「"etch-back"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then resist is subjected to an etch-back process on the entire surface under conditions of reducing a gap between adjacent lenses so as to transfer the resist pattern to the base lens material to form a lens array 22A having reduced gaps.例文帳に追加

この後、隣接するレンズの間隔を縮小させる条件で全面エッチバック処理を行い、レジストパターンを下地のレンズ材に転写し、ギャップを縮小したレンズアレイ２２Ａを形成する。 - 特許庁

To flatten the surface of filling material by etch back when the inside of a trench with high aspect ratio is filled by filling material.例文帳に追加

アスペクト比が高いトレンチ内を埋め込み材料で埋め込む場合において、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化できるようにする。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for a semiconductor device which can completely remove fine residues, generated on tungsten and insulating film after the formation of a tungsten wiring by an etch-back method, and to provide a safe and superior environment.例文帳に追加

エッチバック法によるタングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去でき、また、安全で環境面でも優れた半導体装置用洗浄剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress missing of a TiN film in an etch-back step after deposition of a tungsten film when a tungsten plug is buried into a connection hole.例文帳に追加

接続孔内にタングステンプラグを埋め込む際、タングステン膜を堆積した後のエッチバック工程でＴｉＮ膜が抜けてしまうことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device for improving manufacturing yield without damaging the surface of a semiconductor region in a flattening etch back process.例文帳に追加

平坦化のエッチバック工程で半導体領域の表面に損傷を与えることがなく、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造方法の実現を課題とする。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁

The open pore 61 is eliminated by etch-back processing and an SiN recess 60a of a low aspect ratio is formed in SiN within the BPSG recess 32a.例文帳に追加

エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film as a second film is formed on the core material pattern 24, a sidewall pattern is formed by an etch back treatment, and the core material pattern 24 is removed to obtain a mask pattern.例文帳に追加

芯材パターン２４上に第２膜のシリコン窒化膜を形成し、エッチバック処理で側壁パターンを形成し、芯材パターン２４を除去してマスクパターンを得る。 - 特許庁

In addition, since the sidewall nitride film is formed on the sidewall of the bit line 6 without requiring an etch-back process, the nitride film having a constant film thickness can be formed on the sidewall of the bit line 6 as compared with the SAC structure.例文帳に追加

また、エッチバックを必要とせずに、ビット線６の側壁に窒化膜を形成するため、 ＳＡＣ構造に比べて、ビット線６の側壁に一定の膜厚を有する窒化膜を容易に形成できる。 - 特許庁

The inter-layer insulation film is formed on the aluminum wires, an embedding film is coated on a step difference to fill in the step difference, and etch-back is applied to them by using the reactant gas to expose the upper part of the first layer aluminum wires.例文帳に追加

その上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分を埋め込み膜で塗布して段差を埋め、更にそれらを反応ガスを用いてエッチバックし１層目アルミ配線上部を露出させる。 - 特許庁

To prevent peeling of an adhered layer during etch back of an electrically conductive film in the peripheral regions of a wafer, in a case in which hole patterns are formed through the exposure of the whole area of the wafer, and plugs are formed.例文帳に追加

全面露光によりホールパターンを形成し、プラグを形成する際に、ウェハ周辺領域において、導体膜のエッチバック時に密着層が剥がれるのを防止する。 - 特許庁

An outside W film, having a hole pattern 5, is removed 80 to 90% by an etch back method, and then the remaining outside W film (remaining W film 7a) having a hole pattern 5 and an adhesive layer 6 are removed by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

孔パターン５の外部のＷ膜の８０〜９０％程度をエッチバック法で除去した後、孔パターン５の外部の残されたＷ膜（Ｗ残膜７ａ）および接着層６をＣＭＰ法で研磨除去する。 - 特許庁

A base layer 10 is formed in the second opening with a recessed cross-section by etch back and connected to the outer base 6 on the sidewall of the second opening.例文帳に追加

ベース層１０は、第２の開口の内部に、エッチバックの手法により断面凹状に形成され、第２の開口の側壁で外部ベース６と接続される。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

To improve charge transfer efficiency by preventing a film decrease due to a resist etch back process for flattening and forming a charge transfer electrode of uniform film thickness.例文帳に追加

平坦化のためのレジストエッチバック工程に起因する膜減りを防止し、均一な膜厚の電荷転送電極を形成することにより電荷転送効率の改善を図る。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

To provide a multiplayer printed wiring board having the hole filling base via structure that can prevent etch back of a metal layer at the internal side of through holes of the base board and has excellent flatness of additive pattern.例文帳に追加

ベース基板のスルーホールの内側において金属層のエッチバックを防止できて、アディティブパターンの平坦性に優れた、穴埋めベースビア構造を有する多層プリント配線基板を提供する。 - 特許庁

Next, an etch-back step 30 simultaneously etching the second and the third color layers 46 and 50 throughout till the first color layer 33 is exposed.例文帳に追加

次に、第１の着色層３３が露呈するまで第２及び第３の着色層４６，５０を同時に全面エッチングするエッチバック工程３０を行う。 - 特許庁

The etching stopper film 20 exposed out of the silicide block layer 30 is removed, and the etch back of the insulating film 10 for the side wall is effected to form side walls on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリサイドブロック層３０から露出したエッチングストッパ膜２０を除去し、サイドウォール用絶縁膜１０をエッチバックして、ゲート電極の両側にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A conductive material with improved hardness, such as W (tungsten), is deposited on the upper surface of the substrate and is subjected to etch back is made, thus forming a probe pad electrode 18 in the electrode hole 16b.例文帳に追加

基板上面にＷ（タンダステン）等の高硬度導電材を堆積してエッチバックすることにより電極孔１６ｂ内にプローブパッド電極１８を形成する。 - 特許庁

After a third film 5 is deposited all over and formed on the side by etch-back and the upper film 3 is selectively removed, a flattening step is carried out by polishing.例文帳に追加

更に全面に第三の膜５を堆積、エッチバックによって側面に形成後、上層の膜３を選択除去し、ポリッシングによって平坦化する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon film is made at the flank of the aperture by stacking the amorphous silicon film and the etch back, and treatment for HSG is applied to this to form an HSG(hemispherical grained Si) 113.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の堆積とエッチバックにより開口側面にアモルファスシリコン膜を形成し、これにＨＳＧ化処理を施してＨＳＧ層１１３を形成する。 - 特許庁

Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.例文帳に追加

酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁

Moreover, when starting CMP or etch back in a state where a conductive film is vapor deposited on the whole surface after the contacts 25 are formed, the contacts 25 are etched to the heights of mask layers.例文帳に追加

また、ビットライン用コンタクトを形成し、全面に導電膜を蒸着した状態でCMPまたはエッチバックを進行する時にマスク層の高さまでビットライン用コンタクトを蝕刻する。 - 特許庁

The method comprises the steps of making an inorganic thin film deposited on a substrate, forming a hemispherical photoresist pattern on the inorganic thin film, and forming a microlens of the hemispherical inorganic thin film by carrying out a whole surface etch back process for the inorganic thin film.例文帳に追加

基板上に無機物薄膜を蒸着するステップと、前記無機物薄膜上に半球状のフォトレジストパターンを形成するステップと、前記無機物薄膜に全面エッチバック工程を行い半球状無機物薄膜のマイクロレンズを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, whereby if an antireflection film is removed by an etch back step, connection holes of adequate shapes can be formed by additionally forming a second antireflection film, to prevent the halation under question especially at wiring isolation regions before forming the connection holes.例文帳に追加

エッチバック工程によって反射防止膜が除去されてしまっても、接続孔形成前に第２の反射防止膜を追加形成させることで、特に配線孤立部で問題であったハレーションを防いで、適正形状の接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The entire surface is coated with an organic coating film 20, such as resist by rotary coating and inside the hole for connection hole, the organic coating film 20 is left by a method such as full etch back, so that the surface of the organic coating film 20 can be higher than the lower surface of the second wiring correspondent inter-layer insulating film.例文帳に追加

回転塗布法により全面にレジスト等の有機塗布膜２０を塗布し、全面エッチバック等の方法により接続孔用の穴１３内で、有機塗布膜２０表面が第２配線対応層間絶縁膜下面よりも上になるように有機塗布膜２０を残す。 - 特許庁

An insulating film is processed by etch back, a sidewall insulating film 24 is formed on the sidewall of a light-shielding film 23 covering a transfer electrode 21 in a self-aligned manner, and then an opening 23a is formed in the light-shielding film 23 by etching while the sidewall insulating film 24 and a resist film 26 are used as a mask.例文帳に追加

エッチバックにより絶縁膜を加工して、転送電極２１を被覆する遮光膜２３の側壁に自己整合的にサイドウォール絶縁膜２４を形成し、当該サイドウォール絶縁膜２４とレジスト膜２６をマスクとしたエッチングにより、遮光膜２３に開口部２３ａを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device including a pattern forming method forms a second thin film on the side wall of a first thin film, and carries out the high precision etch back of the tip of the second thin film formed on that side wall to align the tip according to a planarizing process so that the tip does not become uneven.例文帳に追加

パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 - 特許庁

Then, by removing the SOG film 26 formed on the upper surface of the drive circuit part 60 by etch-back, a level difference between the upper surface of the drive circuit part 60 and the insulating substrate 10 is mitigated, and the disconnection of the wiring layer 30 near the bottom part of the drive circuit part 60 is prevented.例文帳に追加

そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 - 特許庁

Then, by performing etch back or chemical- mechanical polishing for the electrode pad 4a and the protective film 5, a part of the protective film 5 is also removed so that the electrode pad 4a and the protecting film 5 become approximately the same hight, and the difference in the heights of the protective films is eliminated.例文帳に追加

そして電極パッド４ａと保護膜５とをエッチバックあるいはケミカルメカニカルポリッシュすることで、電極パッド４ａと保護膜５をほぼ同一高さになるように保護膜５の一部も除去して保護膜５の段差をなくす。 - 特許庁

Thereafter the thin insulation film 11 of about 10-60 nm is formed so as to block the void 7 on the whole face, etch back is performed on the whole face, and a side wall 12 comprising the thin film 11 is formed on only the side wall of the contact holes 8, 8a, 8b.例文帳に追加

その後、全面にボイド７を塞ぐように、約１０〜６０ｎｍの薄い絶縁膜１１を形成し、全面にエッチバックを行い、コンタクトホール８，８ａ，８ｂ内の側壁にのみ薄い絶縁膜１１からなるサイドウォール１２を形成する。 - 特許庁

By repeating the deposit process and the etch-back process, the thickness of the second mask 16 (18) is adjusted to have a desired thickness, and by repeating the thickness adjustment of the second mask and the in-opening etching process, the inner side face of the opening (the recessed section 19) is substantially inclined.例文帳に追加

堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

A pattern of spacer pedestals is created by deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer 12 to a thin optically transmissive wafer 14.例文帳に追加

マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ１２への表面情報を薄い光透過型ウェーハ１４に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 - 特許庁

This arrangement sufficiently prevents etch-back and excessive protrusion of the glass cloth from the wall surface of the via hole and achieves highly reliable via, particularly, in a small via hole having a top diameter of ≤75 μm.例文帳に追加

かかる構成の採用により、エッチバック現象及びビアホール壁面からのガラスクロスの過大な突出を共に十分に抑制でき、信頼性の高いビアを形成することができ、特に、トップ径７５μｍ以下というような小径のビアホールに対しても高信頼性のビアを形成することができる。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。 - 特許庁

To deposit a film substantially on the same level from an imaging section to a peripheral circuit by reducing stepped portions on a boundary of the imaging section and the peripheral circuit, even if a wiring layer in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is multilayered, and to prevent a dielectric breakdown without exposing a wiring pattern during the etch-back of an upper layer film to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the discrete track medium, a projecting magnetic pattern is formed on a substrate, a non-magnetic body is film-deposited so as to fill a recessed part between the magnetic patterns and an operation for etch-back of the non-magnetic body is repeated twice or more by rotating the substrate in its surface by an angle smaller than one rotation.例文帳に追加

基板上に凸状の磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部を充填するように非磁性体を成膜し、前記非磁性体をエッチバックする操作を、前記基板を面内で１回転未満の角度だけ回転させて２回以上繰り返すことを含むディスクリートトラック媒体の製造方法。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

There is provided the manufacturing method of the magnetic recording medium in which the convex magnetic patterns are formed on a substrate, a film of non-magnetic body is formed on a concave portion between the magnetic patterns or thereon, and etch back is performed using an etching gas including an oxygen while a surface of non-magnetic body is modified.例文帳に追加

基板上に凸状をなす磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部および前記磁性パターン上に非磁性体を成膜し、酸素を含有するエッチングガスを用いて、前記非磁性体の表面を改質しながらエッチバックを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁