The primitive’s security depends on the difficulty of the n = p2q-type integer factoring problem.発音を聞く 例文帳に追加

プリミティブの安全性は n = p2q 型素因数分解問題の困難性に依存している。 - 経済産業省

The RSA primitive’s security depends on the difficulty of the n = pq-type integer factoring problem.発音を聞く 例文帳に追加

RSA プリミティブの安全性は、n = pq 型素因数分解問題の困難性に依存している。 - 経済産業省

According to the conversion information, the first dependence information is converted to second dependence information including M (0≤M≤N) pieces of nodes corresponding to the data access to one data and the edges indicating the dependence among the nodes.例文帳に追加

変換情報に従い、第１依存関係情報を、１のデータに対するデータアクセスに対応するＭ（０≦Ｍ≦Ｎ）個のノードと、ノード間の依存関係を示すエッジとを含む第２依存関係情報に変換する。 - 特許庁

The Doppler frequency of n points takes different values depending on range bin due to difference along the visual axis angle.例文帳に追加

ｎ点のドップラ周波数は、視線方向角の違いによってレンジビンに依存して異なる値をとる。 - 特許庁

To reduce the voltage dependency of a capacitance element and increase the p-n junction breakdown voltage thereof.例文帳に追加

容量素子の電圧依存性を小さくすると共に、ＰＮ接合耐圧を向上する。 - 特許庁

To provide a current source circuit which has high S/N and depends on only an outside resistor.例文帳に追加

Ｓ／Ｎがよくかつ外部抵抗器のみに依存した電流源回路を得ること。 - 特許庁

Read n items (as machine values) from the file object fand append them to the end of the array.発音を聞く 例文帳に追加

ファイルオブジェクトf から (マシン依存のデータ形式そのままで)n 個の要素を読み出し、アレイの末尾に要素を追加します。 - Python

The phase difference between the signal components is corrected according to the phase shift volume (θ) depending on a position (n') of a delaying path.例文帳に追加

遅延パスの位置(n')に依存する位相偏移量(θ)により、信号成分間の位相差が修正される。 - 特許庁

The plural collector currents I1, I2, I3, ..., In have mutually different temperature dependence and are set to values, so as to decrease the temperature dependence corresponding to the AGC voltage VAGC as a result, when the respective currents are combined.例文帳に追加

複数のコレクタ電流Ｉ_1 ，Ｉ_2，Ｉ_3 ，…，Ｉ_n は、互いに異なる温度依存性を有し、それぞれの電流を合成した場合に、結果としてＡＧＣ電圧Ｖ_AGC に対する温度依存性が減少するような値に設定されている。 - 特許庁

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。 - 特許庁

To provide an image pickup device that attains accurate exposure control independently of deterioration in the sensitivity depending on the aperture and accuracy error of the aperture and suppresses deterioration in the S/N of a photographed image so as to effectively correct the deterioration in the sensitivity depending on the aperture or the like.例文帳に追加

絞り依存感度低下や絞りの精度誤差にかかわらず、正確な露出制御を可能にし、また撮影した画像のＳ／Ｎ劣化を抑制して絞り依存感度低下等を有効に補正する。 - 特許庁

As the probability dependent graph, a two-node type probability dependency graph may be used where e.g. a set of N variable nodes and a set of T inspection nodes are included and one of the N variable nodes relates to N bits or symbols in a given block to be decoded.例文帳に追加

確率依存グラフには、たとえば、Ｎ個一組の変数ノードとＴ個一組の検査ノードとを含み、Ｎ個の変数ノードのうちの１つが、復号化される所与のブロックのＮ個の各ビットあるいはシンボルに関連する、２ノード型の確率依存グラフが用いられる場合がある。 - 特許庁

To estimate noise power in a stable manner without depending on an S/N by performing pilot estimation using the sampling theorem.例文帳に追加

サンプリング定理を用いてパイロット推定を行うことでＳ／Ｎに依存することなく安定して雑音電力を推定すること。 - 特許庁

To enable to evaluate simultaneously voltage dependency of a semiconductor circuit of N pieces with a single power source, in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて、単一電源でＮ個同時に半導体回路の電圧依存性が評価できるようにする。 - 特許庁

Depending on the determined actual displacement vectors (IV_1, IV_3) and model displacement vector (MV_N) a reference vector is determined.例文帳に追加

決定された実際の変位ベクトル（ＩＶ＿１、ＩＶ＿３）及びモデル変位ベクトル（ＭＶ＿Ｎ）に依存して基準ベクトルが決定される。 - 特許庁

To provide a wavelength selector switch that can reduce polarization-dependent losses attributable to dispersive elements and improve the S/N ratio of output optical signals.例文帳に追加

分散素子による偏波依存性損失を低減でき、出力される光信号のＳ／Ｎを向上できる波長選択スイッチを提供する。 - 特許庁

To provide an infrared gas analyzer having little temperature dependency and an excellent S/N ratio, capable of stable measurement.例文帳に追加

温度依存性が少なく、且つ、Ｓ／Ｎが良好で、安定した測定が可能な赤外線ガス分析計を得る。 - 特許庁

The thickness d_k of a layer k (5) is determined by simple formula which depends on parameters n_i for i=1...k and d_i for i=1...k-1.例文帳に追加

層ｋ（５）の厚さｄ_ｋは、パラメータｎ_ｉ（ｉ＝１...ｋ）及びｄ_ｉ（ｉ＝１...ｋ−１）に依存する簡単な式によって決定される。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

Each of signature generators 11-i (i=1 to (n)) generates a point Ri dependent upon a random number ki and the point Q as first signature data.例文帳に追加

署名生成装置１１-i（ｉ＝１,２,…,ｎ）は、乱数ｋiと点Ｑとに依存する点Ｒiを、第１の署名データとして生成する。 - 特許庁

To provide a tomograph which controls a dose according not only to an object but also to an incident angle to retain image quality (for example S/N ratio) constant.例文帳に追加

断層撮影装置においては、画質（例えばＳＮ比）を一定に保つために、被写体の他に入射角度にも依存して線量制御をする。 - 特許庁

The (n) pieces of the packages 120-1-120-n are provided with the program memories 121-1-121-n for storing the package dependent program.例文帳に追加

ｎ個のパッケージ１２０−１〜１２０−ｎは、パッケージ依存プログラムを記憶するプログラムメモリ１２１−１〜１２１−ｎを備える。 - 特許庁

To provide an optical storage type radiation measuring instrument which can be increased in S/N and made free of deterioration in precision depending upon temporal switching, etc.例文帳に追加

Ｓ／Ｎを高め、時間的切替え等に依存した精度の劣化をなくすることができる光学蓄積型放射線計測装置の提供する。 - 特許庁

The function f(N) is preferred to be the function g(S/N) dependent on a ratio S/N between the power value of the signal level S of the useful signal to be transmitted and the power value of the noise level N.例文帳に追加

ｆ（Ｎ）は、伝送すべき有用信号の信号レベルＳの電力値と雑音レベルＮの電力値の比Ｓ／Ｎに依存する関数ｇ（Ｓ／Ｎ）であることが好ましい。 - 特許庁

Compensation of frequency dependency of a Doppler shift or the like is executed for a difference between the gravity center frequencies fwr [1:n], fwt [1:n] to determine the Doppler shift amount fd.例文帳に追加

重心周波数ｆwr[1:n]、ｆwt[1:n]の差に対してドップラーシフトの周波数依存性の補償などが行われてドップラーシフト量ｆｄが求められる。 - 特許庁

The thickness of the thin film is measured by measuring two or more resonance frequencies f_n of different resonance orders n, and utilizing the matter that n/f_n changes depending on the film thickness.例文帳に追加

共鳴次数ｎの異なる２以上の共鳴周波数ｆ_ｎを測定し、ｎ／ｆ_ｎが膜厚に依存して変化することを利用して薄膜の厚さを測定する。 - 特許庁

Compensation of frequency dependency of a Doppler shift or the like is executed for a difference between the gravity center frequencies fwr[1:n], fwt[1:n] to find the Doppler shift amount fd.例文帳に追加

重心周波数ｆwr[1:n]、ｆwt[1:n]の差に対してドップラーシフトの周波数依存性の補償などが行われてドップラーシフト量ｆｄが求められる。 - 特許庁

The method for the recombinant production of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus oryzae with Escherichia coli includes: expressing, in the Escherichia coli, a gene encoding a variant type FAD-dependent glucose dehydrogenase obtained by deleting a part of the amino acid sequence of MLFSLAFLSALSLATASPAGRA existing in the N-terminal region of the amino acid sequence of wild type FAD-dependent glucose dehydrogenase from the amino acid sequence.例文帳に追加

アスペルギルス・オリゼ由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼを大腸菌で組換え生産する方法であって、野生型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼのアミノ酸配列からそのＮ末端領域に存在するＭＬＦＳＬＡＦＬＳＡＬＳＬＡＴＡＳＰＡＧＲＡのアミノ酸配列の一部を削除した変異型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼをコードする遺伝子を大腸菌で発現させることを特徴とする方法。 - 特許庁

NMOS(N-type metal oxide semiconductor) transistors 1 and 2 each have a source and a back gate that are short-circuited, and hence threshold voltages Vth1 and Vth2 of the NMOS transistors 1 and 2 respectively depend only on process fluctuations in the NMOS transistors 1 and 2 and not on process fluctuations in other elements.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１〜２において、ソースとバックゲートとがショートするので、閾値電圧Ｖｔｈ１〜Ｖｔｈ２はＮＭＯＳトランジスタ１〜２のプロセスばらつきだけに依存して他の素子のプロセスばらつきに依存しない。 - 特許庁

Depending on the determined coordinates of the characteristic points of the first image and depending on a speed of the motor vehicle two model displacement vectors (MV_N) are determined, each of which models the displacement of the characteristic points from the first image to the second image in the image plane.例文帳に追加

第一の画像の特徴点の決定された座標に依存し且つ車速に依存して２つのモデル変位ベクトル（ＭＶ＿Ｎ）が決定され、それぞれ２つのモデル変位ベクトルは、画像平面における第一の画像から第二の画像への特徴点の変位をモデル化する。 - 特許庁

Whether to transmit a music piece feeding instruction 11 to make a reproduction object the (N+1)-th guide 10 from the N-th guide depends on the distance between the present position 12 and a guide position 13, related to the (N+1)-th guide 10.例文帳に追加

再生対象を第Ｎ番目の案内から第Ｎ＋１番目の案内１０とするための曲送り命令１１を送信するか否かは、現在位置１２と第Ｎ＋１番目の案内１０に係る案内位置１３との距離に依存する。 - 特許庁

The method for the recombinant production of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus terreus with Escherichia coli includes: expressing, in the Escherichia coli, a gene encoding a variant type FAD-dependent glucose dehydrogenase obtained by deleting a signal peptide containing the amino acid sequence region of MLGKLSFLSALSLAVAA existing in the N-terminal region of the amino acid sequence of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus terreus registered as Accession No.NBRC 33026.例文帳に追加

アスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼを大腸菌で組換え生産する方法であって、アスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼから、寄託番号ＮＢＲＣ ３３０２６として登録されているアスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼのアミノ酸配列のＮ末端領域に存在するＭＬＧＫＬＳＦＬＳＡＬＳＬＡＶＡＡのアミノ酸配列領域を含むシグナルペプチドを削除した変異型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼをコードする遺伝子を大腸菌で発現させることを特徴とする方法。 - 特許庁

Consequently, electron density n_e and electron temperature T_e of the plasma can be calculated from resonance frequency dependency of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma.例文帳に追加

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 - 特許庁

Further, the Cdk5 specific inhibitory peptide is preferably constituted so that a transcellular peptide comprising 5 to 15 arginines is coupled with an N-terminal of the above peptide.例文帳に追加

または、該ペプチドのN末端に、５〜１５個のアルギニンから成る細胞透過性ペプチドを連結したサイクリン依存性キナーゼ５特異的阻害ペプチド。 - 特許庁

To suppress graininess degradation depending on the low frequency components of images and to form the images of high image quality by performing N-ary processing (N is an integer ≥2) based on predetermined constraint information for every main scanning.例文帳に追加

主走査毎に、予め定められた制約情報に基づいたＮ値化処理（Ｎは２以上の整数）を行うことにより、画像の低周波成分に依存した粒状性劣化を抑制し、高画質画像を形成する。 - 特許庁

A compensation circuit C2 contains at least one device Dpi (i=1...n) having a device temperature Tpi (i=1...n) depending on an added inner signal Sinc in accordance with a circuit C1.例文帳に追加

回路Ｃ１に対応して、補償回路Ｃ２には、それぞれ、加えられる内部信号Ｓｉｎｃに依存したデバイス温度Ｔｐｉ（ｉ＝１．．．ｎ）を有する少なくとも１つのデバイスＤｐｉ（ｉ＝１．．．ｎ）を含む。 - 特許庁

This allows to calculate the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma from the resonance frequency dependence of the electron density n_e and the electron temperature T_e of the plasma.例文帳に追加

これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 - 特許庁

To suppress a deterioration in granularity depending on a low-frequency component of an image by performing N-arization processing by each scanning on the basis of restriction information determined from an N-arization result in the previous scanning, thereby forming a high-quality image.例文帳に追加

主走査毎に、前回の走査時におけるＮ値化結果に基づいて定められた制約情報に基づいたＮ値化処理を行うことにより、画像の低周波成分に依存した粒状性劣化を抑制し、高画質画像を形成する。 - 特許庁

At such a time, the number of slots to be used for download is designated from 1 to (n) ((n) depends on a portable telephone system to be applied) by the download start message.例文帳に追加

このとき、ダウンロード開始メッセージでダウンロード時に使用するスロット数を１〜ｎ（ｎは適用される携帯電話機システムに依存する）まで指定する。 - 特許庁

Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22.例文帳に追加

反転層における電子の移動度μは、ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度Ｎ_ａに依存する。 - 特許庁

The conveying speed of each delivery part 17 allocated to a tray discharge device 12 is controlled by depending upon an overall delivery capacity P_total calculated as the total of the individual delivery capacities P_1, P_2, ... P_n of all the delivery modules 21 allocated to rooms 18, 19 in addition to the dependence of each filling amount inside a room 18, 19.例文帳に追加

一つの部屋１８，１９内のその時々の充填量に依存するのに追加して、部屋１８，１９に割り当てられた全ての配送モジュール２１の個別的な配送能力（Ｐ_1，Ｐ_2，...Ｐ_n）の合計として計算される全体的な配送能力（Ｐ_total）にも依存して、トレー式排出機器１２に割り当てられた各移送部品１７の運搬速度を制御することを特徴とする。 - 特許庁

The isolated protein has N-acylamino acid racemase activities, and exhibits (a) thermal stability: having the N-acylamino acid racemase activities after heat treatment for 1 hr at 70°C; and (b) metal ion dependency: exhibiting the N-acylamino acid racemase activities in the presence of Co^2+, Mn^2+, Mg^2+ and Fe^2+.例文帳に追加

Ｎ−アシルアミノ酸ラセマーゼ活性を有し、且つ(a)熱安定性：７０℃、１時間の加温処理後もＮ−アシルアミノ酸ラセマーゼ活性を有する；および(b)金属イオン依存性：Ｃｏ^2+、Ｍｎ^2+、Ｍｇ^2+、Ｆｅ^2+存在下でＮ−アシルアミノ酸ラセマーゼ活性を示す、単離されたタンパク質。 - 特許庁

An S/N ratio minimum value residual covariance matrix computing means 2 uses an S/N ratio minimum value to compute a residual covariance matrix independent of a detection data, while a rough gate inside/outside determining means 3 computes a rough gate according to the residual covariance matrix to determine the detection data and the S/N ratio inside the rough gate.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比最小値残差共分散行列算出手段２は、Ｓ／Ｎ比最小値を用いて探知データに依存しない残差共分散行列を算出し、粗ゲート内外判定手段３は、残差共分散行列により粗ゲートを算出し、粗ゲート内に入っている探知データとＳ／Ｎ比を判定する。 - 特許庁

A diode D has current characteristics which depend on the temperature, this forward current flows in a (n) type MOS transistor N1 constituting a primary side of a current mirror.例文帳に追加

ダイオードＤは、温度に依存した電流特性を有し、この順方向電流は、カレントミラーの一次側を構成するｎ型ＭＯＳトランジスタＮ１を流れる。 - 特許庁