「"semiconductor processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor manufacturing device 1 has a wafer 10 that is a workpiece, a hermetic type container FOUP 20 housing a wafer 10, an etching device 30 serving as a semiconductor processing device, and an EFEM 40 which transfers the wafer 10 in a sealed state between the FOUP 20 and the etching device 30.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

To provide a cleaning gas supply device which uses a cleaning gas produced by thermally dissolving dichloroethylene or allowing dichloroethylene and oxygen to be reacted with each other and cleans metallic contamination in the inside of a processing pipe of a semiconductor processing apparatus so that carbon or water may not be introduced into the processing pipe.例文帳に追加

ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。 - 特許庁

In the load port 2 which becomes an interface when wafers are supplied to a semiconductor processing device 3, a sliding mechanism which slides in the direction perpendicular to a carrier transporting direction is provided on a carrier base CB which transports a carrier housing wafers toward the pod opener 22 which automatically opens/closes the carrier.例文帳に追加

半導体プロセス装置３にウェハを供給する際のインターフェイスであるロードポート２において、ウェハを格納するキャリアを自動で開閉する機構であるポッドオープナー２２にむけてキャリアを搬送するキャリアベースＣＢに、搬送方向と直交する方向にスライドするスライド機構を備える。 - 特許庁

In a semiconductor processing adhesive sheet having at least a base material layer and an adhesive layer, a displacement amount in a holding power test (in conformity with JIS Z0237, a shearing load: 1 kg, a measurement time period: 30 min) is 100 μm or more and 800 μm or less.例文帳に追加

少なくとも基材層と粘着層とを有する半導体加工用粘着シートであって、保持力試験（ＪＩＳＺ０２３７準拠、せん断荷重：１ｋｇ、測定時間：３０ｍｉｎ）における変位量が１００μｍ以上８００μｍ以下である半導体加工用粘着シート。 - 特許庁

To obtain a thermal spray film-coated member for various semiconductor devices which is small in the damage due to corrosion action in an environment containing a halogen compound or the like and free from the degradation of the quality of the semiconductor processing device and the increase of the manufacture cost caused by the environmental contamination by corrosive materials.例文帳に追加

ハロゲン化合物を含む環境などの腐食食作用による損傷が少なく、かつ、その腐食生成物が環境汚染原因となって、半導体加工装置の品質低下、生産コストの増大を招くことのない各種半導体装置用溶射皮膜被覆部材を得る。 - 特許庁

To provide semiconductor processing equipment and methods, especially, equipment and methods for sustained high-volume production of Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth.例文帳に追加

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a semiconductor wafer processing tape by applying an adhesive only to required portions and reducing cutting processes of an adhesive layer as far as possible, as for a method of manufacturing the semiconductor wafer processing tape and the semiconductor processing tape manufactured by the method.例文帳に追加

半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び当該製造方法により製造される半導体ウエハ加工用テープにおいて、必要な部分にのみ接着剤を塗布し、接着剤層のカット工程をできるだけ削減することで、該半導体ウエハ加工用テープを効率良く製造する。 - 特許庁

To provide methods and equipment for the sustained, high-volume production of a Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth, in relation to the field of semiconductor processing equipment and methods.例文帳に追加

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

A method for controlling the semiconductor processing apparatus including: a controller; and at least one device to be controlled by the controller, which includes an interface for communicating with the device, the interface including an internal clock for measuring a time interval for communication.例文帳に追加

制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。 - 特許庁

To provide a self-adhesive composition which has high initial self-adhesive force, can strongly fix an adherend, and which can be easily released by light irradiation or by heating even after subjected to a high temperature processing at 200°C or above; and a self-adhesive tape for semiconductor processing using the self-adhesive composition.例文帳に追加

高い初期粘着力を有し強固に被着体を固定可能であるとともに、２００℃以上の高温加工プロセスを経た後であっても、光の照射又は加熱により容易に剥離することができる粘着剤組成物、及び、該粘着剤組成物を用いた半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor which exhibits good antistatic properties in semiconductor processing, can significantly reduce generation of fibrous cut waste in a dicing process, allows little slack of the tape by irradiation and hardly allows an adhesive to remain on an adherend in pickup.例文帳に追加

半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide an antistatic adhesive tape for semiconductor processing, which causes little contamination on an adherend and little aging of an adhesive property as well as little influence to a surface of the adherend during dicing or back grinding treatment of a semiconductor component, and which can exhibit antistatic properties after ultraviolet curing even if an adhesive layer is thick.例文帳に追加

被着体の汚染や粘着物性の経時変化が少なくかつ半導体部品のダイシングやバックグラインド処理においても被着体面への影響が少なく、粘着剤層が厚くても紫外線硬化後の帯電防止性能を発現できる帯電防止性半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

With respect to manufacturing of the variable curvature mirror device, a single crystal silicon wafer and an SOI wafer are available as a starting material of the thin base plate (1), and a manufacturing method comprising manufacturing processes using individual or combination of techniques such as semiconductor processing techniques and MEMS is applicable.例文帳に追加

この可変曲率ミラーデバイスの製造に当たっては、基材薄板（１）の出発原料として単結晶シリコンウェハ、ＳＯＩウェハが使用可能であり、半導体加工技術、ＭＥＭＳなどの技術を個々にまたは組み合わせた製造プロセスからなる可変曲率ミラーデバイスの製造方法が適用可能である。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device 1 comprises: a wafer 10 that is a work piece; a front opening unified pod (FOUP) 20 that is a hermetically sealed container and houses the wafer 10; and an equipment front end module (EFEM) 40 transferring the wafer 10 between an etching apparatus 30 serving as a semiconductor processing device and the FOUP 20 in a sealing state.例文帳に追加

半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。 - 特許庁

In order to remove metal impurities having adhered during cutting in forming this silicon part of a semiconductor processing apparatus, a treatment and a heat treatment are executed to at least a cut surface of a silicon plate with a solution, and the silicon part reduces metal contamination of a wafer when the silicon part is processed in a plasma atmosphere.例文帳に追加

半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

The adhesive film laminate 10 for semiconductor processing includes a base 2, a circuit member-connecting adhesive layer 6, and a pressure-sensitive adhesive layer 4 disposed between the base 2 and circuit member-connecting adhesive layer 6 to bond them together, wherein a coefficient of linear expansion at 20 to 80°C measured in a tension mode is ≤50×10^-6/°C.例文帳に追加

基材２と、回路部材接続用接着剤層６と、基材２と回路部材接続用接着剤層６との間に配置されてこれらを接着する粘着剤層４とを備えており、引っ張りモードで測定される２０〜８０℃の線膨張係数が、５０×１０^−６／℃以下となるものである、半導体加工用接着フィルム積層体１０。 - 特許庁

To provide a rotary pickup mechanism having excellent operational reliability and productivity, and a semiconductor processing apparatus with the same, with which a pickup camera can surely capture an image of a device even if a pickup member extends its rotation angle to a position where the pickup member blocks a light path of the pickup camera and increases its rotation speed.例文帳に追加

ピックアップ部材がピックアップカメラの光路を遮るまでのピックアップ部材の回転角度を拡大して、ピックアップ部材の回転速度を速めても、ピックアップカメラによりデバイスの画像を確実に取り込むことができる、動作信頼性及び生産性に優れたロータリー式ピックアップ機構及びそれを備えた半導体処理装置を提供する。 - 特許庁

For a semiconductor manufacturing device and a semiconductor processing method that perform processing using plasma, a pickup driving unit 111 is provided which varies an observation direction and an observation position of a light emitting pickup 11 for observing plasma light emission for each process condition, and an observation in the most suitable direction and at the most suitable position corresponding to a condition is made with the single light emitting pickup.例文帳に追加

プラズマによる処理を行う半導体製造装置及び半導体処理方法において、プロセス条件ごとにプラズマ発光を観測する発光ピックアップ１１の観測方向や観測位置を可変とするピックアップ駆動手段１１１を設けて、条件に応じた最適な方向および位置での観測を単一の発光ピックアップにて行う。 - 特許庁

In the member for the semiconductor processing apparatus, super-fine solid particles mainly consisting of carbon and hydrogen are allowed to enter an undercoat layer in a surface of a base material having the undercoat layer composed of a plating film, a PVD film or the like, and a film consisting of the aggregate of the super-fine solid particles is formed to cover a surface of the undercoat layer.例文帳に追加

めっき皮膜やＰＶＤ皮膜等からなるアンダーコート層を有する基材の表面に、そのアンダーコート層中に炭素と水素を主成分とする超微小固体粒子を侵入させると共に、該アンダーコート層材表面にも、これらの超微小固体粒子の集合体からなる皮膜を被覆形成してなる半導体加工装置用部材である。 - 特許庁

The tape for semiconductor processing has an adhesive layer on at least one side of a substrate, provided that the adhesive layer contains 5-20 pts.wt. fumed silica having an average particle size of from 7 nm to 2 μm based on 100 pts.wt. photocurable adhesive.例文帳に追加

真空加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤１００重量部に対して平均粒子径が７ｎｍ〜２μｍであるフュームドシリカを５〜２０重量部含有する粘着剤層を有するものである半導体加工用テープである。 - 特許庁

A semiconductor processing apparatus comprises: a reactor; a susceptor arranged in the reactor for mounting a substrate, which has a through-hole in the axis line direction of the susceptor; a lift pin for lifting the substrate to the susceptor, which is arranged such that it slides in each through-hole; and means for reducing contact resistance between the lift pin and each through-hole.例文帳に追加

半導体処理装置は、反応チャンバと、基板を載置するための反応チャンバ内に配置されたサセプタであって、サセプタの軸線方向に貫通孔を有するところのサセプタと、サセプタに対して基板を持上げるための各貫通孔内でスライドするように配置されたリフトピンと、リフトピンと各貫通孔との間の接触抵抗を減少させるための手段とを含む。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

A field emission type display 10 includes a cathode 16 with a flat type electron emission source 44, an anode 18 superficially receiving electrons emitted from the cathode 16, a coil 40 formed on at least one of the cathode 16 or the anode 18 by a semiconductor processing process and a coil power source 24 which is a driving source generating a specified magnetic field by driving the coil 40.例文帳に追加

電界放出型の表示装置１０は、平面型の電子放出源４４を有するカソード１６と、カソード１６から放出された電子を平面的に受けるアノード１８と、カソード１６、アノード１８の少なくとも一方に半導体加工プロセスによって形成されたコイル４０と、コイル４０を駆動して所定の磁場を発生せしめる駆動源であるコイル電源２４とを備える。 - 特許庁

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material.例文帳に追加

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 - 特許庁

The antistatic adhesive tape for semiconductor processing includes: an antistatic layer consisting of a resin composition containing 10-45 pts.mass of an antistatic resin containing polyether based on 100 pts.mass of a base resin at least containing 40-90 wt.% polypropylene and 60-10 wt.% styrene elastomer resin; and an adhesive layer containing a base polymer having a radiation-curable unsaturated carbon bond in a molecule.例文帳に追加

４０〜９０質量％のポリプロピレンと６０〜１０質量％のスチレン系エラストマー樹脂とを少なくとも含むベース樹脂を１００質量部に対しポリエーテルを含む帯電防止樹脂を１０〜４５質量部含有する樹脂組成物からなる帯電防止層と、分子内に放射線硬化性不飽和炭素結合を有するベースポリマーを含有する粘着剤層とを含む、帯電防止型半導体加工用粘着テープ。 - 特許庁

The inventive package can be used for a semiconductor processing a high frequency signal of 100 MHz or above.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る複数のメタルポストが貫設された厚さ７０μｍを超え２００μｍ以下の絶縁層と、該絶縁層に積層されたＴｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、またはそれらの合金で成る厚さ１μｍ以下の易接着層と、該易接着層に積層されたＣｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る厚さ１８μｍ以下の導電層でなる配線パターンを有する半導体用パッケージであって、１００ＭＨｚ以上の高周波信号を処理する半導体に使用できることを特徴とする半導体用パッケージである。 - 特許庁