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x-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 704件
A pattern density distribution ρ(x, y) and a dose amount distribution D(x, y) calculated by using the pattern density distribution ρ(x, y) are multiplied to calculate an irradiation amount distribution E(x, y) (S104).例文帳に追加
パターン密度分布ρ(x,y)と、このパターン密度分布ρ(x,y)を用いて算出したドーズ量分布D(x,y)とを乗算して照射量分布E(x,y)を算出する(S104)。 - 特許庁
X-RAY POWDER DIFFRACTION PATTERN SCREENING METHOD例文帳に追加
X線粉末回折パターンスクリーニング法 - 特許庁
X-RAY DIFFRACTION APPARATUS AND MEASURING METHOD OF X-RAY DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加
X線回折装置およびX線回折パターンの測定方法 - 特許庁
X-RAY EXPOSURE METHOD, X-RAY EXPOSURE APPARATUS, FINE PATTERN STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
X線露光方法、X線露光装置、微細構造および半導体装置 - 特許庁
In an embodiment, an X-ray scattering device is integrated with a correction device formed to calculate automatically an aberration correction output X-ray pattern, using a Fourier expression F_inst (H, 2θ) of the aberration depending on a scattered angle 2θ, and Fourier transformation of a measured X-ray scattered pattern F_exp (H), and formed to output the X-ray pattern.例文帳に追加
例では、X線散乱装置は、散乱角2θと、測定X線散乱パターンF_exp(H)のフーリエ変換とに依存する、収差のフーリエ表現F_inst(H,2θ)を用いて、収差補正出力X線パターンを自動的に算出し、出力するよう形成される補正装置を統合化する。 - 特許庁
A Fraunhofer X-ray diffraction pattern is generally photographed about 50 to 150 mm behind the specimen under a condition where there is no lens to focus the X-rays. 例文帳に追加
X線を集束するレンズがない条件下では、試料の約50〜150mm後ろでフランホーファーX線回折図形が一般的に撮影される。 - 科学技術論文動詞集
The patterns are classified to: a pattern (pattern P) of which the sweep data x(n+1) become larger with respect to sweep data x(n); a pattern (pattern N) of which the sweep data x(n+1) become smaller with respect to the sweep data x(n); and patterns (patterns Z) other than said patterns.例文帳に追加
スイープデータx(n)に対して、スイープデータx(n+1)が大きくなるパターン(パターンP)、スイープデータx(n)に対して、スイープデータx(n+1)が小さくなるパターン(パターンN)、それ以外のパターン(パターンZ)に分類する。 - 特許庁
Each of the new forms is differentiated by a unique powder X-ray diffraction pattern.例文帳に追加
この新たな結晶形の各々は特異な粉末X線回折パターンにより識別する。 - 特許庁
PATTERN DRAWING METHOD AND MASK FOR CONTACT X-RAY LITHOGRAPHY例文帳に追加
近接X線リソグラフィのパターン描画方法およびマスク - 特許庁
A computer 20 attaches a previously created texture of a prescribed pattern to the three-dimensional model, renders it, analyzes an already rendered image obtained as a bitmap image, and sets a correspondence relation between coordinates (x, y) of the already rendered image and coordinates (Xt(x, y), Yt(x, y)) of the texture, a gain Gc, t(x, y) and a bias Bc, t(x, y).例文帳に追加
コンピューター20は、予め作成した所定パターンのテクスチャーを3次元モデルに貼り付けてレンダリングし、ビットマップ画像として得られたレンダリング済み画像を解析してレンダリング済み画像の座標(x,y)とテクスチャーの座標(Xt(x,y),Yt(x,y))との対応関係やゲインGc,t(x,y),バイアスBc,t(x,y)を設定する。 - 特許庁
For example, the interference is determined when the change pattern between noted sweep data x(n) and previous sweep data x(n-1) is the pattern P and the change pattern between the noted sweep data and subsequent sweep data x(n+1) is the pattern N.例文帳に追加
例えば、注目スイープデータx(n)の1つ前のスイープデータx(n−1)との変化パターンがパターンPであり、1つ後のスイープデータx(n+1)との変化パターンがパターンNである場合、干渉であると判定する。 - 特許庁
For instance, when a change pattern with the sweep data x(n-1) one before the remarkable sweep data x(n) is the pattern N and a change pattern with the sweep data x(n+1) one later is the pattern P, the discrimination is concluded as missing.例文帳に追加
例えば、注目スイープデータx(n)の1つ前のスイープデータx(n−1)との変化パターンがパターンNであり、1つ後のスイープデータx(n+1)との変化パターンがパターンPである場合、ミッシングであると判定する。 - 特許庁
Next, an area (x, y) for generating the pattern image is secured (S4).例文帳に追加
次に、模様画像の生成領域(x,y)を確保する(S4)。 - 特許庁
Exclude files that match any pattern in FILE. 例文帳に追加
\\-X FILE, \\-\\-exclude\\-from=FILE指定したFILEファイル中のパターンに一致するファイルは除外する。 - JM
An n+ base layer 15 has a line pattern extending in the X direction.例文帳に追加
n^+ベース層15をX方向に延びるラインパターンとする。 - 特許庁
hereditary pattern in which a dominant gene on the X chromosome causes a characteristic to be manifested in the offspring 例文帳に追加
X染色体の優性遺伝子が特徴が子孫で明らかとなる原因になる遺伝パターン - 日本語WordNet
The flare amount of a test pattern (Σ(K(i, j)×X (x+i, y+j))) is stored beforehand, and the input image Y (x, y) is corrected by Y(x, y)/(1+flare amount).例文帳に追加
テストパターンのフレア量(Σ(K(i,j)×X(x+i,y+j)))を予め記憶しておき、入力画像Y(x,y)を、Y(x,y)/(1+フレア量)により補正する。 - 特許庁
The X-ray mask is used to transfer a pattern onto a resist by X-ray lithography, and includes an X-ray transmissive portion and an X-ray absorption body held by the X-ray transmissive portion.例文帳に追加
本発明のX線マスクは、X線リソグラフィにおいてレジストにパターンを転写するマスクであり、X線透過部と、X線透過部により保持されるX線吸収体とを備える。 - 特許庁
When X of the superimposed picture pattern 32 is displayed on the middle stage of a transparent El panel 28b, X is displayed while being superimposed on the background picture pattern 31 of '7' in the center of the prize winning line L5 so that prize winning of 'X, X, X' is established.例文帳に追加
また、透明ELパネル28bの中段に重畳図柄32のXを表示すれば、入賞ラインL5の中央の7の背後図柄31にXが重畳表示されてX、X、Xの入賞となる。 - 特許庁
An inhibition pattern generation part 15 generates an inhibition pattern "X→Y" based on the first system candidates.例文帳に追加
禁止パターン生成部15は第1の系列候補をもとに禁止パターン「X→Y」を生成する。 - 特許庁
When a user etc. instructs test pattern printing, a control section 10 prints a gradation patch pattern X.例文帳に追加
ユーザ等がテストパターン印刷を指示すると、制御部10は階調パッチパターンXを印刷する。 - 特許庁
A storage unit pattern G, g is changed to a predetermined consumption unit pattern X with consumption of starting storage, and the consumption unit pattern X is displayed on a pattern display device until a select pattern represents a specified pattern mode.例文帳に追加
記憶単位図柄G、gを始動記憶の消化に伴って、所定の消化単位図柄Xに変化させると共に、選出図柄が特定の図柄態様を表出するまで、該消化単位図柄Xを図柄表示装置で表示するようにした。 - 特許庁
SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION ALIGNER, SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION EXPOSURE METHOD, AND PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加
軟X線縮小投影露光装置、軟X線縮小投影露光方法及びパターン形成方法 - 特許庁
MASK FOR X-RAY LITHOGRAPHY WITH HIGHLY PRECISION INTEGRATED CIRCUIT PATTERN FORMED ON X-RAY ABSORBING BODY例文帳に追加
X線吸収体に形成される集積回路パターンが高精度を有するX線リソグラフィー用マスク - 特許庁
A second wiring pattern for auxiliary detection of X, Y axes is arranged between X, Y-axis detection electrodes and X, Y-axis vibration electrodes.例文帳に追加
X,Y軸検出電極とX,Y軸加振電極との間に、X,Y軸の補助検出用の第2配線パターンを配置する。 - 特許庁
Finally, 0≤x≤2n-1 and 0≤y≤2n-1 are extracted as pattern images from pattern image areas 0≤x≤2n and 0≤y≤2n (S10) and a pattern is generated by repeatedly arranging the pattern images in the same direction or the like.例文帳に追加
最後に、模様画像領域の0≦x≦2^n,0≦y≦2^nから0≦x≦2^n−1,0≦y≦2^n−1を模様画像として抜き出し(S10)、同一の向き等で繰り返し並べて模様を生成する。 - 特許庁
Y is the amount of removing the resist; X is a GM cell pattern No. (master pattern density), (a), (b) and (c) are coefficients.例文帳に追加
Yはレジスト除去量、XはGMセルパターンNo.(マスクパターン濃度)、a,b,cは係数である。 - 特許庁
This method is for using X-ray fluorescence to measure film thickness of a pattern structure section.例文帳に追加
蛍光X線を用いてパターン構造部分の膜厚を測定する。 - 特許庁
The first conductor pattern 12-1 extends in a first direction (x).例文帳に追加
第1の導体パターン12−1は、第1の方向xに延在している。 - 特許庁
SIMPLE METHOD FOR DETERMINING ZIRCONIA CRYSTAL PHASE RATIO BY X-RAY DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加
X線回折パターンによるジルコニア結晶相割合の簡易定量法 - 特許庁
The out-of-focusing of the projection optical system is set as the function of a deflecting amount and the position of the pattern in a one-shot exposed area and the energy profiles DR(x) and E(x) formed on the sensitive substrate, when exposure is made by using a primary reticle pattern are calculated.例文帳に追加
投影光学系のボケを偏向量と一括露光領域内におけるパターン位置の関数として設定し、一次レチクルパターンにより露光した場合の感応基板上でのエネルギープロファイルDR(x)、E(x)を計算する。 - 特許庁
The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above the X-ray shielding film 14, and then developed, thereby, the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加
X線遮蔽膜14の上からX線感光膜11にX線を照射した後に現像することによりX線感光膜11を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁
To provide an X-ray mask comprising a transfer pattern of high precision.例文帳に追加
高い精度を有する転写用パターンを備えるX線マスクを提供する。 - 特許庁
The resist film 3 is irradiated with an X-ray 4 through a mask 1 for X-ray exposure to form an exposure pattern 5.例文帳に追加
次いで、X線露光用マスク1を介してX線4をレジスト膜3に照射し、露光パターン5を形成する。 - 特許庁
An X-ray imaging apparatus capturing a specimen comprises: a diffraction grating which shapes an interference pattern by diffracting an X-ray from an X-ray source; a masking grating which blocks a part of the X-ray shaping the interference pattern; and an X-ray detector which detects X-ray strength distribution from the masking grating.例文帳に追加
被検体を撮像するX線撮像装置は、X線源からのX線を回折することにより干渉パターンを形成する回折格子と、干渉パターンを形成するX線の一部を遮る遮蔽格子と、遮蔽格子からのX線の強度分布を検出するX線検出器を備える。 - 特許庁
A 1st position (s) on the original file margin being an image area having a luminance pattern similar in a straight line direction is obtained, a luminance pattern X at a position (x) around this position (s) is detected and a luminance pattern YT with the highest similarity to the luminance pattern X is detected within a prescribed retrieval range.例文帳に追加
直線方向に類似した輝度パターンを持つ画像領域である原稿綴じ部上の第1の位置sを求め、この位置s付近の位置xの輝度パターンXを検出し、さらに、所定の探索範囲内において、輝度パターンXと最も類似度の高い輝度パターンY_T を検出する。 - 特許庁
A paired X+branch pattern and X-branch pattern and Y+branch pattern and Y-branch pattern are formed in a shape wherein one side gradually increases in a projected area to an insulating substrate toward the one side and the other side gradually decreases.例文帳に追加
対となるX+分岐パターンとX−分岐パターン、及びY+分岐パターンとY−分岐パターンは、一方が一側に向かって絶縁基板への投影面積が漸次増加し、他方が漸次減少する形状に形成される。 - 特許庁
A dummy pattern 102 which is the same in the size of a Y direction as that of a pattern 101 for evaluation and short in the size of an X direction is drawn, and then the pattern 101 for evaluation is drawn in the X direction.例文帳に追加
評価用パターン101とY方向の寸法が同じでX方向の寸法が短いダミーパターン102を描画し、次いで、X方向に沿って評価用パターン101を描画する。 - 特許庁
Thereafter, the punched die sheet is taken off and the shape of the pattern X is drawn on the upper surface 2.例文帳に追加
その後、打抜型シートを外して上面2に図柄Xの形状を描く。 - 特許庁
The intervals of the resist pattern of the opening part are equal to a distance (x) smaller than the resolution limit.例文帳に追加
開口部のレジストパターンのピッチは解像限界より小さい距離xになる。 - 特許庁
To provide an X-ray mask and an X-ray exposure method using this mask which can satisfactorily form from both a fine pattern and a large pattern.例文帳に追加
微細パタン及び大パタンの両者を良好に形成することができるX線マスク及びこれを用いたX線露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A dimension of a pattern of an x-ray absorptive body 4a is made up to about 1.5-fold (about 75 nm) a half pitch (L/2=50 nm) of a mask pattern.例文帳に追加
X線吸収体4aのパターン寸法をパターンハーフピッチ(L/2=50nm)の約1.5倍(約75nm)にする。 - 特許庁
At the time of performing complementary division on a device pattern, the total extensions of the X- and Y-direction pattern edges of the whole pattern are calculated first.例文帳に追加
デバイスパターンのコンプリメンタリー分割を行う際には、まず全てのパターンについてX方向とY方向のパターンエッジの総延長を算出する。 - 特許庁
To provide an X-ray mask enabling transfer of a high speed and fine pattern, and to provide an X-ray aligner, an X-ray exposure method and a semiconductor device manufactured by the X-ray exposure method.例文帳に追加
高速かつ微細なパタ−ンの転写を可能とするX線マスク、X線露光装置、X線露光方法、およびこのX線露光方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁
The extracted blood vessel pattern X is then subjected to affine transformation to generate a plurality of blood vessel patterns X having different rotary angles.例文帳に追加
次に、抽出された血管パターンXがアフィン変換され回転角度の異なる複数の血管パターンXが生成される。 - 特許庁
hereditary pattern in which a recessive gene on the X chromosome results in the manifestation of characteristics in male offspring and a carrier state in female offspring 例文帳に追加
X染色体の劣性遺伝子が、雄の子孫の特徴および雌の子孫のキャリア状態を発現させる遺伝パターン - 日本語WordNet
In a learning device of classifier for classifying an input pattern into multiple classes C_y, a measure value d_y(x,Λ) that incorrectly classifies a sample x of C_y into other classes is defined.例文帳に追加
入力パターンを複数クラスC_yに分類する分類器の学習装置において、C_yの標本xが他のクラスに誤分類される測度値d_y(x,Λ)が定義される。 - 特許庁
In order to generate at least one of the electric field and the magnetic field like that, an intensity pattern satisfying an equation of F_1(x)=F_m(x)+F_c(x) is applied to the generation sources.例文帳に追加
このような電界および磁界の少なくとも一方を発生させるために、式F_1(x)=F_m(x)+F_c(x)による強度パターンが上記発生源に印加される。 - 特許庁
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