「うまはせいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

見当ずれ判定方法、カラー印刷用見当マーク、カラーレジストレーション補正チャート及びカラー画像形成装置例文帳に追加

REGISTRATION SLUR DETERMINATION METHOD, REGISTRATION MARK FOR COLOR PRINTING, COLOR REGISTRATION-CORRECTING CHART AND COLOR IMAGE FORMING DEVICE - 特許庁

これにより、シリコン含有膜の成長速度の低下を抑制し、原料ガスや反応ガスの消費量を低減することができる。例文帳に追加

This enables suppression of a decrease in a growth rate of the silicon-containing film, thereby reducing the consumption of a material gas and a reaction gas. - 特許庁

低発熱性、ウエット性能、耐摩耗性及び耐亀裂成長性に優れたゴム組成物をトレッドとして用いたタイヤを提供すること。例文帳に追加

To provide a tire which uses a rubber composition excellent in low heat generation, wet performance, abrasion resistance, and crack growth resistance as a tread. - 特許庁

低発熱性、ウェット性能、耐摩耗性及び耐亀裂成長性が高いレベルでバランスしたタイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a tire balancing a low heat generation, wet performance, abrasion resistance and crack growth resistance in high levels. - 特許庁

これにより、基板９に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する。例文帳に追加

Thereby, the alignment layer is formed, consisting of an inorganic material having a plurality of columnar structures wherein crystals grow in an oblique direction to the substrate 9. - 特許庁

また、高成長を続ける中国経済及びインド経済について、現状と持続的発展に向けた課題について分析を行う。例文帳に追加

Furthermore, with regard to the Chinese economy and Indian economy, which continue to grow at high rates, their current status and issues in aiming for sustainable development will be analyzed. - 経済産業省

次回の間伐計画又は植林計画又は伐採計画等に利用可能な森林情報マップ１２０を形成でき、間伐作業又は伐採作業又は植林作業等の作業性を向上できるようにした不整地用走行車両を提供するものである。例文帳に追加

To provide a traveling vehicle for unleveled ground designed so as to make a wood information map 120 usable for a successive thinning plan, tree planting plan, logging plan and the like, and improve working efficiency of thinning work, logging work, tree planting work and the like. - 特許庁

次回の間伐計画又は植林計画又は伐採計画等に利用可能な森林情報マップ１２０を形成でき、間伐作業又は伐採作業又は植林作業等の作業性を向上できるようにした不整地用走行車両を提供するものである。例文帳に追加

To provide a traveling vehicle for unleveled ground designed so as to make a wood information map 120 usable for a successive thinning plan, tree planting plan, logging plan or the like, and improve working efficiency of thinning work, logging work, tree planting work or the like. - 特許庁

成長室１中に原料多結晶２を配置し、昇華法またはハロゲン化学輸送法で種結晶４上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を成長させる方法において、結晶成長後の冷却過程において、種結晶４側の温度を、成長結晶３側の温度より高温に保持する。例文帳に追加

In a method comprising arranging a raw material polycrystal 2 in a growth chamber 1 and growing the group II-VI compound semiconductor crystal on a seed crystal 4 by a sublimation method or a halogen chemical transport method, the temperature at the seed crystal 4 side is kept at a higher temperature than that at the grown crystal 3 side in a cooling process after growth of the crystal. - 特許庁

マスク１４により成長領域１３を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜１５のファセット構造を形成し（ｂ）、マスク１４を覆うまでファセット構造を発達させる（ｃ）。例文帳に追加

The method for manufacturing a GaN semiconductor element comprises the steps of forming a structure of a III-V compound semiconductor film 15 by an epitaxial growth by using a substrate for limiting a growing area 13 by a mask 14 (b), and developing the structure until the structure is covered with the mask 14 (c). - 特許庁

大久保道舟などを先駆とする精緻な研究結果から、現在では、旧稿75巻＋新稿12巻に整理され、学会では合意されている。例文帳に追加

Based on the exhaustive research begun by Doshu OKUBO, "Shobogenzo" has now been organized into a seventy-five volume set of old manuscripts and a twelve volume set of new manuscripts, and this organization has increasingly gained a consensus in the academic world.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。例文帳に追加

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16. - 特許庁

更に、被験物質の供給により培養上清中又は細胞内のB型肝炎ウィルス量が50％以下になる被験物質を選択する第３工程とを含むB型肝炎の予防又は治療剤のスクリーニング方法。例文帳に追加

Further, a method for preventing the hepatitis B or screening of a therapeutic agent, including a third step of selecting a test article to reduce the amount of hepatitis B viruses in the culture supernatant or in cells to 50% or less by supplying the test article is also provided. - 特許庁

４　旧法又はこれに基く命令の規定によつてした行政庁、家畜検疫官吏又は家畜防疫委員の処分その他の行為は、それぞれこの法律又はこの法律に基く命令の相当規定により行政庁、家畜防疫官又は家畜防疫員のしたものとみなす。例文帳に追加

(4) The dispositions and other acts of government agencies, animal quarantine officers or prefectural animal health inspectors carried out under the provisions of the Old Act, or orders based on the same, shall be regarded as having been made by government agencies, animal quarantine officers or prefectural animal health inspectors, respectively, under the corresponding provisions of this Act or orders based on this Act.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

したがって、不純物濃度プロファイルに優れ、かつミスフィット転位の少ないエピタキシャル成長膜を成長させられる基板用シリコンウェハを製造することができる。例文帳に追加

Consequently, the silicon wafer for substrate which is excellent in impurity concentration profiles and capable of growing an epitaxial growth film with less misfit dislocation is manufactured. - 特許庁

エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor substrate on which an epitaxial crystal film uniform in a crystal mixing ratio or carrier concentration can be grown by controlling the in-plane temperature distribution to be uniform during epitaxial growth. - 特許庁

被り成長を生じることなく、メサストライプ等の突出構造に対して埋込層を成長しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a buried layer can grow for a projecting structure such as a mesa stripe without generating overlapping growth. - 特許庁

雷雲の雲放電量及びレーダエコーを計測することによって即時的に雷雲の成長段階を判断し、その成長段階から降雨までの時間を予測すると共に雷雲の位置，移動状況，雨量を予測する。例文帳に追加

To immediately decide on the growing stage of thundercloud, by measuring the cloud discharge capacity of a thundercloud and radar echoes to predict the position, movement status of the thundercloud and the amount of rainfall, while predicting the time for rainfall by the growing stage. - 特許庁

ガスの排出機構を最適化することにより、エピタキシャル成長膜の均一性を向上させることを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growing apparatus for improving the uniformity of an epitaxial growth film by optimizing a gas exhaust mechanism. - 特許庁

開口５の側壁に絶縁体からなるサイドウォール６を形成し、その後、選択エピタキシャル成長法を用いて開口５内にエピタキシャル成長膜である単結晶シリコン膜８を形成する。例文帳に追加

A sidewall 6 constituted of an insulator is formed on the sidewall of the opening 5, and then a single crystal silicon film 8 which is an epitaxial growth film is formed in the opening 5 by using a selective epitaxial growing method. - 特許庁

次に、エッチングマスク４２を選択成長マスクとして用いて、第１活性層３０ａがエッチングされた半導体基板１０上に、第２活性層３０ｂを成長する。例文帳に追加

Next, a second active layer 30b is grown on the semiconductor substrate 10 on which the first active layer 30a is etched using the etching mask 42 as a selective growing mask. - 特許庁

Ｓｉ混晶層における選択成長用マスクの開口率の違いによりエピタキシャル成長が不均一となることを防止すると共に、半導体素子のキャリア移動度を向上できるようにする。例文帳に追加

To prevent epitaxial growth from being uneven owing to a difference in numerical aperture of a mask for selective growth in an Si mixed crystal layer, and to improve carrier mobility of a semiconductor element. - 特許庁

したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。例文帳に追加

Therefore, after formation of the catalyst material film 12, the growth substrate 11 can be transferred into an MOCVD apparatus or an MBE apparatus or the like without being exposed in an atmosphere to grow the nanocolumn. - 特許庁

成長マスクをエッチング除去した後、ｎ型ＧａＮ層１５を覆うように基板全面に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。例文帳に追加

After the growth mask is etched away, an active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are successively grown over the entire surface of the substrate, in such a manner as to cover the n-type GaN layer 15, to form a light-emitting device structure. - 特許庁

入力画像１１の画像情報が、補正値算出部１３に与えられて、原画像の階調値−頻度のヒストグラムに基づいて、オフセット補正値が算出され、２スケール網膜処理部１２に与えられる。例文帳に追加

The image information of an input image 11 is given to a correction value calculating part 13, an offset correction value is calculated on the basis of the histogram of the gradation value-frequency of an original image and given to a two-scale retina processing part 12. - 特許庁

加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor growth system and a vapor growth method which can improve the uniformity of a temperature distribution in the plane of a heated wafer and can evenly generate a crystal film. - 特許庁

また、データ再生中の記録層に対して下層側に配置された記録層の、データ再生中の記録層の誤り欠陥位置に対応する位置の欠陥登録を行う。例文帳に追加

There is registered a position corresponding to an error defect position of the recording layer being reproduced of the recording layer arranged at a lower layer of the recording layer being reproduced. - 特許庁

加工性に優れ、埋込層形成の結晶成長工程にも耐えうる耐熱性の金属材料、非金属材料、または化合物材料を第一の電極膜１０１に用いることで、電極形成先行プロセスにおいて埋込導波路を作製し、埋込型光導波路素子の高速化を実現する。例文帳に追加

A first electrode film pattern 108 for the waveguide other than the stripe is a pattern for positioning used by a infrared transmission method when packaging. - 特許庁

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。例文帳に追加

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked. - 特許庁

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底をマスクする。例文帳に追加

Before conducting the step of lateral growing of the sidewalls, the sapphire bottom is masked for preventing the growth of the gallium nitride from the bottom of the groove from interfering with the lateral growth of the sidewalls of at least one column thus formed into at least one groove thus formed. - 特許庁

成長マスクを用いずに、基板表面処理の段階で成長領域を決定して選択成長させることができ、かつ、描画が高速なうえ大気中で作業できる、汎用性の向上した窒化物薄膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride thin film with improved versatility, with which a growth region can be determined and selectively grown in the stage of substrate surface processing without using a growth mask, and plotting can be accelerated and work in the atmosphere can be executed. - 特許庁

高い成長速度が得られ、１バッチに多数枚の基板を投入しても、基板内や基板間の成長速度の分布が均一で、装置を大型化しても、メルトの反応や汚染を低減しやすい液相成長方法、および、装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid phase growth method which makes it possible to obtain a high growth rate, is uniform in the distribution of growth rates within and between substrates in spite of feeding many sheets of the substrates to one batch and easily lessens the reaction and contamination of a melt in spite of upsizing of the equipment, and an equipment therefor. - 特許庁

また、水晶基板１上に凸状に形成される水晶膜（エピタキシャル成長膜）は、水晶基板１の厚さに対して十分薄いため、より周波数精度の良いメサ型基板が得られる。例文帳に追加

Since the crystal film (epitaxial growth film) formed in a projected shape on the crystal substrate 1 is sufficiently thinner than the thickness of the crystal substrate 1, the mesa type substrate with higher frequency accuracy can be obtained. - 特許庁

波状摩耗が発生しやすい区間である加速、減速区間や曲線区間において、通過する列車の速度を分散させることにより、削正装置等を使用することなく、この区間における波状摩耗の成長を確実に抑制する。例文帳に追加

To reliably prevent growth of wavy wear in an acceleration and deceleration sections or curve section where the wavy wear tends to occur, by allowing a train speed passing therethrough to be dispersed, without using an expurgation device or the like. - 特許庁

半導体装置１０の基板１１上の、チャネル領域３２に対応する領域を除いた領域を種結晶領域として用い、チャネル領域３２を迂回する形で、基板１１上に選択エピタキシャル成長又は固相エピタキシャル成長によってゲートとなる単結晶膜を結晶成長させる。例文帳に追加

A region, on a substrate 11 of this semiconductor device 10, excluding a region corresponding to a channel region 32 is used as a seed crystal region, and a single-crystal film acting as a gate is crystal-grown on the substrate 11 in a form bypassing the channel region 32 by selective epitaxial growth or solid-phase epitaxial growth. - 特許庁

半導体基板１１上に少なくとも一層はＥＬＯで成長が行われる半導体薄層１２〜１４が積層形成されるが、その際用いられるＥＬＯ成長マスク材層１５の内部あるいは下部に光を反射する金属ミラー層を配置できる。例文帳に追加

Semiconductor thin layers 12 to 14, at least one of which is formed by ELO growth are laminated on a semiconductor substrate 11 and a metal mirror layer for reflecting light, can be arranged on the inside or in the lower part of an ELO growth mask material layer 15 to be used for the lamination of the semiconductor thin layers 12 to 14. - 特許庁

アルツハイマー病、アルツハイマー型老人性痴呆症又は脳血管性痴呆症を始とする細胞生存延長作用及び／又はアセチルコリントランスフェラーゼ賦活作用が有効な各種の脳機能障害による疾患の予防と治療に有用な予防・治療薬を提供する。例文帳に追加

To obtain a prophylactic/therapeutic agent useful for preventing and treating diseases caused by various cerebral dysfunctions for which cell survival elongation action and/or acetylcholintransferase stimulation activation is effective, and originating from Alzheimer's disease, senile dementia of Alzheimer type or cerebrovascular dementia. - 特許庁

1990 年代以降の経済状況を見ると、中国を始めとする新興国の著しい経済成長とは対照的に、我が国は1990 年代半ば以降マイナス成長を経験するなど経済が停滞しており、これまで世界第2 位で推移してきた我が国の名目GDPは2010 年に中国に抜かれると予想がされている。例文帳に追加

Reviewing the economic situation after 90?s, Japanese economy has been stagnant, in contrast to the significant growth of emerging countries such as China, and even experienced a negative growth. - 経済産業省

半導体基板１０１上におけるサイドウォールスペーサー１０６の両側に、相対的に小さい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、結晶性に優れた第１の単結晶シリコン膜１０７を形成した後、該第１の単結晶シリコン膜１０７の上に、相対的に大きい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、第２の単結晶膜シリコン膜１０８を形成する。例文帳に追加

On both the sides of the side wall spacers 106 on the semiconductor substrate 101, a first single-crystal silicon film 107 of superior crystallizability is formed by epitaxial-growing at relatively small growth rate, and then, on the first single-crystal silicon film 107, a second single-crystal silicon film 108 is formed by epitaxial-growing at relatively large growth rate. - 特許庁

国内の、新興企業や家計を含めた資金需要者と国内に豊富に存在する貯蓄を効率的に金融仲介し、成長の基盤を支える機能を強化していくことが重要であることは言うまでもない。例文帳に追加

Obviously, it is necessary to strengthen financial function that intermediate domestic financial demands including those of emerging enterprises and households, and abundant domestic savings, thereby supporting a foundation for future growth.  - 財務省

また、世界経済が「強固で持続可能かつ均衡ある成長」の実現に向けて協調していくことが一層重要であり、我が国としても国際社会に対する貢献を引き続き行っていく事は言うまでもありません。例文帳に追加

It is now more important than before, that the global economy cooperate to realize strong, sustainable and balanced growth and, needless to say, Japan will continue to make its contributions to the international community.  - 財務省

ＧａＮ基板上に積層されるＧａＮ層又はＡｌＧａＮ層の膜厚の測定が可能な膜成長方法、膜厚測定方法及びエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a film growth method, film thickness measurement method and epitaxial substrate which enable the measurement of film thickness of a GaN layer laminated onto a GaN substrate or an AlGaN layer. - 特許庁

基板１の上に感応膜２を形成する時は、基板１の表面の凹凸が感応膜２の膜厚の１／５以下になるように平坦化した後、酸化スズを原子層成長法により形成する。例文帳に追加

When the sensitive film 2 is formed on the substrate 1, irregularities on the surface of the substrate 1 are flattened, in such a way that they are 1/5 or smaller than the film thickness of the sensitive film 2, and the tin oxide is then formed by the atomic-layer growth method. - 特許庁

（２）上記の方法によるＢＰ単層膜もしくは上記を２回以上繰り返し行いＢＰ，ＳｉＣ多層膜をバッファー層としてＳｉＣ膜を成長させる方法。例文帳に追加

In this method, the SiC film is grown by using the single-layered BP film formed by the method or multilayered BP and SiC films formed by repeating the method as the buffer layer. - 特許庁

アンモニア性窒素を電子供与体とし、亜硝酸性窒素を電子受容体とする独立栄養性脱窒微生物を含む微生物群を、振動又は振盪下に保存する；或いは亜硝酸イオン及び／又は硝酸イオンの存在下に保存する。例文帳に追加

The groups of microorganisms including the autotrophic denitrifying microorganisms that use ammoniac nitrogen as the electron donor and nitrous nitrogen as the electron acceptor are preserved under swinging or shaking conditions or in the presence of nitrous ion and/or nitrate ion. - 特許庁