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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > うまはせいちに関連した英語例文

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うまはせいちの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1128



例文

成長マスク14の開口部13におけるn型GaN層12上に六角錐形状のn型GaN層15を選択成長させる際に、初期成長をプレーナ成長換算で8μm/h以上の成長速度で行う。例文帳に追加

When an n-type GaN layer 15 of a hexagonal cone shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the openings 13 of the mask 14, initial growth is carried out at an initial growth rate of 8 μm/h or higher. - 特許庁

補正値算定後に車両移動または車両姿勢の変化があったと判定された場合には、補正値を初期化する。例文帳に追加

When it is determined that the movement or attitude of the vehicle is changed, after the computation of the correction value, the correction value is initialized. - 特許庁

清澄な、又は澱の発生しないDNA含有飲料または液状食品の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING DNA-CONTAINING CLEAR BEVERAGE AND DNA-CONTAINING LIQUID FOOD EACH FREE FROM GENERATION OF LEES - 特許庁

非炎症性腸疾患、下痢型過敏性腸症候群、または他の非特異的な腸疾患を治療または予防方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for treatment or prophylaxis of a non-inflammatory bowel disease, a diarrheal type irritable bowel syndrome or other non-specific bowel disease. - 特許庁

例文

上記非晶質の層は結晶化され、電気抵抗性を有する材料を再成長期間または再成長前に形成する。例文帳に追加

The amorphous layer is crystallized to form an electrically resistive material during or before regrowth. - 特許庁


例文

好ましくは、p型AlGaNクラッド層の成長前に、GaInN活性層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層により下地表面を覆っておく。例文帳に追加

It is preferable that the surface of a base is covered with a p-type AlGaN cap layer which has been grown at the growth temperature nearly equal to that of the GaInN active layer or below before the p-type AlGaN clad layer is grown. - 特許庁

過敏性腸症候群又は胃腸管感染症の予防又は治療用の医薬剤例文帳に追加

MEDICINE FOR PREVENTING OR TREATING IRRITABLE INTESTINE SYNDROME OR GASTROINTESTINAL TRACT INFECTIOUS DISEASE - 特許庁

較正値(単数又は複数)の数は、集合に属するピクセルの数より少ない。例文帳に追加

The number of the calibration value(s) is less than the number of the pixels within the set. - 特許庁

当該食品、飲料又は調味料は神経成長因子産生増強作用を有する。例文帳に追加

The resultant food, beverage of seasoning agent has an enhancing effect on the production of a nerve growth factor. - 特許庁

例文

事業の成長または縮小と関係なく、GHG パフォーマンス(排出実績)の改善を反映する例文帳に追加

Reflects GHG performance improvements independent of business growth or ecline  - 経済産業省

例文

成長マスクを用いてGaNなどの窒化物系III−V族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、3回対称または6回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク4を用いる。例文帳に追加

In a semiconductor growing method, where a nitride III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is formed on a substrate, such as a sapphire substrate formed of a material different from that of the compound semiconductor using a growing mask, a growing mask 4 which contains at least a pattern that is threefold or sixfold symmetrical is used as the growing mask. - 特許庁

ビデオストリームの巻戻し再生中または早送り再生中に映像を表示させる際の処理コストを削減する。例文帳に追加

To reduce processing cost when displaying video images during rewinding playback or fast forwarding playback of a video stream. - 特許庁

あるいは、ユーザから速度優先の選択がされた場合、本撮像前の合焦位置近傍の狭い範囲で合焦位置の検出を行う。例文帳に追加

Alternatively, if the user selects a speed priority, the in-focus position is detected in a narrow range near the in-focus position before the objective-imaging. - 特許庁

化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ3を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤(CH_4、H_2 )の他に吸熱反応性の反応補助剤(H_2 S)を添加して、単層カーボンナノチューブ4を生成する。例文帳に追加

In producing the multi-walled carbon nanotube 3 with a chemical vapor growth method or with a liquid growth method, the single-walled carbon nanotube 4 is produced by adding an auxiliary reactive agent (H_2S) for an endothermic reaction other than main reactants (CH_4, H_2) of the chemical vapor growth method or the liquid growth method. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁

成長の早い低木性のアジアの木で、収容用または装飾用として米国に帰化した例文帳に追加

fast-growing shrubby Asian tree naturalized in United States for shelter or ornament  - 日本語WordNet

ロ 次のいずれかに該当するものの単結晶又はエピタキシャル成長結晶を有するウエハー例文帳に追加

(b) Wafers having a single crystal or epitaxial growth crystal which fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

龍草廬は京都の伏見で生まれ、成長すると京都の宇野明霞の門下に入った。例文帳に追加

Soro RYU was born in Fushimi, Kyoto Prefecture and he became disciple of Meika UNO in Kyoto when he grew up.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

光導波コアメサ140は、成長窓に配置されており、台形の断面形状を有している。例文帳に追加

The optical waveguide core mesa 140 is located in the growth window, and has a trapezoidal cross-sectional shape. - 特許庁

半導体生産性の向上と共に、気相成長反応の副生成物による金属部品の腐食を防止することを可能とする気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a vapor-phase-grown-film forming device that prevents corrosion of metal components caused by a by-product of a vapor-phase growth reaction while achieving improvement in semiconductor productivity, and a vapor-phase-grown-film forming method. - 特許庁

2スケール網膜処理部12では、スモールおよびラージの各スケールサイズに関してマルチスケール網膜処理が実施され、補正値算出部13にて得られたオフセット補正値と、ゲイン補正値とによって補正される。例文帳に追加

The part 12 applies multi-scale retina processing to the image information about each of the small and large scale sizes and corrects the processed image information by an offset correction value obtained by the part 13 and a gain correction value. - 特許庁

取得部310は、太陽電池10の洗浄前において、特性値として洗浄前特性値を取得し、太陽電池10の洗浄後において、特性値として洗浄後特性値を取得する。例文帳に追加

The acquisition unit 310 acquires the characteristic value before cleaning as the characteristic value, before cleaning a solar cell 10, and acquires the characteristic value after cleaning as the characteristic value, after cleaning the solar cell 10. - 特許庁

炎症性腸疾患診断用マーカー遺伝子もしくは蛋白質およびそれを利用した炎症性腸疾患診断方法例文帳に追加

MARKER GENE OR PROTEIN FOR DIAGNOSIS OF INFLAMMATORY BOWEL DISEASE AND METHOD FOR DIAGNOSIS OF INFLAMMATORY BOWEL DISEASE USING THE SAME - 特許庁

そして、双方の修正方法の何れか一方又は両方を適用して修正値を決定(110〜116)した後に、最終的な修正値を決定する(118)。例文帳に追加

After one or both of correction methods are applied to determine a correction value (110 to 116), the final correction value is determined (118). - 特許庁

横形反応管を用い、複数枚を同時に処理する半導体気相成長装置及び気相成長方法において、半導体膜の気相成長速度が速く、原料ガス利用効率が高く、均一な半導体膜が得ることができる気相成長装置及び気相成長方法を開発する。例文帳に追加

To develop a vapor growth device and method for obtaining a uniform semiconductor film where the vapor growth speed of the semiconductor film is fast and feed gas efficiency is high in the semiconductor vapor growth device, and a method for simultaneously treating a plurality of semiconductor films using a horizontal reaction pipe. - 特許庁

第2の埋込半導体層37の成長は、第1の埋込半導体層35と異なり、ハロゲンを含む雰囲気を用いる。例文帳に追加

For the growth of the second embedded semiconductor layer 37, an atmosphere containing halogen is used unlike the first embedded semiconductor layer 35. - 特許庁

シリコン基板20の上に陽極化成でポーラスシリコン層60を形成し、このポーラスシリコン層60の上にエピタキシャル成長膜70を成長させ、このエピタキシャル成長膜70にガラス基板90を貼り付ける。例文帳に追加

A porous silicon layer 60 is formed on the silicon substrate 20 by anode conversion, an epitaxial growth film 70 is grown on the porous silicon layer 60, and then the epitaxial growth film 70 is adhered to a glass substrate 90. - 特許庁

成長マスクの開口部の一方向の大きさが4μm以下である場合を含めて、成長マスクの各開口部において高品質のGaN系III−V族化合物半導体層を良好な形状で選択成長させる。例文帳に追加

To selectively growing a high quality of GaN-based group III-V compound semiconductor layer with a satisfactory shape in each opening of a growth mask, including when the size of the openings of the mask in one direction is 4 μm or smaller. - 特許庁

それらが成長しているところ以外の世界の一部から生まれた植物または動物の例文帳に追加

of plants or animals originating in a part of the world other than where they are growing  - 日本語WordNet

異常な成長または異常な生成物(特に心臓の弁のいぼ状の異常な生成物)例文帳に追加

an abnormal growth or excrescence (especially a warty excrescence on the valves of the heart)  - 日本語WordNet

最初は完全に成長によって裂かれるいろいろなキノコの若い担胞子体を覆っている細胞膜例文帳に追加

membrane initially completely investing the young sporophore of various mushrooms that is ruptured by growth  - 日本語WordNet

種の進化の成長または生物の分類群に関係する出来事の連続例文帳に追加

the sequence of events involved in the evolutionary development of a species or taxonomic group of organisms  - 日本語WordNet

アルカリ性で、高い電気泳動移動度を有する血漿または血清中のグロブリン例文帳に追加

a globulin in blood plasma or serum that is alkaline and has great electrophoretic mobility  - 日本語WordNet

一 添加物を含む旨の表示中「色」の文字を含む場合 着色料又は合成着色料例文帳に追加

(i) When labeling indicating that the additives are contained includes the letter "(color)" - Food coloring or artificial coloring;  - 日本法令外国語訳データベースシステム

永治元年(1141年)11月六条第で生まれ、母の里邸である白河押小路殿で成長した。例文帳に追加

In December 1141, she was born at Rokujo-tei, and grew up at Shirakawa Oshikoji-dono, which was her mother's family home.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

潰瘍性大腸炎等の炎症性腸疾患(IBD)の治療または予防のための薬剤の提供。例文帳に追加

To provide a medicine for curing or preventing inflammatory bowel diseases (IBD) such as ulcerative colitis. - 特許庁

化合物半導体エピタキシャル成長膜および化合物半導体膜構造例文帳に追加

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL GROWTH FILM AND STRUCTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

クラッド層160は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。例文帳に追加

The cladding layer 160 covers the optical waveguide core mesa, and extends over at least part of the growth mask. - 特許庁

このとき成長または拡張されたテラスにおいて原子レベルで平坦な表面が得られる。例文帳に追加

The surface flat at the atomic level in the terrace grown or expanded at this time is obtained. - 特許庁

液状添加剤およびそれを用いた乳酸菌飲料または酸性乳飲料例文帳に追加

LIQUID ADDITIVE, AND LACTOBACILLUS BEVERAGE OR ACID MILK BEVERAGE EACH USING THE ADDITIVE - 特許庁

合焦位置の検出不能または偽合焦を防止できる焦点調節装置を提供する。例文帳に追加

To provide a focusing device capable of preventing inability of detecting a focus position or false focusing. - 特許庁

つまり、SiC又はGaNのエピタキシャル成長膜をバッファー層と本体層で形成する。例文帳に追加

In this case, the epitaxial growth film of SiC or GaN is formed of a buffer layer and a main body layer. - 特許庁

IL−6アンタゴニストを有効成分として含有する炎症性腸疾患の予防又は治療剤例文帳に追加

PREVENTIVE OR THERAPEUTIC AGENT FOR INFLAMMATORY INTESTINAL DISEASE CONTAINING IL-6 ANTAGONIST AS ACTIVE COMPONENT - 特許庁

キャブ単体であっても速度計の故障または補正値の誤設定を検査する。例文帳に追加

To inspect a failure of a speedometer or erroneous setting of a correction value even in a cab single body. - 特許庁

歪みを形成することなく、単層または多層の量子ドット層を成長させる。例文帳に追加

To grow at least one quantum dot layer without causing distortion. - 特許庁

フナバラソウ又はその抽出物を有効成分として含有する毛成長抑制剤。例文帳に追加

The hair growth inhibitor contains Cynanchum atratum or an extract thereof as an active ingredient. - 特許庁

シリコンウェーハ基板上の形成膜の平坦度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法、また、清浄度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase growth for improving flatness and cleanliness of the film formed on a silicon wafer substrate. - 特許庁

特に、本発明のバイオマーカーは、被験サンプルをアルツハイマー性痴呆または非アルツハイマー性痴呆または正常として分類するために有用である。例文帳に追加

Specifically, this invented biomarker is of service to classify a test sample as Alzheimer's dementia, non-Alzheimer's dementia, or normal. - 特許庁

例文

哺乳動物における片頭痛または他の血管性頭痛の予防または急性治療用医薬組成物の使用の提供。例文帳に追加

To provide the use of a medical composition for prophylactic or acute treatment of migraine or other vascular headaches in mammals. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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