「"Saturation voltage"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a technique capable of improving a trade-off relationship between a saturation voltage and turn-off loss, in a lateral IGBT.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴにおいて、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係を改善することができる技術を提供する。 - 特許庁

The charging voltage control means measures charging saturation current IS and charging saturation voltage VPs, and hold them in memory 43 so as to use them.例文帳に追加

該帯電電圧制御手段は、帯電飽和電流ＩＳおよび帯電飽和電圧ＶＰｓを計測してメモリ４３に保持し、利用する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image pickup unit that maintains a required saturation voltage even in the case of an image format where a vertical blank period is decreased.例文帳に追加

垂直ブランク期間が短くなった画像フォーマットでも、所要の飽和電圧を維持できる固体撮像装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To contrive a higher response speed and a higher contrast through reducing the thickness of a liquid crystal film and to contrive a lower lower driving voltage by reducing saturation voltage.例文帳に追加

液晶膜厚を薄くして応答速度およびコントラストの向上を図るとともに、飽和電圧の低減による低駆動電圧化を図ること。 - 特許庁

In the case that the potential difference is equal to or greater than Vd, the differential amplifier circuit 1 outputs a saturation voltage, and the amplifier circuit 100 stops the amplifying operation.例文帳に追加

電位差がＶｄ以上の場合には、差動増幅回路１が飽和電圧を出力し、増幅回路１００が増幅動作を停止する。 - 特許庁

The controller 4 gradually raises the output voltage of the variable voltage power source 72; defines the output voltage of the variable voltage power source 72 when the current value of the LED array 71 reaches the driving current value while being increased, as the minimum current saturation voltage; and subsequently fixes the output voltage of the variable voltage power source 72 to be the minimum current saturation voltage.例文帳に追加

そして、制御装置４は、可変電圧電源７２の出力電圧を徐々に上昇させ、ＬＥＤアレイ７１の電流値が増加しつつ駆動電流値に達するときの可変電圧電源７２の出力電圧を最小電流飽和電圧とし、以降、可変電圧電源７２の出力電圧を最小電流飽和電圧に固定する。 - 特許庁

When write-in voltage is ±Vs and the read-out voltage is +Vs or -Vs, |Vs| is less than an absolute value of saturation voltage at which residual polarization of the ferroelectric capacitor is saturated.例文帳に追加

書き込み電圧を±Ｖｓとし、前記読み出し電圧を＋Ｖｓまたは−Ｖｓとした場合、｜Ｖｓ｜は、強誘電体キャパシタの残留分極が飽和する飽和電圧の絶対値未満である。 - 特許庁

Since the extremely small saturation voltage Vcesat between the emitter and the collector of the transistor 13 is applied to a resistor 7, a current flowing through the LEDs 9, 9, ... becomes extremely small.例文帳に追加

これにより、抵抗７に印加される電圧は、非常に小さい電圧であるトランジスタ１３のエミッタ・コレクタ間の飽和電圧Ｖｃｅｓａｔになり、ＬＥＤ９、９、…に流れる電流は非常に小さくなる。 - 特許庁

To lower the saturation voltage of a DMOS transistor without lowering breakdown strengths among each element of a bipolar transistor in a semiconductor device on which the bipolar transistor and the DMOS transistor are loaded.例文帳に追加

バイポーラトランジスタとＤＭＯＳトランジスタとを搭載した半導体装置において、バイポーラトランジスタの各要素間の耐圧を低下させることなくＤＭＯＳトランジスタの飽和電圧を低下させる。 - 特許庁

A TN liquid crystal layer being applied with a saturation voltage have a vertical alignment region 2a formed at a center part and a hybrid alignment region 2b formed nearby a substrate.例文帳に追加

飽和電圧が印加された状態のＴＮ液晶層は、中央部に垂直配向領域２ａ、基板近傍にハイブリッド配向領域２ｂが生じる。 - 特許庁

In this case, the added voltage of an inter-collector/emitter saturation voltage of the transistor T2 and the inter-terminal voltage of the voltage load circuit 10 is applied to the base of the transistor T1.例文帳に追加

このとき、トランジスタＴ１のベースには、トランジスタＴ２のコレクタ・エミッタ間飽和電圧と電圧負担回路１０の端子間電圧との加算電圧が与えられる。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

Thus, dispersion of the threshold voltage after pre-write can be reduced by lengthening a pre- write time and performing pre-write until floating gate voltage VFG is made to saturation voltage.例文帳に追加

このように、プリライト時間を長くし、フローティングゲート電圧Ｖ_FGが飽和電圧となるまでプリライトを行なうことにより、プリライト後のしきい値電圧のバラツキを低減することができる。 - 特許庁

A high-concentration region 15 for reducing the saturation voltage VCE (sat) between the collector and emitter is formed so that a base region 13 of an NPN transistor 10 is surrounded.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０のベース領域１３を囲むようにして、コレクタ−エミッタ間飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）を低減させるための高濃度領域１５を形成した。 - 特許庁

A control unit 4a detects value of the output voltage VOUT of this photodetector and, when the voltage VOUT becomes a saturation voltage level Vsat or higher, the unit 4a closes several switches by switching an electronic shutter 5a.例文帳に追加

出力ＶＯＵＴの値は、制御部４ａにより検知され、出力電圧ＶＯＵＴが飽和電圧レベルＶｓａｔ以上になった場合には、制御部４ａは電子シャッタ５ａのスイッチングを行い、幾つかのスイッチを閉じる。 - 特許庁

To reduce an effect of a measurement error when a saturation voltage of a switch element changes when turning a sensor circuit of an electronic apparatus provided with an analog/digital converter using a reference voltage, ON/OFF by the switch element.例文帳に追加

基準電圧を使用するアナログ／デジタルコンバータを備えた電子機器のセンサ回路をスイッチ素子でオン／オフする場合に、スイッチ素子の飽和電圧が変化した時の測定誤差の影響を低減させる。 - 特許庁

Magnitude and rotational speed of the rotary constant voltage are changed from magnetic saturation voltage and magnetic saturation rotational speed for judging N pole to a voltage and rotational speed for estimating the pole position.例文帳に追加

回転定電圧の大きさおよび回転速度は、Ｎ極判定のための磁気飽和電圧および磁気飽和回転速度から、極位置推定のための極位置推定電圧および極位置回転速度へと変化させられる。 - 特許庁

An AE/WB control part 18 then calculates and sets a minimum value for an amplification factor of an analog image signal in an analog amplifier part 6 on the basis of the saturation voltage of the CCD 4A.例文帳に追加

その後、ＡＥ・ＷＢ制御部１８が、ＣＣＤ４Ａの飽和電圧に基づいてアナログ増幅部６におけるアナログ画像信号の増幅率の最小値を算出、設定する。 - 特許庁

To provide a power supply circuit for reducing a loss due to turnon, turnoff and a saturation voltage of a transistor as a chopper, and a loss (a copper loss) due a reactor.例文帳に追加

チョッパであるトランジスタのターン・オン／ターン・オフ及び飽和電圧によるロスが小さく、また、リアクトルによるロス（銅損）も小さい電源回路の提供。 - 特許庁

To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor).例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。 - 特許庁

In the same way, when the conductive circuit is switched from the continuity state to the non-continuity state, the switching control circuit 313 turns off the FET 312 and then turns off the FET 311 at a voltage close to the saturation voltage of the FET 311.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ312をオフさせた後に、ＦＥＴ311の飽和電圧付近でＦＥＴ311をオフさせる。 - 特許庁

To solve such a problem that an emitter area has to be enlarged for higher output and lower saturation voltage in a conventional structure so that an increase in cost due to larger size of a chip occurs.例文帳に追加

従来構造において、さらなる高出力化、低飽和電圧化を図るには、エミッタ面積を拡大しなければ成らず、チップサイズの増大を招くため、コストアップが生じる。 - 特許庁

Thereby, the difference between a base-to-emitter voltage Vbe and a base-to-collector voltage Vbc, ΔV is reduced, and thus a collector-to-emitter saturation voltage Vce in a low current region can be reduced.例文帳に追加

これにより、ベースエミッタ間電圧Ｖｂｅとベースコレクタ間電圧Ｖｂｃの差ΔＶが小さくなり、低電流域におけるコレクタエミッタ間飽和電圧Ｖｃｅを小さくすることができる。 - 特許庁

The output current control part 6 is connected with a control table 9 for determining charge-discharge starting voltage and charge-discharge current saturation voltage based on the detected stringing voltage and charge ratio.例文帳に追加

出力電流制御部６に、検出された架線電圧及び充電率に基づいて、充放電開始電圧と充放電電流飽和電圧を決定する制御テーブル９を接続する。 - 特許庁

To provide a signal amplifier circuit wherein a dispersion in a saturation voltage being an output characteristic is small by making the effect of the manufacturing tolerance and the temperature dependence of each circuit component hardly received.例文帳に追加

各要素の製造バラツキや温度依存性の影響を受けにくくして、出力特性である飽和電圧のバラツキが小さい信号増幅回路を提供する。 - 特許庁

The formula of the saturation voltage Vdsat of a transistor in a BSIM model is a function of fitting parameters VSAT and characterized in that it has one saturation point for an arbitrary VSAT value.例文帳に追加

ＢＳＩＭモデルにおけるトランジスタの飽和電圧Ｖｄｓａｔの式はフィッティングパラメータＶＳＡＴの関数であり、任意のＶＳＡＴ値に対し１点の飽和点を所有する特徴がある。 - 特許庁

Similarly, when the conduction state is switched to the nonconduction state, the FET 12 is turned off and then the FET 11 is turned off near the saturation voltage of the FET 11.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ１２をオフさせた後に、ＦＥＴ１１の飽和電圧付近でＦＥＴ１１をオフさせる。 - 特許庁

In the same way, when the conductive circuit is switched from the continuity state to the non-continuity state, the switching control circuit 313 turns off the FET 312 and then turns off the FET 311 at a voltage close to the saturation voltage of the FET 311.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ３１２をオフさせた後に、ＦＥＴ３１１の飽和電圧付近でＦＥＴ３１１をオフさせる。 - 特許庁

Pre-write making floating gate voltage VFG to the prescribed threshold voltage VFG by injecting electrons to a floating gate 5 is performed until floating fate voltage VFG is made to saturation voltage before erasion operation of extracting electrons injected in the floating gate 5.例文帳に追加

フローティングゲート５に注入された電子を引き抜く消去動作前に、フローティングゲート５に電子を注入してフローティングゲート電圧Ｖ_FGが所定のしきい値電圧となるようにするプリライトを、フローティングゲート電圧Ｖ_FGが飽和電圧となるまで行なう。 - 特許庁

To improve characteristics of a high breakdown voltage semiconductor device by embedding an emitter trench between trench gates to reduce a saturation voltage, to increase a carrier injection to a semiconductor substrate, and to increase the breakdown voltage.例文帳に追加

トレンチゲート間にエミッタトレンチを埋込むことにより、飽和電圧を減少させ、また半導体基板へのキャリア注入を増加させ、さらに若干降伏電圧を増加させることにより、高耐圧半導体装置の特性の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

A polysilicon as an emitter diffusion source is buried in the trench and it is used as a part of an emitter electrode, capable of increasing the emitter area in the vertical direction as well as realizing lower saturation voltage and higher output without making a chip larger in size.例文帳に追加

エミッタ拡散源となるポリシリコンをトレンチに埋設してエミッタ電極の一部として活用することで、縦方向でのエミッタ領域の面積を増やすことができ、チップサイズを増大させずに低飽和電圧化および高出力化を実現できる。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 2 has a lower saturation voltage and a shorter recovery time than those of the diode 8 for antistatic protection, so the voltage is clipped at a voltage, at which the diode 8 for antistatic protection will not act against the counter electromotive force from the Schottky barrier diode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２は静電保護用ダイオード８に比べて、飽和電圧が低く、回復時間も短い為、ショットキーバリアダイオード２からの逆起電力による静電保護用ダイオード８のターンオン動作をさせない電圧でクリップする。 - 特許庁

A dynamic loss of an IGBT element containing a free wheel diode is proportional to the product of turn on power loss and switching frequency, and static loss is proportional to the product of the current which flows into an IGBT element and the saturation voltage between the collector and emitter.例文帳に追加

フリーホイールダイオードを含むＩＧＢＴ素子の動損失はターンオン損失とスイッチング周波数との積に比例し、静損失はＩＧＢＴ素子に流れる電流と、そのコレクタ・エミッタ間の飽和電圧との積に比例する。 - 特許庁

The saturation voltage of a motor driving circuit for driving a zoom motor which moves a reflection mirror provided with a discharging tube away from and toward a lens is reduced by using field effect transistors as a plurality of switching elements which constitute the last stage of the motor driving circuit.例文帳に追加

放電管を備えた反射鏡をレンズに対して前後させるズームモータを駆動するモータ駆動回路の最終段を構成する複数のスイッチング素子として電界効果トランジスタを用いることにより、その飽和電圧を低下させる。 - 特許庁

The liquid crystal display element is further provided with, in particular, an alignment control circuit 14 for applying, in a non-picture display state, a constant alignment voltage having an absolute value larger than zero at a 70% of a saturation voltage or lower which maximizes the transparency of the smectic liquid crystal material.例文帳に追加

特にこの液晶表示素子はスメクチック液晶材料の透過率を最大にする飽和電圧の７０％以下で０よりも大きい絶対値を持つ一定の配向電圧を非画像表示状態においてスメクチック液晶材料全体に印加する配向制御回路１４をさらに備える。 - 特許庁

A voltage-boosting circuit applies a voltage which is much higher in absolute value than a saturation voltage '+Vsat (-Vsat)' as an on-voltage '+Von (-Von)' to a pixel and a voltage which is much lower (higher) than a threshold voltage '+Vth (-Vth)' as an off-voltage '+Voff (-Voff)' to the pixel.例文帳に追加

昇圧回路は、オン電圧＋Ｖon（−Ｖon）として飽和電圧＋Ｖsat （−Ｖsat ）よりも絶対値が十分に大きい電圧を画素に印加し、オフ電圧＋Ｖoff （−Ｖoff ）として閾値電圧＋Ｖth（−Ｖth）よりも十分に低い（高い）電圧を画素に印加する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film having the excellent characteristics of electric resistivity by maintaining horizontal magnetic field intensity of ≥1,000 Gauss and making a sputtering voltage lower than the conventional saturation voltage.例文帳に追加

水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、スパッタ電圧を従来の飽和電圧よりも低下させて電気抵抗率の特性が優れた透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor that has a low saturation voltage between the collector and emitter, has a small size, and can be manufactured by a small number of processes, and to provide a semiconductor device in which the bipolar transistor and a MOS transistor are formed on the same substrate.例文帳に追加

コレクタ−エミッタ間飽和電圧が低く、サイズか小さく、少ない工程数で製造できるバイポーラトランジスタおよびこのバイポーラトランジスタとＭＯＳトランジスタとを同一基板上に形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The voltage generated in a liquid crystal layer 85 due to re-distribution of electric charges induced by spontaneous polarization at the moment when the applied voltage is turned off is made to 1/5 or smaller of the saturation voltage to which a quantity of light emitted from the liquid crystal element 80 is saturated.例文帳に追加

印加電圧をオフ状態にした瞬間、自発分極によって誘起された電荷の再分布によって液晶層８５に生じる電圧を、液晶素子８０より射出する光量が飽和する飽和電圧の５分の１以下になるようにする。 - 特許庁

A MOS transistor is used as a muting transistor to thereby suppress voltage fluctuation of a muting transistor terminal when switching to a muting state in a built-in muting circuit since saturation voltage becomes large in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の製造プロセスで飽和電圧が大きくなり、内蔵のミューティング回路におけるミューティング状態に切り換え時にミューティングトランジスタ端子の電圧変動を、ミューティングトランジスタにＭＯＳトランジスタを用いることで抑える。 - 特許庁

In a multistage power amplifier, in which a plurality of transistors including an input stage transistor and a last stage transistor are cascade connected, a minimum value of a collector voltage supplying to the last stage transistor is set to the value close to the saturation voltage of the last stage transistor.例文帳に追加

入力段トランジスタと最終段トランジスタとを含む複数のトランジスタが縦列接続された多段電力増幅器において、最終段トランジスタに供給するコレクタ電圧の最小値を、この最終段トランジスタの飽和電圧近傍の値に設定する。 - 特許庁

The device has a selection part for switching the feedback switches so that a voltage of an output signal of the conversion part is to be lower than a saturation voltage of the output signal and higher than a threshold voltage by making at least one of the feedback switches be in a closed state based on the output signal of the conversion part.例文帳に追加

変換部の出力信号に基づいて、帰還スイッチの少なくとも１つを閉状態とすることで、変換部の出力信号の電圧が、その出力信号の飽和電圧よりも低く、且つ、閾値電圧よりも高くなるように、帰還スイッチを切り替える選択部を備えている。 - 特許庁

A diode is connected between the reference terminal of a regulator circuit and the power supply line of an error amplifier, so that the operating currents of the error amplifier can be supplied from the reference terminal, and a resistance is connected between the power supply line of the error amplifier and the collector of an output transistor, so that the collector voltage of the output register can be decreased to a saturation voltage.例文帳に追加

レギュレータ回路のリファレンス端子とエラーアンプの電源供給ラインとの間にダイオードを接続することにより、リファレンス端子からエラーアンプの動作電流を供給し、エラーアンプの電源供給ラインと出力トランジスタのコレクタとの間に抵抗を接続することにより、出力トランジスタのコレクタ電圧を飽和電圧まで下げる。 - 特許庁

This semiconductor device 101 includes a plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 in which a switching loss and a saturation voltage loss are mutually different, a selection driving part 51 for selecting either of the plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 to drive the selected semiconductor switch element, and a case K for containing the plurality of semiconductor switch elements 11 and 12 and the selection driving part 51.例文帳に追加

半導体装置１０１は、スイッチング損失および飽和電圧損失が互いに異なる複数の半導体スイッチ素子１１，１２と、複数の半導体スイッチ素子１１，１２のいずれかを選択し、選択した半導体スイッチ素子を駆動する選択駆動部５１と、複数の半導体スイッチ素子１１，１２および選択駆動部５１を収容するケースＫとを備える。 - 特許庁

In this method for detecting an element exceeding a saturation voltage value and/or a withstand voltage value, a circuit diagram data 2 showing a circuit diagram where the element is used, and analysis result data 3 analyzing the terminal voltage of the element are given.例文帳に追加

飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値を超えている素子を検出する飽和・耐圧違反素子の検出方法で、素子が用いられる回路図を示す回路図データ２と、素子の端子電圧を解析した解析結果データ３とを与えるとともに、飽和電圧値及び／又は耐圧電圧値条件１を与え、飽和電圧及び／又は耐圧電圧違反の素子については、これを回路図上で明示する飽和・耐圧違反素子の検出方法。 - 特許庁