「"pattern width"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a developing method and developing equipment of a photosensitive film, where irregularities in pattern width in a substrate surface can be reduced, as compared with the conventional cases.例文帳に追加

従来に比べて基板面内のパターン幅のばらつきを小さくできる感光膜の現像方法及び現像装置を提供する。 - 特許庁

As the exposure function, the relation between the reflection factor, exposure, and pattern width is determined by using previously many wafers to calculate it by performing multi-regression analyses.例文帳に追加

露光量関数は、予め多くのウェハを用いて、反射率と露光量とパターン幅との関係を求め、重回帰分析して算出する。 - 特許庁

To provide a thin color filter which does not cause leaking of light even when the pattern width of a light-shielding layer is small and which has excellent display quality and surface flatness.例文帳に追加

遮光層のパターン幅が狭くても光漏れが発生せず、表示品位と表面平坦性とに優れた薄いカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

Thus, the widening of the pattern width of the photoresist for forming the tip end part 17d is prevented, and the width of a writing track is narrowed.例文帳に追加

これにより、先端部１７ｄを形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止でき、書込トラック幅の狭小化が可能となる。 - 特許庁

To form an antenna pattern having expected pattern width by removing a conductive film by a desired width.例文帳に追加

導電膜を所期の幅で除去することで、所期のパターン幅を有するアンテナパターンを形成することができるアンテナの製造方法を提供する。 - 特許庁

Besides, the pattern width of the thin-film pattern 7 is controlled on the basis of the width of the top face 2A and a tilted angle of the side faces 2B and 2C, with high precision.例文帳に追加

しかも、上面２Ａの幅および側面２Ｂ，２Ｃの傾斜角度に基づいて薄膜パターン７のパターン幅が高精度に制御される。 - 特許庁

To suppress disconnection of a wiring line and losing pattern width by preventing lack of a print resist pattern occurring in a level difference section and by filling a gap.例文帳に追加

段差部などに生じた印刷レジストパターンの欠落を防止し空隙を埋め、配線の断線やパターンの細りなどを抑制することにある。 - 特許庁

The electric resistance values with the first length part W1 and the second length part W2 are measured, which is compared/calculated for evaluating a wiring pattern width.例文帳に追加

第１の長さの部分Ｗ1と、第２の長さの部分Ｗ2との電気抵抗値を測定し、測定値を比較演算して配線パターン幅を評価する - 特許庁

Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.例文帳に追加

ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

To diminish a mask pattern in pattern width after the mask pattern is formed and also to reduce the cost of plant investment which increases with scaling-down of the mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを形成した後にそのパターン幅を縮小化できるようにすると共に、マスクパターンの微細化に伴う設備投資コストを低減できるようにする。 - 特許庁

The dielectric mask comprises a pair of dielectric films 2a, 2b specifying the first and the second regions where a pattern width at the first region is narrower than a pattern width at the second region, and dielectric films 4a, 4b provided at both sides of the dielectric films 2a, 2b at the first region.例文帳に追加

誘電体マスクは、上記第１の領域におけるパターン幅が上記第２の領域におけるパターン幅より狭い、該第１および第２の領域を規定する一対の誘電体膜２ａ、２ｂと、上記第１の領域において、誘電体膜２ａ、２ｂの両側に設けられた誘電体膜４ａ、４ｂとからなる。 - 特許庁

A work is prepared in which a substrate pattern having a pattern is formed, and an inspection pattern unit changing gradually from an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval smaller than those of a conductive pattern to an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval larger than those of the conductive pattern is formed in the vicinity of the substrate pattern.例文帳に追加

パターンを有する基板パターンと、前記基板パターンの近傍に、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が小さい検査パターンから、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が大きい検査パターンまで、漸次変化させた検査用パターンユニットを形成したワークを用意する。 - 特許庁

At least a partial pattern width Y of a wiring along a direction orthogonal to a measuring axis direction is expanded in the first loop part 12 and the second loop part 14 of a scale loop 11.例文帳に追加

スケールループ１１の第１ループ部１２や第２ループ部１４の、測定軸方向に直交方向の配線の少なくとも一部のパターン幅Ｙを拡張する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chip-type electronic equipment having an external electrode whose pattern width is uniform, whose thickness is constant even at the corner, and whose mechanical strength is excellent.例文帳に追加

パターン幅が均一で、角部においても厚みが一定で機械的強度に優れた外部電極を有するチップ型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the accuracy of pattern width of a photosensitive film by changing an exposure condition by a new factor.例文帳に追加

新たな因子で露光条件を変化させることにより、感光膜のパターン幅の精度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The width W2 of the part 22a(1) of the first mask 22a is made smaller than a minimum pattern width (about 0.3 μm) formed by photolithography.例文帳に追加

この第１のマスク２２ａのうちの部分２２ａ(1) の幅Ｗ２は、フォトリソグラフィ処理によって形成可能な最小パターン幅（約０．３μｍ程度）よりも小さくなる。 - 特許庁

After the resist pattern 7A is formed, it can be reduced in pattern width W, so that it is not required to prepare an expensive exposure system for micronizing the resist pattern 7A.例文帳に追加

レジストパターン７Ａを形成した後にそのパターン幅Ｗを縮小化できるので、レジストパターン７Ａを微細化するための高価な露光装置を用意する必要がない。 - 特許庁

Thus, since the cross-sectional area of the circuit pattern can be made large and current capacity can be secured by the thickness of the copper sheet, the pattern width of a large current part can be reduced.例文帳に追加

この構成によれば、銅板の厚みにより回路パターンの断面積を大きくし電流容量を確保できるため、大電流部のパターン幅を縮小できる。 - 特許庁

A pattern connecting the output side of the driver IC 60 in an FPC 61 with individual electrodes includes, at a part thereof, two kinds of pattern 91 and 92 of different pattern width.例文帳に追加

ＦＰＣ６１のドライバＩＣ６０の出力側と個別電極とを接続するパターンには、その一部の部分に２種類のパターン幅のパターン９１、９２が含まれる。 - 特許庁

In a terminal part 8c, five standard patterns are arranged in parallel so that the longitudinal direction is the direction along which the gate wiring extends, making the effective pattern width 50 μm.例文帳に追加

端子部８ｃは、同じく５本の基準パターンをゲート配線の延在方向に長手方向をもつ如く並列に形成して実効的なパターン幅を５０μｍとする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin-film pattern having a fine pattern width with high accuracy without depending on the resolution limit of an aligner.例文帳に追加

露光装置の解像限界に依存せずに、微小なパターン幅を有する薄膜パターンを高精度に形成することが可能な薄膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sheet 3 has a first surface on which the antenna coil 2 is to be arranged and a first distance from an end of the first surface up to the antenna coil is twice or larger than the first pattern width.例文帳に追加

磁性シート３は、アンテナコイルが配置される第１の面を有し、第１の面の端からアンテナコイル２までの第１の距離が第１のパターン幅の２倍以上である。 - 特許庁

The cell is divided in each unit lithography area having width obtained by reducing only the MSD pattern width from maximum available lithography width in charged particle beam deflection only of sub-deflection.例文帳に追加

副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、その長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割する。 - 特許庁

At least either of the patterns of a pair of electrodes 16, 18 sandwiching the ESD protection film 12 may be formed, to have a comb shape or to give a difference in pattern width.例文帳に追加

ＥＳＤ保護膜１２を挟んだ一対の電極１６，１８のパターンの少なくとも一方を、櫛型或いはパターン幅に差異をもたせて形成しても良い。 - 特許庁

In a wiring part 8d, two standard patterns of 10 μm are arranged in parallel so that the longitudinal direction is the direction that the gate wiring extends (horizontal direction in Figure), making the effective pattern width 20 μm.例文帳に追加

配線部８ｄは１０μｍの基準パターンをゲート配線の延在方向（図の横方向）に長手方向をもつ如く２本を並列にして実効的なパターン幅を２０μｍとする。 - 特許庁

To reduce the characteristic variation of a laminated inductor by reducing the spiral conductor pattern width variation and the thickness variation of an insulating layer on which the conductor pattern is formed.例文帳に追加

絶縁層の表面に導体パターンをスクリーン印刷で形成しているので、印刷する際の印刷にじみによって導体パターンの線幅のバラツキが大きくなり、線幅を細くできない。 - 特許庁

To provide a medical handpiece having a spray injection mechanism capable of sufficiently mixing air and liquid, having a large pattern width and capable of achieving a uniform atomized state in the whole spray injection pattern.例文帳に追加

気液が充分に混合され、パターン幅が大きく、且つ噴霧注水パターンの全体が均一な霧化状態になるような噴霧注水機構を備えた医療用ハンドピースを提供する。 - 特許庁

Due to such dummy pattern insertion, fluctuations in the pattern density within the connection wiring layer can be suppressed and fluctuations in a pattern width in an etching step can be suppressed.例文帳に追加

かかるダミーパターンを挿入することにより，接続配線層におけるパターンの疎密度の変動を抑えることができ，エッチング工程によるパターン幅の変動を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming fine patterning of a semiconductor device in which patterns differing in pattern density or pattern width and having various sizes and various pitches are formed on one substrate at the same time.例文帳に追加

同じ基板上にパターン密度またはパターン幅の相異なる多様な大きさ及び多様なピッチのパターンを同時に形成できる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To implement a highly sensitive defect inspection method in a pattern inspection apparatus by reducing the effect of the unevenness of the brightness of a pattern generated from the variation of the film thickness and the scattering of the pattern width.例文帳に追加

パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度な欠陥検査を実現する。 - 特許庁

When the diameter of the conductor part 22 is almost odd number times as long as the sum of the pattern width of the contact 26 and the gap, the center of the conductor is aligned with the gap center of the pattern of the contact 26.例文帳に追加

導体部２２の直径が、接点２６のパターン幅とギャップの和の長さのほぼ奇数倍の場合、接点２６のパターンのギャップ中心に導体部２２の中心を一致させる。 - 特許庁

When the diameter of the conductor part 22 is almost even number times as long as the sum of the pattern width of the contact 26 and a gap, the center of the conductor 22 is aligned with the center of the pattern of the contact 26.例文帳に追加

導体部２２の直径が、接点２６のパターン幅とギャップの和の長さのほぼ偶数倍の場合、接点２６のパターンの中心に導体部２２の中心を一致させる。 - 特許庁

An annular dielectric pattern 3 with small pattern width is provided around the seal ring 5 in the grounding conductor layer 2, so as to control the position of a fillet end of a solder material that is joined with the seal ring.例文帳に追加

この接地導体層２におけるシールリング５周辺に、パターン幅の細いリング状の誘電体パターン３を設けて、シールリングを接合するろう材のフィレット端の位置を制御した。 - 特許庁

Pattern width or height of the structure which subdivides the electric discharge space is decreased locally in order to realize proper thermal deformation without deviation of three-forked pattern portions of the structure.例文帳に追加

放電空間を細分化する構造体のパターン幅または高さを、当該構造体の三叉パターン部分の熱変形が偏りのない適正なものになるように、局部的に小さくする。 - 特許庁

A photo-setting latent image pattern 5 is formed on the numerously-lined relief 1 by exposing the numerously-lined pattern having continuous density gradation in the direction of the pattern width so as to intersect the numerously-lined relief 1.例文帳に追加

万線状レリーフ１と交差するようにパターン幅方向に連続濃度階調を有する万線パターンを露光して、万線状レリーフ１に光硬化潜像パターン５を形成する。 - 特許庁

A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁

To provide a photomask and a method for manufacturing the photomask, which can reduce variance in dimensional errors of a mask pattern width, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

マスクパターンの幅の寸法誤差のばらつきを低減することができる、フォトマスクおよびその製造方法、ならびにフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pattern width calculation circuit 52 calculates the width of a peak according to the obtained pattern waveform, and a peak position in the pattern waveform where the width shows the narrowest peak is detected as DOA.例文帳に追加

その結果得られたパターン波形からパターン幅算出回路５２がピークの幅を算出し、幅が最も狭いピークを呈したパターン波形におけるピークの位置を、ＤＯＡとして検出する。 - 特許庁

To prevent generation of instability in the sealant pattern width in a narrow-frame display device having overlapped sealed sections and transfer electrode sections, especially at the corners, and improve the display quality and reliability.例文帳に追加

シール部分とトランスファ電極部を重ねて配置した狭額縁タイプ表示装置での、特にコーナー部分におけるシールパターンの幅不安定の発生を防止し、表示品質、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The four-face opposed corrugated brushes 11 are smaller in the angle between protruding parts, than a three-face opposed corrugated brush, and the cleaning speed of a road sweeper can be enhanced when the brush diameter, the pattern width and the rotating speed are equal.例文帳に追加

この４面合せの波ブラシ１１は３面合せの波ブラシより、凸部間角度が小さく、ブラシ直径とパターン幅と回転数が同じ場合、清掃車の清掃速度を速くできる。 - 特許庁

Cell data comprising the major side direction (MSD) pattern width of a critical pattern included in each cell and capable of reducing manufacturing margin for the manufacture of a semiconductor device, the size of the cell and the arrangement position of the cell are prepared in each cell.例文帳に追加

セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセル毎のセルデータを作成する。 - 特許庁

In the magnetic sensor, a full-bridge circuit is constituted by collectively forming (collectively depositing) the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of a pattern width of 6 μm on a main surface 15a of a silicon substrate 15.例文帳に追加

磁気センサはパターン幅が６μｍである人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をシリコン基板１５の主面１５ａに一括形成（一括成膜）することによりフルブリッジ回路を構成した。 - 特許庁

To prevent the occurrence of defects on a substrate after a developing step in the formation of an ultrafine photoresist pattern at least partially having a pattern of ≤0.25 μm pattern width.例文帳に追加

少なくともその一部にパターン幅が０．２５μｍ以下のパターンを有する超微細なホトレジストパターンの形成において、現像処理工程後基板上に発生するディフェクトの発生を有効に防止する。 - 特許庁

A method for creating (S5) correction pattern data comprises a step of extracting (S1) a metal pattern from layout pattern data, extracting (S2) and expanding (S3) the minimum area violation pattern, detecting and improving (S4) an interconnection interval violation, and compensating a pattern width.例文帳に追加

レイアウトパターンデータからメタルパターンを抽出（Ｓ１）し、最小面積違反パターンを抽出（Ｓ２）して拡張（Ｓ３）し、配線間隔違反を検出、改善（Ｓ４）し、パターン幅を補正して修正パターンデータを生成（Ｓ５）する。 - 特許庁