「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid crystalline atorvastatin hemi-calcium or the solvate thereof is characterized in that an atorvastatin hemi-calcium form V is collected from the mixture with water and 1-butanol and has a powder X-ray diffraction pattern which has peaks in 9.3 and 9.5±0.2 degrees 2θ.例文帳に追加

アトルバスタチンヘミカルシウム形態Ｖを、１−ブタノールとの水の混合物から回収した、９．３および９．５±０．２度２θにピークを有する粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる固体結晶アトルバスタチンヘミカルシウム又はその溶媒和物。 - 特許庁

The FPD records the G1 image as an electrostatic latent image, and by scanning the recorded electrostatic latent image with reading light in the direction (an x direction) of a periodic pattern of the G1 image at a shorter pitch than a period P_2, the electrostatic latent image is read as image data.例文帳に追加

ＦＰＤは、Ｇ１像を静電潜像として記録し、記録した静電潜像を、Ｇ１像の周期パターン方向（ｘ方向）に周期ｐ_２より短いピッチで読取光を走査することにより、静電潜像を画像データとして読み出す。 - 特許庁

The p-dichlorodiketopyrrolopyrrole has a 9 nm or less crystallite size in the direction perpendicular to the (-1 5 1) plane calculated based on the X-ray diffraction pattern, and a 60% or more of α-crystallinity.例文帳に追加

ｐ−ジクロロジケトピロロピロール顔料におけるＸ線回折パターンより算出される（−１ ５ １）面垂直方向の結晶子サイズが９ｎｍ以下であり、かつ該顔料のα型結晶化度が６０％以上であるｐ−ジクロロジケトピロロピロール顔料。 - 特許庁

The compounding additive for the resin comprises a composite of aluminosilicate particles having a structure of particles with a determinate shape and an X-ray diffraction pattern characteristic of a zeolite, with fine particles of an active amorphous silicic acid or silicate deposited on the surfaces of the aluminosilicate particles.例文帳に追加

定形粒子構造とゼオライトに特有のＸ線回折像とを有するアルミノケイ酸塩粒子と、アルミノケイ酸塩粒子の表面に沈着した活性非晶質ケイ酸乃至ケイ酸塩の微粒子との複合体からなる樹脂用配合剤。 - 特許庁

The hybrid pigment can be obtained by hybridizing a compound containing one or more metallic atoms with a metal-free pigment, the X-ray diffraction pattern of the hybrid pigment being substantially the same as that of the above metal-free pigment.例文帳に追加

１つ以上の金属原子含有化合物と無金属顔料を混成させて得られる混成顔料のＸ線回折パターンが前記無金属顔料のＸ線回折パターンと実質同一であることを特徴とする混成顔料。 - 特許庁

A reaction mixture, as an essential condition, containing cesium ions as alkali metal ion sources is heated while stirring the same, so that cesium ion-containing aluminosilicate zeolite having a specified X-ray diffraction pattern can be crystallized.例文帳に追加

アルカリ金属イオン源としてセシウムイオンを含有することを必須条件とする反応混合物を撹拌しながら加熱することにより、特定のＸ線回折パターンを有するセシウムイオン含有アルミノシリケートゼオライトを結晶化することができる。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution, a rectangular pattern shape and good edge roughness all at once in microfabrication of a semiconductor device using active light or radiation, particularly an electron beam or X-ray.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線又はＸ線を使用する半導体素子の微細加工において、感度と解像性、矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The above alignment pattern is structured of a line direction X with the protrusions 2 linearly arrayed at equal intervals, and a column direction Y with line units 4 consisting of a group of protrusions 2 aligned in a line direction in parallel with each other at equal intervals.例文帳に追加

上記配列パターンは、突起２が等しいピッチで直線状に並ぶ行方向Ｘと、行方向Ｘに並ぶ一群の突起２からなる行単位４が互いに平行に所定間隔で配置される列方向Ｙとにより構成されている。 - 特許庁

When a laser beam LB is cast to an X-ray film 12 wound around a print roll 24 while conveying to form the marking pattern, the outer periphery of the print roll is formed by using a metal material having thermal conductivity of 15 W/(mK) or more.例文帳に追加

搬送しながらプリントロール２４に巻き掛けたＸレイフィルム１２にレーザービームＬＢを照射してマーキングパターンを形成するときに、プリントロールの外周部を、熱伝導率が１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属材料を用いて形成する。 - 特許庁

At this time, the irradiation position of the laser beam LB is determined by the movement and positioning of the laser optical system 45 in the X axis and Y axis directions by a relative movement mechanism 43a, thereby a desired pattern can be easily formed.例文帳に追加

このとき、相対移動機構４３ａによりレーザ光学系４５をＸ軸方向およびＹ軸方向へ相対的に移動・位置決めすることによりレーザ光ＬＢの照射位置を決定するので、所望のパターンを容易に形成することができる。 - 特許庁

The X-ray mask with the high aspect ratio can easily be formed at low cost while securing large exposure area by increasing the strength of the thin film since the whole absorber pattern is covered with a transmitting material.例文帳に追加

本発明のＸ線マスクは、吸収体パターン全体が透過材によって包み覆われた構造をもつので、薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保でき、また高アスペクト比のＸ線マスクが容易に低コストで形成することができる。 - 特許庁

The design support device determines whether the result of the exposure simulation is within an allowable range (for example, a range of x[nm] to y[nm]) of a result of exposure simulation with an evaluation pattern being decision criteria for the plurality of exposure parameters or not.例文帳に追加

設計支援装置が、露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、複数の露光パラメータの決定基準である評価用パターンの露光シミュレーションでの許容範囲内（たとえば、ｘ［ｎｍ］〜ｙ［ｎｍ］以内）であるか否かを判断する。 - 特許庁

The carbon electrode includes carbon powder having a wood tar as a raw material and a diffraction line near 2θ=26° and 2θ=44° in a powder X-ray diffraction pattern using CuK_α for a line source as a claim 1.例文帳に追加

本発明の炭素電極は、請求項１として、木タールを原料とし、線源にＣｕＫαを用いた粉末Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝２６°付近と２θ＝４４°付近に回折線を有する炭素粉末を含有することを特徴とする。 - 特許庁

Diffraction lines attributed to metallic Si and Si compound cannot be detected in the texture structure by the pattern analysis by X-ray diffraction method and granular texture is unrecognizable by the observation with a transmission electron microscope(TEM).例文帳に追加

また、その組織構造は、Ｘ線回折法によるパターン解析により金属Ｓｉ及びＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡(TEM)の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁

The aerosol composition includes the porous silica and the liquefied gas, provided that the porous silica has at least one peak at a position corresponding to d-spacing of greater than 2 nm in an X ray diffraction pattern.例文帳に追加

多孔質シリカと、液化ガスとを含有するエアゾール組成物であって、前記多孔質シリカが、そのＸ線回折パターンにおいて、ｄ間隔が２ｎｍより大きい位置に少なくとも１つのピークを有することを特徴とするエアゾール組成物である。 - 特許庁

To provide an excellent positive type resist composition for electron beams or X-rays having high sensitivity and high resolution and giving a resist pattern whose profile is rectangular (free from a T-top shape peculiar to a resist for irradiation with electron beams).例文帳に追加

高感度かつ高解像度で、得られるレジストパターンプロファイルが矩形（特に電子線照射用レジストに特有のＴ−ｔｏｐ形状とならない）である、優れた電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

Pattern matching is performed with the two-dimensional images, for calculating a deviation between the positions of the two-dimensional images in X-direction or Y-direction in the unit of pixel, and for calculating a difference between the coordinates of the stage, to calculate a difference between the coordinates for each pixel.例文帳に追加

これらの二次元画像についてパターンマッチングを行って二次元画像のＸ方向又はＹ方向の位置のずれをピクセル単位で算出するとともに、ステージの座標間の差を算出し、ピクセル当たりの座標間の差を算出する。 - 特許庁

A process of production of low-grade olefin, comprising methanol in gaseous phase and the constituents expressible as aM2O・bM'O・Al2O3・cSiO2・nH2O (where M = alkali metal and/or hydrogen atom, M' = alkali earth metal, a = 0-1.5, b = 0.2-40, except a+b >1, c = 12-3,000 and n = 0-40) heated to 500-600oC in contact with alkali earth metal including crystal alminocilicate zeolite catalyst having X-ray defecation pattern indicated as xxx. 例文帳に追加

メタノールを気相で、aM2O・bM′O・Al2 O3・cSiO2・nH2O（式中Mはアルカリ金属及び／又は水素原子、M′はアルカリ土類金属、aは０～1.5、bは0.2～40、ただしa＋b＞１、cは12～3,000及びnは０～40である）で表される組成を有し、かつ×××で示されるX線回折パターンを有するアルカリ土類金属含有結晶アルミノシリケートゼオライト触媒と、500～600℃の温度で、接触させることからなる低級オレフィンの製造方法。 - 特許庁

The surface treating agent contains at least one compound having at least one structure in which adjacent carbon atoms on a benzene ring have a group expressed by X and a group expressed by -CH_2-OR_1 (X indicates univalent organic group, hydroxyl group, amino group or mercapto group. R_1 indicates a hydrogen atom or univalent organic group), and the pattern forming method uses the surface treating agent.例文帳に追加

ベンゼン環上の隣り合う炭素原子に、Ｘで表される基と−ＣＨ_２−ＯＲ_１で表される基とを有する構造（Ｘは１価の有機基、水酸基、アミノ基、メルカプト基を表す。Ｒ_1は、水素原子、または、１価の有機基を表す。）を少なくとも一つ有する化合物を含有することを特徴とする表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

The target for ion plating used for forming the zinc oxide-based electroconductive film comprises a sintered compact mainly containing zinc oxide and has diffraction peaks by (100), (002) and (101) planes in X-ray diffraction pattern, wherein any of the diffraction peaks has a half-value width of ≤0.110°.例文帳に追加

酸化亜鉛主体の焼結体からなり、Ｘ線回折パターンにおいて（１００）、（００２）、（１０１）面による回折ピークを有し、該回折ピークの何れかの半値幅が０．１１０度以下である酸化亜鉛系導電膜形成用のイオンプレーティング用ターゲットを開示する。 - 特許庁

The exposure method comprises: making a beam from a light source scan an exposure object via an optical element LG; and exposing a pattern PA1 whose region is enlarged on the exposure object in a direction approximately perpendicular to the scanning direction X, via the optical element on the exposure object.例文帳に追加

この露光方法は、光源からの光を光学素子ＬＧを介して走査するとともに、光学素子を介することでその走査方向Ｘと略直交する方向に被露光物上で領域が拡大したパターンＰＡ１を被露光物上に露光する。 - 特許庁

Moreover, the compositions having a powder X-ray diffraction pattern comprising at least three peaks with 2θ angles selected from about 18.2, 28.5, 29.5, 33.7, 41.2, 47.4, and 56.2 and a solid state ^23Na MAS NMR spectra peak at about 18 ppm.例文帳に追加

約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折パターンおよび約１８ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有する。 - 特許庁

It is desirable for the sintered body to contain MgO in addition, and if it contains MgAl_2O_4 and MgO, it is preferred that the peak intensity of MgO (200) plane in an X-ray diffraction pattern is in the range from 0.5 to 50, provided that the peak intensity of MgAl_2O_4 (311) plane is 100.例文帳に追加

この焼結体は、ＭｇＯをさらに含むことが好ましく、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４及びＭｇＯを含む場合、Ｘ線回折によるＭｇＡｌ_２Ｏ_４（３１１）面のピーク強度を１００としたときのＭｇＯ（２００）面のピーク強度が０．５〜５０であること好ましい。 - 特許庁

A solid phase of amorphous (-)-FTC and (-)-cis-FTC called II and III(-)-cis-FTC which is distinguishable from I(-)-cis-FTC by its powder X-ray diffraction pattern, heat characteristic and production methods is provided.例文帳に追加

Ｘ線粉末回折パターン、熱特性、および製造の方法によってＩ型（−）−シス−ＦＴＣと区別することができ、ここでは非晶質（−）−ＦＴＣおよびＩＩおよびＩＩＩ型（−）−シス−ＦＴＣ）と呼ばれる（−）−シス−ＦＴＣの固相を提供する。 - 特許庁

The pattern is sequentially drawn on the plurality of stripe regions S1 and S2 having the set widths ws1 and ws2 to form overlapped regions OV extending in the X direction, at the boundary part of the plurality of adjoining stripe regions S1 and S2.例文帳に追加

設定された幅ｗｓ１，ｗｓ２を有する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順に描画が行なわれることにより、隣接する複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２の境界部分にＸ方向に沿って延びる重複領域ＯＶが形成される。 - 特許庁

The cellulose nanofiber has an average polymerization degree of not less than 600 and not more than 30,000, an aspect ratio of 20-10,000, and an average diameter of 1-800 nm, and has an X-ray diffraction pattern having a Iβ type crystal peak.例文帳に追加

本発明のセルロースナノファイバーは、平均重合度が６００以上３００００以下であり、アスペクト比が２０〜１００００であり、平均直径が１〜８００ｎｍであり、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｉβ型の結晶ピークを有することを特徴とする。 - 特許庁

A hydrated crystal form of (±)-cis-FTC (that is, racemic cis-FTC) which is distinguishable from other form of FTC by its powder X-ray diffraction pattern, heat characteristic and production methods in a similar way, and a dehydrated form of the hydrate are also provided.例文帳に追加

同様にＸ線粉末回折パターン、熱特性、および製造の方法によって、ＦＴＣの他の型と区別することができる、（±）−シス−ＦＴＣの水和した結晶型（すなわちラセミ体のシス−ＦＴＣ）、およびこの水和物の脱水された型も提供する。 - 特許庁

The TMPB substance of the present invention is a crystal of 2-methyl-2-triazolylmethylpenam-3-carboxylic acid 1,1dioxidodiphenylmethyl ester having peaks in lattice face intervals in X-ray diffraction pattern of powder obtained with copper radioactive ray of λ=1.5418 angstrom passed through a monochromater.例文帳に追加

本発明のＴＡＺＢ結晶は、モノクロメーターを通したλ＝１．５４１８Åの銅放射線で得られるＸ線粉末回折パターンで格子面間隔にピークを有する２−メチル−２−トリアゾリルメチルペナム−３−カルボン酸１，１−ジオキシドジフェニルメチルエステルの結晶である。 - 特許庁

The production method for a crystal polymorphism A (Fig.1: X-ray powder diffraction pattern) of a pitavastatin hemicalcium salt (formula) comprises allowing a sodium salt of pitavastatin to react with CaCl_2 in an aqueous reaction medium, separating a formed crystal, and drying it so that the water content is adjusted to 3-12%.例文帳に追加

ピタバスタチンのナトリウム塩とＣａＣｌ_2とを水性反応媒体中で反応させ、生成した結晶を分離し、乾燥して含水量を３〜１２％に調節する、ピタバスタチンヘミカルシウム塩（下式）の結晶多形Ａ（図１：Ｘ線粉末回折図形）の製造方法。 - 特許庁

Then, by this invention, a plurality of grid images G are photographed beforehand, an appropriate grid image G is selected from them, and the pattern of the shadow of the X-ray grid 5 reflected in the source image P0 is erased using the selected grid image G.例文帳に追加

そこで、本発明によれば、複数のグリッド画像Ｇを予め撮影しておいて、これらの中から適切なグリッド画像Ｇを選択し、選択されたグリッド画像Ｇを用いて元画像Ｐ０に写り込んだＸ線グリッド５の影のパターンを消去するようになっている。 - 特許庁

Pattern of a master mask 11 is reduction projected onto a mask substrate 13 using a reduction projection optical system 12, e.g. EUVL, and unmagnified exposure is performed by means of an electron beam or hard X-rays using an unmagnified mask 13' made of the mask substrate 13.例文帳に追加

ＥＵＶＬと同等の縮小投影光学系１２を用いて、マスターマスク１１のパターンをマスク基板１３上に縮小投影し、マスク基板１３から作成される等倍マスク１３’を用いて、電子ビームあるいは硬Ｘ線による等倍露光を行う。 - 特許庁

In the drawing device 10 capable of drawing a circuit pattern or the like, an exposure unit 20 is disposed to be movable in a main scanning direction (Y direction), and first and second drawing tables 18A, 18B are arranged side by side to be movable in a sub-scanning direction (X direction).例文帳に追加

回路パターンなどを描画可能な描画装置１０において、１つの露光ユニット２０を主走査方向（Ｙ方向）移動可能に設置し、第１、第２描画テーブル１８Ａ、１８Ｂを副走査方向（Ｘ方向）に沿って移動可能に並んで配置させる。 - 特許庁

A β type crystal and a γ type crystal of 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide-citrate which are characterized by a powder x-ray diffraction pattern and/or a differential scanning calorimetric analysis thermogram, and are stable at the room temperature are disclosed.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折パターン及び／又は示差走査熱量分析サーモグラムで特徴付けられ、室温で安定な、４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−Ｎ−［［４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル］メチル］ベンズアミド・クエン酸のβ型結晶及びγ型結晶。 - 特許庁

Then the line sensor is moved as shown by the arrow Y (step 122) to make a second scan (step 124), a test pattern read signal is analyzed to calculate the quantity of a position shift from the first scan (step 126), and the line sensor is finely adjusted and moved as shown by the arrow X (step 128).例文帳に追加

続いて、ラインセンサを矢印Ｙ方向に移動し（ステップ１２２）、第２のスキャンを行い（ステップ１２４）、テストパターン読取信号を解析し、前第１のスキャンとの位置ズレ量を算出し（ステップ１２６）、ラインセンサを矢印Ｘ方向に微調整移動する（ステップ１２８）。 - 特許庁

This slide sheet has a thick portion 41 and then a thin portion 42 in a repeated pattern by forming the slide sheet from a single resin and making the quantity of resin per unit area substantially vary according to a place of the inner face of the sheet at least in the sliding direction X of the endless belt.例文帳に追加

この摺動シートは、単一の樹脂からなり、少なくとも無端ベルトの摺動方向Ｘに関して、シート面内の位置に応じて単位面積当たりの樹脂量が実質的に異なることによって厚い部分４１と薄い部分４２を繰り返し有する。 - 特許庁

The piezoelectric/electrostrictive body has a ratio between a diffraction peak intensity I_001 of the (001) face and a diffraction peak intensity I_100 of the (100) face of I_001/I_100≤1, in an X-ray diffraction pattern in the same plane after the polarization treatment.例文帳に追加

また、本発明の圧電／電歪体は、分極処理後の、電界の印加方向と垂直な面におけるＸ線回折パターンにおいて、（００ｌ）面の回折ピーク強度Ｉ_００ｌと（ｌ００）面の回折ピーク強度Ｉ_ｌ００との比がＩ_００ｌ／Ｉ_ｌ００≦１である。 - 特許庁

The address pattern generating device is constituted of pipeline switchers PSW1 to PSW4, a pipeline switching controller PSC, a X computing element XCal, a Y computing element YCal, registers X_Reg, Y_Reg, flip-flop X_Carry, Y_Carry.例文帳に追加

アドレスパターン発生装置は、パイプライン切換え器ＰＳＷ１〜ＰＳＷ４と、パイプライン切換え制御器ＰＳＣと、Ｘ演算器ＸＣａｌと、Ｙ演算器ＹＣａｌと、レジスタＸ＿Ｒｅｇ、Ｙ＿Ｒｅｇと、フリップフロップＸ＿Ｃａｒｒｙ、Ｙ＿Ｃａｒｒｙとから構成されている。 - 特許庁

The substrate with an ink accepting layer has at least one peak in an X-ray diffraction pattern, and the diffraction angle (2θ) of at least one peak has a layer containing a micelle-containing inorganic oxide (C) represented by the formula, 2θ=2sin^-1(λ/2d).例文帳に追加

Ｘ線回折パターンにおいて、少なくとも一つのピークを有し、かつそのうちの少なくとも一つのピークの回折角度（２θ）が（１）式で表されるミセル含有無機酸化物（Ｃ）を含んでなる層を有することを特徴とするインク受容層付基材である。 - 特許庁

Alternatively, a nonmagnetic part for magnetically separating the magnetic recording pattern part is formed by partially implanting atoms into a deposited Co-containing magnetic layer, and setting Co (002) or Co(110) peak strength of X-ray diffraction of the magnetic layer of a relevant part to 1/2 or less.例文帳に追加

または、磁気記録パターン部を磁気的に分離する非磁性部を、すでに成膜されたＣｏ含有磁性層に部分的に原子を注入し、該箇所の磁性層のＸ線回折によるＣｏ（００２）またはＣｏ（１１０）ピーク強度を１／２以下にして形成する。 - 特許庁

A water-insoluble monoazo dyestuff has a crystal transformation characterized by an X-ray diffraction pattern (CuKα) showing a strong peak at a diffraction angle (2θ) of about 11.1° and four intermediate peaks at about 8.1°, about 21.8°, about 23.1° and about 25.2°, and is represented by the formula.例文帳に追加

回析角（２θ）約１１．１°に１本の強いピーク、更に約８．１°、約２１．８°、約２３．１°、約２５．２°に４本の中間ピークを示すＸ線回析図（ＣｕＫα）により特徴づけられる結晶変態を有する下記構造式で示される水不溶性モノアゾ染料。 - 特許庁

The TMPB substance of the present invention is a crystal of 2-methyl-2-triazolylmethylpenam-3-carboxylic acid diphenylmethyl ester having peaks in lattice face intervals in X-ray diffraction pattern of powder obtained with copper radioactive ray of λ=1.5418 angstrom passed through a monochromater.例文帳に追加

本発明のＴＭＰＢ結晶は、モノクロメーターを通したλ＝１．５４１８Åの銅放射線で得られるＸ線粉末回折パターンで格子面間隔にピークを有する２−メチル−２−トリアゾリルメチルペナム−３−カルボン酸ジフェニルメチルエステルの結晶である。 - 特許庁

Pattern position detection capacitor electrodes 4x and 4y are formed on the same layer as that for the inductance element 4 and connected to the inductance element 4 through lead out electrodes 4d and 4e provided in a X direction and Y direction both perpendicular to a lamination direction.例文帳に追加

インダクタンス素子４と同層に、積層方向と直角をなすＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ設けた各引き出し電極４ｄ、４ｅを介してインダクタンス素子４に接続された２つのパターン位置検出用コンデンサ電極４ｘ、４ｙを形成する。 - 特許庁

After a plurality of holes (D) deployed in a grid pattern are prepared and a filling material (F) is blended by mixing soluble polymer with light-emitting material powder to fill those holes (D), the scintillator layer for X-ray detectors is manufactured through a treating process to cure the polymer.例文帳に追加

格子状に配列した多数の孔（Ｄ）を用意し、可溶性ポリマを発光物質粉末と混合することにより充填材（Ｆ）を調合して、それらの孔（Ｄ）を満たし、ポリマを硬化させる処理工程により、Ｘ線検出器用シンチレータ層を製造する。 - 特許庁

The substrate transfer mechanism 20 used for an exposing device 1 for exposing a pattern P of a mask M on a substrate W by directing an exposing light EL via the mask M to the substrate W lifts up and supports the substrate W and conveys the same in the X direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、基板Wに対してマスクMを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する。 - 特許庁

In an iron-nitride magnetic powder which consists of particles that are mainly composed of a Fe_16N_2 phase and whose average particle size is 20 nm or smaller, TAP density is 0.75 g/cm^3 or below and a nitriding rate calculated from an X-ray diffraction pattern is 70 to 100%.例文帳に追加

Ｆｅ_16Ｎ_2相主体の粒子からなる平均粒子径２０ｎｍ以下の粉末において、ＴＡＰ密度が０.７５ｇ／ｃｍ^3以下、かつＸ線回折パターンから算出される窒化率が７０〜１００％であることを特徴とする窒化鉄系磁性粉末。 - 特許庁