「"せつごうおんど"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒化アルミニウム焼結体の接合において、低い接合温度でも良好な接合状態を得る。例文帳に追加

To obtain a good bonding state even at a low bonding temperature in bonding of aluminum nitride sintered bodies. - 特許庁

すなわち、この温度測定方法では、予め測定した立ち上がり時間ｔｖと接合温度との関係特性に基づいて、測定したターンオフ特性時間を、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度に換算している。例文帳に追加

Namely, in the temperature measuring method, a measured turn-off characteristic time is converted into the joining temperature of SiC GTO based on a relation characteristic between the rising time tv measured beforehand and the joining temperature. - 特許庁

すなわち、この温度測定方法では、予め測定した蓄積時間ｔｓと接合温度との関係特性に基づいて、測定したターンオフ特性時間を、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度に換算している。例文帳に追加

In the temperature measurement method, the measured turn off characteristic time is converted into the junction temperature of the SiC GTO, based on the relational characteristic between previously measured accumulated time ts and junction temperature. - 特許庁

製造プロセス、電源電圧、接合温度等の変動要因を補償して、センスアンプの動作マージンの低下を防止する。例文帳に追加

To prevent reduction of operation margin of a sense amplifier by compensating variation factors such as manufacturing process, power supply voltage, junction temperature. - 特許庁

ポリアミド酸を必須成分とし、これにより得られる半田接合用レジストの、半田接合温度における溶融粘度を５０Ｐａ・ｓ以下にする。例文帳に追加

Polyamide acid is used as an essential component, and the melt viscosity in soldering temperature of the resist for soldering obtained thereby is controlled to ≤50 Pa.s. - 特許庁

過熱保護機能を有し且つ温度が定格最高接合温度を越える可能性のある用途に用いることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is possessed of an overheating protective function and can be applied for uses where an operating temperature may exceed a rated maximum bonding temperature. - 特許庁

一対の鉄鋼材料を突き合わせ、接合部を鉄鋼材料の融点より低い接合温度に加熱する。例文帳に追加

A pair of steel materials are butted, the joint is heated in a connecting temperature lower than melting point of the steel materials. - 特許庁

配線パターンと光モジュールとを電気的に接続するための接合材料の接合温度を７０〜１２０℃の範囲とする。例文帳に追加

The joining temperature of a joining material for electrically joining a wiring pattern and an optical module is set in the range of 70 to 120°C. - 特許庁

絶縁リングと陰極金具との熱圧接合温度について、できる限り簡易、かつ、正確に管理することができる熱圧接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thermo-compression bonding method capable of controlling a thermo-compressing bonding temperature between an insulating ring and a cathode metal fitting as easily and accurately as possible. - 特許庁

シリコンとの熱膨張係数差を最小限に抑え、陽極接合温度を２５０℃以下である陽極接合用結晶化ガラスを提供すること。例文帳に追加

To provide a crystallized glass for anodic bonding whose temperature for anodic bonding is 250°C or less, that minimizes heat expansion coefficient difference between a silicon and the glass. - 特許庁

そして、加圧処理工程（Ｅ）で、シリコンウエハ２４とシリコンウエハ３８とを、前記の加熱温度よりも高い接合温度の下で加圧して接合する。例文帳に追加

Then, in a pressuring process (E), both silicon wafers 24, 38 are pressurized at a joining temperature higher than the heating temperature to be joined together. - 特許庁

本発明材は、接合温度は通常のはんだ接合温度と同じであるにも関わらず、接合後はリフローより高い温度でも高温強度を確保しつつ、余分の溶融Ｓｎが流れ出さない接合部を得られる材料を提供する。例文帳に追加

To provide a material capable of obtaining a soldered part from which any excessive molten Sn does not overflow while ensuring the high-temperature strength even at the temperature higher than the reflow temperature after the soldering while the soldering temperature is equal to the normal soldering temperature. - 特許庁

選択的に金属担持電極触媒材料を選択することで、接合温度を制御しながら、高温度で接合処理したのと同等な触媒層を形成することを目的とする。例文帳に追加

To form a catalyst layer equal to that joining-treated at high temperature while controlling joining temperature by selecting a metal carrying electrode catalyst material. - 特許庁

電極１２及びリード２２に対する加圧の開始時又は開始後に、電極１２及びリード２２の接合温度以上に、電極１２及びリード２２の接合部を昇温する。例文帳に追加

The junction between the electrode 12 and the lead 22 is raised in its temperature above a junction temperature between the electrode 12 and the lead 22 upon or after starting pressurization to the electrode 12 and the lead 22. - 特許庁

接合温度が低温であっても、銅合金と中間形成層との界面での破壊を効果的に防止して、接合信頼性をより一層向上させたベリリウムと銅合金のＨＩＰ接合体を得る。例文帳に追加

To obtain a HIP joined body of beryllium and a copper alloy moreover improved in joining reliability by effectively preventing rupture in the boundary between the copper alloy and an intermediately formed layer even in the case of low joining temperature. - 特許庁

半導体素子をフリップチップ接続する際の接合温度を低下させ、半導体素子と基板との間に作用する熱応力を低減させて半導体素子と基板との接合信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance bonding reliability of a semiconductor element and a substrate by lowering the bonding temperature when flip-chip bonding of a semiconductor element is performed thereby reducing thermal stress acting between the semiconductor element and the substrate. - 特許庁

誘導加熱デバイス３４はダイ取付けポジションにおいて基板の金属材を、ダイの金属材上への取付けに先立って共晶接合温度まで加熱する。例文帳に追加

An induction heating device 34 heats the metal material of the substrate up to the eutectic bonding temperature prior to mounting the same on the metal material of the die at the die mounting position. - 特許庁

そして、インサート材箔５０の融点以上で、しかも各部品間の接合部分の軟化が生じない９００〜１３００℃の接合温度を付与し、その後、冷却する。例文帳に追加

The junction temperature of not less than the melting point of the insertion material foil 50 and of 900 to 1300°C so as not to soften the junction parts between each parts is applied, and each parts is cooled afterward. - 特許庁

更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride bonded body obtaining an excellent bonding state at a relatively low bonding temperature and unnecessary to press in bonding process and a manufacturing method of the same. - 特許庁

母材１，２の液相拡散接合（液相拡散接合温度への昇温）により、その突合せ端部に形成される熱影響部１Ａ，２Ａは焼入れ状態になっている。例文帳に追加

The heat affected zones 1A and 2A formed in a butted end are hardened by the liquid phase diffusion welding (temperature rise to the liquid phase diffusion welding temperature) of base materials 1 and 2. - 特許庁

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としての蓄積時間ｔｓは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。例文帳に追加

This temperature measurement method for measuring the junction temperature of a SiC GTO by utilizing the large temperature dependency of the accumulation time ts as the turn off characteristic time of the semiconductor switching element SiC GTO. - 特許庁

半導体装置の接合温度を精度よくかつ遅滞なく検知できる半導体装置の温度測定方法および半導体装置の温度測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a temperature measuring method of a semiconductor device and a temperature measuring device of the semiconductor device capable of detecting a joining temperature of the semiconductor device accurately without delay. - 特許庁

そこで、この熱影響部１Ａ，２Ａを誘導加熱コイル５ａにより再加熱して、液相拡散接合温度よりも低い焼戻し温度（熱処理温度）に昇温する。例文帳に追加

The heat affected zones 1A and 2A are re-heated with an induction heating coil 5a to raise the temperature to the tempering temperature (the heat treatment temperature) lower than the liquid phase diffusion welding temperature. - 特許庁

通常のアルミニウム材同士の接合温度より低い３８０〜５００℃という低温度で接合しても、その接合界面に発生するボイドを極めて少なくすることができるアルミニウム材の接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of joining aluminum materials for reducing voids produced in a joined interface as far as possible even when aluminum materials are joined at a low temperature of 380-500°C which is lower than the normal joining temperature of aluminum materials. - 特許庁

Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。例文帳に追加

To provide a connection material in which the joining temperature of a Zn/Al clad material is reduced, thus residual thermal stress in a using temperature region is reduced, and reliability of the joint can be improved. - 特許庁

ヒートシンク接合工程における接合温度を低く設定しても、ヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a substrate for a power module with a heat sink wherein the heat sink and a second metal plate can be tightly bonded with each other even when a bonding temperature of a heat sink bonding step is set low. - 特許庁

実装部品と、被実装部品との超音波接合において、簡易な構成で、接合部分に超音波振動を的確に付与でき、かつ、適切な接合温度に維持できる実装装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mounting apparatus that can give supersonic vibration to a junction accurately in a simple structure and can maintain proper junction temperature in a supersonic bonding between a mounting component and a component being mounted. - 特許庁

ダイ取付けポジションにおけるダイと金属材との間の接合を容易にするべく共晶接合温度まで金属材を加熱するためにそれを通って基板が移動できる加熱管路２２が設けられる。例文帳に追加

To facilitate the bonding between the die and the metal material at a die mounting position, a heating tube path 22 through which the substrate can pass is provided to heat the metal material up to an eutectic bonding temperature. - 特許庁

更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum nitride bonded body obtainable of a good bonding state even at a further lower bonding temperature and unnecessary to be pressed in a production step, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

簡易な構成で、実装部品と被実装部品との接合部分に超音波振動を的確に付与でき、かつ、適切な接合温度に維持できる実装装置を提供する。例文帳に追加

To provide a mounting device that is simply configured and is capable of properly applying supersonic vibrations to a bonding portion between a mounting component and a mounted component and of maintaining an appropriate bonding temperature. - 特許庁

接合材６を低融点金属材と多孔質金属体の複合接合材とすることにより、接合温度で完全な流動体とはならず、低応力で組成変形すると共に濡れ性が高いものとする。例文帳に追加

A bonding material 6 is made of a composite material of a metal having a low melting point and a porous metal, and thus is not made completely fluid at a bonding temperature but is compositely changed by a small stress and has high wettability. - 特許庁

基板上に実装されるワークを把持する把持装置において、ワークを基板へ実装したときの接合部温度を検知し、最適な接合温度によるワークと基板との接合を可能とする把持装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gripping device which achieves the bonding of a workpiece and a substrate at an optimum bonding temperature by detecting the temperature of a bonded portion when the workpiece is mounted on the substrate, in the gripping device to grip the workpiece to be mounted on the substrate. - 特許庁

窒化物セラミックスからなる母材と接合相手部材を低い接合温度で接合することができ、しかも良好な接合部が得られる複合材を提供する。例文帳に追加

To provide a composite material in which a base material comprising nitride ceramics and a nitride ceramic member to be joined can be joined at a low joining temperature and a good joint is obtained. - 特許庁

実装プロセス中の接合過程において接合温度の低温化を達成でき、接合後の有機物残渣が少ない接合プロセスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a joining process where the reduction of joining temperature is attained in a joining stage of a packaging process, and organic matter residue after joining is reduced. - 特許庁

第一および第二金属層３、５と該金属層３、５の間に位置するセラミック層４とを含む少なくとも１つのＤＣＢ積層構造が、直接接合温度にまで加熱することで支持体１の分離層２上に形成される。例文帳に追加

At least one DCB laminate structure including first and second metal layers 3 and 5 and a ceramic layer 4 disposed between the metal layers 3 and 5 is formed on a separate layer 2 of a base 1 by heating directly up to bonding temperature. - 特許庁

簡単な構成で、十分な接合強度を得ることが可能となり、圧着バンプ形状をほぼ円形に保ち、かつ、基板依存性をなくし、また、接合温度の低温化を図る。例文帳に追加

To obtain sufficient junction strength with a simple configuration, to maintain nearly the circular crimp bump shape, at the same time, to eliminate board dependency, and to reduce junction temperature. - 特許庁

低融点化を図ることにより、大気中でもフラックスを用いないで接合温度を低く設定することができる大気接合用ろう材、そのろう材を用いることにより接合され、良好な気密性や接合強度を有することができる接合体および集電材料を供給する。例文帳に追加

To provide: a brazing material for bonding in atmosphere, which has a low melting point and therefore can have a low bonding temperature in atmosphere without using any flux; a bonded article which is bonded using the brazing material and can have good air tightness and bonding strength; and a current collecting material. - 特許庁

熱制御＆温度監視システム（ＨＣＴＭＳ）により、コンポーネントの接合温度は温度センサを用いて監視され（４０３）、コンポーネントに固有の零入力漏れ電流により自己加熱特性を増強するように、印加電力が増加される（４０４）。例文帳に追加

By a heat control and temperature monitoring system (HCTMS), a jointing temperature of components is monitored using a temperature sensor (403), and an applied power is increased so that a self heating characteristics is enhanced by a zero input leakage current specific to the component (404). - 特許庁

接合体１０は、第１のセラミックス部材１１と、第２のセラミックス部材１２と、軟質金属を含み、その軟質金属の液相線未満の接合温度において熱圧接することにより、第１のセラミックス部材１１及び第２のセラミックス部材１２を接合する接合層１３とを備える。例文帳に追加

The joined product 10 is equipped with a first ceramic member 11, a second ceramic member 12 and a joining layer 13 that contains a flexible metal and joins the first ceramic member 11 and the second ceramic member 12 through the thermocompression bonding at a joining temperature lower than the liquidus of the flexible metal. - 特許庁

該ターゲット材とバッキングプレート材とを、０．１Ｐａ以下の真空雰囲気中、４００℃〜５００℃の接合温度、５０ＭＰａ以下の接合時負荷圧力及び２時間以内の接合時間で、ターゲット材の組織制御熱処理工程と固相拡散接合工程とを同時に行うこと。例文帳に追加

As to the target material and backing plate material, a structural control heat treating process for the target material and a solid phase diffusion joining process are simultaneously performed at a joining temperature of 400 to 500°C under the joining load pressure of ≤50 MPa for a joining time of ≤2 hr in a vacuum atmosphere of ≤0.1 Pa. - 特許庁

静電型アクチュエータの製造にあたって、高精度のギャップ制御が可能な直接接合を行なう際の問題点である非常に高い接合温度を、低くすることを可能とするとともに、必要強度を達成できるような静電型アクチュエータの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electrostatic actuator wherein an extremely high bonding temperature which is of a problem in the case where direct bonding capable of highly accurate controlling of a gap is performed, can be lowered and a necessary strength can be achieved. - 特許庁

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としてのアノード-カソード間電圧Ｖａｋの立ち上がり時間ｔｖは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。例文帳に追加

In this temperature measuring method of the semiconductor device, the joining temperature of SiC GTO is determined by utilizing the fact that a rising time tv of a voltage Vak between an anode and a cathode as a turn-off characteristic time of SiC GTO which is a semiconductor switching element has high temperature dependency. - 特許庁

本発明の目的は、接合温度の上昇に起因する熱的損傷や接合部内に発生する空隙に起因する放熱性低下の問題を解決した、Ｐｂを含有しない新規なロウ材シートとその製造方法ならびに電子部品用パッケージを提供することである。例文帳に追加

To provide a Pb-free new brazing filler metal sheet in which the problems on thermal damage caused by the increase of joining temperature and the reduction in heat radiability due to a gap caused in a joint are solved, to provide its production method, and to provide a package for electronic parts. - 特許庁

複数の窒化アルミニウム焼結体間に、酸化カルシウムアルミニウム、又は、酸化カルシウム及び酸化アルミニウムを含み、希土類元素が５重量％未満である融材と、窒化アルミニウム粉末とを含む接合剤を介在させ、１５００℃以下の接合温度で加熱する。例文帳に追加

A bonding agent comprising a flux containing calcium oxide aluminate or calcium oxide and aluminum oxide and containing less than 5 wt.% rare-earth elements, and aluminum nitride powder, is interposed between a plurality of aluminum nitride sintered bodies and these are heated at a bonding temperature of 1,500°C or less. - 特許庁

セラミックス基板１に銅板２、３を直接接合法で接合して構成した金属−セラミックス複合基板に、室温から更に過冷却し再び室温に戻す温度サイクルを与えることにより、接合温度から室温に冷却する過程で発生する熱応力に起因する金属−セラミックス複合基板の残留応力を除去する。例文帳に追加

A metal-ceramic composite substrate constituted by bonding copper plates 2 and 3 to a ceramic substrate 1 by a direct bonding method is subjected to a temperature cycle of supercooling from a room pressure and returning to the room temperature again to remove the residual stress of the metal-ceramic composite substrate resulting from a heat stress occurring in a process for cooling from the bond temperature to the room temperature. - 特許庁