「x-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

This solar cell substrate includes a transparent substrate 411, and a transparent conductive film 412 formed over the transparent substrate, and including a zinc oxide (ZnO) thin-film layer 412a doped with a dopant, where both a growth plane (0002) and a growth plane (α) are present based on X-Ray Diffraction (XRD) pattern data.例文帳に追加

太陽電池基板は、透明基板４１１と、透明基板に形成され、Ｘ線回折（ＸＲＤ）パターンのデータを基準に、（０００２）成長面と成長面がともに存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜層４１２ａを含む透明導電膜４１２とを含む。 - 特許庁

The mask blank is used in producing a sub-master mold 20 by imprint-transferring the fine pattern prepared on a surface of master mold 30, and has a hard mask layer on its substrate 1, wherein the hard mask layer contains a layer of chromium compound having a chemical formula CrO_xN_yC_z (where x>0).例文帳に追加

元型モールド３０の表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してサブマスターモールド２０を製造する際に用いられるマスクブランクスであって、化学式ＣｒＯ_ｘＮ_ｙＣ_ｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板１上に有する。 - 特許庁

The ultraviolet sensor is of the type utilizing photoconductive effect of zinc oxide and is characterized in that the zinc oxide is additive-free zinc oxide and the half bandwidth of a diffraction peak in a (002) surface is not more than 0.5 degrees in an X-ray diffraction pattern of the zinc oxide.例文帳に追加

本発明の紫外線センサは、酸化亜鉛の光導電効果を利用した紫外線センサであって、前記酸化亜鉛が無添加の酸化亜鉛からなり、前記酸化亜鉛のＸ線回折パターンにおいて（００２）面における回折ピークの半値幅が０．５度以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, collation processing is performed while altering the fingerprint identification information by area which shows features of the fingerprints of the user, it also becomes difficult to presume the fingerprint identification information by area from the registered ID pattern X, and specification of the fingerprint information on each individual is prevented.例文帳に追加

これによりユーザの指紋の特徴を示したエリア別指紋識別情報を改変させつつ照合処理を行うことができ、かつ登録ＩＤパターンＸからエリア別指紋識別情報が推測されることも困難となり、各個人の指紋情報が特定されることを防止し得る。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which simultaneously satisfies sufficiently high sensitivity, high definition, successful pattern geometry and good invacuo PED and line edge roughness under irradiation with electron beams or X-rays, further has high sensitivity and high contrast in characteristic evaluation by irradiation with EUV light.例文帳に追加

電子線又はＸ線照射下で十分な高感度、高解像性、良好なパターン形状と、良好な真空中ＰＥＤとラインエッジラフネスを同時に満足し、さらにＥＵＶ光の照射による特性評価においても高感度で高コントラストなポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.例文帳に追加

しかも、ライン状パターン１２１の長手方向Ｙにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の長さ寸法Ｌaが、幅方向Ｘにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の幅寸法Ｄaの４倍以上となっている。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

When a big win is obtained by a symbol X in the Pachinko game machine, a mode is shifted to a first special presentation mode B by setting a first auxiliary game state in which all of an electric tulip opening pattern, a normal symbol variable time, and a normal symbol prize winning probability are substantially the same as those in a normal state.例文帳に追加

パチンコ遊技機は、図柄Ｘで大当たりとなった場合、電動チューリップの開放パターン、普通図柄変動時間、普通図柄当選確率の何れもが通常状態と略同じである第１の補助遊技状態に設定されて、第１特別演出モードＢに移行する。 - 特許庁

Furthermore, according to a gradual scaling, with which a certain point in a two-dimensional coordinate system is converted into a new point by adding a value proportional to the other coordinate value to the x-coordinate value or to the y-coordinate value, a corrected drawing data, corresponding to the second deformed pattern drawing region 47, are generated.例文帳に追加

さらに、２次元の座標系のある点を、そのＸ座標、もしくはＹ座標の座標値に、他方の座標値に比例した値を加えた新たな点に変換するグラデュアル・スケーリングによって、第２変形描画領域４７に対応した補正描画データを生成する。 - 特許庁

The high purity boehmite produced by hydrothermally treating ammonium dawsonite obtained by the reaction of an aluminum ammonium sulfate solution or an aluminum sulfate solution with an ammonium bicarbonate solution, firing and after firing, hydrothermally treating has 100-270 m2/g BET specific surface area and 20-90 Å crystallite diameter determined by peak (020) of X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

硫酸アルミニウムアンモニウム溶液、又は、硫酸アルミニウム溶液と重炭酸アンモニウム溶液の反応で得られるアンモニウムドーソナイトを水熱処理、焼成、焼成後水熱処理することによって製造される高純度のＢＥＴ比表面積、結晶子径の制御されたベーマイト。 - 特許庁

The light condensing system includes a back light system equipped with a light source and a primary light condensing part (X) capable of condensing the light emitted from the light source within the extent of ±60° in the front direction and a light condensing film having no pattern structure as a secondary light condensing element (Y).例文帳に追加

光源および光源からの出射光を、正面方向に対して、±６０°以内に集光することができる一次集光部（Ｘ）を有するバックライトシステム、ならびに、パターン構造を有さない集光フィルムを二次集光素子（Ｙ）として含有することを特徴とする集光システム。 - 特許庁

This catalyst for decomposing a volatile organic matter containing a titanium oxide supporting at least, a cobalt oxide, (1) shows at least, a diffraction pattern of Co_3O_4 in X-ray diffraction measurement, and (2) is characterized in that the titanium oxide alone shows photocatalytic activity under exposure to a visible light.例文帳に追加

少なくともコバルト酸化物を担持した酸化チタンを含む触媒体であって、（１）Ｘ線回折測定で少なくともＣｏ_3Ｏ_4の回折パターンを示し、かつ（２）前記酸化チタンは酸化チタンのみで可視光線の照射下で光触媒活性を示す揮発性有機物分解用触媒体である。 - 特許庁

In the metal powder for a dust core, the average crystal grain diameter (d/μm) of gas atomizing metal powder having an Si content of 4 to 7mass%, and the balance Fe and the half value width (w/deg) in an X-ray analysis pattern satisfy the numerical inequality of 10.3×w-0.067×d≤1.5.例文帳に追加

Ｓｉ量が４〜７ｍａｓｓ％、残部Ｆｅからなるガスアトマイズ金属粉末の平均結晶粒径（ｄ／μｍ）とＸ線解折パターンにおける半値幅（ｗ／ｄｅｇ）が、１０．３×ｗ−０．０６７×ｄ≦１．５の数式を満足することを特徴とする圧粉コア用金属粉末。 - 特許庁

Further, the angle of inclination (precise angle) in a straight line connecting the temporary center and the point at the position of the edge part separated by the integer multiple of the unit element to an x axis from the temporary center is obtained, and the inclination is corrected with the precise angle, thus the inclination of the repeated pattern is perfectly compensated.例文帳に追加

さらに、仮中心と、仮中心からｘ軸方向に単位要素の整数倍離れた端部位置の点とを結ぶ直線の傾き角度（精密角度）を求め、精密角度で傾きを補正することで繰り返しパターンの傾きが完全にうち消される。 - 特許庁

The magnetic field detecting parts 12x, 12y are made of a high magnetic permeability thin film, and formed on nonmagnetic substrates 10x, 10y as a slender zigzag long pattern formed by turning up a straight line multiple times along the magnetic field detecting direction in the X, Y direction.例文帳に追加

磁界検知部１２ｘ、１２ｙは高透磁率磁性薄膜から成り、Ｘ、Ｙ方向の磁界検知方向に沿って直線を複数回平行に折り返した細長いつづら折り状の長手パターンとして、非磁性基板１０ｘ、１０ｙ上にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A dispersion liquid composed of oxide particles, and a dispersion medium comprising water as a principal constituent is treated by heating under a hydrothermal condition to obtain oxide particles having maximum peak intensity of not less than 1.2 times by the heat treatment when the diffraction pattern of the oxide particles is measured with an X-ray diffractometer.例文帳に追加

酸化物粒子と主成分が水である分散媒とからなる分散液に、水熱条件下で加熱処理を施し、Ｘ線回折装置で酸化物粒子の回折パターンを測定したときに、最強ピークの強度が、加熱処理により１．２倍以上大きい酸化物粒子を得る。 - 特許庁

Since four pixels adjacent to a current point required for tracing the contour of a character pattern can be always read out of 16 pieces of divided memories and utilized, a relative advancing direction CV 201 can be determined from the (x) and (y) coordinates of the current point and an advancing direction CV 201 by a combination circuit.例文帳に追加

文字パタンの輪郭追跡に必要なカレントポイントに隣接する４画素が１６個の分割メモリから常に読み出されて利用できるので、カレントポイントのｘ座標、ｙ座標および進行方向ｃｖ２０１から組み合わせ回路により相対進行方向ｓｖを決定できる。 - 特許庁

When the pattern projection region 28 is a peripheral projection region 28E, whose part is disposed outside the edge of the substrate 2, the exposed region is moved from one end of the region 28E, having a longer part overlapping the substrate 2 to the other end in the X-direction in that region.例文帳に追加

パターン投影領域２８が、その一部が基板２の縁の外側に配置される周辺投影領域２８Ｅである場合には、その領域におけるＸ方向の両端部のうち、基板２と重なる部分が長い端部から他方の端部に向かって露光領域を移動させる。 - 特許庁

The process for making the orthopedic bearing material includes applying X rays to a raw material hardened through an irradiation mask having a puncture pattern for cross-linking selected regions on the raw material, and optionally forming the raw material into the bearing material.例文帳に追加

例えば、原材料の選択された領域を架橋するための穿孔パターンを有する照射マスクを通して固められた形態の原材料を放射線照射し、任意で、原材料をベアリング材料に成形することによって、整形外科用ベアリング材料を作製するためのプロセスも開示されている。 - 特許庁

As for particularly a dihydrochloride hydrate of the compound, a pharmaceutical comprising the crystal exhibiting main peaks at spacings of 17, 7.1, 4.9, 4.3, 3.9 and 3.5 Å in a powder X-ray diffraction pattern obtained by exposure to Kα radiation of copper as the active ingredient is preferable.例文帳に追加

特に、該化合物の二塩酸塩水和物では、銅のＫα線の照射で得られる粉末Ｘ線回折図において、面間隔が１７、７．１、４．９、４．３、３．９、および、３．５オングストロームに主要なピークを示す結晶を有効成分として含有する医薬が好ましい。 - 特許庁

This super-flattening device is constituted of an X-Y stage 2 which moves a work 7 in a desired motion pattern in a horizontal plane, a spindle section 5 which guides a rotating shaft 52 by means of two pairs of radial static pressure pads 55 and 56 and three pairs of thrust static pressure pads 57-59, etc.例文帳に追加

ワーク７を水平面内において所望の運動パターンで移動させるＸＹステージ２，並びに，二対のラジアル静圧パッド５５，５６，及び三対のスラスト静圧パッド５７〜５９により回転軸５２を案内する主軸部５等により、超平坦化加工装置を構成した。 - 特許庁

To solve the problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element with a high energy line, an X-ray, an electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for relaxing the difference in heating occurring between an illumination part and a nonillumination part, accordingly, a stress difference, when forming the image of the pattern of a mask on a resist layer by electrons, ions or radiation such as an X ray or an ultraviolet ray, using a lithography projector.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置で、マスクのパターンを電子、イオン、Ｘ線または紫外線のような放射線によってレジスト層上に結像する際、照射部と非照射部の間に生ずる加熱差、従って応力差を緩和するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

A pixel area for error measurement 140 of a dummy pixel area 120 in a solid state image sensing element is regarded as one of layers composing a pixel of the solid state sensing element as a reference layer and is provided with a measuring pattern displaced in phase in two dimensional (x, y) directions to the reference layer.例文帳に追加

固体撮像素子のダミー画素領域１２０の誤差測定用画素領域１４０には、固体撮像素子の画素を構成するあるレイヤーの１つを基準レイヤーとし、この基準レイヤーに対して２次元（ｘ，ｙ）方向に段階的にずらした測定用パターンが設けられている。 - 特許庁

This frame synchronizing system for performing frame processing of a received data string counts the number (X) of times when a synchronous pattern is not detected at a position at which a frame is assumed within a prescribed period of time T in each prescribed period of time T, and changes the number (M) of stages of front protection.例文帳に追加

受信データ列のフレーム処理を行うためのフレーム同期方式であって、所定期間Ｔおきに、その所定期間Ｔ内にフレームの想定される位置に同期パターンが検出されなかった回数（Ｘ）をカウントし、この数に応じて前方保護の段数（Ｍ）を変更する。 - 特許庁

The identification patterns are arranged in the main scanning direction corresponding to multiple patterns arranged in the main scanning direction X, and, based on a detection signal from the sensor 15, a deviation level of each pattern's sub-scanning direction Y is calculated and a recording starting position for each pattern is adjusted.例文帳に追加

識別マークは、主走査方向Ｘに配列された複数のパターンに対応して主走査方向に配列されており、識別マーク位置検知センサ１５からの検知信号に基づいて各パターンの副走査方向Ｙのずれ量を算出し各パターンの画像の記録開始位置を調整する。 - 特許庁

After that, the pattern 14 is processed in the processing margin of the profile surface 11a of the material 11 by mechanical processing or electric discharge machining, and an exhaust hole 15 communicating with the air in the slope line direction the mold back side is formed on the line of the cast joint part X of the material 11.例文帳に追加

その後、前記モールド粗材１１のプロファイル面１１ａの加工代に、機械加工または放電加工によりパターン１４を加工し、更に粗材の鋳継ぎ部Ｘのライン上に、モールド背面側から法線方向に大気と連通する排気孔１５を形成する。 - 特許庁

The delay time for the data formation time occurring before the pattern to be exposed is obtained on the sample is calculated for each of a predetermined plurality of scanning directions X and Y, and the scanning direction having the shorter delay time is selected as the scanning direction in that case.例文帳に追加

その場合の走査方向として、前記露光すべきパターンが前記試料上に得られるまでに発生するデータ生成時間のための遅延時間を、予め定められた複数の走査方向Ｘ、Ｙ毎に算定し、算定された遅延時間がより短い走査方向を選択する。 - 特許庁

Since a reflector 1 is divided into plural blocks in a radiating direction around a light source 2 and at least part of them are tilted inward by θ, the reflected light corresponding to the tilted blocks is diffused in a form separated from an optical axis X, so that the preferable light distribution pattern can be provided.例文帳に追加

リフレクタ１を光源２を中心とした放射方向で複数のブロックに分割し、そのうちの少なくとも一部を、θ分だけ内側に傾けたたため、傾けたブロックに相当する反射光は、光軸Ｘから離れた状態で拡散し、好ましい配光パターンが得られる。 - 特許庁

Furthermore, acceleration started steeply so far is made small in a small speed pattern in the prescribed period 'X' of a slow-up final stage, also, the load to a stepping motor is reduced by lowering a driving current from i1 to i2, to suppress the occurrence of vibrations so that overshoots can be prevented from occurring.例文帳に追加

更にスローアップの最終段階の所定の期間“Ｘ”においてそれまでに急峻に立ち上げてきた加速度を小さくした速度パターンとするとともに駆動電流をｉ1からｉ2へと下げステッピングモータへの負荷を軽くし振動の発生を抑えオーバシュートを起こさせない。 - 特許庁

The problem can be solved by the spherical mesoporous article which has an X-ray refraction pattern having at least one peak at a distance d larger than 2 nm, has the outer shell comprising the mesopores with an average pore diameter of 0.8-20 nm and has the cavity with an outer shell thickness of 0.5-5 μm.例文帳に追加

ｄ間隔が２ｎｍより大きい位置に少なくとも１つのピークを持つＸ線回折パターンを有し、平均細孔径０．８〜２０ｎｍであるメソ細孔から成る外殻を持ち、外殻の厚みが０．５〜５μｍである空洞を有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The size of a crystallite measured by a Hall method from the integration width of each diffraction peak acquired from an X-ray diffraction pattern is larger than 600 Å and less than 800 Å in the cathode active substance for the lithium secondary battery.例文帳に追加

前記正極活物質において、Ｘ線回折パタ−ンから得られる各回折ピ−クの積分幅からＨａｌｌ法によって測定した結晶子の大きさが600Åより大きく、800Å未満であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質である。 - 特許庁

The copper alloy containing 2.0 to 4.0mass% Ti is characterized in that other impurity elements are ≤0.01mass% in total and that the diffraction peak of a β phase (TiCu_3) observed on an X-ray diffraction pattern is <1/10 of the diffraction peak of (111) if largest.例文帳に追加

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有する銅合金において、他の不純物元素が合計で０．０１質量％以下であり、Ｘ線回折パターン上に見られるβ相（ＴｉＣｕ_３）の回折ピークが最大のものでも（１１１）の回折ピークの１／１０未満であることを特徴とする銅合金。 - 特許庁

The base material for a pattern forming material contains a low molecular weight compound (X1) obtained from a polyvalent phenol compound (x) having two or more phenolic hydroxyl groups and the following requirements (1), (2) and (3) by protecting a part or all of the phenolic hydroxyl groups with acid-dissociative dissolution inhibiting groups.例文帳に追加

２以上のフェノール性水酸基を有し、下記（１）、（２）および（３）を満たす多価フェノール化合物（ｘ）における前記フェノール性水酸基の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護されている低分子化合物（Ｘ１）を含有することを特徴とするパターン形成材料用基材。 - 特許庁

To solve problems relating to the techniques for improving the performance in microfabrication of a semiconductor device using high energy rays, X rays, electron beams or EUV light, and to provide a positive resist composition satisfying requirements of high sensitivity, high resolution, a favorable pattern profile and favorable line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The crystal grain consisting mainly of barium titanate is characterized in that the average particle diameter is ≤150 nm and the volume V per unit cell which is expressed by the product of lattice constants (a, b, c) determined by an X-ray diffraction pattern of the crystal grain, is ≤0.0643 nm^3.例文帳に追加

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が１５０ｎｍ以下であり、かつ前記結晶粒子のＸ線回折パターンから求められる格子定数（ａ、ｂ、ｃ）の積で表されるユニットセル当りの体積Ｖが０．０６４３ｎｍ^３以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and a decrease in microbridges by solving problems related to the techniques for improving the performance in microfabrication of a semiconductor device using high energy beams, in particular, electron beams, X rays or EUV light.例文帳に追加

高エネルギー線、特に電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、マイクロブリッジ低減を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In a measuring method of an X-ray diffraction pattern of the translin crystal, the translin crystal obtained using sodium formate as a precipitant is frozen in crystallizing solution containing polyalcohol, and X-ray diffraction data is collected in a frozen state.例文帳に追加

トランスリン結晶のＸ線回折像の測定方法、該結晶のＸ線回折像より得られる３次元構造座標、該構造座標を含むデータベース若しくは記録媒体、該構造座標を用いるトランスリンの機能を調節する能力を有する化合物の同定方法、該３次元構造座標を用いるトランスリンに潜在的に結合しうる化合物からなる化合物群の調製方法、及び、該３次元構造座標を用いるトランスリンの変異体の作製方法。 - 特許庁

The configuration, in which the datum lines Lr aligned in the sub-scanning direction X is captured by the line camera 50, can control a position of a pattern to be formed on the substrate W in the sub-scanning direction by a simple configuration compared with the conventional technique using an encoder.例文帳に追加

このように、副走査方向Ｘに並んで形成された基準線Ｌrをラインカメラ５０で撮像するといった構成を備えることで、エンコーダを用いた従来技術と比較してより簡便な構成によって、基板Ｗに形成されるパターンの副走査方向Ｘへの位置を制御することができる。 - 特許庁

The calcining temperature and the sintering temperature are determined to form the silicon nitride porous body in which the ratio (X_ON/X_SiN) of the peak intensity X_ON of oxynitride to the peak intensity X_SiN of β-type silicon nitride in X-ray diffraction pattern is 20-40 and the three point bending strength (25°C) is ≥70 MPa.例文帳に追加

このときの仮焼温度及び反応焼結温度は、Ｘ線回折パターンにおける酸窒化物のピーク強度Ｘ_ONとβ型窒化ケイ素のピーク強度Ｘ_SiNとの強度比（Ｘ_ON／Ｘ_SiN）が２０〜４０であり、且つ、３点曲げ強度（２５℃）が７０ＭＰａ以上である窒化ケイ素多孔質体が形成されるように決定される。 - 特許庁

A plurality of holes arranged along x-direction and y-direction in the dense hole pattern are divided into a first group and a second group so that a pitch of the hole in each group in each direction equals to pitches P2x and P2y twofold of the minimum pitches P1x and P2y in each direction.例文帳に追加

密集ホールパターンにおいてｘ方向及びｙ方向に沿って並べられる複数のホールが、各組に属するホールの各方向におけるピッチが各方向における最小ピッチＰ１ｘ及びＰ１ｙの２倍のピッチＰ２ｘ及びＰ２ｙと等しくなるように第１の組及び第２の組に分割されている。 - 特許庁

The invention relates to the new pseudopolymorphic forms of 2-[2-[4-[bis(4- fluorophenyl)methyl]-1-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride, defined by the X-ray diffraction pattern, namely, anhydrous 2-[2-[4-[bis(4-fluorophenyl)methyl]-l-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride and a monohydrate of the crystal, and relates to the method for preparation of the pseudopolymorphic crystal.例文帳に追加

２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリドの新規偽多形であり、Ｘ線回折パターンで定義される無水２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリド及び該結晶の一水和物、並びにこれらの偽多形相結晶の製造方法。 - 特許庁

In this method for forming a wiring, after an upper face of a translucent main body 24 of a reticle 22 which forms a wiring light blocking pattern 26 is positioned at a focal position X, and a negative photoresist film 18 is sensitized by i-rays 30, a lower face of the translucent main body 24 is positioned at a focal position to sensitize a light-shielding photoresist film 16.例文帳に追加

配線用遮光パターン２６が形成してあるレチクル２２の透光性本体２４の上面を焦点位置Ｘにし、ｉ線３０によりネガ型フォトレジスト膜１８を感光させたのち、透光性本体２４の下面を焦点位置にして遮光フォトレジスト膜１６を感光させる。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which satisfies such properties as high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and a good margin for light exposure in microfabrication particularly when KrF excimer laser, X-radiation, an electron beam or an ion beam is used.例文帳に追加

半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A second digit detection part 20 detects a digit s1 of non-zero with the second largest weight next to the digit s0, and a mantissa value acquiring part 40 acquires a mantissa value TEMP1 according to the data pattern of the input data X in a range of digit from the digit s0 to the digit s1.例文帳に追加

また、入力データＸの各桁のうち、桁ｓ０の次に重みの大きい非ゼロの桁ｓ１が第２の桁検出部２０において検出され、仮数値取得部４０では、桁ｓ０から桁ｓ１までの桁範囲における入力データＸのデータパターンに応じた仮数値ＴＥＭＰ１が取得される。 - 特許庁