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x-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 704件
The values (lattice spacings d/Å) of the X-ray diffraction pattern are 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1 and 3.4±0.1.例文帳に追加
X線回折パターン 格子面間隔d/Å(オングストローム) 12.3±0.3 9.0±0.3 6.8±0.3 3.9±0.2 3.5±0.1 3.4±0.1 - 特許庁
Before generating cut information, a minimum value X of remaining patterns required for a pattern 1 to become a cut object is set.例文帳に追加
カット情報を発生させる前に、カット対象となるパターン1の最小限必要な残パターンの最小値(X)を設定しておく。 - 特許庁
The pattern forming body is characterized in that at least the patterns containing the material through which the X-ray hardly permeates are formed on the base material.例文帳に追加
基材上に、エックス線難透過性材料を含むパターンが少なくとも形成されていることを特徴とするパターン形成。 - 特許庁
The interference pattern formed by the beam 1 and the beam 2 is detected and recorded by a 2-dimensional X-ray detector 5 in a subsequent stage.例文帳に追加
ビーム1とビーム2によって形成される干渉パターンは、後段の2次元X線検出器5により検出され記録される。 - 特許庁
More preferably, the compound has an X-ray powder diffraction pattern comprising peaks, in terms of 2θ, at about 13.7° and about 14.9°.例文帳に追加
この化合物は、より好ましくは、2θに関して、約13.7°および約14.9°にピークを含むX線粉末回折パターンを有する。 - 特許庁
Therefore, the background due to the scattering of air and scattered X-rays is reduced and a diffraction pattern having a desired S/B ratio is measured.例文帳に追加
このため、空気散乱及び散乱X線によるバックグラウンドが低減され、所望のS/B比を有する回折パターンが測定される。 - 特許庁
Loop antennas 1 to 15 are arranged like a grid pattern, and the respective positions of the loop antennas 1 to 15 are expressed with x coordinates and y coordinates.例文帳に追加
ループアンテナ1〜15は、碁盤目状に配置され、ループアンテナ1〜15の各位置は、x座標およびy座標によって表される。 - 特許庁
An x-y-θ stage 9 is moved to implement the alignment so that the opposing substrate 62 faces the thin films 30 on the pattern substrate 31.例文帳に追加
x−y−θステージ9を移動させて、対向基板62とパターン基板31の薄膜30が対向するように位置合わせする。 - 特許庁
In a pattern drawing device, a plurality of datum lines Lr that are fixedly formed on a stage 10 for supporting a substrate W are aligned in a sub-scanning direction X.例文帳に追加
基板Wを支持するステージ10に固定的に形成された複数の基準線Lrが副走査方向Xに並んでいる。 - 特許庁
To prevent finishing from being decreased due to the change of a conveying speed when a dot-like marking pattern is formed while conveying an X-ray film.例文帳に追加
Xレイフィルムを搬送しながらドット状のマーキングパターンを形成するときに、搬送速度の変化による仕上り低下を防止する。 - 特許庁
Additionally, near the X-axis vibration electrode and/or Y-axis vibration electrode, the second wiring pattern for auxiliary detection of the Z axis is arranged.例文帳に追加
また、X軸加振電極および/またはY軸加振電極の近傍に、Z軸の補助検出用の第2配線パターンを配置する。 - 特許庁
When the X-ray diffraction measurement is performed on the anode side electrode 14, a pattern showing that the particles 28 are amorphous is obtained.例文帳に追加
このアノード側電極14についてX線回折測定を行うと、粒子28が非晶質であることを示すパターンが得られる。 - 特許庁
To provide a method and a device for easily measuring film thickness of a miniaturized repetitive thin film pattern by using X-ray fluorescence measurement.例文帳に追加
蛍光X線測定を用いて微細化された繰り返し薄膜パターンの膜厚を簡便に測定する方法と装置を提案する。 - 特許庁
Related to an X-ray mask having a structure, where an absorber pattern 11 of such material as absorbs X-ray is placed on a mask substrate through which X-ray is transmitted, the absorber pattern 11 comprises at least a Ta, having a structure where at least one layer among Ru, Cr, TiN, and TaN is formed as its base material layer 15.例文帳に追加
X線を透過するマスク基板上に、X線を吸収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のX線マスクにおいて、吸収体パタンは、少なくともTaで構成されており、その下地材料層としてRu、Cr、TiN、TaNのうちの少なくとも1層を形成した構造のX線マスクとする。 - 特許庁
An image is formed by an optical system to be analyzed of a measurement pattern 43A comprising a linear line pattern 41 extended in an X direction, and two line patterns 42A, 42B symmetrically tilted with respect to the line pattern 41 at a tilt angle θ.例文帳に追加
X方向に伸びた線状のラインパターン41と、このラインパターン41に対して対称に傾斜角θで傾斜した2つのラインパターン42A及び42Bとからなる計測用パターン43Aの被検光学系による像を形成する。 - 特許庁
A composite arithmetic unit 11 of a control device 10 composes command values of an X-axis command value memory 12A and a Y-axis command value memory 12B to form one command value pattern, adds a control bit, and stores it in a composite pattern memory 13 of a pattern generator 14.例文帳に追加
制御装置10の合成演算装置11は、X軸指令値メモリ12A,Y軸指令値メモリ12Bの指令値を合成して1つ指令値パターンとし、制御ビットを付加し、パターン発生装置14の合成パターンメモリ13に格納する。 - 特許庁
A stable crystalline dihydrate D olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings, or a stable crystalline dihydrate B olanzapine polymorph has a typical X-ray powder diffraction pattern as represented by specific interplanar spacings.例文帳に追加
特定の面間隔によって示される典型的なX線粉体回折パターンを有する安定な結晶2水和物Dオランザピン多形又は、特定の面間隔によって示される典型的なX線粉体回折パターンを有する結晶2水和物Bオランザピン多形。 - 特許庁
On a window glass, when the wavelength of reception frequency is defined as λ and a glass reduction rate is defined as α, the longitudinal length (y) of a pattern of the glass antenna from a power feeding part is set to y≤λ/4×α, and the lateral length (x) of the pattern is set to 60 cm-y≥x.例文帳に追加
ウインドガラス上において、給電部からのガラスアンテナのパターンの縦方向長さyが、受信周波数の波長をλ、ガラス短縮率をαとすると、y≦λ/4・αに設定され、横方向長さxが、60cm−y≧xに設定されたガラスアンテナ。 - 特許庁
On a window glass 100, when the wavelength of reception frequency is defined as λ and a glass reduction rate is defined as α, the longitudinal length (y) of a pattern of the glass antenna from a power feeding part is set to y≤λ/4×α, and the lateral length (x) of the pattern is set to 60cm-y≥x.例文帳に追加
ウインドガラス100上において、給電部からのガラスアンテナのパターンの縦方向長さyが、受信周波数の波長をλ、ガラス短縮率をαとすると、y≦λ/4・αに設定され、横方向長さxが、60cm−y≧xに設定されたガラスアンテナ。 - 特許庁
To provide a resist composition excellent in a pattern profile, reproducibility of a beam form and resolution relating to pattern formation by irradiation of active rays or radiation, particularly electron beams, X-rays or EUV light.例文帳に追加
活性光線又は放射線、特に電子線、X線又はEUV光の照射によるパターン形成に関して、パターンプロファイル、ビーム形状再現性、解像力に優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To reduce generation of mask distortions due to side wall oxidization of an X-ray absorber pattern, without making a membrane region coincide with an exposure pattern region.例文帳に追加
X線露光用マスク及びその製造方法に関し、メンブレン領域と露光パターン領域とを一致させることなく、X線吸収体パターンの側壁酸化にともなうマスク歪みの発生を抑制する。 - 特許庁
After the tilt β1 around the X axis in all regions wherein the first irradiation pattern is directed is calculated (the determination of the step S12 is "Yes"), a second irradiation pattern is directed (step S4).例文帳に追加
第一の照射パターンを照射した全ての領域でX軸周りの傾きβ1を算出できたら(ステップS12の判定が“Yes”)、今度は第二の照射パターンを照射する(ステップS4)。 - 特許庁
After the wiring pattern comprising light-shielding data is arranged in a second chip- forming region comprising transmissive data, the wiring pattern in enlarged, in both X and Y-directions, by at least the corresponding minimum space of a design rule.例文帳に追加
透光データからなる第2のチップ形成領域に、遮光データからなる配線パターンを配置した後、配線パターンを、X方向とY方向ともにデザインルールの最小スペース分以上拡大する。 - 特許庁
An intermediate character pattern generating part 120 generates an intermediate character pattern integrating elements defining a start point and an end point of each element in an X direction comprising a character in a two-dimensional coordinate system of a character.例文帳に追加
中間文字パターン生成部120は、文字の2次元座標系における、文字を構成するX軸方向の各素子の開始点と終点を規定したエレメントを纏めた中間文字パターンを生成する。 - 特許庁
When an endoscopic image P of esophageal constriction is acquired, a blood vessel pattern X contained in the acquired endoscopic image P is extracted.例文帳に追加
食道狭窄部の内視鏡画像Pが取得されたときに、取得した内視鏡画像Pに含まれる血管パターンXが抽出される。 - 特許庁
X-ray diffraction pattern (lattice plane spacing d/Å): 13.2±0.6, 12.3±0.3, 9.0±0.3, 6.8±0.3, 3.9±0.2, 3.5±0.1, and 3.4±0.1.例文帳に追加
X線回折パターン格子面間隔d/Å(オングストローム)13.2±0.612.3±0.39.0±0.36.8±0.33.9±0.23.5±0.13.4±0.1 - 特許庁
In such the method of manufacturing the base material, the micro pattern (X) has an uneven structure, and the minimum dimension thereof is 10 μm to 500 μm.例文帳に追加
たとえば、微細パターン(X)が凹凸構造からなり、微細パターン(X)の最小寸法が10nm〜500μmである前記製造方法。 - 特許庁
Further, as for patterns in which both X and Y directions can be measured, both directions are set as the attribute of the pattern image of the reference region.例文帳に追加
また、X、Yの両方向の測定が可能なパターンについては、両方向を基準領域のパターン画像の属性として持たせる。 - 特許庁
A shield 26 is disposed along an optical axis X and intercepts part of reflected light from the reflector 16 to form a low beam light distribution pattern.例文帳に追加
遮蔽板26は光軸Xに沿って配置され、リフレクタ16からの反射光の一部を遮蔽してロービーム用配光パターンを形成する。 - 特許庁
The first antenna pattern 20 extends in an L shape on both sides of the substrate 12 with respect to a centerline X and is approximately U-shaped as a whole.例文帳に追加
第1のアンテナパターン20は、基板12の中心線Xに対して両側にL字状に延在し、全体として略コ字形をしている。 - 特許庁
When the reference light pattern is shifted by (a) in an x axis direction and by (b) in a y axis direction, the phase of a reference light is shifted by |2π(μa+υb)|.例文帳に追加
参照光パターンがx軸方向にa、y軸方向にbずれたとき、参照光の位相は|2π(μa+νb)|だけずれる。 - 特許庁
To provide a positive resist composition for electron beams or X-rays having high sensitivity, high resolution and excellent edge roughness of a line pattern.例文帳に追加
高感度かつ高解像度で、ラインパターンのエッジラフネスが優れた電子線またはX線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁
To allow a composition measurement pattern, which is so sized as to be taken with a measurement by a fluorescent X-ray measuring instrument, to have the same composition with a solder bump.例文帳に追加
蛍光X線測定装置で測定可能な大きさの組成測定パターンの組成を、はんだバンプと同じにすることを可能にする。 - 特許庁
This insert contains, in addition, W_2C in an amount such that in the X-ray diffraction pattern the peak ratio W_2C(101)/W(110) is ∠ 0.3.例文帳に追加
このインサートは、他にW_2Cを含み、X線回折パターンにおいてピーク比W_2C(101)/W(110)が0.3未満になる量である。 - 特許庁
A large number of straight lines 31 oriented in a direction Y orthogonal to a length direction X of a linear conductor pattern 10 are indicated on outer jacket films 11 and 12.例文帳に追加
外皮フィルム11,12に、線状導電パターン10の長さ方向Xに直交する方向Yの多数の直線31を表示する。 - 特許庁
To transfer a pattern on a specimen with high accuracy by the use of an exposure device of a CP type using a beam which varies in blur with the direction of X or Y.例文帳に追加
XY方向でビームのぼけ量が異なるCP方式の露光装置を用いて、試料上にパターンを高精度に転写すること。 - 特許庁
Also, the traveling required time of the automobile x on the route L_i is predicted based on the "similar pattern" by a traveling required time predicting unit 14.例文帳に追加
また移動所要時間予測ユニット14により「類似パターン」に基づき、経路L_i における自動車xの移動所要時間が予測される。 - 特許庁
To provide an X-ray fluorescence analyzer for semiconductor capable of analyzing a semiconductor sample at a low cost without incurring damage to a circuit pattern.例文帳に追加
低コストで、回路パターンに損傷を与えることなく、半導体試料を分析できる半導体用蛍光X線分析装置を提供する。 - 特許庁
Then, an address on a disk surface B indicated by the cipher ID is accessed and only intrinsic information X corresponding to the pattern of the card is reproduced.例文帳に追加
そして、この暗号IDが指示するディスク面B上のアドレスへアクセスし、カードの図柄に対応した固有の情報Xのみを再生する。 - 特許庁
In consequence, a desired pattern can be projected onto the substrate and can be exposed with accuracy at a projection magnification of 1:1 or x:1.例文帳に追加
その結果、前記基板上に所望のパターンを正確に投影倍率1:1またはx:1で投影させて露光させることができる。 - 特許庁
The testing method includes a procedure to move the substrate table in the first direction x, and one to measure the characteristic of the extending pattern in the first direction.例文帳に追加
検出方法は、基板テーブルを第一方向に移動させ、その第一方向xに沿って延在パターンの特性を測定することを含む。 - 特許庁
This crystal polymorphism gives a powder X-ray diffraction pattern having strong diffraction peaks at the diffraction angles (2θ±0.1) of 10.2, 12.7, 18.4 and 22.3°.例文帳に追加
粉末X線回折図形で、回折角(2θ±0.1)において、10.2、12.7、18.4及び22.3度に強い回折ピークを示す結晶多形。 - 特許庁
As the result, the antireflective structure having a pitch finer than the mask pattern of the X-ray mask 1 is formed on the surface of the member 2.例文帳に追加
これにより、部材2の表面には、X線マスク1のマスクパターンよりも微細なピッチを有する反射防止構造体が形成される。 - 特許庁
To prevent a carbon film from depositing on a reflection mask, a lighting optical system for irradiating a soft X ray to the reflection mask, or a reduction projection optical system for forming the image of the pattern of the reflection mask in a soft X-ray reduction projection aligner using the soft X ray as the light source.例文帳に追加
軟X線を露光光源として用いる軟X線縮小投影露光装置において、反射型マスク、軟X線を反射型マスクに照射させる照明光学系、又は反射型マスクのパターンを結像させる縮小投影光学系にカーボン膜が堆積しないようにする。 - 特許庁
The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加
SiとOとを含み、Siに対するOの原子比xが0<x<2で表され、CuKα線を用いたX線回折パターンにおいて、Si(220)面回折ピークの半値幅をBとするとき、B<3°(2θ)である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁
This sewing machine for slotted eye pattern buttonholes has an x-reciprocation table (19) guided on the sewing machine so as to make a y-reciprocation table (20) movable thereon and is equipped with an x-y table (13) with a bearing plate (14).例文帳に追加
目穴型ボタン穴用ミシンは、ミシン上で誘導され、その上にy往復台(20)が移動可能であるように誘導されるx往復台(19)を有し、ベアリングプレート(14)を有するx−yテーブル(13)を備える。 - 特許庁
The X-ray diffraction pattern of a residual part after the hydrate phase of the hydrate product is dipped into a 5-10 vol% sulfuric acid aqueous solution and absolutely dried has a halo form having a peak in 24±1° (expressed by Cukα2θ).例文帳に追加
水和生成物の水和相を5乃至10容量%の硫酸水溶液中にて浸漬した後の絶乾処理した残査部分のX線回折パターンが、24°±1°(Cukα2θ表示)にピークを持つハロー図形を示す。 - 特許庁
To measure a diffraction pattern having a desired S/B ratio by reducing the background due to the scattering of air generated by X-rays transmitted through a sample in the case of the measurement of the diffraction of obliquely emitted X-rays.例文帳に追加
斜出射X線回折測定を行う場合において、試料を透過したX線で発生する空気散乱によるバックグラウンドを低減させることにより、所望のS/B比を有する回折パターンを測定する。 - 特許庁
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