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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > x-patternに関連した英語例文

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x-patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 704



例文

Thereby, in a multi-control section 14, when the selection signal generating circuit 142 supplies a selection signal SE to a selection circuit 144 on the basis of the selection pattern Z, the selecting circuit 144 outputs the inputted first pattern X and the second pattern Y by switching them successively.例文帳に追加

これにより、マルチ制御部14では、選択信号発生回路142が選択パターンZに基づいて選択回路144に選択信号SEを供給すると、選択回路144は入力する第1のパターンXおよび第2のパターンYを順次切り替えて出力する。 - 特許庁

Moreover, in this step S_4, a plurality of new pattern data and job decks are specified so that the stage does not move in the X and Y directions in the predetermined orientation and does not pass again the field already drawn and thereby the assembled pattern data are divided into a plurality of new pattern data which are adjacently provided with each other.例文帳に追加

ステップS_4 では、ステージが、所定の向きでX方向及びY方向に移動して既に描画したフィールドを再度通過しないように、新たな複数個のパターンデータ及び新たなジョブデックを規定して、集合パターンデータを相互に隣合う新たな複数個のパターンデータに分割する。 - 特許庁

To provide an X-ray diffraction analyzing technique capable of simply acquiring the X-ray diffraction pattern equipped with the local structural data of a sample having a non-uniform crystal structure in a laboratory or on the spot by reducing the damping of intensity in a light path until the X-ray beam emitted from an X-ray tube arrives at a sample to the utmost.例文帳に追加

X線管から出射されたX線ビームが試料に到達するまでの光路における強度の減衰を極力小さくすることにより、不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるX線回折図形を、実験室や現場で短時間且つ簡単に取得することを可能とするX線回折分析技術を提供する。 - 特許庁

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L2/(L2-L1) on the basis of thickness L1 of a transparent layer 6 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and pixel width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像3と遮光パターン4との間の距離となる透明層6の厚さL1及び観察距離L2並びに視差画像3の画素幅aに基づいて、遮光パターン4のパターン間距離Xが0<X≦a・L2/(L2+L1)又は0<X≦a・L2/(L2−L1)に設定されている。 - 特許庁

例文

A distance X between the light shielding patterns 4 is set to 0<X≤a×L2/(L2+L1) or 0<X≤a×L3/(L3-L1) on the basis of thickness L1 of the transparent medium 2 that is a distance between the parallactic image 3 and the light shielding pattern 4, an observation distance L2 and image width (a) of the parallactic image 3.例文帳に追加

また、視差画像3と遮光パターン4との間の距離となる透明媒体2の厚さL1及び観察距離L2並びに視差画像3の画像幅aに基づいて、遮光パターン4のパターン間距離Xが0<X≦a・L2/(L2+L1)又は0<X≦a・L3/(L3−L1)に設定されている。 - 特許庁


例文

An optical master disk 100 is configured by including a substrate member 1 in which a predetermined rugged pattern is formed, and a tungsten oxide film 2 in which 55 (atomic %)<X<60 (atomic %) and Y=100-X (atomic %) when the atomic composition percentage ratio of oxygen is defined as X and the atomic composition percentage ratio of tungsten is defined as Y.例文帳に追加

所定の凹凸パターンが形成された基板部材1と、基板部材1の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55(atomic %)<X<60(atomic %)かつY=100−X(atomic %)である酸化タングステン膜2と、を含んで光ディスク原盤100を構成する。 - 特許庁

With this constitution, a blast angle and a rotary angle can be respectively optimized independently, and the crystal azimuth 12 is accurately and easily adjusted, with respect to the respective directions of incident X rays 2A and diffracted X rays 3A and enables measurement of the X-ray diffraction pattern of the lattice surface 11 of the single-crystal substrate 10 with high accuracy.例文帳に追加

これにより、あおり角と回転角とをそれぞれ独立して最適化することができ、入射X線2Aおよび回折X線3Aの各方向に対して結晶方位12を正確かつ容易に調整し、単結晶基板10の格子面11におけるX線回折パターンを高精度に測定することができる。 - 特許庁

In an encoder, pattern strings of a scale 20 are periodically aligned in a Y direction perpendicular to an X direction and comprises a plurality of areas 23A, 25A having pitches different from each other in the X direction, such that an energy distribution amplitude of the area 25A changes in accordance with a position of the scale in the X direction.例文帳に追加

エンコーダにおいて、スケール20のパターン列はX方向に垂直なY方向に周期的に配列され、X方向にそれぞれ異なるピッチを有する複数の領域23A、25Aを有し、領域25Aのエネルギー分布の振幅がスケールのX方向の位置に従って変化するように構成されている。 - 特許庁

The image forming apparatus scans a pattern image formed on other kinds of recording media Z being different from a specific kind of recording medium X to obtain luminance information (i(Z)) on the other kinds of recording media Z, and converts the obtained luminance information (i(Z)) into density information (d(X)) corresponding to the specific kind of recording medium X.例文帳に追加

本発明によれば、特定の種類の記録媒体Xとは異なる他の種類の記録媒体Z上に形成されたパターン画像を読み取って取得された他の種類の記録媒体Zについての輝度情報(i(Z))を、特定の種類の記録媒体Xにおける対応する濃度情報(d(X))に変換する。 - 特許庁

例文

A photo mask B has an inspection pattern 12 composed of line groups arranged with regular spacings in directions X, Y so that lines gradually shift to lie on the holes, together with a pattern concerning the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

フォトマスクBは半導体集積回路に関係するパターンと共に、上記各ホール上に次第にずれて乗るようにX方向、Y方向それぞれに規則性を持つ間隔で並べられた各ライン群でなる検査パターン12を有する。 - 特許庁

例文

Check patterns CP1-CP3 consisting of a gradation pattern are printed by the not yet adjusted printer and the gradation pattern image is scanned by the sensor S thus specifying the position x where the density matches to the reference density.例文帳に追加

その未調整のプリント装置によってグラデーションパターンからなるチェックパターンCP1〜CP3を印刷するとともに、このグラデーションパターン画像をセンサSにより走査して、基準濃度と濃度の一致する位置xを特定する。 - 特許庁

The layout and spaces of the embroidery pattern are determined from the inputted repetition number and the moving quantity in the X-Y directions (S8), and the layout of the repeated embroidery pattern is displayed on the display device (S9).例文帳に追加

入力された繰返し数とコピー図形のX方向及びY方向の移動量とから、刺繍模様の配置及びそれらの間隔が決定され(S8)、表示装置に繰返し刺繍模様の配置が表示される(S9)。 - 特許庁

To make possible to draw the high precision line pattern, increasing degree of freedom in drawing a high precision line pattern, determine a defect and measure a length, not only forming a linear beam to a X-axis and a Y-axis directions, but also forming a linear beam to a certain direction.例文帳に追加

X軸、Y軸方向の線形ビームを形成するだけでなく、任意の方向の線形ビームは形成して、高精度なラインパターン描画の自由度を増し、高精度なパターン描画、欠陥検査、測長を可能する。 - 特許庁

The CPU 201 decides a second adjusting value so that positions of the pattern images for registration adjustment 5015A to 5018A are aligned with each other, and positions of the pattern images for registration adjustment 5015B to 5018B are aligned with each other, in a main scanning direction X.例文帳に追加

主走査方向Xについてレジスト調整用パターン画像5015A〜5018Aの位置が互いに一致し、レジスト調整用パターン画像5015B〜5018Bの位置が互いに一致するように第2調整値を決定する。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which can be manufactured by relatively simple facilities, is not strained against heat generation in exposure to hardly have its X-ray absortpion pattern broken, and optical transparent to facilitate multiple exposure.例文帳に追加

比較的簡単な設備で作製でき、露光時の発熱によっても歪むことがなく、X線吸収体パターンが破壊され難く、光学的に透明で多重露光を容易に行なうことができるX線マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, even if heating occurs in the X-ray film by emitting the laser beam, the temperature rise of the X-ray film is suppressed, and the marking pattern MP of high quality can be formed without bringing about a performance failure such as sensitizing or desensitizing.例文帳に追加

これにより、レーザービームが照射されることによりXレイフィルムに発熱が生じても、Xレイフィルムの温度上昇を抑え、増減感などの性能故障を生じさせることなく、高品質のマーキングパターンMPを形成することができる。 - 特許庁

By obtaining the difference between the obtained measurement results D1, D2, the displacement amount of the pattern 21 itself in the X axis direction is canceled out, and the amount of variation of the position of the stage 1 during movement at each position in the X axis direction is calculated.例文帳に追加

そして、得られた測定結果D1,D2の差分をとることにより、パターン21自体のX軸方向の変位量を相殺し、移動中のステージ1の各位置におけるX軸方向についての位置の変化量を算出する。 - 特許庁

Wiring 105 to be measured is placed at the center, and wiring width W, wiring interval S, wiring formation region X/Y, and data ratio D of wiring to be actually wired in the wiring formation regionY are variably changed so that the test pattern of wiring can be prepared.例文帳に追加

被測定配線105を中心に置き、配線幅W、配線間隔S、配線の形成領域X、Y、配線形成領域X×Yに実際に配線される配線のデータ率Dを種々変えた配線のテストパターンを作成する。 - 特許庁

The stamper can be produced by a method including: a stage where a rugged pattern is formed on a substrate; a stage where a layer of the material 110 having no crystalline peak in X-ray diffraction is formed on the rugged pattern; and a stage where the adhesion face among the substrate, the rugged pattern and the layer of the material 110 having no crystalline peak in X-ray diffraction is peeled.例文帳に追加

こうしたスタンパは、基板上に凹凸パターンを形成する工程と、その凹凸パターンの上にX線回折において結晶性ピークを有していない材料110の層を形成する工程と、前記基板及び前記凹凸パターンと、前記X線回折において結晶性ピークを有していない材料110の層との密着面を剥離する工程とを含む方法で製造できる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Thus, most of the incident X-rays are stopped in the incident surface of the scintillator 31 and converted into visible light photons ph, after transmission through the read out pattern P.例文帳に追加

したがって、入射されたX線は読み出しパターンPを透過した後にシンチレータ31の入射面側で大部分が停止して可視光フォトンphに変換される。 - 特許庁

In AC erasure processing, the HDC/MPU 23 uses an allowable range defined by (X+y) PES, and only writing of an AC pattern is prohibited at a head position of 115f.例文帳に追加

ACイレーズ処理において、HDC/MPU23は(X+y)PESで規定される許可範囲を使用し、115fのヘッド位置のみがACパターンの書き込みを禁止される。 - 特許庁

The additional means reads the pattern image to prepare brightness information (I(Z)) and determines a difference between predetermined brightness information (I(X)) and the brightness information (I(Z)).例文帳に追加

追加手段は、パターン画像を読み取って輝度情報(I(Z))を作成し、予め設定された輝度情報(I(X))と輝度情報(I(Z))との差分を求める。 - 特許庁

To provide an electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, excellent in PCD and capable of giving a pattern profile excellent in rectangularity.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、PCDに優れ、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができる電子線又はX線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the distribution of the first peak intensity showing the maximum intensity in an X-ray diffraction pattern inside a stimulable phosphor layer face is isotropic from the center of the support 11.例文帳に追加

そして、輝尽性蛍光体層面内のX線回折パターンにおいて最大強度を示す第1ピーク強度の分布が支持体中心から等方的である。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which is equipped with a circuit pattern for transfer, having high position precision and can be manufactured through a simplified manufacturing process and the manufacturing method for the mask.例文帳に追加

高い位置精度を有する転写用回路パターンを備え、簡略化した製造工程で製造することが可能なX線マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The IItype crystal of (±) 2-(dimethylamino)-1-{[O-(m-methoxyphenethyl)phenoxy]methyl}ethyl hydrogen succinate hydrochloride that can be characterized by the specific pattern in the powdery X ray diffraction peak shown by Figure.例文帳に追加

粉末X線回折スペクトルが図1に示すパターンを有する、(±)2−(ジメチルアミノ)−1−{〔O−(m−メトキシフェネチル)フェノキシ〕メチル} エチル 水素サクシナート塩酸塩のII形結晶。 - 特許庁

The I type crystal of (±) 2-(dimethylamino)-1-{[O-(m-methoxyphenethyl)phenoxy]methyl}ethyl hydrogen succinate hydrochloride that can be characterized by having the pattern shown in Figure in the powdery X ray diffraction peak.例文帳に追加

粉末X線回折スペクトルが図2に示すパターンを有する、(±)2−(ジメチルアミノ)−1−{〔O−(m−メトキシフェネチル)フェノキシ〕メチル} エチル 水素サクシナート塩酸塩のI形結晶。 - 特許庁

The catalyst component for olefin polymerization comprises a laminar ion-exchangable silicate having a peak at a 2θ of 61.70° to 61.97° in the X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

X線回折において、2θ=61.70°〜2θ=61.97°にピークを有するイオン交換性層状珪酸塩からなることを特徴とするオレフィン重合用触媒成分。 - 特許庁

The anode material contains a carbonaceous material having a diffraction peak betweendiffraction angles of 30 to 32° in an X-ray (CuKα) powder diffraction pattern.例文帳に追加

負極材料は、X線(CuKα)粉末回折パターンにおける2θ回折角30度〜32度の間に回折ピークを有する炭素質材料を含有する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having high sensitivity and high resolving power and reduced in development defects in pattern formation with an actinic radiation (electron beam, X-ray or EUV (extreme-ultraviolet ray)).例文帳に追加

活性放射線(電子線、X線又はEUV)によるパターン形成において、高感度、高解像力で、現像欠陥が低減されたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

An inspection image containing the normal pattern superposed on the X-ray transmission image is further displayed on a monitor device, and an input of determination by an inspector is accepted.例文帳に追加

さらにこの正常パターンをX線透視画像に重ね合わせた画像を含む検査用画面をモニタ装置に表示し、検査員の判定入力を受け付ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the grid for removing the scattered X-ray includes the steps of mounting support plates 4, 5 on a substrate 12, setting the substrate 12 to a container 8, filling a photosetting resin liquid 7, and pattern exposing to a laser beam source 6.例文帳に追加

基板12に支持板4、5を取り付け、基板12を容器8にセットし、光硬化性樹脂液7を入れ、レーザ光源6によりパターニング露光する。 - 特許庁

The rugged pattern sheet is characterized in that one surface has rugged structure Z formed by superposing rugged structure X and rugged structure Y which satisfy the following conditions.例文帳に追加

一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Xと凹凸構造Yが重畳した凹凸構造Zとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a new and improved lower panel for a PDP capable of forming a high-definition barrier rib pattern with high form accuracy by utilizing an X-ray.例文帳に追加

X線を利用して高精細の隔壁パターンを高い形状精度で成形できる、新規かつ改良されたPDP用下部パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

By using an unmagnified mask 12 formed so that a plurality of identical patterns 11 may be arranged in one vertical row, X-ray 10 is projected upon one pattern of the mask 12 at the same mgnification.例文帳に追加

複数の同じパターン11が上下一列に並ぶように形成されている等倍マスク12を用い、X線10を等倍マスクの一つのパターンに照射される。 - 特許庁

The part of each protrusion 12a constituting the rugged pattern 12 which is opposite to the translucent substrate 11 is formed into an asymmetrical shape relative to the X axis.例文帳に追加

凹凸パターン12を構成する各凸部12aの、透光性基板11と反対側の部分は、x軸に対して非対称な形状に形成されている。 - 特許庁

After the forming beams 21 reached an upper left region of the circuit pattern 16a, the substrate stage 12 and mask stage 17 are slid to a -X direction by a pitch P.例文帳に追加

次に、成形ビーム21が回路パターン16aの左上の領域に達した後に、基板ステージ12及びマスクステージ17をピッチP分だけ−X方向にずらす。 - 特許庁

To provide a two-dimensional position sensor comprising a substrate with a sensitive area defined by a pattern of electrodes including electrodes for determining an x-position and electrodes for determining a y-position.例文帳に追加

x位置を決定する電極およびy位置を決定する電極を含む電極パターンによって画定される感応エリアを有する基材を備える2次元位置センサ。 - 特許庁

A laser controlling apparatus is equipped with a bar-code marker to form a bar code including the item information, the slit number and the cut number as a marking pattern in the X-ray film.例文帳に追加

また、レーザー制御装置には、バーコードマーカーが設けられており、マーキングパターンとして品種、スリット番号、カット番号を含むバーコードをXレイフィルムに形成する。 - 特許庁

A pixel pattern having a diffraction grating formed by arranging grating lines directed at the azimuth angle θ to an X axis is allocated to a pixel positioned at the reference point P.例文帳に追加

基準点Pに位置する画素には、X軸に対して方位角θをなす方向を向いた格子線を配置してなる回折格子を有する画素パターンを割り付ける。 - 特許庁

The electron emission film 1 having an X-ray diffraction pattern of diamond, constituted by a plurality of diamond particles with the size of 5 nm to 10 nm is formed on a substrate 2.例文帳に追加

基板2上に、X線回折においてダイヤモンドのパターンを有し、粒径が5nmから10nmである複数のダイヤモンド粒子より構成された電子放出膜1を形成する。 - 特許庁

The formed crystal is collected and dehydrated to afford the objective βd-crystal of the ivabradine hydrochloride, having a specific X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

それにより生成した結晶を回収し、次いで脱水し、下記式(I)で示され、特定のX線回析パターンを有するイバブラジン塩酸塩のβd−結晶を得る。 - 特許庁

This crystal is, for example, characterized by an X-ray powder diffraction pattern given by copper radiant rays which are passed through a monochromator and have a λ of 1.5418Å.例文帳に追加

本発明の結晶は、例えば、モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンにおいて特徴づけられる。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which simultaneously satisfies such characteristics as sensitivity, resolving power, pattern shape and line edge roughness when an electron beam or X-rays are used.例文帳に追加

電子線又はX線の使用に対して感度、解像力、パターン形状及びラインエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The X-Y table 5 is driven correspondingly to letters, symbols and drawings to be marked, thus revealing a prescribed marking pattern on the surface of the workpiece S in black with high visibility.例文帳に追加

X−Yテーブル5はマーキングすべき文字、記号、図形に対応して駆動され、被加工体Sの表面に所定のマーキングパターンを黒色で視認性高く現出させる。 - 特許庁

To provide a resist composition for electron beams, extreme UV rays or X-rays which has excellent sensitivity and resolving properties, and satisfies rectangular pattern shapes, dissolution contrast, and edge roughness.例文帳に追加

感度と解像性に優れ、更には矩形なパターン形状、溶解コントラスト、エッジラフネスをも満足する電子線、EUV又はX線用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

From the start to the end of a special game operation, an advancing type presenting animation X is continuously displayed on a pattern display device, and the final attainment degree of the animation X is determined beforehand based on a big-hit pattern content or a lottery of an animation random number R, and hence a variety of animations can be displayed during a big hit.例文帳に追加

特別遊技作動の開始から終了まで、図柄表示装置に連続して進行型演出動画Xを表示すると共に、大当りの図柄内容または動画乱数Rの抽選により、進行型演出動画Xの最終到達度をあらかじめ定めるようにしたものであるから、大当たり中に多様な動画を表出できる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、X線又はEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

例文

In this case, a direction (a connection line direction) in which the back conductor pattern CP2 is connected is the X direction and when attention is paid to a Y direction orthogonal to (intersecting with) the X direction, the width of the back conductor pattern CP2 in the Y direction is smaller than those of the back terminals TEPa, TEPb in the Y direction.例文帳に追加

このとき、裏面導体パターンCP2の接続方向(接続線方向)がX方向となっており、このX方向と直交する(交差する)Y方向に着目すると、裏面導体パターンCP2のY方向の幅は、裏面端子TEPaのY方向の幅や裏面端子TEPbのY方向の幅よりも小さくなっている。 - 特許庁




  
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