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An SIとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 アメリカ規格協会; 米国国家規格協会; 米国規格
「An SI」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 4127件
To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.例文帳に追加
Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.例文帳に追加
光電変換特性が等しいa-Si TFT1とa-Si TFT2を使用する。 - 特許庁
The SI-R selects a route between the SI-SWs and transfers an event transmitted from an entity terminal to other SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event, transmitted from a terminal serving as an entity, to another SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event transmitted from a terminal serving as an entity to another SI-SW.例文帳に追加
SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加
鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi/Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
An SI (System Information) data analysis part 241 extracts SI data from section data and analyzes them.例文帳に追加
SIデータ解析部241は、セクションデータの中から、SIデータを抽出して解析する。 - 特許庁
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マイクロソフト用語集での「An SI」の意味 |
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ANSI
対訳 ANSI
解説
A voluntary, nonprofit organization of U.S. business and industry groups formed in 1918 for the development of trade and communication standards. ANSI is the American representative of the International Standards Organization and has developed recommendations for the use of programming languages including FORTRAN, C, and COBOL.
コンピューター用語辞典での「An SI」の意味 |
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ANSI<American National Standards Institute>
米国規格協会; ANSI
1928年にASA(American Standards Association)として設立され,1966年にUSASI(United States of American Standards Institute)に名称を変え,その後,この名称になった.米国の工業分野の標準化活動を行っている.
1)例えば,情報処理の分野では,コンピュータと情報処理(X3),事務機械と消耗品(X4),図書館,ドキュメンテーション(Z39),図書館用消耗品と機器(Z85),4つの技術委員会が関係したが,1981年,ISOの技術委員会の統廃合に従い,X4はX3技術委員会に併合された.X3技術委員会は,さらに,認識,媒体,言語,ドキュメンテーション,データの表現,通信,システム工学の分野に分かれている.
2)キーボード(ANSI keyboard),ラベル(ANSI label),制御文字(ANSI control character),データカートリッジ(ANSI data cartridge)などがすべてANSI規格である.
"2.25 American National Standards Institute(ANSI)"を参照すること
米国規格協会,ANSI
American National Standards Institute<ANSI>; ANSI
"2.25 American National Standards Institute(ANSI)"を参照すること
Weblio例文辞書での「An SI」に類似した例文 |
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「An SI」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 4127件
An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加
結晶Siからなる基板1に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁
The program information is generated by an SI/EPG data generator 17.例文帳に追加
SI/EPGデータジェネレータ17は、番組情報を生成する。 - 特許庁
The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加
フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加
金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μm以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Si基板1の上に、Si酸化膜2及びSi窒化膜3を順次形成する。 - 特許庁
First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.例文帳に追加
まず始めに、Si基板1とSi層5との間に空洞部を形成する。 - 特許庁
A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加
C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁
To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加
Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁
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