「"6次"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

次いで、真空紫外線吸収材料からなる被処理部材７を、レジストパターン６を覆うようにして基板２の主面２Ａ上に形成する。例文帳に追加

A work 7 formed of a vacuum ultraviolet ray absorbing material is formed on the main surface 2A of the substrate 2 so as to cover the resist pattern 6. - 特許庁

次いで、レジスト膜３に現像処理を施すことにより、露光パターン５を選択的に除去してレジストパターン６を形成する。例文帳に追加

By developing the resist film 3, the exposure pattern 5 is selectively removed to form a resist pattern 6. - 特許庁

次に、誘電体層６上の隣り合った表示電極対間の領域の上方の位置に遮光材料層１６を形成する。例文帳に追加

A light shielding material layer 16 is formed in a position above the area between adjacent display electrodes on the dielectric layer 6. - 特許庁

次いで、ユーザ情報データベース６から上記船荷証券の荷送人（顧客）に関するユーザ情報を取得する。例文帳に追加

Next, the server 4 acquires user information about the shipper (client) of the bill of lading from a user information database 6. - 特許庁

次に、接続対象ストレージ装置５の１スライス分のデータを、既接続ストレージ装置６にコピーする。例文帳に追加

Next, data corresponding to one slice of the connection target storage device 5 are copied to the already connected storage device 6. - 特許庁

次にタイマ割り込み待ち（ステップ４）、カウントダウン（ステップ５）と実施し、カウントダウン表示（ステップ６）により減算された値を画面表示する。例文帳に追加

Next, waiting of timer interruption (step 4) is performed with counting down (step 5) to screen-display a subtracted value by count down display (step 6). - 特許庁

次に、多結晶シリコン膜１２を単結晶シリコン層８の表面から金属膜８の表面に亘って薄く形成する。例文帳に追加

A polycrystal silicon film 12 is formed thin on the surface of a metal film 8 from the surface of the single crystal silicon layer 6. - 特許庁

次いで、当該金属パイプ５から金属芯材４を抜き取れば、その金属パイプ５の内径通路がベントホール６を形成する。例文帳に追加

Subsequently, if the metal core material 4 is pulled out of the metal pipe 5, the inner diameter passage of the metal pipe 5 forms a vent hole 6. - 特許庁

次に、強電界ドリフト層６’の表面に水素ラジカルを照射することで強電界ドリフト層６’中の欠陥をパッシベーションする。例文帳に追加

A defect in the strong field drift layer 6' is passivated, by applying a hydrogen radical on a surface of the strong field drift layer 6'. - 特許庁

次いで、低融点ガラス薄膜５をシリコン基板６に当接させて、シリコン基板６と第二ガラス基板との間に電圧を印加する。例文帳に追加

Further, a voltage is impressed between a silicon substrate 6 and the second glass substrate 4 while bringing the low melting glass thin film 5 into contact with the silicon substrate 6. - 特許庁

次いで、真空チャンバ６内の真空度を高めることにより、ブランケット２に滲み込んだインキの溶剤をブランケット２から吸引し、除去する。例文帳に追加

Next, the ink solvent permeating the blanket 2, is sucked and removed from the blanket 2 by increasing the degree of vacuum inside the vacuum chamber 6. - 特許庁

次に、国籍判定装置５は、国籍情報ＤＢ６から抽出された個々の国籍情報に基づいて人物の最終的な国籍を判定する。例文帳に追加

Next, the nationality decision device 5 decides the final nationality of a person based on the individual nationality information extracted from the nationality information DB 6. - 特許庁

次いで、フラックス成分含有樹脂層を硬化させることにより、フィレット状の第１の樹脂層６が形成される。例文帳に追加

Then, the resin containing flux constituent layer is cured, thus forming the fillet-like first resin layer 6. - 特許庁

次いで、（Ｃ）に示す様に、上記ゴムシート４を収縮させて、上記粘土５の上面及び上記表面層６に皺を寄せる。例文帳に追加

Subsequently, the rubber sheet 4 is shrunk to wrinkle the upper surface of the clay 5 and the surface layer 6. - 特許庁

次に、分離基板６の端面電極５の近傍に熱風を吹付けることによって局所的に加熱する。例文帳に追加

Subsequently, the separated substrate 6 is locally heated by blowing hot air in the vicinity of end electrodes 5 of the separated substrate 6. - 特許庁

次いで、振動子１Ａをエッチング処理することによって、第一の開口部６に対応して振動片に凹部を形成する。例文帳に追加

Moreover, etching processing is applied to a vibrator 1A to form a recessed part in the vibration reed corresponding to the first opening 6. - 特許庁

次に、位置測定用溝Ｇｐを形成し（ステップ５）、その基準面Ｏからの距離ＯＧｐを測定する（ステップ６）。例文帳に追加

Next, the groove Gp for position measurement is formed (step 5), and a distance OGp from a reference plane O is measured (step 6). - 特許庁

次の夜では、フラッシュメモリデバイス７のデータとハードディスク６のデータとが一致するように、差分をコピーする。例文帳に追加

In the next nighttime, difference is copied so that the data in the flash memory device 7 is matched to the data in the hard disk 6. - 特許庁

次に、ＳｉＯ_2膜６の上に堆積した余分な多結晶シリコン９をエッチバックして、ＳｉＯ_2膜６を露出させる。例文帳に追加

Then excessive polycrystalline silicon 9 deposited on the SiO2 film is etched back for exposing the SiO2 film 6. - 特許庁

次に、コア６を観察してモニタリング供試体７の設置位置を決定するとともに、コア６の塩化物量を測定する。例文帳に追加

Next, the core 6 is observed not only to determine the installation positions of monitoring test specimens 7 but also to measure the amount of the chloride of the core 6. - 特許庁

次に太陽熱温水パネル６の下に、保温タンク１２、通信機付き電力メーター１３、充電装置１４を設ける。例文帳に追加

Then, a heat-retention tank 12, an electric power meter 13 including a communication device and a charging device 14 are provided below the solar heat hot water panel 6. - 特許庁

次いで、テーブル３，４のＸ軸方向の移動に伴い、版５と印刷対象６のＸ軸方向の位置を補正させる。例文帳に追加

Then, with the movement in the X axis direction of the tables 3, 4, the position in the X axis direction is corrected for the plate 5 and the printing target 6. - 特許庁

第１の条件式は6次拡大体Fq^6の元がT2(Fq^r)の元であるという第１の性質に基づく。例文帳に追加

The first conditional expression is based on a first property that the elements of a sixth degree extension field Fq^6 are the elements of T2(Fq^r). - 特許庁

次に、リボンガイド１５を下降させてリボン材１４の被加熱部１４ａを被覆線６に接触させる。例文帳に追加

Then the ribbon guide 15 is lowered until the part 14a is brought into contact with the covered wire 6. - 特許庁

次にＩＧＢＴ８がオフするとリアクタ電流ｉ_Lはダイオード４を通ってコンデンサ５を充電し、負荷６に供給される。例文帳に追加

Then, when the IGBT 8 is turned off, the current iL is charged in the capacitor 3 through the diode 4, and supplied to a load 6. - 特許庁

次に、ショートカット情報記憶６より参照された文書の文書ＩＤがリンク先文書ＩＤであるショートカットＩＤを検索する。例文帳に追加

Then such shortcuts ID in which the document ID of the document having been referred to is the link destination document ID are retrieved from the shortcut storage 6. - 特許庁

次いで、金属を除去した後の小径プラスチックを風力選別工程６によって、プラスチックと、プラスチック以外の残渣とに分別する。例文帳に追加

Next, the small-sized plastics 2c from which metals were removed are sorted into are plastics and the residual other than plastics in a wind force selection process 6. - 特許庁

次に、第１の窒化膜３の領域に達するまで異方性エッチングを行い、第１の開口部６を設ける。例文帳に追加

Then, an anisotropic etching process is carried out as far as the first nitride film 3 to provide a first opening 6. - 特許庁

次に，車内送受信装置２は，家６内にある第一受信側送受信装置７に前述情報を送信する。例文帳に追加

Then the in-vehicle transmitter-receiver 2 transmits the information to a 1st receiver side transmitter-receiver 7 in a house 6. - 特許庁

次いで、整列部材６を嵌合方向に摺動することで、光コネクタＡの光ファイバ２が調芯部材６に挿入され接続される。例文帳に追加

The aligning member is then slid in a fitting direction, by which the optical fiber 2 of the optical connector A is inserted and connected to the aligning member 6. - 特許庁

次いで、導体線２０の表面２００に液状の絶縁材料を塗布して一体化した絶縁膜６を形成する。例文帳に追加

Next, a liquid insulating material is so applied to surfaces 200 of the conductor wires 20 as to form a united insulating film 6. - 特許庁

次に、この機器モジュール６が部屋２の床上に設置され、設置された機器モジュール６の上方に中間床部材１１が設置される。例文帳に追加

Subsequently, the equipment module 6 is installed on the floor of the room 2, and an intermediate floor member 11 is installed above the installed equipment module 6. - 特許庁

次に、ｌ＝｜ｘ｜＋｜ｙ｜を満たす座標（ｘ、ｙ）にＦＦを再配置し、ＣＴＳ最終段バッファからＦＦまで、を最短で配線する。例文帳に追加

Then FF is re-arranged in a coordinate(x, y) which satisfies 1=|x|+|y| (5) and a part from the CTS final stage buffer to FF is wired to be shortest(6). - 特許庁

次に歯型予備成形型８の上に歯布５を端部押さえ治具１０で押さえた後、歯部成形溝６から溝押さえ治具９を撤去する。例文帳に追加

The method further comprises the steps of then retaining the cloth 5 on the mold 8 by an end retaining fixture 10, and then removing the fixtures 9 from the grooves 6. - 特許庁

暗号化装置３０１は、入力された平文msgが、6次拡大体上の代数的トーラス上の元であるか否かを検査する。例文帳に追加

The encrypting device 301 inspects whether an input plaintext msg is an element on algebraic torus on a six-order extension field. - 特許庁

次に、地図データ入力器６に格納されたリンク情報に基づいて、評価区間の距離を算出する。例文帳に追加

Then, the distance of the evaluation section is calculated based on the link information contained in a map data input device 6. - 特許庁

次々と生成される泡９は、逃げ場を失い、仕切り板６で仕切られた狭い空間を上に向って自然に押し出される。例文帳に追加

The bubbles 9 generated one after another have their escape cut off and are naturally pushed out upwardly in a narrow space partitioned with a division plate 6. - 特許庁

次に、表側ケース６の周壁部６ｂの内側に裏側ケース７の周壁部７ｂを嵌合する。例文帳に追加

Then a circumferential wall 7b of a rear side case 7 is fitted to an inside of the circumferential wall 6b of the front side case 6. - 特許庁

6 次産業化の先達・民間の専門家（ボランタリー・プランナー、6 次産業化プランナー等）による経営の発展段階に即した農林漁業者等への個別相談の実施や、輸出戦略の立て直し、新産業創出等、総合的に支援を行う。（新規）例文帳に追加

Individual consultations will be provided for agriculture, forestry, and fishery businesses according to their stage of development by pioneers in “sixth industry” vertical integration (into processing and distribution) and private-sector experts, and comprehensive support will be provided for the revamping of export strategies, creation of new industries, etc. (New)  - 経済産業省

(6)次の場合は，(5)は適用されない。(a)出願人が，(4)に基づいて登録官が指定した期間内に，(4)(a)にいう意見を述べ，かつ(b)当該意見の結果，登録官がすべての方式要件が満たされていると判断した場合例文帳に追加

(6) Subsection (5) does not apply if (a) the applicant makes observations as mentioned in subsection (4)(a) before the end of the period specified by the Registrar under subsection (4); and (b) as a result of the observations, the Registrar is satisfied that all the formal requirements have been complied with. - 特許庁

次いで、全面が露光され、電極５，６が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト９と共に電極５，６の不要部分がリフトオフされることにより、電極５，６がパターン化される。例文帳に追加

Then, the entire surface is exposed and, after the electrodes 5, 6 are formed, an unnecessary portion of the electrodes 5, 6 is lifted off by the alkali developing solution together with the photoresist 9 to hereby pattern the electrodes 5, 6. - 特許庁

次に、酸化膜７に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、ゲート電極６の側壁部上に、ＬＤＤイオン注入のためのオフセットスペーサ絶縁膜９を形成する。例文帳に追加

Next, the oxide film 7 is subjected to anisotropic dry etching to form an offset spacer insulating film 9 for implanting LDD ions into the side wall of the gate electrode 6. - 特許庁

次に平坦化工程を行ない、マイクロレンズ面の凹凸を第二の屈折率を有する樹脂で埋め且つその表面を平坦化して第二光学樹脂層６を形成する。例文帳に追加

Then, a flattening process is performed to bury irregularity on the micro lens surfaces with a resin having a second refractive index to flatten the surfaces, thus forming a second optical resin layer 6. - 特許庁

次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極５を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ６とする。例文帳に追加

Next, a plurality of signal extracting electrodes 5 are formed on the half-insulating compound semiconductor film, and are cut into a predetermined size to form a radiation detecting element array chip 6. - 特許庁

次いでウエハＷを乾燥し（ステップ５）、続いてウエハＷをオゾンと水蒸気を含む処理ガスで処理して、生レジスト部７９ｂを水溶性に変性させる（ステップ６）。例文帳に追加

The wafer W is dried out (step 5), then the wafer W is processed with processing gas containing ozone and water vapor, whereby the uncured resist parts 79b are turned water-soluble (step 6). - 特許庁