「うまはせいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

本方法は、基板１２に対して格子不整合又は熱不整合の窒化物半導体層を結晶欠陥なく基板上に成長させる方法である。例文帳に追加

This method grows the nitride semiconductor layer grid-mismatched or heat-mismatched with a substrate 12 on the substrate without crystal defects. - 特許庁

半導体基板上に形成されたエピタキシャル成長膜に、エピタキシャル成長膜の性質を変化させることなくオーミック電極を形成する。例文帳に追加

To form an ohmic electrode on an epitaxial growth film formed on a semiconductor substrate without altering the nature of the epitaxial growth film. - 特許庁

基板に形成されたトレンチ内にエピタキシャル成長膜を形成する際、エピタキシャル成長膜に結晶欠陥が発生するのを抑制する。例文帳に追加

To provide a method restraining the generation of crystal defects in an epitaxial growth film when forming an epitaxial growth film in a trench formed in a substrate. - 特許庁

埋込導波路の両側に、埋込層を選択成長させる際に、マスクで覆っているハイメサ導波路領域に向かって被り成長が生じる。例文帳に追加

To solve the problem in which, in selectively growing an imbedding layer on both sides of an imbedded waveguide, an excess growth is caused towards a high-mesa waveguide region covered with a mask. - 特許庁

永禄12年（1569年）5月23日、氏真は北条氏政の嫡男・国王丸（後の北条氏直）を猶子とし、国王丸の成長後に駿河を譲ることを約した（この時点で氏真の嫡男・今川範以はまだ生まれていない）。例文帳に追加

On May 23, 1569, Ujizane adopted Kokuo-Maru (later Ujinao HOJO), a son of Ujimasa HOJO, and he promised to pass down Suruga to Kokuo-Maru after he became of age (at this point, Norimochi IMAGAWA, Ujizane's heir, was not yet born).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

従来の製造方法では、発振波長あるいは選択ＭＯＶＰＥに用いるマスク幅に依存して変化してしまうκを、結晶成長前の回折格子形状をあらかじめ変調しておくことにより補正し、発振波長や選択成長マスク幅に依存せず一定のκ実現する。例文帳に追加

Inconstant κ, depending upon the oscillation wavelength or mask width used for selective MOVPE in a conventional manufacturing method is corrected by previously modulating a diffraction grating shape before crystal growth, and constant κ is realized without depending upon the oscillation wavelength and selective-growth mask width. - 特許庁

ガリウムが注入されたクロム膜にはハローの少ないFIB-CVD遮光膜8は成長しないが、エッチングして露出したガラス部6には成長できることを利用する。例文帳に追加

The following phenomenon is utilized; an FIB-CVD light shielding film 8 with little halo does not grow on a gallium implanted chromium film but can grow on a glass part 6 exposed by etching. - 特許庁

菌、昆虫、または他の生理的な障害により生じる、高木または低木の小さな枝が群生する異常な生長例文帳に追加

an abnormal tufted growth of small branches on a tree or shrub caused by fungi or insects or other physiological disturbance  - 日本語WordNet

そのため、政長は弥三郎派の神保長誠らの支持を受けて弥三郎の後継となり、義就と激しい戦いを繰り広げた。例文帳に追加

Thus, Masanaga became the successor of Yasaburo supported by people who were on Yasaburo's side such as Naganobu JINBO, and developed a fierce battle with Yoshinari.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アフリカでは、2000年代初頭まで長きに亘る経済停滞が続いていましたが、過去10年間は高成長を維持しています。例文帳に追加

African economies have been stagnating up until the early 2000’s, but in the last decade, a sustained high speed growth has been witnessed.  - 財務省

半導体積層体２は、ＧａＡｓ基板１０１に成長形成された黄色発光層であるＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ多層膜１０２とコンタクト層１０３を含む。例文帳に追加

A semiconductor laminate 2 includes An InAlP/InGaAlP multilayered film 102 which is a yellow light-emitting layer grown/formed on the GaAs substrate 101. - 特許庁

これらのヴィアは、例えば、エッチング、イオン注入、又は、第２導電型層の選択的な成長によって形成することができる。例文帳に追加

The vias may be formed by, for example, etching, ion implantation, or selective growth of the layer of second conductivity type. - 特許庁

当該黒鉛材料は、ＳｉＣエピタキシャル成長膜製造用治具又はＳｉＣ単結晶製造用治具に用いられる。例文帳に追加

The graphite material is used for a fixture for manufacturing SiC epitaxial growth film or a fixture for manufacturing SiC single crystal. - 特許庁

識別ラベルは、少なくとも一つの識別情報と、形状または状態の特徴を指定するラベル特性値とを含む。例文帳に追加

The identification label includes at least one piece of identification information and a label characteristic value designating features of a shape or a state. - 特許庁

本防腐剤は、アルカリ性コーティング組成物上または中におけるカビ、藻およびバクテリアの成長を阻害する。例文帳に追加

The antiseptic agent inhibits the growth of fungi, alga and bacteria being present on or in a alkaline coating composition. - 特許庁

さらに、そのｃ−ＢＰ層の表面に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮ成長用原料ガスを流して、３Ｃ−ＳｉＣ層又はＧａＮ層を形成する。例文帳に追加

Further, a 3C-SiC or GaN growing raw material gas is supplied to the surface of the c-BP layer to form the 3C-SiC or GaN layer. - 特許庁

胎児肝臓又は再生中の成体肝臓中等の細胞集団から、肝幹細胞を検出又は分離する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for detecting or separating liver stem cells from a mass of cells in a fetal liver, an adult liver under regeneration, etc. - 特許庁

本発明は、ゲート酸化膜成長前の半導体基板表面の洗浄に特に好適に使用することができる。例文帳に追加

It is suitable to use this cleaning method, particularly for cleaning the surface of the semiconductor substrate prior to the growth of a gate oxide film. - 特許庁

炎症性腸疾患などの炎症性疾患を治療あるいは予防または改善するための安全性の高い組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a highly safe composition for treating or preventing or ameliorating inflammatory diseases such as inflammatory bowel diseases. - 特許庁

成長した網状膜６は、基板から剥離した後、オーミック電極７、８を蒸着して太陽電池とする。例文帳に追加

The grown net-shaped films 6 are peeled from the substrate, and then ohmic electrodes 7 and 8 are vaporized, so that a solar battery can be constituted. - 特許庁

ＣＤのトラックデータ又はファイルデータの再生中にトラック情報又はファイル情報を読み込む。例文帳に追加

To read track information or file information during the reproduction of track data or file data relating to a CD. - 特許庁

受信機６６はＬＦＥ信号を一方または両方のサラウンド・サウンド音声チャネルに多重化する。例文帳に追加

A receiver 66 multiplexes the LFE signal on one or both surround sound audio channels. - 特許庁

未熟な成長中の脊柱内の脊柱側弯症または脊柱変形の矯正または制止のための脊柱矯正システムを提供する。例文帳に追加

To provide a spinal correction system for the correction or arrest of scoliosis or spinal deformity in immature spines. - 特許庁

現像するキャリアの総重量は、画像形成中にドラム上に付着するキャリアの総重量と同等又は大きい。例文帳に追加

The total weight of the developed carrier is equal to or larger than the total weight of the carrier sticking to the drum in the midst of forming the image. - 特許庁

本発明は安価かつ簡単な構成で良質なＧａＮ系半導体結晶膜を成長させる装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and a method for growing a GaN-based semiconductor crystal film of high quality with an inexpensive, simple constitution. - 特許庁

液晶表示装置５は、遊技に関連する情報に基いて成長又は退行するキャラクタによる演出表示を行う。例文帳に追加

The liquid crystal display device 5 performs the direction display by a growing or degrading character based on information relating to the game. - 特許庁

エピタキシャル成長前，エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とする。例文帳に追加

To obtain a sapphire substrate with a nitride semiconductor film which is free from dispersion in warp among substrates before epitaxial growth, during epitaxial growth and after epitaxial growth, and has desired warp after epitaxial growth. - 特許庁

表面に触媒がドーピングまたは分散され、炭素気相成長繊維または炭素ナノチューブ３が生長した結晶質または非晶質炭素を含むリチウム二次電池用負極活物質。例文帳に追加

The negative electrode active material for the lithium secondary battery contains crystalline/noncrystalline carbon, on the surface in which a catalyst is doped or dispersed and carbon gas phase growth fibers or carbon nano-tubes 3 is grown. - 特許庁

単分子および低分子型シアル酸および上皮細胞成長因子および／または繊維芽細胞成長因子の両者またはこれら全ての混合物を含む化粧料または育毛剤による。例文帳に追加

The cosmetic or hair grower includes monomolecular and low-molecular type sialic acids and both of epidermal cell growth factor and/or fibroblast growth factor or a mixture of all of them. - 特許庁

ガス流量の制御では、試験的成膜によりウェハ２８上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ２８上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度の間の偏差が計算される。例文帳に追加

In the control of the gas flow rate, deviation between film growing speeds on various positions on a wafer 28 and a predetermined target growing speed is calculated on the basis of data about the thickness of a film formed on the wafer 28 by an experimental film formation. - 特許庁

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

前記骨形成用医薬は、骨形成治療において、骨誘導因子との同時使用又は連続使用のためのＩＬ−１１を有効成分として含むか、あるいは、骨形成治療において、ＩＬ−１１との同時使用又は連続使用のための骨誘導因子を有効成分として含む。例文帳に追加

This osteoplastic medicine characterized by containing IL-11 for simultaneous use or continuous use together with an osteoconductive factor in an osteoplastic treatment as an active ingredient or by containing an osteoconductive factor for simultaneous use or continuous use together with the IL-11 as an active ingredient. - 特許庁

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。例文帳に追加

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa. - 特許庁

一　被告である国若しくは公共団体に所属する行政庁又は被告である行政庁に対し、当該審査請求に係る事件の記録であつて当該行政庁が保有するものの全部又は一部の提出を求めること。例文帳に追加

(i) request any administrative agency affiliated with the State or the public entity that stands as a defendant, or the administrative agency that stands as a defendant, to submit the whole or part of the records of the case of the request for administrative review, which are held by the administrative agency; and  - 日本法令外国語訳データベースシステム

植物の果実、種子、種皮、花、葉、茎、根及び／又は根茎由来の成長因子産生増強物質を有効成分として含有する成長因子産生増強用組成物、及び成長因子産生増強物質の生理作用を利用した医薬、食品、飲料又は飼料を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for enhancing growth factor production containing, as an effective component, a substance for enhancing growth factor production derived from fruit, seed, seed coat, flower, leaf, stalk, root and/or rhizome of a plant, and medicines, foods, drinks or feeds utilizing the physiological action of the substance for enhancing growth factor production. - 特許庁

具体的には、同製薬組成物は、ｉ．Ｔ細胞の活性化、ｉｉ．ＭＡＰキナーゼ経路の活性化、又はｉｉｉ．成長因子又はサイトカインの生産、により媒介される疾病又は状態の治療又は予防、又は癌の治療又は予防が可能である。例文帳に追加

Specifically, the pharmaceutical composition can be used in treatment or prevention of disease or conditions mediated by (i) activation of a T-cell, (ii) activation of MAP kinase pathway or (iii) production of growth factor or cytokine, or treatment or prevention of cancer. - 特許庁

（二）　有機金属化学的気相成長反応炉であって、第二十号又は第二十一号に該当する材料を化学的に反応させることにより化合物半導体の結晶を成長させるもの例文帳に追加

2. Metal-organic chemical vapor deposition reactors that grow compound semiconductor crystals by causing a chemical reaction among materials that fall under item (xx) or item (xxi)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

広義の実施例において、骨成長を管理する方法、または一定の空間領域への骨成長を防止する方法は、本発明の再吸収性バリア膜を用いて空間的バリアを形成するステップを含んでいる。例文帳に追加

In a broad embodiment, methods for governing bone growth or those for preventing bone growth into a certain spatial area include the step of forming a spatial barrier by using the presently invented resorbable barrier membrane. - 特許庁

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。例文帳に追加

To suppress a decrease in yield due to sticking of peeled reaction products on an epitaxial growth film on a substrate during manufacture of a compound semiconductor using an organometallic vapor phase epitaxial method. - 特許庁

欠如歯部の顎骨に効率的に人工歯根を埋入すべく埋入孔を穿設することが可能な埋入孔形成治具および歯用施術器具を提供する。例文帳に追加

To provide an implant hole forming implement and a dental operation instrument for perforating an implant hole so as to efficiently implant an artificial dental root to the jawbone of a missing tooth part. - 特許庁

六　個人、団体、学校又は関係行政庁の協力を得て、公共職業安定所の業務の運営の改善向上を図ること。例文帳に追加

(vi) to improve the operations of Public Employment Security Offices, with the cooperation of individuals, organizations, schools and related administrative agencies;  - 日本法令外国語訳データベースシステム

フォトレジストパターン形成方法、マスクパターン形成方法、半導体結晶の成長方法、半導体基板の製造方法、および半導体基板例文帳に追加

PHOTORESIST PATTERNING METHOD, MASK PATTERNING METHOD, PROCESS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

当該マレイミド系共重合体を含有する感光性着色組成物に青色顔料又はフタロシアニン系顔料を配合する。例文帳に追加

The photosensitive coloring composition containing the maleimide copolymer is blended with a blue pigment or a phthalocyanine pigment. - 特許庁

該除草マット１中の竹繊維１３は雑草の発芽、生長を選択的に阻害し、また芝の徒長を抑制する。例文帳に追加

The bamboo fibers 13 in the weeding mat 1 selectively inhibit the germination and growth of weeds and suppress the spindly growth of the lawn. - 特許庁

その後、エピタキシャル成長法またはＣＶＤ法により、ボディ領域用凹部３３に、Ｐ型の半導体層３４が埋設される。例文帳に追加

Thereafter, a P type semiconductor layer 34 is buried in the recess 33 for body region by epitaxial growth or CVD. - 特許庁