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EB onの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 122



例文

An Eb/Nt measuring section 103 calculates an estimated Eb/Nt value (the ratio of received signal power to effective noise power spectrum density) in one frame based on the received soft decision signal sequence.例文帳に追加

Eb/Nt測定部103は、受信した軟判定信号系列により1フレーム内での推定Eb/Nt値(受信信号電力と実効雑音電力スペクトル密度の比)を算出する。 - 特許庁

To provide a method of forming a proper resist pattern by EB (electron beam) direct lithography and proper circuit pattern thereafter in a manufacturing process of semiconductor devices, etc., using the EB (electron beam) direct lithography, which coats the entire substrate uniformly with an EB (electron beam) direct lithography resist even in the presence of electrodes having a gold layer and wirings on the substrate.例文帳に追加

EB(電子線)直接描画を用いる半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板上に金(Au)層を有する電極、配線が存在しても基板全体に均一にEB直接描画用レジストが塗布でき、EBの直接描画による良好なレジストパターン形成、その後の良好な回路パターンの形成を可能とした方法を提供する。 - 特許庁

For example, an EB resist 5 is applied on the substrate 3 made of quartz glass (a).例文帳に追加

例えば、石英ガラス製の基板3上にEBレジスト5を塗布する(a)。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a pattern by using an EB direct writing machine on this EB resist 107 while aligning by using a mark 108(F).例文帳に追加

そして、マーク108を用いて位置合わせを行いながら、このEBレジスト107にEB直接描画機を用いてパターンを形成する(F)。 - 特許庁

例文

Patterns are delineated on a semiconductor device or on a mask for photolithography by using an EB lithography system.例文帳に追加

EB描画装置を用いて半導体装置や写真製版用マスクにパターンを描画する。 - 特許庁


例文

A coating pattern is printed on a substrate with the coating material and is cured by using an electron beam ('EB') processing.例文帳に追加

基体に被覆材で被覆模様を印刷し、そして電子ビーム(“EB”)加工処理を使用して硬化させる。 - 特許庁

The auto tensioners 31 and 32 are mounted on the engine block EB side face of the support member 33.例文帳に追加

支持部材33のエンジンブロックEB側の面にオートテンショナ31、32を取り付ける。 - 特許庁

A deflection part 13 deflecting the electron beam EB is arranged in a beam formation electrode 12 accelerating an electron emitted from the filament 11 and forming an electric field generating the electron beam EB so that the electron beam EB is protruded on the emission side beyond an opening part.例文帳に追加

フィラメント11より放出された電子を加速して電子ビームEBを生成する電界を形成するためのビーム形成電極12に、その開口部よりも電子ビームEBが射出する側に突出するように、電子ビームEBを偏向するデフレクション部13を設ける。 - 特許庁

A resist 12 for electron beam description is provided on a silicon disk 11 and parts corresponding to respective frames on the perimeter are exposed while the disk 11 is rotated by using an electron beam EB modulated in correspondence with a servo signal.例文帳に追加

シリコン円板11上に電子ビーム描画用レジスト12を設け、円板11を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームEBを用いて、円周上の各フレームに対応する部分に露光する。 - 特許庁

例文

The drive mechanism 50 for retreating an end bow member EB is arranged on the eng bow member EB without seeking the setting space of the drive mechanism 50 on a body 12 side.例文帳に追加

エンドボー部材EBを退避するための駆動機構50を、エンドボー部材EBに配設し、駆動機構50の設置スペースを車体12側に求めないようにした。 - 特許庁

例文

The drawing data correction program 6 of an EB lithographic device 5 corrects the read EB lithographic data 2 on an irradiation position on the basis of the content of a predetermined irradiation correction condition.例文帳に追加

EB描画装置5の描画データ補正プログラム6は、予め設定されている照射補正条件9の内容に基づいて読み込んだEB描画データ2の照射位置を補正する。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第1の金属薄膜を形成し、更に第2のレジストを塗布し、T型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

To enable a first pattern formed on a resist film through a first EB projection exposure to register more precisely with a second pattern formed on the resist film through a second EB projection exposure.例文帳に追加

第1回目のEBプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第1のパターンと、第2回目のEBプロジェクション露光によりレジスト膜に形成される第2のパターンとの間の位置ずれを低減する。 - 特許庁

An enable circuit 121 generates an enable signal EB on the basis of the 16th bit A15 of an address bus 140 and a signal value of a read-out control signal line 150.例文帳に追加

イネーブル回路121は、アドレスバス140の第16ビットA15と、読出制御信号線150の信号値とから、イネーブル信号EBを生成する。 - 特許庁

The breakdown voltage processing at a low voltage side electrode is performed by setting the constant voltage power source Eb to 30-50 KV and by turning on and off the high-voltage relay S that is a change-over switching element.例文帳に追加

定電圧電源Ebを30KV〜50KVに設定して切り替えスイッチング素子である高圧リレーS のオン・オフを行なうことによって低圧側電極の耐電圧処理を行なう。 - 特許庁

An SiO_2 thin film 4 is deposited at 50 nm on an Si substrate 3 using EB deposition, and further, a rodhium (Rh) thin film 6 serving as a reflection member 5 is deposited at 1 μm using EB deposition (Fig.2(a)).例文帳に追加

Si基板3上にEB蒸着によってSiO_2薄膜4を50nm蒸着し、さらにEB蒸着によって反射部材5となるロジウム(Rh)薄膜6を1μm蒸着する(図2(a))。 - 特許庁

When a desired entry word is selected from the entry word list areas Ea and Eb, explanatory information (Ec) corresponding to the selected entry word is read from the dictionary and displayed on full screen.例文帳に追加

各見出し語一覧エリアEa,Ebから所望の見出し語が選択されると、選択見出し語に対応した説明情報(Ec)が辞書から読み出されて全画面表示される。 - 特許庁

A voltage generating circuit 13 generates a first voltage for turning on the second transistor from the power supply EB with a switch S1 being turned on.例文帳に追加

電圧生成回路13は、スイッチS1がオン状態において、電源EBから第2のトランジスタをオンさせるための第1の電圧を生成する。 - 特許庁

As a result of it, the focus of the electron beam EB to be irradiated on the sample 2 is never slipped out even when the voltage is applied on the sample 2.例文帳に追加

この結果、試料2上に照射される電子ビームEBは、試料2に電圧が印加されてもフォーカスがずれることはなくなる。 - 特許庁

The substrate 17 is a semiconductor wafer having an EB resist material formed on the electron beam irradiation surface, for example.例文帳に追加

基材17は、例えば電子線照射表面にEBレジスト材が形成された半導体ウェハである。 - 特許庁

In the semiconductor-device manufacturing method, an energy beam EB of a shorter wavelength than the oscillating wavelength of a laser chip 20 is projected on a supporter 31 mounting the laser chip 20.例文帳に追加

レーザチップ20を搭載した支持体31に、レーザチップ20の発振波長よりも短波長のエネルギービームEBを照射する。 - 特許庁

An electron beam exposure system projects an electron beam EB on a wafer 31 and forms an image, which beam is patterned by passing it through a mask 15.例文帳に追加

電子ビーム露光装置は、マスク15を通過してパターン化された電子ビームEBをウエハ31に投影結像させる。 - 特許庁

Then, the method also includes a step of then coating an EB resist 107 on a surface of the side of a recess 46 between the struts by a resist spray coating unit (E).例文帳に追加

その次に、ストラット間凹部46の側の面にEBレジスト107を、レジスト噴霧塗布装置により塗布する(E)。 - 特許庁

That is, the predicted voltage Ea predicted in the prediction controller is increased or decreased by the voltage command Eb based on the deviation ΔT.例文帳に追加

すなわち、予測制御器で予測した予測電圧Eaを、偏差ΔTに基づいた電圧指令Ebの分だけ増減している。 - 特許庁

The mobile station 2 decides its own initial transmission power on the basis of a prescribed initial reference Eb/IO in the case of starting communication.例文帳に追加

移動局2は通信を始める際に常に一定の初期基準Eb/IOに基づいて移動局2の初期送信電力を決定している。 - 特許庁

The hydrofoil structure 103 has an annular shape when viewed from the water surface side, and a foil trailing edge Eb is formed on the inner circumferential side.例文帳に追加

水中翼構造物103は、水上側から見て環状であり、かつ、内周側に翼後縁Ebが形成されている。 - 特許庁

To provide an EB drawing device in which the image of a first aperture can be formed on a second forming aperture mask accurately.例文帳に追加

第1アパーチャの像を第2成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるEB描画装置を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the electron beams EB emitted by the electron beam emission section can be easily caused to converge on the convergence coil 6_2 so as to make the image of the electron beams EB projected on the electron beam transmission member 21 coincide with the shape of the electron beam transmission section in the Z axis.例文帳に追加

そのため、集束コイル6_2に対し、電子線透過部材21に照射される電子線EBの像が、Z軸方向において電子線透過部の形状と略同一となるように、電子放出部から放出された電子線EBを集束させることが容易となる。 - 特許庁

In this scanning electron microscope, the acceleration voltage of an electron beam EB irradiated on a sample 2 is set to 4 kV, and a voltage of -3 kV is applied to the sample 2 from a power source 11, so that the electron beam EB is decelerated immediately in front of the sample and is irradiated on the sample 2 with an energy of 1 kV.例文帳に追加

試料2に照射される電子ビームEBの加速電圧は、4kVとされており、試料2には電源11より−3kVの電圧が印加されていることから、電子ビームEBは試料の直前で減速され、1kVのエネルギーで試料2に照射される。 - 特許庁

A water film 15 is formed on a mouth 12b of a PET bottle 12 where an excessive dose of the electron beams EB occurs before applying the electron beams EB to the PET bottle 12, thereby eliminating need of using the shelter structure 2 according to a shape and a type of the bottle 12.例文帳に追加

PETボトル12に電子線EBを照射する前にPETボトル12の電子線EBの過剰線量となる口部12bに水膜15を形成することにより、PETボトル12の形状や種類に応じた遮蔽構造体2を用いる必要がなくなる。 - 特許庁

The rotary stage 11 is rotated at a constant speed and the irradiation energy of the electron beam EB is increased in response to the increase of the distance between the rotation center of the rotation stage 11 and the irradiation position of the electron beam EB on the circular substrate 1.例文帳に追加

回転ステージ11を一定の回転速度で回転させるとともに、電子線EBの照射エネルギーを、回転ステージ11の回転中心から電子線EBの円形基板1上における照射位置までの距離の増加に応じて増加させる。 - 特許庁

An adhesive layer 2 is laminated on one surface or both surfaces of a heat dissipation layer 1 formed by compression molding a thermally conductive resin composition containing an electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive filler, and then the heat dissipation layer 1 is cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation sheet.例文帳に追加

電子線(EB)架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が圧縮成形されてなる放熱層1の片面または両面に、粘着層2が積層されてなり、放熱層1がEB照射により架橋されてなる放熱シートである。 - 特許庁

Metal films 2A, 2B are laminated on one surface or both surfaces of a heat dissipation layer 1 formed by compression molding a thermally conductive resin composition containing electron beam (EB) cross-linking olefin-based resin and a thermally conductive filler, and then the heat dissipation layer 1 is cross-linked by EB irradiation to produce a heat dissipation sheet.例文帳に追加

電子線(EB)架橋型オレフィン系樹脂と、熱伝導性フィラーとを含む熱伝導性樹脂組成物が圧縮成形されてなる放熱層1の片面または両面に、金属フィルム2A,2Bが積層されてなり、放熱層1がEB照射により架橋されてなる放熱シートである。 - 特許庁

In an electron beam delineating system 1 at a low acceleration voltage, illumination conditions of electron beams EB on a second formation aperture 89 are adjusted so that diameters of crossovers 9a, 9b of the electron beams EB in a reduction projection optical system 120 is made larger than an aperture size.例文帳に追加

低加速電圧の電子ビーム描画システム1において、縮小投影光学系120内での電子ビームEBのクロスオーバ9a,9bの径がアパーチャサイズよりも大きくなるように、第2成形アパーチャ89への電子ビームEBの照明条件を調整する。 - 特許庁

An electromagnetic wave Ea transmitted from a transmission antenna 7 is made to get incident diagonally on an electromagnetic wave absorber and is reflected, and a reflected wave Eb thereof is received by a reception antenna 8 to receive therein a reflected wave Eb' reflected via an electromagnetic wave reflecting plate 3.例文帳に追加

送信アンテナ7から送信した電磁波Eaを電磁波吸収体1に斜めから入射して反射させ、その反射波Ebを受信アンテナ8で受信する際に、電磁波反射板3を介して反射した反射波Eb’を受信する。 - 特許庁

The power conversion device includes a backup power supply Eb supplying power at least on discharging, and a discharge time driving circuit Mb operating by receiving power supplied from the backup power supply Eb on discharging, ON/OFF-driving one switching element Qu and driving the other switching element Qd to be always ON.例文帳に追加

電力変換装置において、少なくとも放電時には電力を供給するバックアップ電源Ebと、放電時にバックアップ電源Ebから供給される電力を受けて作動し、一方のスイッチング素子Quをオン/オフ駆動し、他方のスイッチング素子Qdを常時オンするように駆動する放電時駆動回路Mbとを有する。 - 特許庁

To realize a focusing method for adjusting the focus of charged particles on a sample based on a video signal obtained by sweeping the charged particles on the sample in an SEM or an EB(electron beam) tester.例文帳に追加

SEM又はEBテスタにおいて、荷電粒子を試料上で掃引した結果得られるビデオ信号に基づき、荷電粒子の試料に対する焦点を調整する合焦制御方法を提供する。 - 特許庁

An electron optical lens barrel 3 is mounted on an upper end part of a specimen chamber 2, and electron beam EB is irradiated on an observed surface S1 of a specimen S put on a driving stage 4.例文帳に追加

試料室2の上端部には電子光学鏡筒3が配置され、駆動ステージ4上に載置された試料Sの被観察面S1に電子ビームEBが照射される。 - 特許庁

An ATO driving pattern being the objective velocity on ATO side is set, based on the ATC emergency brake pattern EB of the upper limit velocity of on ATC side set by ATC controller.例文帳に追加

ATC制御器によって設定されたATC側の上限速度であるATC非常制動パターンEBに基づいて、ATO側の目標速度であるATO運転パターンSBを設定する。 - 特許庁

Under these conditions, the primary electron beam EB is scanned to always irradiate a prescribed position on the sample surface and is scanned continuously with an incident angle of the electron beam on the sample 18.例文帳に追加

以上の条件で、一次電子ビームEBを走査することで、試料面上の所定位置に常に電子ビームが照射され、試料18に対する電子ビームの入射角度が連続的に走査される。 - 特許庁

A silicon source 13 is heated with an electron beam EB and then silicon atoms are emitted into a heavy hydrogen atmosphere 11 to deposit a silicon film on a substrate W.例文帳に追加

電子ビームEBによりシリコンソース13を加熱し、重水素ガス雰囲気中11Cにシリコン原子を放出することにより、シリコン膜を基板W上に堆積する。 - 特許庁

When a substrate 31 having a rugged pattern on a surface is made, plotting of a pattern in accordance with the rugged pattern is performed by scanning of an electron beam EB.例文帳に追加

表面に凹凸パターンを有する基板31を作製する際、レジスト12が塗布された円形基盤11に、電子ビームEBの走査により凹凸パターンに応じたパターンの描画を行う。 - 特許庁

A lens controller 21 controls the intensity of the objective 17, so that the primary electron beam EB irradiates the center axis of the objective 17 on the surface of the sample 18.例文帳に追加

レンズ制御装置21は、一次電子ビームEBが試料18面上で対物レンズ17の中心軸上に照射されるように対物レンズ17の強度を制御する。 - 特許庁

When the magnification of observation is changed, scanning signals from a scanning signal generator 6 are controlled by a magnification controller 7, to change the scanning range of a primary electron beam EB on the sample 4.例文帳に追加

ここで、観察倍率を変える場合には、倍率制御器7によって走査信号発生器6からの走査信号を制御し、試料4上の一次電子ビームEBの走査範囲を変える。 - 特許庁

In this state, the material of an insulating film is foamed by projecting an electron beam upon a wafer W placed on a hot plate 204 from an EB unit 211.例文帳に追加

この状態で、EBユニット211から熱板204に載置されたウエハWに対してエレクトロンビームを照射し、絶縁膜材料を発泡させる。 - 特許庁

A center of the mounting board 61 is detected by moving the semiconductor electron beam detector 60 so that the output signals from the regions A1 to A4 become all equal to position the electron beam path 75 and the electron beam EB on the same axis.例文帳に追加

領域A1〜A4からの出力信号が全て等しくなるように半導体電子線検出器60を移動させて実装用基板61の中心を検出し、電子線通路75と電子線EBとを同軸上に位置させる。 - 特許庁

An electron beam cast from an electron beam tube 3 (EB tube) is passed through a window 4 to the inside of a process chamber 5 and cast onto an irradiating object 2 like resist or ink on a work 1.例文帳に追加

電子線管3(EB管)から放射される電子線は、窓4を介して処理室5内に放射され、ワーク1上に塗布されたレジストやインキ等の被照射物2に照射される。 - 特許庁

In S3, an engine output correction coefficient K corresponding to response speed of exhaust recirculation is calculated, on the basis of an intake air flow rate Af, exhaust pressure Pre and a charge level Eb.例文帳に追加

S3では、吸気流量Af、排気圧力Pre、及び充電レベルEbに基づいて、排気還流の応答速度に対応するエンジン出力補正係数Kを算出する。 - 特許庁

The electron beam EB is projected through an electron optical system 12 comprising a converging electron lens, various deflectors and a shaping aperture (not shown), and through a mask 13 to a substrate 17 supported on an exposure stage 16.例文帳に追加

電子ビームEBは、収束用の電子レンズや各種の偏向器や成形アパーチャ等(図示せず)を介する電子光学系12、さらにマスク13を介して露光ステージ16に支持された基材17に照射される。 - 特許庁

例文

Based on the index signal a convergence york and a deflection york are controlled for automatically controlling the scanning position of the electron beam eB.例文帳に追加

このインデックス信号に基づいて、コンバーゼンスヨーク32および偏向ヨーク21が制御され、電子ビームeBの走査位置の自動制御が行われる。 - 特許庁

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