「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An image cut out from the image of a dot pattern printed in a good state is taken as a reference pattern, and each pixel constituting the reference pattern is shifted in x-axial direction or y-axial direction on the basis of a preset parameter to form a deformed pattern.例文帳に追加

良好な状態で印字されたドットパターンの画像から切り出された画像を基準パターンとして、この基準パターンを構成する各画素を、あらかじめ設定されたパラメータに基づき、ｘ軸方向またはｙ軸方向に位置ずれさせて変形パターンを作成する。 - 特許庁

When a member registration request is issued, bar codes 100 are generated at random, a value X is calculated by digitizing the pattern, and remainders (a) and b are calculated by dividing the value X by divisors A and B.例文帳に追加

会員登録要求があると、ランダムにバーコード１００を生成し、このパターンを数値化した数値Ｘを求め、これを除数Ａ、Ｂで除算した剰余ａ、ｂを求める。 - 特許庁

In a pattern imaging system, exposure areas EA1, EA2 and EA3 are relatively moved on an exposure surface SU by moving an X-Y stage 18 in the X-direction.例文帳に追加

パターン描画装置において、Ｘ−Ｙステージ１８をＸ方向に沿って移動させることにより、露光エリアＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３を露光面ＳＵ上において相対移動させる。 - 特許庁

The hood materials at corners 20-23 are made of pattern forming parts consisting of a flexible material with a curvature along the axial direction of hood ribs and formed to be wavelike along the axial direction of X-X of a passage 6.例文帳に追加

コーナ部の幌材２０〜２３を、幌骨の軸方向に沿った曲面で、かつ通路６の軸方向Ｘ−Ｘに波状に成形された柔軟材からなる型成形部品とする。 - 特許庁

The processing of X-ray images and the intensifying of details in the X-ray images are preferably implemented using a pattern matching algorithm requiring preliminary knowledges about patterns of the details of interests.例文帳に追加

Ｘ線画像の処理及びＸ線画像における細部の強調は、関心のある細部のパターンの事前知識を必要とするパターンマッチングアルゴリズムを用いて好ましくは実施される。 - 特許庁

The insulating film is subjected to dry etching through the mask pattern as a mask by the use of etching gas containing C_4F_8 and C_xF_y (x and y are each an integer and so set as to satisfy formulas, x≥5 and y≤(2x-1)).例文帳に追加

マスクパターンをマスクとし、Ｃ_4Ｆ_8ガスとＣ_xＦ_y（ｘ及びｙは整数であり、ｘ≧５、ｙ≦（２ｘ−１）を満たす）ガスとを含むエッチングガスを用いて、絶縁膜をドライエッチングする。 - 特許庁

A signal processing part 334 obtains a distance S between the receiver 31 and an ear of a user (the degree of closure of an ear hole) on the basis of the reflection signal D(n) and a sound source signal X(n), and a correction pattern determination part 335 outputs a correction pattern P(S) corresponding to the distance S.例文帳に追加

そして反射信号D(n)と音源信号X(n)に基づいて、信号処理部３３４が、レシーバ３１とユーザの耳との距離S（耳穴の密閉度）を求め、補正パターン決定部３３５が、この距離Sに応じた補正パターンP(S)を出力する。 - 特許庁

On the other hand, the pair of the first coil pattern 11 and the third coil pattern 13 is utilized for magnetic field detection in the X-axis direction, and a detection current of an X-axis component of the external magnetic field is aquired from connection terminals 1a, 3a which are endpoint nodes of the coil patterns.例文帳に追加

一方、第１コイルパターン１１と第３コイルパターン１３のペアはＸ軸方向の磁界検出に利用され、それらのコイルパターンの端点である接続端子１ａ、３ａから外部磁界のＸ軸成分の検出電流が得られる。 - 特許庁

When the three-dimensional curved surface decided by the function Z (x, y) is irradiated with the parallel beams of the pattern decided by the function C (x, y) on the (x-y) plane from the directions ϕ, θ, a geographical pattern which can be observed at a point of view z=∞ is simulated by a simulation means 4 without operating any shadow calculation.例文帳に追加

シミュレーション手段４は、関数Ｚ（ｘ，ｙ）で定められる３次元曲面に対して、ｘ−ｙ平面上で関数Ｃ（ｘ，ｙ）で定められるパターンの平行光線が、φ、θの方向から照射されたとしたとき、視点をｚ＝∞において観察できる幾何学模様を陰影計算を行わずにシミュレーションする。 - 特許庁

In a pachinko machine which is one of the game machines, a left pattern display train 110 and a right pattern display train 150 stop variation to once form a ready-to-win pattern array '2, X, 2', and a middle pattern display train 130 stops variation to form a miss pattern array '2, 7, 2'.例文帳に追加

遊技機の一つであるパチンコ機において、左図柄表示列１１０および右図柄表示列１５０が変動を停止して一旦リーチ図柄配列「２，↓，２」を形成し、中図柄表示列１３０が変動を停止してはずれ図柄配列「２，７，２」を形成したのち、中図柄表示列１３０の図柄「７」がねじり変動を行う。 - 特許庁

The X-ray diffraction pattern (spacing of lattice plane, d/Å) 12.4±0.8, 10.8±0.3, 9.0±0.3, 6.0±0.3, 3.9±0.1, 3.4±0.1.例文帳に追加

Ｘ線回折パターン（格子面間隔ｄ／Å）１２．４±０．８１０．８±０．３９．０ ±０．３６．０ ±０．３３．９ ±０．１３．４ ±０．１ - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF X-RAY MASK USING THAT PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION例文帳に追加

感光性樹脂組成物並びにこの感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法およびＸ線マスクの製造方法 - 特許庁

Each dot of the basic scramble pattern is developed in a main scanning direction by x dots and in a sub-scanning direction by L1 dots to form an area.例文帳に追加

前記基本スクランブルパターンの各ドットを主走査方向にｘドット、副走査方向にＬ１ドット展開してエリアを作る。 - 特許庁

That is, if the number of lines in the pattern is X, the number of the boundary lines is 2X, which means 2X of shear traces are left in the film.例文帳に追加

即ち、ラインがＸ本であれば、境界線は２Ｘ本であり、膜には２Ｘ本の剪断加工の跡が残される。 - 特許庁

The test patterns are subjected to X-extraction (step 3), and each test pattern is mapped in the state transition of an FSM (step 4).例文帳に追加

テストパターンに対してＸ抽出を行ない（ｓｔｅｐ３）、各テストパターンをＦＳＭの状態遷移にマッピングする（ｓｔｅｐ４）。 - 特許庁

To improve contrast of an image by decreasing scattered ray of X rays and to prevent a grid pattern from being imprinted in the image.例文帳に追加

Ｘ線の散乱線を低減して画像のコントラストを向上すると共に、グリッドパターンが画像に写し込まれることがないこと。 - 特許庁

(2) As pixels used for the temporal interpolation of a missing pixel X(A_n) of a basic pattern 10x, two pixels located on both sides of the missing pixel are used.例文帳に追加

（２）基本パターン１０ｘの欠落画素Ｘ（Ａ_ｎ）の仮補間に使う画素として欠落画素の両側２画素とする。 - 特許庁

On the substrate with a laminated film formed thereon, a phtoresist film is formed in a pattern of peripheral wiring, the X electrode, and the Y electrode.例文帳に追加

積層膜を形成した基板に対し、周辺配線とＸ電極とＹ電極のパターン状にホトレジスト膜を形成する。 - 特許庁

A solid IM-11 with the LTA-type structure has an X-ray diffraction pattern having at least its peaks shown in Table 1.例文帳に追加

ＬＴＡ型構造を有する固体のＩＭ−１１は、少なくとも表１に示す線を持つＸ線回折図を有する。 - 特許庁

As a result, a flat-panel X-ray detector (FPD) 3 can be manufactured easily without breakdown of the read pattern.例文帳に追加

その結果、読み出しパターンを破壊することなく容易にフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３を製造することができる。 - 特許庁

The mask used for re-exposure only has an opening for generating an identification pattern of a single pellet and it is stepped in X and Y directions by a step width different from the dimension of the pellet.例文帳に追加

その寸法はペレット幅±αの寸法で、αの値は、識別パターンの間隔に対応する寸法である。 - 特許庁

For example, ditches of the X direction and the Y direction are formed on the pattern of the substrate and the reciprocal movement of the Y direction is carried out more times than the reciprocal movement of the X direction when more ditches of the X direction than ditches of the Y direction are formed.例文帳に追加

例えば下地のパターンにＸ方向とＹ方向の溝が形成され，Ｘ方向の溝がＹ方向の溝よりも多く形成されている場合には，Ｙ方向の往復移動がＸ方向の往復移動よりも多く行われる。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in the profile of an isolated pattern and hardly producing contaminations on the resist pattern surface in the process of forming a pattern by irradiation of active rays or radiation, in particular, electron beams, X-rays or EUV light.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光の照射によるパターン形成に関して、孤立パターンプロファイルに優れ、レジストパターン表面上に異物が発生し難いレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Spreading angle α1 of the light distribution pattern P1 of the nonreflective light L1 for the optical axis x is set substantially equal to the spreading angle α2 of the light distribution pattern P2 of the reflecting light L2.例文帳に追加

光軸ｘに対する無反射光Ｌ１の配光パターンＰ１の広がり角度α１と反射光Ｌ２の配光パターンＰ２の広がり角度α２とを略同一にする。 - 特許庁

A photo mask A has an inspection pattern 11 composed of hole groups arranged with regular spacings in directions X, Y, together with a pattern concerning a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

フォトマスクＡは半導体集積回路に関係するパターンと共に、Ｘ方向、Ｙ方向それぞれに規則性を持つ間隔で並べられた各ホール群でなる検査パターン１１を有する。 - 特許庁

The length X in the lengthwise direction of each of the TEG chip pattern areas 4a, 4b is made substantially half of the length L in the lengthwise direction of the semiconductor chip pattern area 3.例文帳に追加

ＴＥＧチップパターン領域４ａ、４ｂのそれぞれの縦方向の長さＸを、半導体チップパターン領域３の縦方向の長さＬの実質的に２分の１となるようにする。 - 特許庁

To provide a capacitance sensor which enhances reliability of electrical connection by simplifying processing, and can secure a predetermined thickness between an X wiring pattern and a Y wiring pattern.例文帳に追加

加工の簡素化を図ることにより電気的接続の信頼性を向上させ、ＸＹの配線パターン間に所定の厚さを確保することのできる静電容量センサを提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray projection aligner which can compensate for the magnification of projection and enables a desired fine pattern to be laid, with high accuracy on the circuit pattern on a wafer, prior to exposure.例文帳に追加

投影倍率の補正ができ、所望の微細パターンをウエハ上の回路パターンに高精度に重ねて露光することができるＸ線投影露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity, resolution, and moreover, a pattern profile and line edge roughness relating to pattern formation by irradiation of X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

Ｘ線、電子線又はイオンビームの照射によるパターン形成に関して、感度、解像力に優れ、更にはパターン形状、ラインエッジラフネスにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The cut pattern 3 is synthesized to the pattern 1, a minimum value W of remaining patterns to be really formed by a cut is calculated and this minimum value W is compared with the minimum value X.例文帳に追加

パターン１に対してカットパターン３を合成し、カットによって実際に形成される残パターンの最小値（Ｗ）を計算から割り出し、こ最小値（Ｗ）と最小値（Ｘ）とを比較する。 - 特許庁

That is, the pattern projected onto an enlarged mask 110 is shifted by 1/4 of the size (the width in the X direction) of the projected pattern by generating pulse laser light L1.例文帳に追加

すなわち、０．１ｍｓ毎に、パルス状のレーザ光Ｌ１の発生によって、拡大マスク１１０上に投影されるパターンを投影パターンのサイズ（Ｘ方向の幅）の１／４づつ移動させる。 - 特許庁

Each representation of an industrial design which consists of a repeating surface pattern shall show a complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width, and shall be of a size not less than 18 cm x 13 cm.例文帳に追加

表面模様の繰返しから構成される意匠の表示の各々は，完全な模様及び繰返しの縦横の十分な部分を表示するものとし，18cm×13cm 以上のサイズとする。 - 特許庁

The Expression (1) is represented by X={(CL)^2/A}×(100/4π), where A [μm^2]represents an area of a pattern capable of projecting the toner particle two-dimensional-plane-likely, and C [μm] represents a circumferential length of the pattern.例文帳に追加

Ｘ＝｛（ＣＬ）^２／Ａ｝×（１００／４π） ・・・ （Ｉ）（ただし、Ａ［μｍ^２］は、トナー粒子を２次元平面状に投影してできる図形の面積であり、ＣＬ［μｍ］は、前記図形の周長である。） - 特許庁

Plural cells are set on a pattern base plate, and a thin film bearing member 3 where plural pattern thin films and alignment marks are formed is set on a x-y-0 stage 4 in each cell.例文帳に追加

パターン基板上に複数のセルを設定し、各セル内に複数のパターン薄膜、および位置合わせマークを形成した薄膜担持体３をｘ−ｙ−θステージ４上にセットする。 - 特許庁

Each of the pattern generators 22A to 22E includes a plurality of opening pattern groups disposed at predetermined intervals in an X-axis direction and disposed while being deviated at predetermined distances in a Y-axis direction.例文帳に追加

パターンジェネレータ２２Ａ〜２２Ｅのそれぞれは、Ｘ軸方向に関して所定間隔で、かつＹ軸方向に関して所定距離ずつずれて配置された複数の開口パターン群を含む。 - 特許庁

This manufacturing method includes synthesizing AlH_3, and ball-milling the synthesized AlH_3 in a condition of applying a force of 2 G to 20 G (where G represents gravity acceleration) to make an X-ray diffraction pattern of AlH_3 into a halo pattern.例文帳に追加

ＡｌＨ_3を合成した後、２Ｇ〜２０Ｇ（Ｇは重力加速度）の力を付与する条件でボールミリングを行い、Ｘ線回折パターンがハローパターンとなるＡｌＨ_3とする。 - 特許庁

In a semiconductor wafer WF, respective cells CLa, CLc are formed adjacent in the X-axis direction of the stage-moving shaft, a plot pattern forming region 15 and an inspection pattern 16 are formed in the cell CLa, and a plotting pattern forming area 15 and an inspection pattern 17 are formed in the cell CLc.例文帳に追加

半導体ウェハWFにおいて、各セルCLａ，CLｃはステージ移動軸のＸ軸方向に隣接し、セルCLａには描画パターン形成領域１５および検査用パターン１６が形成され、セルCLｃには描画パターン形成領域１５および検査用パターン１７が形成されている。 - 特許庁

A first pattern X and a second pattern Y are supplied from the operation circuit 122 in which a self diagnosis pattern is set to a selecting circuit 146 of a multi- control section 146, and a selecting pattern Z indicating the priority of their output is supplied to a selection signal generating circuit 142.例文帳に追加

自己診断パターンが設定された演算回路１２２からは第１のパターンＸと第２のパターンＹがマルチ制御部１４６の選択回路１４６に供給され、いずれを先に出力するかを表わす選択パターンＺが選択信号発生回路１４２に供給される。 - 特許庁

A pattern of image data on the stored memory is collated with a previously fetched pattern, and an instruction is transmitted to respective power-supply devices 25, 22 in order to drive an X-stage motor 26 and a Y-stage motor 23 by a motor control unit 21 so that the patterns are matched.例文帳に追加

格納されたメモリ上の画像データのパターンとあらかじめ取り込まれたパターンとの照合を行い、そのパターンがマッチするように、モーションコントロール部２１よりXステージモータ２６とYステージモータ２３を駆動させるために各電源ドライバ駆動２５、２２に指示を送信する。 - 特許庁

The length L of the shadow of the pattern 82 is calculated by extracting intensity distribution of the secondary electron on a line X-X perpendicular to, for example, edges 82a, 82b of the pattern 82, and as distance between two points where a recess of the intensity distribution of the secondary electron crosses a predetermined threshold I.例文帳に追加

パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 - 特許庁

The soft X-ray 14 emitted from a light source part 7 is focused to high energy density using an ellipsoidal mirror 15, and a workpiece 19 is irradiated with the focused light in a prescribed pattern in order to process only the area of the workpiece 19 that has been irradiated with soft X-ray 14 in the prescribed pattern.例文帳に追加

光源部７から放射される軟Ｘ線１４を、楕円ミラー１５で高エネルギー密度に集光して所定のパターンで被加工物１９に照射し、被加工物１９を所定のパターンで軟Ｘ線１４を照射した部分のみを加工する。 - 特許庁

After an aerial wiring of a metal deposited film is formed by FIB-CVD in an X direction and a Y direction on an isolated pattern to eliminate the influences due to charge-up, the aerial wiring of the metal deposited film in the X and Y directions is used as a marker for correcting the drift during fabrication, and a defect is corrected, while the drift is corrected.例文帳に追加

孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。 - 特許庁

(Step 1) A X-ray diffraction pattern of a titanium surface is measured in an condition that an X-ray incident angle is maintained at a low angle of two degree or less, which is in an initial state before maintaining it in an atmospheric environment.例文帳に追加

（ステップ１）Ｘ線入射角度を２度以下の低角度に保った条件で大気環境中保持前である初期状態のチタン表面のＸ線回折図形の測定を行う。 - 特許庁

The pattern has a different concentration in a first direction (x direction) and in a second direction (y direction) perpendicular to the first direction (x direction), and has a fine periodic structure having a period of the wavelength of light or less.例文帳に追加

前記パターンは、第１方向（ｘ）における密度と第１方向（ｘ）に直交する第２方向（ｙ）における密度とが異なり、かつ、該光の波長以下の周期を持つ微細周期構造を有する。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁