「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The X-rays generated from the plasma 105 is radiated on a mask 110 by an illuminating optical system 109, and a mask pattern image is formed and exposed on a resist 112 by an image forming optical system 111.例文帳に追加

プラズマ１０５から発生したＸ線は、照明光学系１０９によりマスク１１０上に照射し、結像光学系１１１によりレジスト１１２上にマスクパターンの像を形成して露光する。 - 特許庁

As a result, the pulse width t is made to be in the range of 3 μs≤t<30 μs so that a high quality marking pattern having high visibility can be formed by improving the productivity of an X ray film.例文帳に追加

これにより、パルス幅ｔが３μｓｅｃ≦ｔ＜３０μｓｅｃとなるので、Ｘレイフィルムの生産性を向上させながら視認性が高く高品質のマーキングパターンを形成することができる。 - 特許庁

Both the unmagnified mask 12 and wafer 15 are moved upward by means of the vertical stage 16 while the X-ray 10 is projected upon the topmost part of the pattern 11 of the mask 12 at the same magnification.例文帳に追加

Ｘ線１０が等倍マスク１２のパターン１１における一番上を照射させながら、垂直ステージ１６によって、等倍マスク１２とウエハ１５の両方を上方に移動させている。 - 特許庁

When an expected value X is present in a serial pattern stored in scan data memories SDM11 to SDM14, the value is detected in real time, and mask signal generating parts SG11 to SG14 generate mask signals.例文帳に追加

スキャンデータメモリＳＤＭ１１〜ＳＤＭ１４に格納されたシリアルパターン中に期待値「Ｘ」が存在する場合、リアルタイムで検出してマスク信号発生部ＳＧ１１〜ＳＧ１４がマスク信号を発生する。 - 特許庁

The pattern to be imaged 50 includes combinations of three mark elements 62 having colors which include, in common, one primary color among the three primary colors, and standing in lines in the X direction or in the Y direction.例文帳に追加

被撮像パターン５０は、３原色のうちの１つの原色を共通に含む色を有してＸ方向またはＹ方向に並ぶ３つのマークエレメント６２の組み合わせを含んで構成される。 - 特許庁

Next, a correlation coefficient ρ is calculated between the blood vessels X and all the comparative blood vessel pattern Y extracted from the comparative frame image PF0 constituting the comparative endoscope animations P0.例文帳に追加

次に、血管パターンＸと比較内視鏡動画像Ｐ０を構成する比較フレーム画像ＰＦ０から抽出されたすべての比較血管パターンＹとの間で相関係数ρが算出される。 - 特許庁

This crystal is obtained by following steps; crude crystal of ebselen is dissolved in a mixed solvent of acetone, acetonitrile and ethanol, the resultant solution is concentrated and dried so as to obtain the crystal having a X-ray diffractometry pattern shown below.例文帳に追加

エブセレンの粗結晶を、アセトン、アセトニトリルおよびエタノールの混合溶媒に溶解した後、得られた溶液を濃縮乾固して結晶し、下記のＸ線回折パターンを有するエブセレンの結晶を得る。 - 特許庁

The aluminum oxide carrier has a diffraction pattern obtained by X-ray diffractometry having a specific spacing d between lattice planes and a peak corresponding to a relative intensity I/I_0 in a calcined state.例文帳に追加

この触媒は、該アルミニウム酸化物支持体が、焼成状態において、特定の格子面間隔ｄ、及び相対強度Ｉ／Ｉ_０に対応するピークを含む、Ｘ線回折により得られた回折図を有する。 - 特許庁

A cesium-containing aluminosilicate compound obtained by hydrothermal synthesis is subjected to heating treatment at ≥500°C, so that cesium-containing zeolite having a specified X-ray powder diffraction pattern can be crystallized.例文帳に追加

水熱合成により得られたセシウム含有アルミノシリケート化合物を５００℃以上の温度で加熱処理することによって特定のＸ線粉末回折パターンを有するセシウム含有ゼオライトが結晶化される。 - 特許庁

The cavity 2 is formed by forming, on the inner peripheral face of the seamless undivided mold main body 6 having a circular through-hole, a convex pattern X uniformly over the whole surface by electrocasting.例文帳に追加

円孔状の貫通孔を有する継ぎ目のない非分割形状の金型本体６の内周面に電気鋳造による凸状パターンＸを全面均等に形成してキャビティ２を形成する。 - 特許庁

To provide a technique for canceling a reaction force caused by the drive of an object while relaxing limitation to a driving pattern for driving the object in an X direction and a Y direction.例文帳に追加

物体をＸ方向及びＹ方向に駆動するための駆動パターンに対する制限を緩和しつつ該物体の駆動に伴う反力をキャンセルすることを可能にする技術を提供する。 - 特許庁

The tilt angle θ of the original file margin is detected from the center positions x, y of the luminance pattern YT and a 2nd position (t) on the original file margin is detected from the position (s) and the tilt angle θ.例文帳に追加

この輝度パターンＹ_T の中心位置ｙと位置ｘより原稿綴じ部の傾き角θを検出し、位置ｓと傾き角θから原稿綴じ部上の第２の位置ｔを検出する。 - 特許庁

This reticle 10 comprises a multilayer film 12 for an X-ray reflector formed on a substrate 8, and an absorber film 14 formed on the multilayer film 12, wherein the absorber film 14, having a prescribed pattern, is composed of a substance having a large imaginary part in the complex index of refraction at the use wavelength region of the X-ray.例文帳に追加

本発明に係るレチクル１０は、基板８上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜１２と、この多層膜１２上に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所定のパターンを有する吸収体膜１４と、を具備するものである。 - 特許庁

In a powder X-ray diffraction pattern of the lithium composite metal oxide by powder X-ray diffractometry in the diffraction angle 2θ of 10° to 90° using CuKα as the source, a diffraction peak (diffraction peak A) is present in the diffraction angle 2θ of 20° to 23°.例文帳に追加

ＣｕＫαを線源とし、かつ回折角２θの測定範囲を１０°以上９０°以下とする粉末Ｘ線回折測定により得られるリチウム複合金属酸化物の粉末Ｘ線回折図形において、２θが２０°以上２３°以下の範囲に回折ピーク（回折ピークＡ）を与えることを特徴とするリチウム複合金属酸化物。 - 特許庁

Since each dot is shifted alternately in the x direction and the y direction in a dot pattern where adjacent information dots on an imaginary lattice line are arranged to be shifted alternately in the x direction and the y direction, every other information dots are arranged on an identical lattice line without fail.例文帳に追加

仮想的な格子線上において隣接する情報ドット毎にｘ方向、ｙ方向へのずれを交互に生じるように配置したドットパターンとすることにより、ドット毎にｘ方向、ｙ方向へのずれが交互に生じているため、１個おきの情報ドットは必ず同一の格子線上に配置されることになる。 - 特許庁

The following expression is satisfied where p_1' denotes a period of a first pattern image at a position of the second absorption type grating 32, and p_2' denotes a substantial grating pitch of the second absorption type grating 32, and D_X denotes a dimension related to the x direction of an X-ray reception area of each pixel of the FPD 30.例文帳に追加

第２の吸収型格子３２の位置における第１のパターン像の周期をｐ_１’、第２の吸収型格子３２の実質的な格子ピッチをｐ_２’、ＦＰＤ３０の各画素のＸ線受光領域のｘ方向に関する大きさをＤ_Ｘとした場合に、下式を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

A maximum total score word symbol array search part 11 searches for a word symbol array W which maximizes total scores h(Φ(f(W), ϕ(W)) and g(X, W) calculated from a voice spectrum pattern array score (g(X, W) and a word symbol array score Φ(f(W), ϕ(W)), and outputs it as a voice recognition result.例文帳に追加

最大総合スコア単語シンボル列探索部１１は、音声スペクトルパターン列スコアｇ（Ｘ，Ｗ）と、単語シンボル列スコアΦ（ｆ（Ｗ），φ（Ｗ））とから計算される総合スコアｈ（Φ（ｆ（Ｗ），φ（Ｗ）），ｇ（Ｘ，Ｗ））が最大となる単語シンボル列Ｗを探索し音声認識結果として出力する。 - 特許庁

Finally, by resequencing labels [1] to [8] in descending order of the x-coordinate of the central coordinate of the pattern for the labels [1] to [8] belonging to two adjacent lines of L1 and L2, the pitches of the x-directions of the obliquely neighboring patterns is inspected, so as to implement the pitch inspection in serial order of the label number resequenced.例文帳に追加

そして、隣り合う２つの行Ｌ１とＬ２に属するラベル［１］〜［８］に対してそのパターン中心座標のｘ座標値の大きさの順にラベル［１］〜［８］を並べ替え、その並べ替えたラベルの番号の順にピッチ検査を行うようにして、斜めに隣り合うパターンのｘ方向のピッチを検査するようにした。 - 特許庁

To provide a method for creating writing data for electron beam exposure and electron beam writing, and a method for manufacturing a photo mask, an X-ray mask, and a mask for charged beam projection aligning for creating a mask pattern exactly same as a designed value with an existing low accelerating voltage electron beam writing system by a variable shaped method.例文帳に追加

既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するための、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The laser controlling apparatus 80 of the bar-code marker monitors the transported length of the X-ray film by a rotary encoder 108, and when the length after cutting reaches specified length, the marking head 78 is operated to form the marking pattern in a fixed position on the X-ray film 12A.例文帳に追加

このとき、バーコードマーカーのレーザー制御装置８０は、ロータリーエンコーダー１０８によってＸレイフィルムの搬送長を監視して、切断後の搬送長が所定長さに達したときに、マーキングヘッド７８を作動させることにより、Ｘレイフィルム１２Ａの一定位置に、マーキングパターンが形成されるようにしている。 - 特許庁

The dummy pattern D includes a plurality of basic patterns D(0) and D(1) in predetermined asymmetrical shapes about a first direction and a second direction, pattern portions crossing the basic patterns D(0) and D(1) not disposed repeatedly at fixed intervals on an X-directional straight line and a Y-directional straight line in a region where the dummy pattern D is formed.例文帳に追加

ダミーパターンＤには、第１の方向及び第２の方向に対して非対称な所定形状を有する複数の基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）が含まれ、ダミーパターンＤが形成された領域内のＸ方向の直線上及びＹ方向の直線上にて、それぞれの基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）を横切るパターン部分が一定間隔で繰り返し配置されないように構成される。 - 特許庁

By moving and exposing a mother mask 4 by scanning in the X direction and stepwise moving in the Y direction, a pattern region 9 of the mother mask 4 can be transferred onto the entire surface of the exposure region 11 of the mother substrate 10.例文帳に追加

マザーマスク４をＸ方向のスキャンとＹ方向のステップによって移動させて露光することにより、マスク基板１０における露光領域１１の全面に、マザーマスク４のパターン領域９が転写できる。 - 特許庁

In the case of displaying the size of the embroidery pattern at a numeric display part 82, an arrow for indicating which of an X direction and a Y direction the numerical value corresponds to is put in brackets and displayed (A).例文帳に追加

数値表示部８２に刺繍模様のサイズを表示する場合は、（Ａ）に示すように、その数値がＸ方向Ｙ方向のいずれに対応するかを指示する矢印を判別表示としてのカギ括弧で囲んで表示する。 - 特許庁

The visual introduction image of the gray domain can be changed by the conveyance variances at the time of image formation, especially it has bright strip or dark strip along the Y axis direction or has bright or dark pattern along the extension of X axis direction.例文帳に追加

グレー領域の視覚的出現像は画像形成時の送り変化によって変えられ、殊に、Ｙ方向にある、明るいストリップないし暗いストリップないしはＸ方向に延在している明暗パターンを有している。 - 特許庁

To efficiently form a circuit of a wiring pattern connecting detection elements in a narrow space in an input device for obtaining an X output and a Y output from distortion of deformable parts provided in an operation member.例文帳に追加

動作部材に設けられた変形部の歪みからＸ出力とＹ出力を得る入力装置において、検出素子を結ぶ配線パターンの回路を狭いスペースで効率よく形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a positive electron ray or X-ray resist composition exhibiting high sensitivity and high resolution, capable of giving excellent rectangular pattern profile and having excellent PCD and PED stability and coating property.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性及び塗布性に優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

X-rays are allowed to irradiate the silicon ingot while the silicon ingot 14 is rotated centering around its center axis 12 and, on the basis of the light receiving pattern obtained as a result, an arbitrary crystal face is specified.例文帳に追加

そして、オフセットを有するシリコンインゴット（１４）をその中心軸（１２）を回転中心として回転させながら、Ｘ線照射を行い、その結果得られた受光パターンに基づいて、任意の結晶面を特定する。 - 特許庁

It is preferable that the electrolytic manganese dioxide has a (110)/(021) peak intensity ratio of 0.50-0.80 in the X-ray diffraction peak pattern, and an interplanar distance between the (110) planes of 4.00-4.06 Å.例文帳に追加

電解二酸化マンガンのＸ線回折ピークにおける（１１０）／（０２１）のピーク強度比が０．５０以上０．８０以下、（１１０）面の面間隔が４．００Å以上４．０６Å以下であることが好ましい。 - 特許庁

Next, when a characteristic vector x of an unknown pattern is given, an error distribution corresponding to the assembly of difference vectors is used as a probability density function Fe to calculate an expected value of the probability density function Fc of a category C.例文帳に追加

次に、未知パターンの特徴ベクトルｘが与えられたとき、差分ベクトルの集合に対応する誤差分布を確率密度関数Ｆ_e として用いて、カテゴリＣの確率密度関数Ｆ____c の期待値を求める。 - 特許庁

The designed barcode 100 includes a sequence of bar symbols 110 including a plurality of spaced bar symbols arranged in a scan direction X, and an additional pattern 130 for complementing a design represented by the outer form of the sequence of bar symbols 110.例文帳に追加

デザインバーコード１００は、スペースをおいてスキャン方向Ｘに配列された複数のバーシンボルを含むバーシンボル列１１０と、バーシンボル列１１０の外形が表す図案を補足する付加パターン１３０と、を含んでいる。 - 特許庁

A CP aperture mask is formed (S9) as a shape correction based on a blur difference (S2) of the beam between the directions of X and Y is taken into consideration, and the image of the pattern is transferred on the specimen for CP exposure by the use of the CP aperture mask.例文帳に追加

ＸＹ方向における電子ビームのぼけ量（Ｓ２）の違いによる形状補正を取り入れてＣＰアパーチャマスクを作成し（Ｓ９）、該ＣＰアパーチャマスクを用いて試料上にパターンをＣＰ露光する。 - 特許庁

A first gradation correction table forming part 221 forms the first gradation correction table 222A from the density data of the gradation patch pattern X obtained by the density sensor 520, and stores it in a gradation correction table storage part 222.例文帳に追加

次に、第１の階調補正テーブル作成部２２１は、濃度センサ５２０が取得した階調パッチパターンＸの濃度データより、第１の階調補正テーブル２２２Ａを作成し階調補正テーブル記憶部２２２に格納する。 - 特許庁

A subfield 51 of an evaluating pattern 50 is divided into four regions S so that lines and spaces are extended in an X direction in regions S2 and S4, while the lines and spaces are extended in a Y direction in regions S1 and S3.例文帳に追加

評価用パターン５０のサブフィールド５１は４つの区域Ｓに分割され、区域Ｓ２及びＳ４でライン及びスペースがＸ方向に延び、区域Ｓ１及び区域Ｓ３でＹ方向に延びるように配置されている。 - 特許庁

The inside of a range which is surrounded by the chip edge is stored in a memory as a template (S6), and the chip is collated by pattern matching which aligns the template with a chip position in the search area (S7) to calculate an X pitch and a Y pitch (S8).例文帳に追加

チップエッジに囲まれた範囲内をテンプレートとしてメモリに記憶し（Ｓ６）、テンプレートをサーチエリア内のチップ位置に合わせるパターンマッチングを行ってチップを照合して（Ｓ７）、ＸピッチとＹピッチを算出する（Ｓ８）。 - 特許庁

CAD data A including a plan of an installation surface are input from a design office X, and plate building materials 10 to be laid on the installation surface and an arrangement pattern thereof are selected according to an operator's instruction input.例文帳に追加

設計事務所Ｘから施工対象面の平面図を含むＣＡＤデータＡを入力し、当該施工対象面に貼る板状建材１０とその配置パターンを、オペレータの指示入力に基づいて選択する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies few development defects as well as high sensitivity, high resolution and a good pattern shape when an active ray or radiation, particularly an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線の使用に対して、高感度、高解像性、良好なパターン形状に加えて、現像欠陥の特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the stamper used as a die for pattern transfer, at least the outermost surface of each projecting part is formed of a material 110 having no crystalline peak in X-ray diffraction.例文帳に追加

パターン転写の型として用いられるスタンパであって、少なくともそのスタンパの凸部最表面を、Ｘ線回折において結晶性ピークを有していない材料１１０で形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained.例文帳に追加

これにより、約８Å〜９Åより短波長のＸ線に対するコントラストが５０ｎｍライン＆スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。 - 特許庁

The resist composition for an electron beam, X-ray or EUV contains a specific triarylsulfonium compound, having benzenesulfonic acid anions having specific substituents, and the pattern-forming method using the composition is also provided.例文帳に追加

特定置換基を有するベンゼンスルホン酸アニオンを有する特定のトリアリールスルホニウム化合物を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線またはＥＵＶ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

This catalyst for producing the polyester comprises a solid titanium compound obtained by dehydrating and drying a titanium hydroxide and having ≤50% crystallinity calculated from an X-ray diffraction pattern within the range of 18-35° 2θ (angle of diffraction).例文帳に追加

チタン水酸化物を脱水乾燥することにより得られ、２θ（回折角度）が１８°〜３５°の範囲にあるＸ線回折パターンから算出した結晶化度が５０％以下である固体状チタン化合物からなる。 - 特許庁

The polymorphic crystals of donepezil hydrochloride (I)-(IV) and (V) represented by the chemical formula characterized in a powder X-ray diffraction pattern and an infrared absorption spectrum have excellent thermal stability and low hygroscopicity.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折パターンおよび赤外吸収スペクトルにおいて特徴付けられる、下記化学式で表される塩酸ドネペジルの多形結晶(I)〜(IV)と(V)は、優れた熱安定性および低吸湿性を有する。 - 特許庁

Correlation coefficients ρ are calculated between the shifted blood vessel patterns X and the comparison blood vessel pattern Y, and authentication to determine that a subject is the specific person is carried out using the plurality of calculated correlation coefficients ρ.例文帳に追加

そして、シフトされた血管パターンＸと比較血管パターンＹとの間の相関係数ρが算出され、算出した複数の相関係数ρを用いて被験者が特定の人物であるとの認証が行われる。 - 特許庁

Region information is linked to the respective region patterns, processing information composed of image configuration information, image processing information and X-ray exposure control information corresponding to the photographing region pattern of each of time-sequential images input during moving image photographing is calculated and obtained, and information optimum for the region pattern to be photographed is used.例文帳に追加

各部位パターンには部位情報がリンクされており、動画撮影中に入力される時系列画像のそれぞれの撮影部位パターンに対応する画像構成情報、画像処理情報、Ｘ線曝射制御情報の処理情報を演算して求め、撮影すべき部位パターンに最適な情報を使用する。 - 特許庁

To obtain techniques to improve the performance in microprocessing of a semiconductor element using high energy rays, in particular, KrF excimer laser light, X-rays, electron beams or EUV (extreme UV) rays, and to provide a negative resist composition satisfying the requirements for high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and preferable dependence on the pattern density.例文帳に追加

高エネルギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好な疎密依存性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁