To improve the conventional method in which a quantum dot crystal of good quality cannot be obtained.例文帳に追加

従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

To provide a quantum well structure, semiconductor laser, spectral measuring instrument and method of manufacturing the quantum well structure in which performance of characteristics can be improved by accomplishing the quantum well structure in which a large crystal of In composition thicker than the prior art is made into quantum well layer.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

An intrinsic semiconductor layer is grown on a P-type semiconductor layer 70 and, after a plurality of quantum holes are formed in the intrinsic semiconductor layer, an indium-gallium-nitride(InGaN) is single-crystal grown in the quantum holes to fill the quantum holes with the InGaN, and a quantum hole layer 72 is formed in the layer 70.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体層７０上に真性半導体層を成長させ、該真性半導体層に複数のクアンタムホールを形成した後、クアンタムホール内には、インジウムガリウムニトリド（ＩｎＧａＮ）を単結晶成長させて充填し、クアンタムホール層７２を形成する。 - 特許庁

In a quantum well structure 12 with a quantum well layer 10 formed on an InP substrate, the quantum well layer 10 is crystal-grown at a temperature of ≥440°C and ≤510°C and the quantum well layer 10 has compression distortion of ≥2% and <10%.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上に量子井戸層１０が形成される量子井戸構造１２において、前記量子井戸層１０は４４０℃以上５１０℃以下の温度下で結晶成長し、該量子井戸層１０は２％以上１０％未満の圧縮歪を有した。 - 特許庁

SOLID-STATE NMR QUANTUM COMPUTER USING SEMICONDUCTOR CRYSTAL HAVING ISOTOPE SUPER-GRATING STRUCTURE例文帳に追加

同位体超格子構造を有する半導体結晶を用いた固体ＮＭＲ量子計算機 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, STRUCTURE OF QUANTUM WALL, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置 - 特許庁

This charge density wave quantum phase microscope is constructed by using a probe 12 made of a charge density wave crystal.例文帳に追加

電荷密度波結晶からなる探針１２を用いて電荷密度波量子位相顕微鏡を構成する。 - 特許庁

The active layer is such that quantum dots are formed in a photonic crystal (optical cavity).例文帳に追加

また、フォトニック結晶（光キャビティ）内に量子ドットを形成させたものを活性層として用いる。 - 特許庁

By this setup, quantum dots can be densely grown in crystal on a two-dimensional plane.例文帳に追加

これにより量子ドットを２次元面内に高密度に結晶成長させることができる。 - 特許庁

By this setup, quantum dots can be grown uniformly and densely in crystal in the two-dimensional plane.例文帳に追加

これにより量子ドットを２次元面内に均一且つ密に結晶成長させることができる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display of high efficiency and high definition which utilizes a phosphor comprising quantum dots.例文帳に追加

量子ドットからなる蛍光体を利用した、高効率かつ高精細の液晶ディスプレイの提供。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4.例文帳に追加

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 - 特許庁

First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a needle crystal consisting of the wave crystal is used to structure this charge density wave quantum interferometer.例文帳に追加

また、電荷密度波結晶からなる針状結晶を用いて電荷密度波量子干渉計を構成する。 - 特許庁

To solve such a problem that crystal growth while keeping a good crystal state is difficult when columnar quantum dot layers are stacked in multistage.例文帳に追加

コラムナ量子ドット層を多段に積み重ねる際に、良好な結晶状態を保って結晶成長させることが困難である。 - 特許庁

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer.例文帳に追加

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。 - 特許庁

The superconducting quantum arithmetic circuit is realized which does not use any amorphous material by constituting a Josephson junction of the superconducting quantum arithmetic circuit with a single-crystal nano-thin wire 103 between two superconductor electrodes 101 and 102 so as to prevent the quantum coherence from being lost owing to fluctuations caused in the circuit.例文帳に追加

超伝導量子演算回路のジョセフソン接合を、２つの超伝導体電極１０１、１０２間の単結晶ナノ細線１０３で構成し、非晶質材料を用いない超伝導量子演算回路を実現することで、回路に内在する揺らぎによる量子コヒーレンスの消失を防ぐ。 - 特許庁

The light-emitting lamination structure includes a quantum well layer of an In-containing group III-V mixed-crystal semiconductor, a pair of carrier confinement layers sandwiching the quantum well layer and having a band gap wider than that of the quantum well layer, and a pair of clad layers sandwiching the three layers and having a band gap wider than that of the carrier confinement layers.例文帳に追加

発光積層構造は、Ｉｎを含むＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる量子井戸層、量子井戸層を挟み、量子井戸層よりもバンドギャップの大きな一対のキャリア閉込層、この３層を挟み、キャリア閉込層よりもバンドギャップの大きな一対のクラッド層とを含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises an optical control part having a liquid crystal to modulates ultraviolet rays and an electrode to drive the liquid crystal and a luminous layer 17 which emits light by the ultraviolet rays passing the optical control part and includes a self light-emitting quantum dot having a quantum confinement effect with the ultraviolet inorganic phosphor.例文帳に追加

紫外線を変調する液晶及び液晶を駆動する電極を備える光制御部と、光制御部を通過した紫外線により発光し、紫外線無機蛍光体と量子孤立効果を有する自発光量子ドットを含む発光層とを備える液晶表示装置である。 - 特許庁

The topological crystal body of the transition metal chalcogenide keeps the physical properties on the macro-structured loop and is applied for a quantum element such as SQUID(superconducting quantum interference device).例文帳に追加

遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル結晶体は、その物性をマクロ構造のループに於いて保持しており、ＳＱＵＩＤなどの量子素子などに応用できる。 - 特許庁

To provide a technique capable of forming a fine and uniform quantum dot by making it possible to form a quantum dot having single crystal-grade determination property.例文帳に追加

本発明は単結晶級決定特性を持つ量子点形成を可能にさせて、微細で均一な量子点を形成することができる技術に関するのである。 - 特許庁

a quantum of energy (in a crystal lattice or other system) that has position and momentum and can in some respects be regarded as a particle発音を聞く 例文帳に追加

位置と運動量を持ち、ある観点からは粒子と見なすことができるエネルギー（結晶格子または他のシステムの）の量子 - 日本語WordNet

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a quantum dot having high crystal quality in high density.例文帳に追加

高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor crystal may have a structure having a double hetero junction or a structure having a quantum well structure.例文帳に追加

半導体結晶がダブルへテロ接合を有する構成でもよいし、量子井戸構造を有する構成でもよい。 - 特許庁

The quantum dot 611 is formed by crystal growing on In_yAl_1-yAs of 1.8-2.4 monolayers.例文帳に追加

量子ドット６１１は、１．８〜２．４モノレイヤーのＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＡｓを結晶成長することにより形成される。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having high-quality quantum well layer (active layer) crystal, exhibiting good high-temperature operating characteristics.例文帳に追加

本発明は、高品質の量子井戸層（活性層）結晶を有し良好な高温動作特性を有する光半導体装置を提供する。 - 特許庁

A quantum dot layer is formed on a cross-hatched crystal layer with its lattice coefficient different from that of the substrate and with its lattice strain relieved.例文帳に追加

本発明の骨子は、基板と格子定数が異なり格子歪緩和してクロスハッチングができた結晶層上に量子ドット層を形成する。 - 特許庁

To provide a phosphor with a luminescence quantum efficiency improved by increasing a transition intensity by intentionally breaking the reversal symmetry of a crystal field.例文帳に追加

意図的に結晶場の反転対称をくずして遷移強度を増大させることにより、発光量子効率が向上した蛍光体を提供する。 - 特許庁

The two-photon absorption crystal causes the two-photon absorption for the light in a specified Bell state by the quantum interference.例文帳に追加

２光子吸収結晶は量子干渉により特定のベル状態の光だけを２光子吸収をする。 - 特許庁

To reduce the spectrum width of a quantum dot ensemble by using a method other than crystal growth technology.例文帳に追加

本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。 - 特許庁

The photonic crystal layer 7 is stacked on the n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5, and is independent of the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 - 特許庁

To provide a step bunch single crystal sapphire inclined substrate suitable for a device including quantum structure like a SAW (Surface Acoustic Wave) filter.例文帳に追加

ＳＡＷフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor modulator has such a configuration that an InGaAs/InAlAs quantum well layer 3 is formed by arranging an InAlAs barrier layer which is lattice-matched with a substrate on both sides of an InGaAs compressively-strained quantum well layer which is formed as light absorption layer, on a semiconductor crystal InGaAs substrate 1 of ternary mixed crystal.例文帳に追加

半導体変調器を、３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓ基板１上に、光吸収層として、ＩｎＧａＡｓ圧縮歪量子井戸層の両側に、基板に格子整合するＩｎＡｌＡｓ障壁層を配したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層３を形成する構成とした。 - 特許庁

The dye-sensitized quantum dot solar cell includes a cathode electrode 10 and an anode electrode 30 which are disposed via an electrolyte solution 20 which contains redox species, where the cathode electrode 10 comes with a complex crystal film 13 having formed therein quantum dots comprised of metal nano-clusters capable of Plasmon resonance, thereby providing a high photoelectric conversion efficiency thanks to the quantum dots.例文帳に追加

酸化還元種を含む電解質液２０を介して配置されているカソード電極１０とアノード電極３０とを備え、カソード電極１０が、プラズモン共鳴が可能な金属ナノクラスタからなる量子ドットを形成した錯体結晶膜１３を有し、量子ドットにより高い光電変換効率を有する色素増感型量子ドット太陽電池を提供する。 - 特許庁

An optical waveguide 16 of the gain region is formed out of the quantum-well structure having an introduced bulk crystal or an introduced tensile strain, and an optical waveguide 18 of the saturable absorbing region is formed out of the quantum-well structure having an introduced tensile strain.例文帳に追加

利得領域の光導波路16は、バルク結晶あるいは伸張歪が導入された量子井戸構造で形成されており、可飽和吸収領域の光導波路18は伸張歪が導入された量子井戸構造で形成されている。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

The polymer dispersed display apparatus includes a polymer layer 13 and a plurality of liquid crystal drops 14 dispersed in the polymer layer, and quantum dots 15g, 15r emitting a plurality of specified colors of light are mixed in the liquid crystal drops.例文帳に追加

ポリマー層１３及び該ポリマー層内に分散された多くの液晶液滴１４を含み、特定色の光を発生させる量子ドット１５ｇ，１５ｒが液晶内に混合されている高分子分散型液晶ディスプレイ装置。 - 特許庁

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate.例文帳に追加

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。 - 特許庁

A magnetic semiconductor device 10 is made up of a substrate 11, composed of InP, a quantum well layer 13 composed of ZnSnAs_2 to which Mn is added and crystal-grown onto the substrate 11, and a set of barrier layers 12 and 14 composed of InAlAs and/or InGaAs, crystal-grown on the substrate 11, and sandwiching the quantum well layers 13.例文帳に追加

磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。 - 特許庁

Nitrogen is used for a carrier gas for growing the crystal of a well layer with a GaN/AlGaN or AlGaN/AlGaN quantum well structure and/or a substance including In is simultaneously supplied for the crystal growth so as to provide a compression strains to the well layer thereby controlling the magnitude and/or the sign of the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＮ／ＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子井戸構造の井戸層の結晶成長において、キャリアガスとして窒素を使用すること、および／またはＩｎを含む物質を同時供給することにより井戸層に圧縮性歪みを付与することにより、量子井戸構造の歪みの大きさおよび／または符号を制御する。 - 特許庁

An electron in a high-energy Bloch wave state in a crystal makes a transition to one of lower energy with the simultaneous emission of a quantum of radiation. This necessitates an interband transition of the fast electron.発音を聞く 例文帳に追加

結晶中の高エネルギーのブロッホ波状態にある電子は、放射量子の同時放出によって低エネルギーのブロッホ状態にある電子に遷移する。この過程は、高速電子のバンド内遷移を必要とする。 - 科学技術論文動詞集

A quantum of radiation interacts to create an excitation of a crystal such as phonon, plasmon or excitation with consequent loss or gain of energy.発音を聞く 例文帳に追加

放射線の量子は相互作用して、フォノン、プラズモンなどの結晶の励起または、結果として起こるエネルギーの損失または獲得を伴う励起を生成する。 - 科学技術論文動詞集