「うまはせいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

金属銅３などに低真空下で高エネルギービームが照射されることにより成長された突起２からなるナノ突起構造体であって、当該ナノ突起構造体は、高エネルギービームの照射方向が成長途中で変更されて、屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に形成されていることを特徴とするナノ突起構造体。例文帳に追加

This invention relates to the nano-projection structure formed of a projection 2 grown by irradiation of a high energy beam to metal copper 3 under rough vacuum, and formed in a bent, curved, or spiral coil shape by a change in the radiation direction of the beam in the middle of the growth. - 特許庁

画像情報の受信中又は画像形成中に誤操作によって電力供給がオフにされることがないとともに、必要な場合には、画像情報の受信中又は画像形成中であっても強制的に電力供給をオフにすることができ、長時間待機することなく短時間で電力供給をオフにすることができるようにする。例文帳に追加

To prevent power supply from being turned off by an erroneous operation during image information reception or image formation, to enable power supply to be forcibly turned off, as needed, even during image information reception or image formation, and to turn off power supply in a short time without being on standby for a long time. - 特許庁

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、上部電極層表面の一対の溝より外側に設けられた外部との電気的な接続を行うための電気的接続点を有し、電気的接続点における上部電極層の表面から窒化物半導体成長層までの厚さが、リッジ部直上おける上部電極層から窒化物半導体成長層までの厚さよりも、厚いことを特徴とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor laser element is provided with electric contacts provided at the outside of a pair of grooves on the surface of an upper electrode layer to effect electric connection with an external source, and a thickness from the surface of the upper electrode layer at the electric contacts to the nitride semiconductor growth layer is thicker than that from the upper electrode layer immediately above a ridge to the nitride semiconductor growth layer. - 特許庁

キューポイント設定装置は、記録中又は再生中の情報に対して頭出し再生開始位置を示すキューポイントを指定するための第１指示を外部から入力可能な第１指示入力手段（３１）と、記録中又は再生中の情報における第１指示が入力された時刻から所定時間だけ前の時刻をキューポイントとして設定するキューポイント設定手段（４１）とを備える。例文帳に追加

The device for setting a cue point is provided with a first instruction input means 31 receiving a first instruction for specifying a cue point indicating a cue playback start position for information being recorded or reproduced, and a cue point setting means 41 for setting the point of time a predetermined time before inputting the first instruction of the information being recorded or reproduced as a cue point. - 特許庁

アデノシン受容体アゴニスト、特にＡ３アデノシン受容体に結合するアゴニストは、体内におけるＧ−ＣＳＦの生産または分泌の誘発、薬品の毒性副作用の予防または治療、または白血球減少症、特に薬品誘発白血球減少症の予防または治療、および異常な細胞成長および増殖の阻害のために用いられる。例文帳に追加

Adenosine receptor agonists, particularly an agonist which binds to the A3 adenosine receptor, are used for induction of production or secretion of G-CSF within the body, prevention or treatment of toxic side effects of a drug or prevention or treatment of leukopenia, particularly drug-induced leukopenia; and inhibition of abnormal cell growth and proliferation. - 特許庁

化学的汚染アセスメントに有用だと思われる個体の身体特性は，細菌･ウイルス感染や，その個体の発生中における何らかの催奇形影響または発癌影響に起因する。例文帳に追加

Physical characteristics of individuals that may be useful for assessing chemical contaminants would result from microbial or viral infection, some sort of tetragenic or carcinogenic effects during development of that individual. - 英語論文検索例文集

化学的汚染アセスメントに有用だと思われる個体の身体特性は，細菌･ウイルス感染や，その個体の発生中における何らかの催奇形影響または発癌影響に起因する。例文帳に追加

Physical characteristics of individuals that may be useful for assessing chemical contaminants would result from microbial or viral infection, some sort of tetragenic or carcinogenic effects during development of that individual. - 英語論文検索例文集

化学的汚染アセスメントに有用だと思われる個体の身体特性は，細菌･ウイルス感染や，その個体の発生中における何らかの催奇形影響または発癌影響に起因する。例文帳に追加

Physical characteristics of individuals that may be useful for assessing chemical contaminants would result from microbial or viral infection, some sort of tetragenic or carcinogenic effects during development of that individual. - 英語論文検索例文集

３　都道府県知事は、第一項又は前項の規定による都道府県の事務の全部又は一部を、その管理に属する行政庁に委任することができる。例文帳に追加

(3) A prefectural governor may delegate the prefectural government's affairs pursuant to the provisions of paragraph (1) or the preceding paragraph, in whole or in part, to any administrative agency under the prefectural governor's jurisdiction.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

２　組合は、前項第一号又は第四号の規定により解散したときは、解散の日から二週間以内に、その旨を行政庁に届け出なければならない。例文帳に追加

(2) When a cooperative has been dissolved pursuant to the provisions of item (i) or item (iv) of the preceding paragraph, it shall notify an administrative agency to that effect within two weeks from the date of dissolution.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

「者」とは，取引，事業又はその促進に従事している何れかの合法的な労働組合及び何れかの合法的な組織，並びに何れかの国，州，県，市又はその他組織化された行政地域の行政当局を含む。例文帳に追加

“Person” includes any lawful trade union and any lawful association engaged in trade or business or the promotion thereof, and the administrative authority of any country, state, province, municipality or other organized administrative area.  - 特許庁

行政長官は，本条例の適用上，官報告示により，香港を除く国，領土若しくは地域の法律に基づき設立された特許庁又は国際協定に基づき設立された特許庁を指定することができる。例文帳に追加

The Chief Executive in Council may for the purposes of this Ordinance by notice published in the Gazette designate a patent office established under the law of any country, territory or area other than Hong Kong or established under any international agreement.  - 特許庁

組織や臓器の移植（同種移植または異種移植）における免疫拒絶反応（移植片拒絶反応）を抑制、治療または予防する方法及び薬剤を提供する医薬組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a medicine composition which provides a method and medicine for depressing, curing, or preventing immune rejection (graft rejection) in the transplantation (allotransplantation or xenotransplantation) of a tissue or organ. - 特許庁

本発明は、さらに、固形臓器移植拒絶、移植片対宿主病、関節炎、関節リウマチ、炎症性腸疾患、アトピー性皮膚炎、乾癬、喘息、アレルギーまたは多発性硬化症の治療において、例文帳に追加

The invention further relates to the use of a compound, alone or in combination with another agent, in the treatment of solid organ transplant rejection, graft versus host disease, arthritis, rheumatoid arthritis, inflammatory bowel disease, atopic dermatitis, psoriasis, asthma, allergies or multiple sclerosis. - 特許庁

少ない熱エネルギーで効果的に汚れの付着予防もしくは成長予防又は除去を行うことができる汚れ排除方法及び汚れ排除装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a decontamination method and a decontamination apparatus each capable of effectively performing the deposition prevention, growth prevention, or removal of contaminants with little thermal energy consumption. - 特許庁

結晶成長用基板６６と光波長変換部材５０とが表面活性化接合またはプラズマ接合によって互いに直接接合され、光波長変換部材５０と半導体発光素子６２とが互いに固着される。例文帳に追加

The crystal-growing substrate 66 and the light wavelength conversion member 50 are jointed directly to each other by surface activation jointing or plasma jointing, and the light wavelength conversion member 50 and the semiconductor light-emitting device 62 are mutually adhered. - 特許庁

液相エピタキシャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおいて、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこと。例文帳に追加

To prevent the occurrence of defective wafers due to thyristor phenomenon, related to an epitaxial wafer for a light-emitting diode of a single heterostructure or double heterostructure of AlGaAs group manufactured by a liquid- phase epitaxial growth. - 特許庁

この様に、１つの結晶成長領域を極く狭い範囲に限定することにより、半導体層（Ａ）に働く応力が弱くなり、結晶性が良質の半導体素子を製造することが可能又は容易となる。例文帳に追加

In this way, a crystal growth region is limited to a very narrow range, so that stresses acting on a semiconductor layer (A) becomes weak, and a semiconductor device of superior crystallinity can be or is easily manufactured. - 特許庁

または、情報処理装置１１０は、途中まで再生したコンテンツの全データと、現再生位置または再生中断位置を表す位置情報を情報処理装置１０に送信する。例文帳に追加

Or the information processing apparatus 110 transmits all the data of the contents reproduced up to the midway and the positional information representing the present reproduction position or the reproduction interruption position to the information processing apparatus 10. - 特許庁

そして、演出の出力の停止中又は再生中に停止スイッチ４４又は再生スイッチ４５を操作すると、演出の停止状態又は再生状態を解除することができる。例文帳に追加

By operating the stop switch 44 or the reproduction switch 45 during the stoppage or reproduction of the output of the performance, the stoppage or reproduction state of the performance can be released. - 特許庁

脱毛症を排除又は低減させることを可能にする組成物、特に毛髪の成長を誘導又は刺激し、かつ脱毛を減少させることを可能にする組成物の提供。例文帳に追加

To provide a composition that permits elimination or alleviation of alopecia, particularly a composition that permits inducement or stimulation of hair growth and reduction of falling-out of hair. - 特許庁

基準色決定部５５は、所定の設定入力、あるいは、作成中または作成後の表示画面データの色情報などに基づき、色調抽出を行うための基準色を決定する。例文帳に追加

A reference color determining part 55 determines the reference color for extracting the color tone, based on a predetermined setting input, color information of in-process or completed display screen data, or the like. - 特許庁

本発明はまた、活性成分として、化粧用または皮膚科学上適切な経皮ナノコロイド型賦形剤と結合した、オドンテラ・アウリタの天然脂溶性抽出物を含む新規配合物にも関係する。例文帳に追加

New formulations comprising, as the active component, a natural fat-soluble extract of Odontella aurita, associated with a cosmetic or dermatologically appropriate transdarmal nano-colloid type vehicle, are provided. - 特許庁

あるいは、切り替え前の回路の放電処理の完了前は、補正値に基づく制御を行ない、放電処理の完了後は、検出値に基づいて制御を実行する。例文帳に追加

Or before the discharge of the circuit is finished, the control is practice according to a correction value, and after the discharge is finished, the control is practice according to the detected value. - 特許庁

ヒートローラ及び加圧ローラは、金属製のシャフト（１）と、シャフトの外周側に設けた弾性ゴム層（３）と、弾性ゴム層上に設けた離型材層又は離型性チューブ（４）とを有する。例文帳に追加

Each of the heat roller and pressure roller has a metallic shaft (1), an elastic rubber layer (3) provided on an outer peripheral side of the shaft, and a releasing material layer or releasing tube (4) provided on the elastic rubber layer. - 特許庁

除去された損傷又は破壊を受けた関節軟骨の領域とこれに隣接する健康な海綿骨との間に軟骨形成成長支持基質を樹立することによって、骨の表面、損傷又は破壊を受けた関節軟骨を再生するための生体吸収軟骨修復システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a bioabsorbing cartilage restoration system for restoring damaged or broken articular cartilage on the surface of a bone by establishing a chondrogenesis growth support matrix between a removed damaged or broken articular cartilage region and an adjacent healthy cancellous bone. - 特許庁

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。例文帳に追加

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources. - 特許庁

２．３ｎｍ〜４．４ｎｍの軟Ｘ線領域に用いる多層膜ミラーを作製する方法にであり、多層膜をエピタキシャル成長で積層させることにより多層膜内の結晶欠陥を減少させ、軟Ｘ線の反射率を向上させるものである。例文帳に追加

To provide a method of producing a multilayer film mirror used in a soft X-ray region of 2.3 to 4.4 nm, which comprises stacking the multilayer film by epitaxial growth and by which crystal defects in the multilayer film can be reduced and the reflectivity to soft X-rays can be improved. - 特許庁

ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a crystal film composed of a single crystal in which defects are further reduced and having good flatness can be produced at a higher speed when an aluminum-based group III nitride crystal film is produced by a hydride vapor phase epitaxy method. - 特許庁

５−リポキシゲナーゼ経路に関連する炎症性疾患、または慢性関節リウマチ、嚢胞性線維症、乾癬、炎症性腸症候群、胃炎、クローン病、回結腸炎、全腸炎、出血性直腸結腸炎および炎症性大腸炎の治療のための治療薬の提供。例文帳に追加

To provide a therapeutic agent for treating inflammatory disorder related to a 5-lipoxygenase channel or rheumatoid arthritis, cystic fibrosis, psoriasis, inflammatory intestine syndrome, gastritis, Crohn's disease, ileocolitis, enterocolitis, bleeding rectum colitis and inflammatory colitis. - 特許庁

エピタキシャル成長用に用いられる窒化物半導体自立基板を、エピタキシャル成長前に洗浄する窒化物半導体基板の洗浄方法において、塩基性洗浄液を用いず、非塩基性洗浄液のみを用いて洗浄する方法である。例文帳に追加

In the method of cleaning the nitride semiconductor substrate that cleans a nitride semiconductor self-supporting substrate used for epitaxial growth before the epitaxial growth, not a basic cleaning liquid, but only a non-basic cleaning liquid is used for the cleaning. - 特許庁

剥離やクラックの発生が抑制されるサセプタを用いた縦型ホットウォールＣＶＤエピタキシャル装置、この装置を用いたＳｉＣエピタキシャル成長方法及びこれらの装置と方法とを用いて形成されるＳｉＣエピタキシャル成長膜を提供する。例文帳に追加

To provide vertical hot-wall CVD(chemical vapor deposition) epitaxial equipment which uses a susceptor which controls the development of peeling and crack, an SiC epitaxial growth method which uses the equipment, and an SiC epitaxial growth film formed by using the equipment and method. - 特許庁

ここで、高濃度の線維芽成長因子、ガンマアミノ酪酸、ピペコリン酸、リチウム及び形質転換成長因子ベータが、該幹細胞が培養される培地に加えられる場合に、該幹細胞が支持細胞又はならし培地を用いなくとも複数の継代中に無制限に未分化のままでいることが見出された。例文帳に追加

If high levels of fibroblast growth factor, gamma amino butyric acid, pipecolic acid, lithium, and transforming growth factor beta are added to the medium in which the stem cells are cultured, the stem cells remain undifferentiated indefinitely through multiple passages, even without feeder cells or conditioned medium. - 特許庁

次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。例文帳に追加

Then, a second β-FeSi_2 layer 3 whose particle size is 10 to 100 μm is formed on the first β-FeSi_2 layer 2 while accelerating the lateral growth of the crystal grains of the initial layer by a chemical vapor deposition method or a vapor phase epitaxy method. - 特許庁

この補強領域の設定は、最初に、鋼管製柱状体の荷重作用点の高さ及びそこに加わる荷重より、必要曲げモーメントを算出し、次に、鋼管製柱状体のみの強度（降伏曲げモーメント）を算出する。例文帳に追加

To set the reinforcing area, firstly a necessary bending moment is calculated based on a height of a point of action of a load of the steel pipe columnar body and a load applied to the same, and a strength (yield bending moment) only of the steel pipe columnar body is calculated. - 特許庁

同時に、１画面毎の画像の平均輝度と、ＰＷＭＧＡＩＮ計算回路１０７からの調整値と、１画面毎の画像の最小輝度と最大輝度との一方または両方とによって特定される画像輝度補正直線に基づいて、表示対象の画像信号の増幅制御を行う。例文帳に追加

Further, amplification control of an image signal of a display object is performed based on the average luminance of the image for each screen, the adjustment value from the PWMGAIN calculation circuit 107 and an image luminance correction straight line specified by one or both of minimum luminance and maximum luminance of the image of each screen. - 特許庁

位相シフトレチクルの遮光膜と位相シフタ−との精度の良い重ね合わせ位置精度の評価が可能で、仮に重ね合わせ位置精度が良くない場合には、重ね合わせ描画のやり直しができる位相シフトレチクルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a phase shift reticle by which an overlap positional precision between a light shielding film of the phase shift reticle and a phase shifter can be evaluated highly precisely, and a overlap plotting is conducted again when the overlapped positional precision is judged to be insufficient. - 特許庁

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。例文帳に追加

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶の半導体ウェーハが、ＳｉＣ単結晶膜からなり、２０μｍないし１５００μｍの膜厚を有し、膜厚方向にＳｉＣ単結晶がエピタキシャル成長して形成されており、エピタキシャル成長の起点側の面がＳｉ溶融除去面である。例文帳に追加

The semiconductor wafer of the SiC single crystal comprises an SiC single crystal film having a thickness of 20 to 1,500 μm, which is formed by epitaxial growth of the SiC single crystal in the thickness direction, and in which the face at the starting side of the epitaxial growth is a face from which Si melt has been removed. - 特許庁

この基板１１表面に化合物半導体層１２を適当な成長条件でエピタキシャル成長させた場合、基板１１から半導体層１２への貫通転位の伝搬が抑制されつつ基板１１表面の孔１３が埋まって、当該基板表面が平坦化される。例文帳に追加

When a compound semiconductor layer 12 is epitaxially grown on the surface of the substrate 11 in an appropriate growing condition, the holes 13 on the surface of the substrate 11 are buried while propagation of through dislocation from the substrate 11 to the semiconductor layer 12 is suppressed and the surface of the substrate are flattened. - 特許庁

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。例文帳に追加

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal. - 特許庁

前記記載の基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法において、ＩｎＧａＰ層の成長を停止して次にＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓ層を成長するにあたり、Ｐ含有ガスとＧａ含有ガスを両方流す工程を行う製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method, based on the MOCVD method of the substrate, comprises a step of supplying the gasses containing P and Ga for the next growth of GaAs layer or InGaAs layer, after suspending growth of the InGaP layer. - 特許庁

この課題は、少なくとも１種類のワックスコポリマーＡ、少なくとも１種類の着色剤Ｂおよび少なくとも１種類の造膜性湿潤剤Ｃを、水性着色剤調製物の製造に慣用の他の添加物の他に含有する水性着色剤組成物によって達成される。例文帳に追加

The water-based colorant composition comprises at least one wax copolymer A, at least one colorant B and at least one film-forming wetting agent C, in addition to other additives commonly used in production of water-based colorant preparations. - 特許庁

例えば、成長の早い魚類では、生まれた当年の魚、2年目の魚、3年目の魚…が、同じ時期に漁獲されると、それぞれ体の大きさが一回り以上異なるので、それらをはっきりと大きさで区別できることがある。例文帳に追加

Rapidly growing fishes of the same kind that differ in age can be easily distinguished from one another by size when they're caught, because the size may more than double within a year.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

享保15年に城米が「御用米」と改められた背景には、実際には災害救済や財政調整のために用いられて軍事色が払拭されていた現状に応じたものであるとされている。例文帳に追加

It is believed that the background that led to the change of jomai to 'goyomai' in 1730 was closely related to the actual situation of the time where the stock was used for disaster relief or financial adjustment and military significance was faded.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス