フェニル−４−［（フェニルアミノ）カルボニル］−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸の新規な塩形態、ならびに、それらの製造方法および医薬組成物。 - 特許庁

After a light-shielding layer and a resist layer to produce an exposure mask are formed in this order, a pattern is drawn in the resist layer by scanning with electron beams EB relatively in the Y direction with specified scanning width while relatively moving the scanning region EA in the X direction for every scanning period.例文帳に追加

露光用マスクを製造するための遮光層およびレジスト層をこの順に積層した後、所定の走査幅をもってＹ方向に相対的に走査される電子ビームＥＢの走査領域ＥＡを１走査毎にＸ方向に相対移動させながらレジスト層に描画する際に、前記走査を２サイクル以上繰り返す。 - 特許庁

The first and second members are colored or patterned on the appearance respectively so that the protector has combinations of the color or pattern on the appearance of the first and second member can be different from each other in a boundary as shown by X, Y and Z in the expansion and shrinkage states.例文帳に追加

前記プロテクタが伸長状態と縮小状態とにおいて、Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように第１部材と第２部材の境界部におけるそれぞれの外観色もしくは模様の組み合わせが異なるように前記第１部材および第２部材に前記外観色もしくは模様が施されている。 - 特許庁

The lithium secondary battery is characterised in that in an X-ray diffraction pattern for CuK α rays in a charged state of the negative electrode, charging and discharging are carried out in a charging depth, not recognizing a peak of compound of lithium and silicon (for example, intermetallics compound such as Li_13Si_4) in the range from 18 to 28°, for example.例文帳に追加

負極の充電状態におけるＣｕＫα線のＸ線回折パターンにおいて、例えば１８〜２８度の範囲内でリチウムとシリコンの化合物（例えば、Ｌｉ_１３Ｓｉ_４などの金属間化合物）のピークが認められない範囲の充電深度で充放電することを特徴としている。 - 特許庁

In a communications navigation system S, a server device SV has a map output part 1a which classifies map data into a plurality of patterns according to the characteristics of coordinate lines and outputs map data enabling one pattern to be selected from the plurality of patterns according to the amount of movement for each one coordinate and the amounts of movements in the directions of X and Y coordinates.例文帳に追加

通信ナビゲーションシステムＳにおいて、サーバ装置ＳＶは、座標列の特性に基づいて複数のパターンに分類し、これら複数のパターンから１座標毎の移動量およびＸ，Ｙ座標方向の移動量に従って１つのパターンを選択可能とした地図データを出力する地図出力部１ａを備えた。 - 特許庁

In a resist layer RS on a board SB, after the first pattern B is transferred to the left half of a region 1 to be transferred, the board SB is stepped by a half of a pitch P of a step, corresponding to the length X and the first and second patterns A and B are respectively transferred to the left half and right half of the region 1.例文帳に追加

基板ＳＢ上のレジスト層ＲＳには、被転写領域１の左半分に第１のパターンＢを転写した後、基板ＳＢを長さＸに対応する１ステップピッチＰの１／２だけステップさせて領域１の左半分及び右半分に第１及び第２のパターンＡ及びＢをそれぞれ転写する。 - 特許庁

Namely, the second stamp portion 10b is made gradually narrower in accordance with the elastic deformation becoming gradually larger toward in the X direction, thereby the elastic deformation near the intersection portion 10g can be made to be deformation along two first extension lines E1, so that a pattern having the width W1 can be formed.例文帳に追加

つまり、第２スタンプ部１０ｂを、Ｘ方向に向かって徐々に大きくなる弾性変形に応じて、徐々に狭くすることにより、交差部１０ｇ近辺の弾性変形を、２本の第１の延長線Ｅ１に沿って変形させることができ、幅が幅Ｗ１となるパターンを形成することができる。 - 特許庁

Until entirely covered with a test pattern with effective test patterns mapped to the state transition (step 5), the operation of determining a state transition series having a predetermined length for covering the test patterns according to a predetermined standard, and of adding them to the test series (step 7) and performing X-extraction (step) is repeated.例文帳に追加

状態遷移にマッピングされた有効テストパターンが生成されたテスト系列にすべて被覆されるまで（ｓｔｅｐ５）、所定の基準に従ってテストパターンを被覆する所定長の状態遷移系列を決定してテスト系列に追加し（ｓｔｅｐ７）Ｘ抽出する操作（ｓｔｅｐ）を繰り返す。 - 特許庁

Related to the semiconductor device comprising fuse array, a plurality of fuses 13 constituting the fuse array are formed with a pattern which widens toward one end in y direction, which is the energizing direction, while the patterns are made to be inverted alternately with respect to y direction, which are arrayed in x direction which crosses the y direction.例文帳に追加

ヒューズアレイを有する半導体装置において、ヒューズアレイを構成する複数のヒューズ１３は、通電方向であるｙ方向に一端部が末広がりとなるパターンをもって形成され、且つ、そのパターンをｙ方向について交互に反転させてｙ方向と交差するｘ方向に配列される。 - 特許庁

An information area 15 on which a cross pattern having positional information on an X axis and a Y axis for positioning the pinhole 11 is marked by etching, printing or the like is provided in a pinhole plate 10, and a reflection type photodetector 16 which emits light and detects return light is provided in the information area 15.例文帳に追加

ピンホールプレート１０には、ピンホール１１の位置決めのためのＸ軸及びＹ軸の位置情報を有した交差パターンがエッチングまたは印刷等により刻印された情報領域１５が設けられており、この情報領域１５に光を照射し戻り光を検出する反射型光検出器１６を備えている。 - 特許庁

In this titanium dioxide, an average secondary particle size is 2-30 μm; an average primary particle size is ≤1.5 μm; and when main peak intensity of bronze type titanium dioxide in a powder X-ray diffraction pattern is assumed to be 100, main peak intensity of each of rutile type titanium dioxide and anatase type titanium dioxide is ≤5.例文帳に追加

本発明の二酸化チタンは、平均二次粒子径が２μｍ〜３０μｍ、平均一次粒子径が１．５μｍ以下であり、粉末Ｘ線回折パターンにおけるブロンズ型二酸化チタンの主ピーク強度を１００としたとき、ルチル型二酸化チタン及びアナターゼ型二酸化チタンの主ピーク強度がいずれも５以下である。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems relating to the techniques to improve the performance in microfabrication of semiconductor elements using high energy beams, in particular, which has high sensitivity and high resolution and satisfies both of a preferable pattern profile and line edge roughness for KrF excimer laser, X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

高エネルギー線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

For example, by rotating a conventional X-Y grid pattern, in which holes are arranged at equal intervals so that the hole in one direction is located at every other places between neighboring long and narrow strip zones extending in opposite directions, the interval between holes along the long and narrow strip zone extending in each direction is significantly increased.例文帳に追加

たとえば、対向して走る細長いストリップ・ゾーン間に１つの方向のホールが１つ置きに位置するように、ホールが等間隔に配置された従来のＸ−Ｙ格子パターンを回転させることによって、各方向に走る細長いストリップ・ゾーンに沿ったホール間の間隔が著しく増加する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which simultaneously satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Consequently, it can be appropriately determined that abnormality occurs when the cumulative value Σt gets abnormality criterion X or greater even when the abnormal pattern occurs only intermittently in such a case that abnormality occurs in some of signal lines connected to each electric angle sensor.例文帳に追加

従って、各電気角センサに繋がる信号線のうちのいくつかのみで異常が発生した場合のように、上記異常パターンが断続的にしか発生しない場合であっても、累積値Σｔが異常判定値Ｘ以上になることに基づき、的確に異常が発生している旨判断することができる。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device and to provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness and few development defects particularly in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition through which problems associated with the performance improvement technology in the microfabrication of semiconductor elements are solved and characteristics including high sensitivity, high resolution, good pattern shapes and good line edge roughness are satisfied in the semiconductor microfabrication using especially electron beams and X-rays.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はＸ線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスの特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.例文帳に追加

ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁

The powder X-ray diffraction pattern of the biimidazole compound shows a diffraction peak at least in each region from 9.0° to 9.2°, from 11.0° to 11.2° and from 21.2° to 21.4° of 2θ angle by Cu-Kα characteristic X-ray diffraction.例文帳に追加

（Ａ）バインダー樹脂、（Ｂ）光重合性モノマー、（Ｃ）光重合開始剤、（Ｄ）着色材料および（Ｅ）溶剤を含有し、光重合開始剤として少なくともビイミダゾール化合物を含む着色感光性樹脂組成物において、ビイミダゾール化合物の（１）粉末Ｘ線回折パターンがＣｕ−Ｋα特性Ｘ線回折の２θ角度で少なくとも９．０°〜９．２°の範囲、１１．０°〜１１．２°の範囲および２１．２°〜２１．４°の範囲にそれぞれ回折ピークを有することを特徴とする着色感光性樹脂組成物。 - 特許庁

A three-dimensional optical tomographic image is obtained by the configuration of an apparatus using an endoscope and an optical probe, images in X-Y planes perpendicular to the depth direction of a living body tissue are cut out at a plurality of depth positions, based on the three-dimensional tomographic image data, and a pit pattern shape highlighted image is generated from their average image to perform diagnostic support.例文帳に追加

内視鏡および光プローブを用いた装置構成により３次元光断層画像を取得し、３次元断層画像データを基に、生体組織の深さ方向に垂直な平面のＸＹ面画像を複数の深さ位置について切出し、その平均画像からピットパターン形の強調表示画像を生成することで診断支援を行う。 - 特許庁

The form I anhydrous 4-[4-[4-(hydroxydiphenylmethyl)-1- piperidinyl]-1-hydroxybutyll-α,α,-dimethylbenzene acetic acid hydrochloride which has a distinctly visible melting point (capillary) of 196 to 201°C, an extrapolation start-accompanying melting endothermic point of 195 to 199°C measured by a differential scanning calorimetry and such the X-ray powder diffraction pattern as substantially shown below.例文帳に追加

１９６〜２０１℃の明視化された融点（毛細管）、示差走査熱量測定法による測定での１９５〜１９９℃の補外開始を伴う融解吸熱および本質的に下に示されるようなＸ線粉末回折パターンをもつ形態Ｉの無水の４−［４−［４−（ヒドロキシジフェニルメチル）−１−ピペリジニル］−１−ヒドロキシブチル］−α,α−ジメチルベンゼン酢酸塩酸塩。 - 特許庁

A plurality of transparent electrode patterns 13 respectively formed by connecting a plurality of single transparent electrode patterns 13a of the same shape and size as the single transparent electrode pattern 11a in the direction of the Y-axis orthogonal to the X-axis are formed in parallel, and low-resistance metal thin lines 15 of visually unrecognizable thickness are provided on the patterns to form a second transparent electrode layer 14.例文帳に追加

Ｘ軸と直交するＹ軸方向に、単一透明電極パターン１１ａと同じ形状、同じ大きさの単一透明電極パターン１３ａを複数繋げた透明電極パターン１３を複数、平行に形成し、そのパターン上に目に視認できない太さの低抵抗金属細線１５を設けて第２透明電極層１４を構成する。 - 特許庁

To efficiently cut a ceramic green block by determining a position to be cut in the ceramic green block based on the image of an internal electrode pattern obtained by irradiating an X-ray to the ceramic green block obtained by laminating and crimping a plurality of ceramic green sheets on which the internal electrode patterns are printed, when manufacturing a laminated electronic component such as a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造する際に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを複数枚積層・圧着して得たセラミックグリーンブロックにＸ線を照射して得た内部電極パターンの画像に基づいて、セラミックグリーンブロックの切断すべき位置を決定し、能率的に切断加工を行なえるようにする。 - 特許庁

The reader of the coordinate pattern photographs a display surface in a photography range, detects a pixel at a crossing position from within a photograph image signal as a reference pixel, and detects X coordinate data and Y coordinate data on the basis of the turn-on and turn-off states of respective read pixels in accordance with the present position of the reference pixel within the photography range.例文帳に追加

座標パターンの読取装置は、撮影範囲にて表示面を撮影し、その撮影画像信号中から交差する位置の画素を基準画素として検出し、撮影範囲内における基準画素の存在位置に対応して読取画素各々の点灯及び消灯状態に基づいてＸ座標データ及びＹ座標データを各々検出する。 - 特許庁

The carbon structure is characterized in that it has a peak in the XRD (X-ray diffraction) diffraction pattern within the range of 19°-26°, a density by the He method of ≥1.4 g/cm^3, and a volume resistivity of ≤1 Ωcm, and it is prepared from graphite oxide by removing a part of oxygen which is covalently bonded through calcination.例文帳に追加

本発明の炭素構造体は、酸化黒鉛の焼成により共有結合した酸素の一部を取り除き、ＸＲＤ（Ｘ線回析）の回折パターンのピークが１９°から２６°の範囲に有しているとともに、Ｈｅ法による密度が１．４ｇ／ｃｍ^３以上、体積固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.例文帳に追加

基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁

When normal patterns X and Y are finalized and displayed in a success mode while a special game, in which the variable winning device 22 is opened/closed, is executed, the unprocessed normal pattern success memory is stored in a memory means, and the special operation of the normal electric generator for widely opening the normal electric generator 15 is executed.例文帳に追加

可変入賞装置２２が開閉作動する特別遊技作動中に、普通図柄Ｘ，Ｙを当り態様で確定表示する場合は、未処理普通図柄当り記憶を記憶手段に記憶保持し、当該特別遊技作動終了後に、普通電動役物１５を拡開作動する普通電動役物特別作動を実行する構成とした。 - 特許庁

Then concavities are generated in the emulsion layer side surface of the base layer by heat energy, and the emulsion is fused and vapor-deposited to generate many bubbles 16A, and dots 16A having high visibility are formed in the emulsion layer, and thus a marking pattern of high visibility is formed without degradation in quality like fog of the X-ray film.例文帳に追加

これにより、熱エネルギーによってベース層の乳剤層側の面にくぼみが生じると共に、乳剤層が溶融、蒸着して多数の気泡１６Ａが発生し、視認性の高いドット１６Ａが、乳剤層に形成され、Ｘレイフィルムに被り等の品質低下を生じさせることなく、視認性の高いマーキングパターンが形成される。 - 特許庁

The conductive material using a silver-salt sensitized material containing at least a layer of a halide silver emulsion layer on a support body as a conductive material precursor has a peak half-value width of 0.41 or less at 2θ=38.2° in an X-ray diffraction method of a silver image pattern deposited on the conductive material.例文帳に追加

支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する銀塩感光材料を導電性材料前駆体として使用する導電性材料において、導電性材料に析出した銀画像パターンのＸ線回折法での２θ＝３８．２°のピークの半値幅が０．４１以下であることを特徴とする導電性材料を用いる。 - 特許庁

An optical guide type electric field sensor 10 is disposed near a wiring circuit board 40 mounted on an X-Y stage 30, and a specified voltage is applied from a power source 61 of a voltage applying means 60 between a wiring circuit pattern 41 of the wiring circuit board 40 and an electrode 12 of the field sensor 10.例文帳に追加

Ｘ−Ｙステージ３０上に載置された配線回路基板４０に近接させて光導波路型電界センサ１０が配置されており、配線回路基板４０の配線回路パターン４１と光導波路型電界センサ１０の電極１２との間に電圧印加手段６０の電源６１より所定の電圧が印加される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

A detection stage comprises a step where the multilayer wiring board is irradiated with the X-ray to image the reference mark, a step where the picked-up image is scanned with the template for a pattern matching process, a step where the center position of the image of the reference mark is detected based on the center position data registered in the template, and a step to output the data.例文帳に追加

また、多層配線板にＸ線を照射して基準マークを撮像するステップ、撮像された画像にテンプレートをスキャンしてパターンマッチング処理をするステップ、テンプレートに登録されている中心位置データに基づいて基準マークの画像の中心位置を検出するステップ、このデータを出力するステップからなる検出段階での各ステップを具備する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for forming a pattern with high sensitivity and wide exposure latitude in an ultrafine region, while suppressing changes in the resist performance due to an acid generated during resist storage, with respect to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, particularly, a resist composition for electron beam, X-ray or EUV lithography.例文帳に追加

感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

A photomask having an aperture pattern which defines various kinds of characters to be used for a letter string B and which is periodically arranged in the X-axis direction and Y-axis direction is used to form the latent image of letters constituting the letter string B in a specified region of a photoresist layer for required times, while letters not constituting the letter string B are formed outside of the specified region in the photoresist layer.例文帳に追加

文字列Ｂに用いられ得る異なる種類の文字を規定する開口パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列されたフォトマスクを用いて文字列Ｂを構成するべき文字の潜像をフォトレジスト層の所定領域に必要な回数だけ形成するとともに、文字列Ｂを構成しない文字をフォトレジスト層の所定領域の外側に形成する。 - 特許庁

A display control board 32 forming a display control means of a game machine has an image ROM 46 holding the basic stationary image data showing basic pattern of an image, a video display processor(VDP) 45 having the function of reducing and enlarging image data in the x and y directions, a CPU 41 computing the y direction position of the image data and the target values of expansion and reduction ratios.例文帳に追加

遊技機の表示制御手段を構成する表示制御基板３２は、画像の基本姿態を表わした基本静止画像データを保持する画像ＲＯＭ４６と、画像データをｘｙ両方向に縮小及び拡大する機能を持つビデオディスプレイプロセッサ（ＶＤＰ）４５と、画像データのｙ方向位置及び拡縮倍率の目標値を演算するＣＰＵ４１とを備える。 - 特許庁

In the transfer paper X for pottery for transferring an outline of a picture pattern on the pottery, the outline 10 to be printed on the transfer paper 20 is formed by a color with lower lightness than a color applied to a position adjacent to the inside of the outline 10, and at least one among change of line width, change of hue, change of chroma and change of tone is applied to the outline 10.例文帳に追加

陶磁器に絵柄の輪郭線を転写するための陶磁器用転写紙Ｘにおいて、前記転写紙２０に印刷される前記輪郭線１０を、当該輪郭線１０内側に接する位置に施される色より低い明度の色により形成し、線幅の変化、色相の変化、彩度の変化、濃淡の変化のうちの少なくとも一つを前記輪郭線１０に施すようにする。 - 特許庁

Equipment for measuring the wave aberration of an optical system for soft X-rays comprises a light intensity detector for irradiating the optical system with a light having wavelength of 150-300 nm and detecting an interference pattern of a light passed through the optical system and measuring wave aberration of the optical system based on the detection results from the light intensity detector.例文帳に追加

軟Ｘ線に用いる光学系の波面収差を測定する装置であって、波長１５０ｎｍ乃至３００ｎｍの光を前記光学系に照射し、前記光学系を通過した前記光の干渉縞を検出する光強度検出器を有し、該光強度検出器の検出結果に基づいて前記光学系の波面収差を測定することを特徴とする測定装置を提供する。 - 特許庁

This nickel electrode for the alkaline storage battery includes a positive electrode containing a positive electrode active material mainly composed of nickel hydroxide, and a compound including at least one of elements among erbium(Er), thulium(Tm), ytterbium(Yb) and ruthenium(Lu), having a diffraction peak with d=88 nm, d=84 nm and d=76 nm in the X-ray diffraction pattern by Kα line of Co.例文帳に追加

正極を水酸化ニッケルを主成分とする正極活物質と、ＣｏのＫα線によるＸ線回折図において、ｄ＝８８ｎｍ、ｄ＝８４ｎｍおよびｄ＝７６ｎｍに回折ピークを有するエルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）の中少なくとも一種の元素を含む化合物を含有することを特徴とするアルカリ蓄電池用ニッケル電極とする。 - 特許庁