「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A coating material is applied to an object X to be decorated by a coating head 24 and laser beam L1 is radiated from the opposite side through the object X to be decorated to make formation of a decoration pattern possible without being influenced by the color and the thickness of the coating material.例文帳に追加

装飾対象物Ｘに対して、塗布ヘッド２４から塗料を塗布するとともに、反対側から装飾対象物Ｘを透過させてレーザ光Ｌ１を照射することにより、塗料の色や厚さの影響を受けずに装飾体パターンを形成することが可能となる。 - 特許庁

This invention provides the glass antenna wherein a vertical length y of a pattern of the glass antenna on a window glass pane from a feeding part is selected according to expression of y≤λ /4 × α, where λis a wavelength of a reception frequency and α is a glass shorten factor, and a lateral length x is selected according to expression of 60cm-y≥x.例文帳に追加

ウインドガラス上において、給電部からのガラスアンテナのパターンの縦方向長さｙが、受信周波数の波長をλ、ガラス短縮率をαとすると、ｙ≦λ／４・αに設定され、横方向長さｘが、６０ｃｍ−ｙ≧ｘに設定されたガラスアンテナ。 - 特許庁

In this on-glass antenna on a window glass, the longitudinal length y of the pattern of the on-glass antenna from a feeding portion is set at y≤λ/4×α, where λ is a wavelength of a reception frequency and α is a compression rate of a glass, and the lateral length x is set at 60cm-y≥x.例文帳に追加

ウインドガラス上において、給電部からのガラスアンテナのパターンの縦方向長さｙが、受信周波数の波長をλ、ガラス短縮率をαとすると、ｙ≦λ／４・αに設定され、横方向長さｘが、６０ｃｍ−ｙ≧ｘに設定されたガラスアンテナ。 - 特許庁

The inventors of this process of selectively producing low-grade olefin from methanol as its starting material by means of using a zeolite catalyst represented as aM2O・bM'O・Al2O3・ cSiO2・nH2O… and X-ray defecation pattern represented as xxx. 例文帳に追加

本発明者らは、aM2O・bM′O・Al2O3・cSiO2・nH2Oで示される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有する新規なゼオライト触媒を用いることによってメタノールを原料として炭化水素を製造する方法、特に低級オレフィンを選択的に製造する方法を見出した。 - 特許庁

This failure position detecting method includes irradiating an X ray 3 from an X ray source 1 toward a semiconductor device 7, scanning, measuring a current value which flows out from a conductive layer (TEG pattern 8) of the semiconductor device 7 by a current meter 6, and detecting a failure position in the conductive layer.例文帳に追加

半導体装置７にＸ線源１からＸ線３を照射し、走査して、この半導体装置７の導電層（ＴＥＧパターン８）から流出する電流の値を電流計６で測定し、導電層内の欠陥位置を検出するようにした欠陥位置検出方法。 - 特許庁

When an exposure process is carried out, for instance the blur of the energy beam in the X direction is set smaller than that in the Y direction, the wafer is adjusted in position so as to make the direction of the gate line width coincident with the X direction in the exposure system and loaded into the exposure device, and a gate pattern is exposed.例文帳に追加

露光にあたり、例えばエネルギービームのぼけ量について、Ｘ方向のぼけ量を小さくＹ方向のぼけ量を大きく設定し、露光装置内でゲート線幅方向とＸ方向が合うようにウェハの向きを調整して搬入し、ゲートパターンを露光する。 - 特許庁

The control means 21 controls the scanning of the deflection means 2 by superposing a scan signal on a deflection signal, when electron beam profiles such as an emission pattern are displayed on a displaying means based on x-ray detection data obtained by the x-ray detection means 20.例文帳に追加

制御手段２１は偏向信号にスキャン信号を重畳して各偏向手段２を走査制御し、そのとき表示手段には前記Ｘ線検出手段２０で得られたＸ線検出データに基づいて電子ビームプロファイル、例えばエミッションパターンが表示される。 - 特許庁

When the wavelength of a receiving frequency is defined as λ and a glass reduction rate is defined as α, on window glass, the longitudinal length y of a pattern of the glass antenna from a power feeding part is set to y≤(λ/4)α, the a lateral length (x) is set to 60cm-y≥x.例文帳に追加

ウインドガラス上において、給電部からのガラスアンテナのパターンの縦方向長さｙが、受信周波数の波長をλ、ガラス短縮率をαとすると、ｙ≦λ／４・αに設定され、横方向長さｘが、６０ｃｍ−ｙ≧ｘに設定されたガラスアンテナ。 - 特許庁

Prior to pattern inspection, a correlation between luminance information x on an adjustment image and the amount z of irradiation light for inspection is previously acquired and the amount z of irradiation light for inspection corresponding to the luminance image x of the adjustment image is set during the pattern inspection based upon the correlation, thereby suppressing variance of the luminance information of the inspection image due to a film thickness in an inspection area 21.例文帳に追加

予めパターン検査を行う前に、調整用画像の輝度情報ｘと、検査用照射光量ｚとの相関関係を取得しておき、この相関関係に基づいて、パターン検査時には、調整用画像の輝度画像ｘに対応する検査用照射光量ｚを設定するので、検査エリア２１の膜厚による検査用画像の輝度情報のばらつきを抑制できる。 - 特許庁

The final required deceleration change pattern, Pattfin (x) is produced on the basis of a reference average deceleration change pattern, Pattnormave (J) corresponding to a stop position approaching path J, on which the vehicle is now traveling, among each of reference average deceleration change patterns respectively stored/learnt in a backup RAM every stop position approaching path in advance based on the actual braking operation by the driver.例文帳に追加

この最終要求減速度変化パターンPattfin(x)は、運転者による実際の制動操作に基づいて予め停止位置接近経路毎に個別にバックアップＲＡＭに記憶・学習されている各基準平均減速度変化パターンのうち車両が現在走行している停止位置接近経路Jに対応する基準平均減速度変化パターンPattnormave(J)に基づいて作製される。 - 特許庁

To provide a magnetic pattern which can be formed on white paper in an inconspicuous manner by enabling matching inspection without X-ray, and further formed by an ink jet recording system, a magnetic ink suitably used to form the magnetic pattern, a production method thereof, a sheet with the magnetic pattern, which is suitably used for a collected matter, and a production method thereof.例文帳に追加

Ｘ線を用いずにマッチング検査を可能とし白色系の用紙にパターン形成しても目立たずインクジェット記録方式によってもパターン形成可能な磁気パターン、この磁気パターンを形成するために好適な磁気インクとその製造方法、及びこの磁気パターンを有し丁合物に用いるに好適なシートとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, the dot pattern is transferred to the transparent film 21 used as the material of the light guide plate 1 by facing the film with metal molds 71, 72 (71m, 72m) having the dot pattern irregularities formed by a X-ray lithography electroforming method to constitute the light guide pattern 15 and pressing and moving rotatable rollers 61, 62 on them.例文帳に追加

導光板１の素材としての透明フィルム２１に、前記導光パターン１５を構成するドットパターンの凹凸をＸ線リソグラフィー電鋳法により形成した金型７１・７２（７１ｍ・７２ｍ）を対面させた状態で、回転可能なローラ６１・６２によって圧接しつつ送ることで、前記ドットパターンを透明フィルム２１に転写する。 - 特許庁

The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.例文帳に追加

平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁

This apparatus for forming the pattern is provided with: a stage moving mechanism for moving the substrate 9 in an X direction on which a plurality of first linear pattern elements 91 are formed beforehand in a Y direction; a discharge part for discharging a pattern forming material from a discharge port 541 toward the substrate 9; and a light emitting part 53 for emitting ultraviolet rays toward the substrate 9.例文帳に追加

パターン形成装置は、Ｙ方向を向く直線状の複数の第１パターン要素９１が予め形成されている基板９をＸ方向に移動するステージ移動機構、吐出口５４１からパターン形成材料を基板９に向けて吐出する吐出部、および、基板９に向けて紫外線を出射する光出射部５３を備える。 - 特許庁

A variational renormalization of the candidate solution vector x is performed with regards to the pair of covariance matrices A, B and the sparsity parameter k to obtain a variance maximized discriminant eigenvector (x) with cardinality k that is locally optimal for the sparsity parameter k and zero-pattern of the candidate sparse solution vector x and is the final solution vector for the sparse linear discriminant analysis optimization problem.例文帳に追加

候補解ベクトルｘの変分再正規化は、共分散行列の対Ａ，Ｂ及びスパーシティパラメータｋに関して実施されて、スパーシティパラメータｋ及び候補スパース解ベクトルｘのゼロパターンについて局所的に最適であり、スパース線形判別分析最適化問題についての最終解ベクトルである基数ｋを有する分散最大化判別固有ベクトルｘハットが得られる。 - 特許庁

The aligner for transferring a mask pattern to an wafer coated with resist comprises means for setting a light exposure based on the intensity of X-rays passed through a filter and the intensity of X-rays not passed through a filter wherein the filter is made of such a material as not causing chemical reaction in the exposure wavelength region of X-rays.例文帳に追加

本発明の露光装置は、レジストを塗布したウエハーにマスクパターンを転写する露光装置において、フィルターを透過したＸ線の強度とフィルターを介さないＸ線の強度に基づいて露光量を設定する手段を備え、該フィルターは、前記Ｘ線の露光波長領域において、化学反応を起こさない材料で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Then, the lag time t2 of the write-start timing between the beam for the 2nd line of the 1st laser diode and the beam for the 2nd line of the 2nd laser diode is calculated according to the detecting time (x) of the 1st registration detecting pattern and the detecting time (y) of the 2nd registration detecting pattern detected by a registration detecting sensor.例文帳に追加

そして、レジスト検知センサで検知した、第１のレジスト検知用パターンの検知時間ｘと第２のレジスト検知用パターンの検知時間ｙにより、第１のレーザダイオードの第２ライン用ビームと第２のレーザダイオードの第２ライン用ビームの書き出しタイミングのずれ時間ｔ２を算出する。 - 特許庁

The axis center 4a of a tool 4 is made access to a reference member 30, a reference pattern L is cast on the tool 4 by turning on a laser diode 15 and the shift quantity of the reference member 30 and the tool 4 in X-direction is measured based on the image of the reference pattern L projected on the tool 4.例文帳に追加

ツール４の軸心４ａをリファレンス部材３０に近接させ、レーザダイオード１５を点灯して基準パターンＬをツール４に照射し、リファレンス部材３０およびツール４のＸ方向のずれ量を、ツール４に投影された基準パターンＬの画像に基づいて測定する。 - 特許庁

A pair of patterns 104 (104a and 104b) for relative position detection and an exposure monitor pattern 101 held by these patterns for relative position detection are arranged and formed in an x-axis (one direction) in a pattern 100 for exposure detection arranged at an exposure monitor mask.例文帳に追加

露光量モニタマスクに配置された露光量検出用パターン１００には、一対の相対位置検出用パターン１０４（１０４ａ，ｂ）と、この相対位置検出用パターンに挟まれた露光量モニタパターン１０１とがｘ軸方向（一方向）に配列形成されている。 - 特許庁

A spray head 1 is activated and a carriage 2 is moved in the X and Y directions in accordance with the pattern of computer graphics while spraying a nontranslucent material from the spray head 1 on the resist surface of a substrate 4 to form a pattern of the nontranslucent material on the resist surface of the substrate 4.例文帳に追加

噴射ヘッド１を起動し、コンピュータグラフィックスのパターンに応じて、該噴射ヘッド１より非透光性材料を基体４のレジスト面に噴射しながら、キャリッジ２をＸ，Ｙ方向に移動し、基体４のレジスト面上に非透光性材料のパターンを形成する。 - 特許庁

The arrangement pattern of a plurality of the outward pawls 27 and the arrangement pattern of a plurality of the inward pawls 30 are a combination to permit the engagement of the first member 10 with the second member 11 with each other only at the predetermined single engaging angle position with the axis line X as a center.例文帳に追加

そして、前記複数の外向き爪２７の配設パターンと前記複数の内向き爪３０の配設パターンが、前記軸線Ｘを中心とする所定の単一の嵌合角度位置でのみ前記第一部材１０と前記第二部材１１との互いの嵌合を許容する組み合わせとされている。 - 特許庁

The entire shot region 12 including the mask pattern 13 is expanded in a scanning direction (Y direction) shown as an arrow, with a magnification m of the mask in the X direction of the mask pattern 13 being four times (m>1) and a magnification n of the mask in the Y direction being 8 (n>m>1).例文帳に追加

マスクパターン１３を含めたショット領域１２全体は、矢印で示すスキャン方向（Ｙ方向）に伸張されており、そこに形成されるマスクパターン１３のＸ方向のマスク倍率ｍは４倍（ｍ＞１）、Ｙ方向のマスク倍率ｎが８倍（ｎ＞ｍ＞１）に設定されている。 - 特許庁

When a value X/Y indicating a characteristic of a change pattern of the in-cylinder soot concentration is smaller than a final value/maximum value (=XTA/YTA) corresponding to a stationary adaptive pattern, it is determined that soot-generating reaction is excessive, so that a pilot interval is elongated to suppress the Soot-generation reaction.例文帳に追加

筒内Ｓｏｏｔ濃度の変化パターンの特性を表す値Ｘ／Ｙが定常適合パターンに対応する最終値／最大値(＝ＸＴＡ／ＹＴＡ)よりも小さい場合、Ｓｏｏｔの生成反応が過剰であると判定してパイロットインターバルを長くしてＳｏｏｔの生成反応を抑制する。 - 特許庁

At a first speed actually used in printing, pattern elements 32', 31' spaced apart by a specified interval x of designated value along the moving direction of a head are reciprocated for printing and, at a sufficiently lower second speed, two pattern elements 32, 31 are reciprocated for printing.例文帳に追加

実際の印字に使用する第１の速度で、ヘッド移動方向に沿って指示値で所定間隔ｘだけ離れたパターン要素３２’，３１’をそれぞれ往方向および復方向印字するとともに、充分遅い第２の速度で、２個のパターン要素３２，３１をそれぞれ往方向および復方向印字する。 - 特許庁

There are arranged the main control board 39 and sub control boards 40, 42 and 43 which receive control commands indicating a game pattern number X and a value of an operation deciding counter CT to execute any of a plurality of varying operations corresponding to the game pattern number.例文帳に追加

主制御基板３９と、主制御基板３９から遊技パターン番号Ｘ及び動作決定カウンタＣＴの値を示す制御コマンドを受け、前記遊技パターン番号に対応する複数の変動動作のいずれかを実行するサブ制御基板４０，４２，４３とを有する。 - 特許庁

This pinball game machine includes: a main control board 39; and sub-control boards 40, 42, 43 receiving a control command showing a game pattern number X and the value of an operational decision counter CT from the main control board 39 and performing one of two or more change operations corresponding to the game pattern number.例文帳に追加

主制御基板３９と、主制御基板３９から遊技パターン番号Ｘ及び動作決定カウンタＣＴの値を示す制御コマンドを受け、前記遊技パターン番号に対応する複数の変動動作のいずれかを実行するサブ制御基板４０，４２，４３とを有する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern profile, good line edge roughness and reduction in outgassing, in an ultrafine region, particularly, in electron beam, X-ray or EUV lithography, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、およびアウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After the patterns have been read, the range of pattern recording is cut out based on an X-direction end position of a rectangular pattern forming the line 206A of patterns, and nozzles that are not in the state of discharging are detected and specified according to the number of patterns 202 in the range cut out and to the positions of unrecorded patterns 202.例文帳に追加

これらのパターンを読み取った後、パターン列206Aを構成する矩形状パターンにおけるＸ方向端部位置を基準としてパターン記録範囲を切り出し、切り出した範囲内におけるパターン202の数及び未記録のパターン202の位置により、不吐出状態のノズルの検出・特定を行う。 - 特許庁

A main controller 20 reads a two-dimensional error quantity [ΔLx, ΔLy] calculated from the position (X, Y, ψ) where the substrate 10 is mounted is read out of the storage device 22 and the pattern position is corrected with the two-dimensional error quantity (ΔLx, ΔLy) based upon the pattern position on the substrate 10.例文帳に追加

主制御装置２０は基板１０の載置位置に基づいて、基板１０が載置された位置（Ｘ，Ｙ，ψ）で算出された二次元誤差量〔ΔＬx，ΔＬy〕を記憶装置２２から読み出し、基板１０上のパターン位置に基づいた二次元誤差量（ΔＬx，ΔＬy）でパターン位置を補正する。 - 特許庁

This method for producing the cyclopentanol is characterized by using a protonic zeolite having ≥10 ratio of (SiO2)/(Al2O3) and regulated in x-ray diffraction pattern substantially to the pattern represented by the table 1 as a catalyst in the method for producing the cyclopentanol by hydrating the cyclopentene in the presence of the catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下でシクロペンテンを水和してシクロペンタノールを製造する方法において、ＳｉＯ_2/Ａｌ_2Ｏ_3比が１０以上であり、且つＸ線回折パターンが実質的に第１表のパターンで規定されるプロトン型ゼオライトを触媒として使用することを特徴とするシクロペンタノールの製造方法。 - 特許庁

The elevator control board 8 generates a travelling pattern corresponding to the number of pulse P computed on the basis of the distance obtained by adding/subtracting the rope creep quantity to/from the travelling distance X, and controls travelling till the number of integrated pulse becomes the number of pulse P by following the travelling pattern.例文帳に追加

エレベータ制御盤８は、走行距離Ｘにロープクリープ量Ｙを加減算した距離に基づいて計算したパルス数Ｐに対応した走行パターンを生成して、この走行パターンに追従しながら積算パルス数がパルス数Ｐになるまで走行制御を行なう。 - 特許庁

Thereafter, the quality of the particle source is determined by discriminating whether each beam from the auxiliary holes is projected with uniform intensity by comparing beam profiles obtained by performing X- and Y-direction scanning by using a cross pattern.例文帳に追加

しかる後、クロスパターンを用いたＸＹ方向走査によるビームプロファイルを比較して、補助孔からの各ビーム強度が均一照射しているか否を判断し、粒子源の良否を判定する。 - 特許庁

The pitch of the lattice pattern in each area A-D is determined so that the 1st order (-1st order) diffracted rays of the light beam emitted from each semiconductor leaser 101-104 is in accord with the X-axis.例文帳に追加

それぞれの領域Ａ〜Ｄ内の格子パタンのピッチは、それぞれの半導体レーザ１０１〜１０４から放射された光ビームの１次（−１次）回折光がＸ軸と一致するように決定されている。 - 特許庁

The disclosure relates to a polymorphic form D of bazedoxifene acetate having a specific powder X-ray diffraction pattern, a pharmaceutical composition and treating method to use the polymorphic form D, and a method for producing the polymorphic form D of bazedoxifene acetate.例文帳に追加

本開示は、特定の粉末Ｘ線回折パターンを有する酢酸バゼドキシフェンの多形フォームＤ、それを用いた医薬組成物及び治療方法、並びにその製造方法に関する。 - 特許庁

Then, a first gradation correcting table creating section 221 creates a first gradation correcting table 222A from the gradation patch pattern X which the reading section 11 reads and stores the created table 222A into a gradation correcting table storage section 222.例文帳に追加

第１の階調補正テーブル作成部２２１は、読取部１１が読み取った階調パッチパターンＸより、第１の階調補正テーブル２２２Ａを作成し階調補正テーブル記憶部２２２に格納する。 - 特許庁

A pattern formed on a mask M is scanned and exposed in plural exposed areas A1-A6 on a substrate P by synchronous moving of the mask M and the substrate P in a predetermined direction-X with respect to exposure light.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｐとを露光光に対して所定の方向−Ｘに同期移動させて、マスクＭに形成されたパターンを基板Ｐ上の複数の露光領域Ａ１〜Ａ６に走査露光する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of member having antireflective structure for easily manufacturing an antireflective structure having an extremely fine pattern of submicron pitch by using an X-ray lithography.例文帳に追加

サブミクロンピッチの非常に細かなパターンを有する反射防止構造体を、Ｘ線リソグラフィを用いて容易に製造するための反射防止構造体を有する部材の製造方法を提供する - 特許庁

After calculating the chain resistance R by two terminal resistance measuring process, the current wave form is observed by chain pattern while scanning a laser beams for calculating the defect numbers x by the positive-negative frequency of the current wave form.例文帳に追加

２端子抵抗測定法でチェーン抵抗Ｒを求めた後、レーザービームを走査しながらチェーンパターンでの電流波形を観測し、電流波形が正負に変化した回数から欠陥数ｘを求める。 - 特許庁

A plurality of compressed line grooves 7 facing the outer face sheet 3 and extending so as to cross in a longitudinal direction Y and a lateral direction X respectively and forming a grid pattern are formed in the inner face sheet 2.例文帳に追加

内面シート２には、外面シート３に向かい、縦方向Ｙおよび横方向Ｘにそれぞれ交差するように延び、格子模様を形成している複数の圧搾条溝７が形成される。 - 特許庁

To provide a glass cloth for a printed circuit board, capable of maintaining insulation reliability between circuit patterns in the direction of Z-axis and in the directions of X- and Y-axes, even when the glass cloth and the circuit pattern are contacted with each other and/or made to extremely approach each other.例文帳に追加

ガラスクロスと回路パターンの接触及びまたは極近接に対しても、パターン間のＺ方向及びＸＹ方向の絶縁信頼性を維持するガラスクロスを提供すること。 - 特許庁

There is provided the crystalline polymorphic form I of (-)-[[4-(1,4,5,6-tetrahydro-4-methyl-6-oxo-3-pyridazinyl)phenyl]hydrazono]propanedinitrile, characterized by the X-ray diffraction pattern having specific peak positions.例文帳に追加

特定のピーク位置を有するＸ線回折図によって特徴づけられる（−）−［［４−（１，４，５，６−テトラヒドロ−４−メチル−６−オキソ−３−ピリダジニル）フェニル］ヒドラゾノ］プロパンジニトリルの結晶状多形体Ｉ。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

To provide a negative type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving pattern profile with superior rectangularity and excellent in PCD and PED stability.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性に優れたネガ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

The carbon fiber is obtained from wood tar as a raw material and has diffraction lines in the vicinity of 2θ=26° and in the vicinity of 2θ=44° in a powder X-ray diffraction pattern using CuKα as a radiation source.例文帳に追加

本発明の炭素繊維は、木タールを原料とし、線源にＣｕＫαを用いた粉末Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝２６°付近と２θ＝４４°付近に回折線を有することを特徴とする。 - 特許庁