「"かまくち"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲート酸化膜中の窒素濃度判定方法例文帳に追加

JUDGMENT METHOD FOR NITROGEN CONCENTRATION IN GATE OXIDE FILM - 特許庁

コークス炉炭化室の窯口炉底構造例文帳に追加

OVEN BOTTOM STRUCTURE AT OVEN PORT OF COKE OVEN CARBONIZATION CHAMBER - 特許庁

コークス炉の窯口密閉方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR TIGHTLY CLOSING OVEN OUTLET OF COKE OVEN - 特許庁

コークス炉窯口切削法及び装置例文帳に追加

CUTTING METHOD FOR COKE OVEN PORT AND APPARATUS THERFOR - 特許庁

各焼成室はもっとも下が「大口」と呼ばれる燃焼室（窯口）である。例文帳に追加

The lowest chamber is the firebox (the kiln mouth), known as an "Oguchi."  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

室炉式コークス炉の窯口構造として、操業によるコークス押出負荷や熱負荷の影響下でも、窯口金物に緩みや脱落が生じることを的確に防止できる窯口構造を提供する。例文帳に追加

To provide a kiln mouth structure which can exactly inhibit slack and defluxion from arising at a kiln mouth metallic material even under the influence of coke extrusion load or heat load by operation as a kiln mouth structure of a chamber oven. - 特許庁

この結果、シリコン酸窒化膜中の表面近傍に、更に窒素が導入される。例文帳に追加

As a result, nitrogen is introduced near the surface of the silicon oxynitrided film. - 特許庁

成膜温度を増加させることなく、窒化膜中の塩素含有量を低減する。例文帳に追加

To reduce the content of chlorine in a nitride film without increasing the film deposition temperature. - 特許庁

シリコン基板表面に存在する表面酸化膜中の金属不純物分析方法例文帳に追加

METAL IMPURITY ANALYTICAL METHOD IN SURFACE OXIDE FILM EXISTING ON SILICON SUBSTRATE SURFACE - 特許庁

コークス炉窯口の補修方法およびコークス炉窯口補修用高所作業車例文帳に追加

METHOD OF REPAIRING OVEN PORT OF COKE OVEN AND HEIGHT WORK VEHICLE FOR REPAIRING OVEN PORT OF COKE OVEN - 特許庁

シリカ膜中に含まれる気孔の濃度によって屈折率を制御した反射防止膜。例文帳に追加

The refractive index of a silica film is controlled in accordance with the density of pores contained in the silica film to obtain the objective antireflection film. - 特許庁

任意の温度で自由エネルギーが小さい酸化物を不純物として含んだシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜中の酸化物のみを選択的に還元除去しシリコン酸化膜中に空孔を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film, that contains oxides having a small free energy at an optional temperature as impurities, is formed, and only the oxides contained in the silicon oxide film are selectively removed through reduction, to form voids inside the silicon oxide film. - 特許庁

補修すべき炭化室の稼動停止時間を短縮することが可能で、かつ補修後の窯口部炉壁の寿命を長くすることが可能なコークス炉窯口部炉壁用レンガを提供する。例文帳に追加

To provide brick for the oven wall of a coke oven port capable of shortening the operation halt time for a carbonizing chamber to be repaired and also enabling the service life of the oven wall after repaired to be extended. - 特許庁

前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、１０^19／ｃｍ^3以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The bond between the metallic atom and the nitrogen in the metallic acid nitride film is 10^19/cm^3 or less. - 特許庁

特にシリコン炭化窒化膜中の窒素濃度が１０ａｔｍ％以上３５ａｔｍ％未満であるとき極めて効果が大きい。例文帳に追加

Particularly, the effect becomes extremely high when the nitrogen concentration in the silicon carbonitride film is ≥10 atm% and <35 atm%. - 特許庁

シリコン酸化膜中に導入する窒素の窒素濃度及び偏析位置を制御する工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus including a step at which the nitrogen concentration of nitrogen injected into a silicon oxide film and a segregation position are controlled. - 特許庁

また、過酸化水素水も含まれており、これがシリコン酸化膜中に含まれる金属を酸化して溶解する。例文帳に追加

The hydrogen peroxide is also contained therein, and oxidizes metal contained in the silicon oxide film to dissolve it. - 特許庁

無孔質陽極酸化膜７を形成後、再度、陽極酸化を行い、陽極酸化膜中に形成された穴８を修正する。例文帳に追加

After formation of a non-porous anode oxide film 7, anode oxidation is carried out again and a hole 8 formed in an anode oxide film is modified. - 特許庁

容量とトランジスタとの段差を低減し、トランジスタのゲート酸化膜中への水素の侵入を防止する。例文帳に追加

To prevent the entrance of hydrogen into the gate oxide film of a transistor by reducing the level difference between a capacity and the transistor. - 特許庁

この酸化膜の除去によって、酸化膜中に捕獲されていたボロンがアンチモン拡散の前に除去される。例文帳に追加

By the removal of the oxide film, boron atoms trapped in the oxide film is removed prior to the antimony diffusion. - 特許庁

陽極酸化膜中のトラップサイトを低減する方法により、残像が低減し、高信頼性かつ長寿命の画像表示装置を提供する例文帳に追加

To provide an image display device having high reliability and a long lifetime, using a method for reducing trap sites in an anodic oxide film to reduce afterimages. - 特許庁

酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating substrate, capable of promoting introduction of nitrogen in an oxide film, thereby improving the permittivity and the reliability of the oxide film. - 特許庁

鉄皮を取り外さずに窯口レッジの脱落を補修でき、しかも材料費を節減できるコークス炉の炉壁補修方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of repairing a coke oven wall capable of repairing the fall of an oven inlet ledge without removing an iron skin, and economizing material cost. - 特許庁

本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。例文帳に追加

That is, by making the silicon oxide film contain Kr in it, stresses are relaxed in the silicon oxide film and the interface between the silicon oxide and a silicon. - 特許庁

平坦化膜５に接するようにして超親水性薄膜４を形成し、平坦化膜中に含有する水分を効率的に除去する。例文帳に追加

A superhydrophilic thin membrane 4 is formed to be contacted with the planarizing membrane 5, and the moisture contained in the planarizing membrane is efficiently removed. - 特許庁

簡便な方法で表面酸化膜中に含まれる金属不純物を回収し、かつ高い感度で検出し得る。例文帳に追加

To recover a metal impurity included in a surface oxide film by a simple method, and to detect it with high sensitility. - 特許庁

これにより、得られる硬化膜中に気泡が残存したり、ボイドが形成されたりすることが十分に抑制される。例文帳に追加

Thus, remaining bubbles and void formation in the cured film are sufficiently inhibited. - 特許庁

酸化膜が薄いので、高エネルギー線照射により酸化膜中で発生する電子−正孔対が少なくなる。例文帳に追加

Since the oxide film is thin, electron-hole pairs are reduced which are generated in the oxide film by irradiation with high-energy beams. - 特許庁

炉蓋のドアフレームがバックステーで締付けられた保護板によって保護されている形式のコークス炉において、プロテクションレッジ３７と、プロテクションプレート３８と、ヘッドプレート３４と、およびドアフレーム３５とで囲まれる空間が窯口部の燃焼室側に存在していることを特徴とするコークス炉の窯口構造およびこれを用いたコークスの長期安定製造方法を提供する。例文帳に追加

The oven outlet structure of the coke oven of form in which the door frame of an oven lid is protected with a protection plate tightened with a backstay is characterized in that a space surrounded with a protection ledge 37, a protection plate 38, a head plate 34, and a door frame 35 exists on the combustion chamber side of the oven outlet portion, and a method for stably producing coke for a long period with the same. - 特許庁

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする事を特徴とする。例文帳に追加

Thereby, despite of forming the silicon oxide film at a low temperature, the silicon oxide film of a high quality is formed to make not larger than 30% the unevenness of its thickness in the surface of a silicon present in the sidewall portion of the recessed portion of an element isolation region. - 特許庁

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。例文帳に追加

This allows the high-quality silicon oxide layer to be formed regardless of being formed at the low temperature, and uniformity of the thickness of the silicon oxide layer to be within 30% on the silicon surface of the side wall section of the recess in the element isolation region. - 特許庁

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。例文帳に追加

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film. - 特許庁

基体表面にナトリウム及びアルミニウムを含むシリカ膜を形成すると、シリカ膜中に存在するナトリウム及びアルミニウムの作用によって、シリカ膜が安定して優れた親水性を発揮する。例文帳に追加

The sodium- and aluminum-containing silica membrane formed on the substrate surface is stable and exhibits an excellent hydrophilicity by the action of sodium and aluminum present in the silica membrane. - 特許庁

蓄積窒化膜中に情報をホットエレクトロンの形で書き込む不揮発性半導体記憶装置において、書き込まれる多値情報の種類を増大させる。例文帳に追加

To increase the types of multi-valued data written in a non-volatile semiconductor memory device where data are written in a storage nitride film in the shape of hot electrons. - 特許庁

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。例文帳に追加

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate. - 特許庁

金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。例文帳に追加

To reduce a residue of a chlorine atom and an oxygen atom in a metal nitride film to improve the oxidation resistance of the metal nitride film in the temperature range that does not deteriorate the property of other films adjacent to the metal nitride film. - 特許庁

ソース、ドレインのそれぞれ直上のシリコン窒化膜中に捕獲した電子による情報が容易に失われたり、書き換わったりしない不揮発性記憶半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile storage semiconductor device, in which information is not lost or rewritten readily by an electron captured into a silicon nitride film directly above the source and drain. - 特許庁

酸素を含むガスは、エキシマ光のフォトンエネルギーにより、ラジカル酸素またはオゾン（Ｏ_３）となり、例えばＴＥＯＳ中の炭素（Ｃ）等と反応して、ウエハ酸化膜中の有機系不純物を減少させる。例文帳に追加

The gas containing the gas becomes radical oxygen or ozone (O3) due to the photon energy of the excimer beams, reacts with carbon (C) or the like, for example in TEOS, and decreases organic impurities in a wafer oxide film. - 特許庁

Ｎｃｈ−Ｔｒ及びメタル容量上には、トランジスタのゲート酸化膜中に、水素が侵入するのを防止するための層間窒化膜１６が形成されている。例文帳に追加

On the transistor Nch-Tr and metal capacity, an interlayer nitride film 16 is formed in the gate oxide film of the transistor Nch-Tr for preventing the entrance of hydrogen. - 特許庁

フォトリソグラフィ工程等における大掛かりな装置や多数の工程を必要とせず、より簡便に短時間で酸化膜中の不純物、特に可動イオンを評価することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of evaluating an impurity, especially, movable ions in an oxide film more simply for a short time without needing a large scale apparatus or many steps of the photolithography process, etc. - 特許庁

半導体材料・炭化珪素の熱酸化で形成されるMOS構造において酸化膜中固定電荷及び酸化膜・炭化珪素間界面準位の低減を図る。例文帳に追加

To reduce a fixed charge in an oxidized film and an interface level between the oxidized film and silicon carbide in MOS structure formed by the thermal oxidation of a semiconductor material and silicon carbide. - 特許庁

酸化膜中の水分を取り除くとともに、結晶化した後の強誘電体に大気中の水分が直接付着することを完全に防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for removing moisture in an oxide film, and for completely preventing moisture in atmosphere from being directly adhered to a crystallized ferroelectrics. - 特許庁

基体表面にナトリウムを含むシリカ膜を形成すると、シリカ膜中に存在するナトリウムの作用によって、シリカ膜が撥油性を呈することとなり、基体表面に撥油性が付与される。例文帳に追加

By the action of sodium existing in the silica film containing sodium and formed on the surface of the base body, the silica film exhibits oil repellency to give the oil repellency to the surface of the base body. - 特許庁

ゲート酸化膜中への電子−正孔対の捕獲を抑制し、入力保護回路による効率的な電荷の引き抜きが可能な、半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the capture of an electron-hole pair in a gate oxide film can be prevented and electric charge can be efficiently drawn out by an input protection circuit. - 特許庁

ＳＩＭＯＸタイプの半導体ウエハにおける埋め込み酸化膜中のピンホールを短時間で非常に効率良く容易に計測し評価することが可能な半導体ウエハの評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method for a semiconductor wafer that can quickly, efficiently, and easily measure and evaluate a pin hole in an embedded oxide film in an SIMOX type semiconductor wafer. - 特許庁