EB onとは 意味・読み方・使い方

A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.例文帳に追加

フィラメント１１より放出された電子を加速して電子ビームＥＢを生成する電界を形成するためのビーム形成電極１２に、その開口部よりも電子ビームＥＢが射出する側に突出するように、電子ビームＥＢを偏向するデフレクション部１３を設ける。 - 特許庁

A resist 12 for electron beam description is provided on a silicon disk 11 and parts corresponding to respective frames on the perimeter are exposed while the disk 11 is rotated by using an electron beam EB modulated in correspondence with a servo signal.例文帳に追加

シリコン円板11上に電子ビーム描画用レジスト12を設け、円板11を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームEBを用いて、円周上の各フレームに対応する部分に露光する。 - 特許庁

The drive mechanism 50 for retreating an end bow member EB is arranged on the eng bow member EB without seeking the setting space of the drive mechanism 50 on a body 12 side.例文帳に追加

エンドボー部材ＥＢを退避するための駆動機構５０を、エンドボー部材ＥＢに配設し、駆動機構５０の設置スペースを車体１２側に求めないようにした。 - 特許庁

The drawing data correction program 6 of an EB lithographic device 5 corrects the read EB lithographic data 2 on an irradiation position on the basis of the content of a predetermined irradiation correction condition.例文帳に追加

ＥＢ描画装置５の描画データ補正プログラム６は、予め設定されている照射補正条件９の内容に基づいて読み込んだＥＢ描画データ２の照射位置を補正する。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

To enable a first pattern formed on a resist film through a first EB projection exposure to register more precisely with a second pattern formed on the resist film through a second EB projection exposure.例文帳に追加

第１回目のＥＢプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第１のパターンと、第２回目のＥＢプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第２のパターンとの間の位置ずれを低減する。 - 特許庁

An enable circuit 121 generates an enable signal EB on the basis of the 16th bit A15 of an address bus 140 and a signal value of a read-out control signal line 150.例文帳に追加

イネーブル回路１２１は、アドレスバス１４０の第１６ビットＡ15と、読出制御信号線１５０の信号値とから、イネーブル信号EBを生成する。 - 特許庁

The breakdown voltage processing at a low voltage side electrode is performed by setting the constant voltage power source Eb to 30-50 KV and by turning on and off the high-voltage relay S that is a change-over switching element.例文帳に追加

定電圧電源Ebを３０ＫＶ〜５０ＫＶに設定して切り替えスイッチング素子である高圧リレーS のオン・オフを行なうことによって低圧側電極の耐電圧処理を行なう。 - 特許庁