「あいんすたいにうむ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は座席用人体検出装置に関するもので、座席上がいかなる状態の場合においても座席上の人体の有無を正確に判定する。例文帳に追加

To discriminate the presence of a human body on a seat exactly even under any condition on a seat, in a human body detector for seat. - 特許庁

ユーロピウム活性化蛍光体は、ガドリニウム、イットリウム、ランタン及びその組合せからなる群から選択された少なくとも希土類金属と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びその組合せからなる群から選択された少なくとも第ＩＩＩＢ族金属との酸化物を含む。例文帳に追加

The europium-activated phosphor contains oxides of at least a rare earth metal selected from the group consisting of gadolinium, yttrium, lanthanum and a combination thereof, and of at least a group IIIB metal selected from the group consisting of aluminium, galium, indium and a combination thereof. - 特許庁

Ｓｉ若しくはＳｉＯ_２上で、例えば希土類スカンジウム酸化物高ｋ材料（具体的にはＤｙＳｃＯ_３）を選択的に除去する方法を開示する。例文帳に追加

A method is disclosed for selectively removing rare earth scandium oxide high-k materials (e. g. DyScO_3) on Si or SiO_2. - 特許庁

ＩＩＩ 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したＩＩＩ族窒化物基板とする。例文帳に追加

In a semiconductor element in which a nitride semiconductor layer having an active layer is laminated upon a group III nitride substrate, the group III nitride substrate contains aluminum, and the active layer is provided with an aluminum-containing nitride semiconductor. - 特許庁

ユーロピウム賦活蛍光体は、ガドリニウム、イットリウム、ランタン、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの希土類金属と、アルミニウム、ガリウム、インジウム、及びその組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩＢ族金属とを含む。例文帳に追加

The europium-activating phosphor comprises at least one rare earth metal selected from a group consisting of gadolinium, yttrium and lanthanum and a combination thereof and at least one group IIIB metal selected from a group consisting of aluminum, gallium and indium and a combination thereof. - 特許庁

業務依頼者が業務を他の担当者に依頼したい場合、業務依頼者端末装置４からワークポイントサーバ２にアクセスして、依頼番号、依頼業務の内容、実施時期、業務を実施した場合のワークポイントをイントラネット１上の電子掲示板に掲示する。例文帳に追加

When a work requester will entrust a work to another person in charge, the work requester accesses a work point server 2 from a work requester terminal device 4 and puts up a request number, contents of the work to be entrusted, an execution period, and work points obtained by execution of the work, on an electronic bulletin board on an intranet 1. - 特許庁

そこで、業務処理サーバ１２は、当該ＩＤに対応した残り権利数をデクリメントする。例文帳に追加

Then, the business processing server 12 decreases the number of remaining rights corresponding to the ID. - 特許庁

半導体ダイを実装するためのＡＬＮ絶縁層を有するアルミニウム外装ＡＬＳｉＣ基板例文帳に追加

ALUMINIUM-PACKAGED ALUMINUM SILICON CARBIDE SUBSTRATE HAVING ALUMINUM NITRIDE INSULATING LAYER FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DIE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、Ｉｎを含有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に設ける蒸発防止層を、窒化アルミニウム・ガリウムから構成すると、低抵抗の蒸発防止層を形成するのが困難である。例文帳に追加

To solve a problem that it is difficult to form a low-resistance evaporation preventing layer with aluminum gallium nitride on a light emitting layer made of a group III nitride semiconductor containing indium in a group III nitride semiconductor light emitting device. - 特許庁

絶縁体の上にゲルマニウム層を有するゲルマニウム・オン・インシュレーター（ＧＯＩ）構造の基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a substrate of germanium on insulator structure (GOI) having a germanium layer on an insulator. - 特許庁

架橋性シリル基を平均して少なくとも一個有するビニル系重合体及び炭酸カルシウム（ＩＩ）を含有する硬化性組成物において、前記炭酸カルシウム（ＩＩ）が重質炭酸カルシウムおよび膠質炭酸カルシウムであって、前記膠質炭酸カルシウムの含有量が前記ビニル系重合体（Ｉ）１００重量部に対して５０重量部以下であることを特徴とする硬化性組成物を用いる。例文帳に追加

The curable composition comprises the vinyl polymer bearing, on average, at least one crosslinkable silyl group, and calcium carbonate (II), where the calcium carbonate (II) is composed of heavy calcium carbonate and colloidal calcium carbonate, the content of colloidal calcium carbonate being at most 50 pts.wt. based on 100 pts.wt. of the vinyl polymer (I). - 特許庁

蛍光表示管の金属アルミニウム配線層と陽極導体との間の導通を確実にする。例文帳に追加

To ensure conduction between a metal aluminum wiring layer and an anode conductor of a fluorescent display tube. - 特許庁

無線部１１２は、対向する基地局との間で定期的にデータの間欠送受信を行う。例文帳に追加

A radio unit 112 performs intermittent transmission and reception of data periodically with an opposite base station. - 特許庁

本技術指針における対象物質は、インジウム及びその化合物のうち、ＩＴＯの製造、使用、回収等の過程で製造し、又は取り扱う、ＩＴＯ、金属インジウム、水酸化インジウム、酸化インジウム、塩化インジウム等（以下「ＩＴＯ等」という。）であって吸入性粉じん1であるものとする。例文帳に追加

Target substances under this guideline shall be respirable size aerosol1 of indium and other compounds including ITO, metal indium, indium hydroxide, indium oxide, indium chlorides and other substances (indium compounds) (hereinafter called “ITO, etc.,”) produced or handled during the process of production, use and recycle of ITO. - 厚生労働省

液体ヘリウム槽１２内には、吸引ヘリウムの冷熱で槽内の液体ヘリウム２を冷却する冷却用熱交換器３０及び槽内のヘリウムガスを再凝縮させる凝縮用熱交換器３２とを設け、両熱交換器３０，３２の間の部分を液体ヘリウム２から断熱する。例文帳に追加

A cooling heat exchanger 30 for cooling the liquid helium 2 in the tank with the cold heat of the sucked helium and a condensing heat exchanger 32 for recondensing helium gas in the tank are provided within the liquid helium tank 12, and the part between both the heat exchangers 30 and 32 is heat-insulated from the liquid helium 2. - 特許庁

本発明は、固体リチウムイオン伝導体を用いた電気分解によりリチウムアマルガムからリチウムを分離する方法であって、使用されるリチウムイオン伝導体がＬｉ_４−ＸＳｉ_１−ＸＰ_ＸＯ_４（但し、Ｘは０．３〜０．７である。）の組成を有していることを特徴とする方法である。例文帳に追加

In the method for separating the lithium from the lithium amalgam by electrolysis using a solid lithium ion conductive body, the lithium ion conductive body has composition of Li_4-XSi_1-XP_XO_4 (wherein, X is 0.3-0.7). - 特許庁

アインスタイニウムをアルファ粒子に衝突させて合成する放射性超ウラン元素（Mdがメンデレビウムの現在の記号であるが、以前はMvだった）例文帳に追加

a radioactive transuranic element synthesized by bombarding einsteinium with alpha particles (Md is the current symbol for mendelevium but Mv was formerly the symbol)  - 日本語WordNet

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a process condition for stacking a clad layer comprising p-type aluminum-gallium nitride on light emitting layer comprising a group III nitride semiconductor containing In without deterioration of the crystal quality of the light emitting layer to form a group III nitride semiconductor light emitting element excellent in light emitting efficiency. - 特許庁

Ｉｎを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層上に、ｐ型の窒化アルミニウムガリウムからなるクラッド層を、発光層の結晶品質を劣化させることなく積層することが可能となるための条件を示し、発光効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a III nitride semiconductor light emitting element which shows the condition for enabling a clad layer made of a p-type gallium aluminum nitride to be laminated, on a light emitting layer made of a III nitride semiconductor containing In without deteriorating the crystal quality of the emitting layer, and which has an excellent light emitting efficiency. - 特許庁

上記試料溶液の測定対象元素にリチウム、アルミニウム、ニッケル、コバルト、マンガンの少なくとも２種を含む場合は、内標準元素として、リチウム、アルミニウム及びマンガンに対してはガリウムを使用し、ニッケル及びコバルトに対しては銅を使用することが好ましい。例文帳に追加

When at least two kinds of elements among lithium, aluminum, nickel, cobalt and manganese are contained in the measuring target elements of the sample solution, as an internal standard element, gallium is used with respect to lithium, aluminum and manganese and copper is preferably used with respect to nickel and cobalt. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域もｎ型窒化ガリウム系半導体層と発光層との間に位置する。例文帳に追加

The gallium-nitride-based semiconductor region is also situated between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17. - 特許庁

滞納整理に関する業務を自治体と金融機関の間で円滑に行うことができる滞納処理システムを提供する。例文帳に追加

To provide a delinquency processing system for smoothly performing a task relating to delinquency arrangement between a local government and a financial institute. - 特許庁

本発明は、（ｉ）炭素材料に欠陥及び機能化を誘導する段階；（ｉｉ）上記機能化された炭素材料をアルミニウムと混合する段階；及び（ｉｉｉ）不活性気体雰囲気の下で上記混合物をボールミリングする段階；を含む、炭素材料をアルミニウムの中にカプセル化する方法を提供する。例文帳に追加

The method for encapsulating the carbon material into the aluminum, comprises (i) a step for guiding defect and functionalization to the carbon material; (ii) a step for mixing the functionalized carbon material into the aluminum; and (iii) a step for ball-milling the above mixture under inert gas atmosphere. - 特許庁

間欠的に流通されるＳｉＯ_２を含むフッ化アンモニウム濃厚廃液を、連続的に流通される流体を用いて廃水するＳｉＯ_２含有フッ化アンモニウム廃液の廃水方法において、前記流体を前記濃厚廃液と混合させることにより、ＳｉＯ_２を含むフッ化アンモニウム濃厚廃液の廃水を連続的に行うことを特徴とするＳｉＯ_２含有フッ化アンモニウム廃液の廃水方法。例文帳に追加

In the discharge method of a SiO_2-containing ammonium fluoride waste liquid for discharging an ammonium fluoride thick waste liquid containing SiO_2, which is allowed to flow intermittently, using a fluid allowed to flow continuously, the fluid is mixed with the thick waste liquid to continuously discharge the ammonium fluoride thick waste liquid containing SiO_2. - 特許庁

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加

An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure. - 特許庁

アルミニウム電線に適用した場合にも、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の導体に対するダメージを減らすことのできる圧着端子の被覆電線への接続構造を提供する。例文帳に追加

To provide a connection structure of a crimp terminal to a coated wire, which can alleviate damages on a conductor made of aluminum or an aluminum alloy, even if it is applied to an aluminum wire. - 特許庁

本発明は、絶縁体基体（２）を、弗素有機官能性シラン及び／又はシロキサン少なくとも１種、無機酸少なくとも１種及び触媒としてのアルミニウム（ＩＩＩ）、錫（ＩＩ）、錫（ＩＶ）、鉄（ＩＩＩ）又はチタン（ＩＩＩ）の金属塩少なくとも１種を含有する組成物で被覆することにより得られた表面変性された絶縁体（１）、その製法及び記載の組成物を絶縁体（１）の被覆のために使用する方法に関する。例文帳に追加

In this method, an insulator base body 2 is covered with a composition containing at least one of a fluorine organic functional silane and siloxane, at least one of organic acids, and at lest one of metal salts of aluminum (III), tin (II), tin (IV), iron (III), and titanium (III) to obtain this surface modified insulator 1. - 特許庁

業務システムに対する権限の変更があった場合であっても、当該変更に容易に対応することを可能とする。例文帳に追加

To easily respond to a change in authority to an application system. - 特許庁

焼成によって正極活物質を製造する間に原料から拡散するリチウム成分に対する耐食性が高い窯道具を提供すること。例文帳に追加

To provide a kiln tool having high corrosion resistance to a lithium component diffusing from a raw material while manufacturing a positive electrode active material by firing. - 特許庁

（２）インジウム酸化物を含有する物質がＩＴＯスクラップである上記（１）記載のインジウムの回収及び精製方法で得られる、インジウムに対するジルコニウムの濃度が４０ｐｐｍ以下であるインジウム含有水溶液を原料とするＩＴＯ粉末。例文帳に追加

The ITO powder uses an indium-contg. aq.soln. obtd. by the above method for recovering and refining indium with an ITO scrap as the material contg. indium oxide, and in which the concn. of zirconium to indium is ≤40 ppm as the raw material. - 特許庁

乗りかご内の閉じ込めが確認された場合に、携帯端末に対して救助に向かう旨の応答メールを返信する（ステップＳ１８〜Ｓ２０）。例文帳に追加

When the lock-in of users in the car is checked, a response mail for the rescue is returned to the portable terminal (Steps S18-S20). - 特許庁

このＣｕ・Ｉｎ系金属粉体は，金属銅粉を懸濁したインジウム塩溶液中にインジウムより卑な金属を投入することにより該金属銅粉の表面にインジウム金属を析出させ，得られたインジウム被着銅粉を液から分離するという方法によって有利に製造することができる。例文帳に追加

This Cu-In based metal powder can be advantageously manufactured by a method where metal baser than indium is put into an indium salt solution in which metal copper powder is suspended to deposit indium metal onto the surface of the metal copper powder and the resultant indium-coated copper powder is separated from the solution. - 特許庁

ＩＴＯ焼結体の原料として、酸化インジウム粉末に対する均一混合性に優れた酸化スズ粉末を提供する。例文帳に追加

To provide a tin oxide powder excellent in homogeneous miscibility for indium oxide powder as a starting material of ITO (Indium Tin Oxide) sintered body. - 特許庁

配電系統に太陽光発電設備が大量に連系した場合に、配電系統の安定化をナトリウム−硫黄電池システムにより実現する。例文帳に追加

To realize stabilization of a distribution system by a sodium-sulfur battery when a photovoltaic power generation equipment is connected to the distribution system in large quantities. - 特許庁

移動体の有無と、移動体が存在する場合にはその移動体の方位とを同時に検知できる無線センサ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a wireless sensor device which detects simultaneously existence of a moving body and an azimuth of the moving body when the moving body exists. - 特許庁

基体金属３と二重コイル７との間には、アルミニウム層を形成するためのアルミニウム箔１１が挿入されている。例文帳に追加

Aluminum foil 11 for forming aluminum layer is inserted between the base metal 3 and the coiled-coil 7. - 特許庁

粗面化されたアルミニウム表面を有する基板に周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム表面に金属酸化物半導体層が形成された基板を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。例文帳に追加

By making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb, IVa in the periodic table acted on a substrate having a roughened aluminum surface, this is the dye-sensitized solar cell wherein the substrate is used as an electrode in which a metal oxide semiconductor layer is formed on the aluminum surface. - 特許庁

超臨界水中における酸化ルテニウム（ＩＶ）を触媒とした気体燃料の生成方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GASEOUS FUEL USING RUTHENIUM (IV) OXIDE AS CATALYST IN SUPER CRITICAL WATER - 特許庁

組合員の組合の業務を執行する権限に加えた制限は、善意の第三者に対抗することができない例文帳に追加

Restrictions on the right of a partner to manage the Partnership's businesses may not be asserted against a third party without knowledge of such restrictions  - 法令用語日英標準対訳辞書

３　組合員の組合の業務を執行する権利に加えた制限は、善意の第三者に対抗することができない。例文帳に追加

(3) Restrictions on the right of a partner to manage the Partnership's businesses may not be asserted against a third party without knowledge.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＩＣソケットのコンタクトピンと、ＩＣのリードピンとの接触不良の有無を、ＩＣを実装している状態で検出できるようにすること。例文帳に追加

To detect the presence or absence of contact failure between the contact pins of an IC socket and the lead pins of an IC with the IC mounted. - 特許庁

この状態で、Ｓｉ基板２の温度を約１０００℃に保持して、Ｓｉ基板２にマグネシウムをドープする。例文帳に追加

In this state, the temperature of the Si substrate 2 is kept at about 1000°C, and Mg is doped into the Si substrate 2. - 特許庁

電子写真感光体１００は、アルミニウム基体３と、電荷発生物質を含む感光層６と、アルミニウム基体３と感光層６との間に配置される中間層４と、中間層４とアルミニウム基体３との間に配置される金属酸化物からなる酸化膜層２とを有する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor 100 comprises an aluminum substrate 3, a photosensitive layer 6 containing a charge generating material, an intermediate layer 4 interposed between the substrate 3 and the photosensitive layer 6, and an oxide film layer 2 comprising a metal oxide interposed between the intermediate layer 4 and the substrate 3. - 特許庁

ランタノイド類、イリジウム、金、及びハフニウムの内の少なくとも１種類を効率的且つ均一にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に導入して蛍光体前駆体を製造すること。例文帳に追加

To manufacture a phosphor precursor by efficiently and uniformly introducing at least one metal selected from lanthanoids, iridium, gold and hafnium into a II-VI compound semiconductor. - 特許庁

ｎ型Ｓｉ基板１１中にリチウムイオンを電気化学的に挿入することによりｎ型Ｓｉ基板１１をバッファ層１２、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から剥離する。例文帳に追加

Lithium ions are electrochemically injected into the n-type Si substrate 11 to peel the n-type Si substrate 11 from the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15. - 特許庁