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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > うまはせいちに関連した英語例文

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うまはせいちの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1128



例文

我々は、全ての国において今日まで採られている政策対応が、成長と信認に対し良い影響を与えることを確信している。例文帳に追加

We trust that the policy responses taken to date in all of our countries will have a positive effect on growth and confidence.  - 経済産業省

同時に、リストラを行う前にまず、企業内あるいは企業間で成長している部門に余剰人員を振り向けてもらいたい。例文帳に追加

I also hope companies will shift extra workers to expanding departments within or outside the company, before making a decision on restructuring. - 厚生労働省

損傷又は病気の骨、軟骨等の結合組織とインビボで接触させることにより当該損傷又は病気の組織の修復又は成長を誘発する組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a composition capable of inducing the repair or growth of a damaged or disease tissue by bringing the damaged or disease connective tissue such as bone and cartilage into contact therewith in vivo. - 特許庁

アルツハイマー型の老人性痴呆の発症、または、ニューロンの代謝の減少により生じ、認識機能の減少をもたらす他の症状の発症を、治療または予防するための方法および組成物の提供。例文帳に追加

To provide methods and compositions for treating or preventing the occurrence of senile dementia of the Alzheimer's type, or other conditions arising from reduced neuronal metabolism and leading to lessened cognitive function. - 特許庁

例文

侵攻性(成長が早い)のタイプと緩慢性(成長が遅い)のタイプに分けられ、それぞれがb細胞またはt細胞のどちらで形成されているかによっても区別される。例文帳に追加

these types can be divided into aggressive (fast-growing) and indolent (slow-growing) types, and they can be formed from either b-cells or t-cells.  - PDQ®がん用語辞書 英語版


例文

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。例文帳に追加

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage. - 特許庁

履歴データの項目に設定されている属性値に変更があった場合には変更前の属性値に補正しつつ、指定されたパターンとの一致を判断する。例文帳に追加

To decide consistency with a specified pattern when modification of an attribute value being set in a history data item is made, while correcting the attribute value to the value before the modification. - 特許庁

上皮成長因子ファミリー(EGFファミリー)に属し、上皮成長因子レセプターへの結合能を有する細胞成長因子、あるいは該細胞成長因子と相同または1もしくは数個のアミノ酸が欠失、置換、挿入もしくは付加されたアミノ酸配列からなるポリペプチドを含有する血管内膜肥厚抑制剤。例文帳に追加

This intimal thickening inhibitor comprises a cell growth factor belonging to an epidermal growth factor family(EGF family) and having a binding ability to an EGF factor receptor or a polypeptide homologous to the cell growth factor or comprising an amino acid sequence in which one or several amino acids are deleted, substituted, inserted or added. - 特許庁

CVD法またはPVD法で基板1上に島状膜2aを形成させ、その島状膜2aを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶2dを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。例文帳に追加

The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core. - 特許庁

例文

無機材料または合成樹脂材料から成る基材2の表面に、プラズマ化学的気相成長法またはマイクロ波化学的気相成長法によって、約1〜約10μmの膜厚を有するアモルファスシリコンカーバイドから成るコーティング膜3を形成する。例文帳に追加

A coating film 3 having about 1-10 μm film thickness and consisting of amorphous silicon carbide is formed on the surface of a base material 2 consisting of an inorganic material or a synthetic resin material by a plasma chemical or microwave chemical vapor growth method. - 特許庁

例文

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer. - 特許庁

膜状の熱電材料の製造方法であって、テルル(Te)を含有する原料を用いて、物理気相成長法又は化学気相成長法又は印刷法により膜を形成する工程(a)と、工程(a)において形成された膜を水素雰囲気中においてアニールする工程(b)とを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the film-like thermoelectric material comprises a step (a) for forming a film of a material containing tellurium (Te) with a physical vapor growth method, a chemical vapor growth method, or a printing method; and a step (b) for annealing the film formed in the step (a) in a hydrogen atmosphere. - 特許庁

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region. - 特許庁

該トラップ層13は、GaAs層又はInGaAs層の上にInAs層を成長する場合に、GaAs層又はInGaAs層の上に、InAsからなる量子ドットが自己組織的に形成される。例文帳に追加

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer. - 特許庁

そして、当該作動状態が正常と判断された場合には正常マップから、異常と判断された場合には異常マップから、補正値βをそれぞれ決定する(S230、S240)。例文帳に追加

A correction value β is determined using a normal map when the condition is judged normal, and the value β is determined using an abnornal map when it is judged abnormal (S230, S240). - 特許庁

多板クラッチ用摩擦板積層体組込み治具、多板クラッチ用摩擦板積層体配列作製治具、及び多板クラッチ用摩擦板積層体組込み方法例文帳に追加

FRICTION PLATE LAMINATED BODY ASSEMBLING TOOL FOR MULTIPLE DISC CLUTCH, FRICTION PLATE LAMINATED BODY ARRANGEMENT PRODUCING TOOL FOR MULTIPLE DISC CLUTCH, AND FRICTION PLATE LAMINATED BODY ASSEMBLING METHOD FOR MULTIPLE DISC CLUTCH - 特許庁

租界を攻撃していた清朝の正規軍、聶士成(じょうしせい)の武衛前軍や馬玉崑(ばぎょくこん)率いる武衛左軍と衝突したが、戦闘は連合軍が清朝側を圧倒した。例文帳に追加

The official army of Qing dynasty was attacking the Concession (foreigners in China holding autonomy or extraterritoriality), but the frontal army of Chinese imperial guard division led by Nie Shicheng, and the left Chinese imperial guard division led by Bagyokukon, clashed with allied forces and the Qing dynasty side was defeated during the battle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

膜分離装置3で分離する脱窒処理液のアンモニア性窒素濃度と亜硝酸性窒素濃度の両方又はいずれか一方を0〜3mg/Lとする。例文帳に追加

Both of or either one of the concentration of ammonia nitrogen and the concentration of nitrous nitrogen in the denitrified treated liquid separated in the membrane separator 3 is set to 0-3 mg/l. - 特許庁

沈殿槽3に導入する脱窒槽2の流出液中のアンモニア性窒素濃度と亜硝酸性窒素濃度の両方又はいずれか一方を0〜5mg/Lとする。例文帳に追加

Both of or either one of the concentration of ammonia nitrogen and the concentration of nitrous nitrogen in the outflow liquid in the denitrification tank 2 introduced into the sedimentation tank 3 is set to 0-5 mg/l. - 特許庁

新たな炎症性腸疾患診断用マーカー遺伝子もしくは蛋白質およびそれを利用した炎症性腸疾患診断方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide marker genes or proteins for diagnosis of inflammatory bowel disease and to provide a method for diagnosis of inflammatory bowel disease using the same. - 特許庁

サファイア基板上又はSi基板上に良質のAlN結晶を高速成長させることができるAlNのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an AlN epitaxial growth method which can grow a high-quality AlN crystal on a sapphire substrate or a Si substrate at a high rate. - 特許庁

基板となるSi上に3C−SiC又はGaNをエピタキシャル成長させるときに、有機金属原料により多層(2層)のエピタキシャル成長膜を形成する。例文帳に追加

Upon the epitaxial growth of 3C-SiC or GaN which is effected on a substrate of Si, multi-layered (2 layered) epitaxial growth film is formed of an organic metall material. - 特許庁

温度の変更が完了した後に、第2の半導体光素子のためのIII−V化合物半導体多層膜33を成長炉32で基板E1上にマスク27を用いて成長する。例文帳に追加

After change of the temperature is completed, a III-V compound semiconductor multilayer film 33 for a second semiconductor optical element is grown on the substrate E1 by using a mask 27 in the growth furnace 32. - 特許庁

HVPE法のサファイア基板上又はSi基板上に、所望の組成比率xのAl_xGa_1−xNの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method by which an Al_xGa_1-xN crystal is grown at a desired Al mole fraction x on a sapphire substrate or Si substrate for HVPE method. - 特許庁

従来と異なる機構により血清中のリン濃度を効果的に抑制することにより、血清中のリン酸濃度の上昇により生ずる疾患を効果的に予防または治療できる化合物および医薬組成物の提供。例文帳に追加

To provide a compound capable of effectively preventing or treating diseases caused by rising in the phosphoric acid concentration in the serum by effectively controlling the phosphorus concentration in the serum by a mechanism different from the conventional mechanism, and a pharmaceutical composition. - 特許庁

中枢神経損傷患者に嗅神経鞘細胞または該細胞を含む粘膜組織を嗅神経部位に移植することにより中枢神経を再生治療するに際して、その再生治療効果を増強させる薬剤を提供する。例文帳に追加

To provide a medicine for reinforcing the effect of a regenerative treatment, when olfactory nervous sheath cells or a mucous membrane tissue containing the cells is transplanted to the olfactory nerve site of a central nerve-damaged patient to reconstruct and treat the central nerve. - 特許庁

多結晶シリコン膜3の成長前処理において,シリコン基板1上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜3はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜5となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

機能性腸障害、炎症性腸疾患、および間質性膀胱炎に関連する痛みを含む内臓痛を予防または治療するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for preventing or treating visceral pain containing pain associated with a functional bowel disorder, an inflammatory bowel disease and an interstitial cystitis. - 特許庁

血清中のリン濃度を効果的に抑制することにより、血清中のリン酸濃度の上昇により生ずる疾患を効果的に予防または治療できる化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a compound which effectively lowers the phosphorus concentration in blood serum and hence can effectively prevent or cure diseases caused by an increase in the phosphorus concentration in blood serum. - 特許庁

FPC収納トレイ1に収容されているFPC13を、搬送アーム4を用いて外形規制治具3上まで搬送し、外形規制治具3に設けられている凹部に投入する。例文帳に追加

An FPC 13 accommodated in an FPC accommodating tray 1 is conveyed onto a contour regulating jig 3 by use of a conveying arm 4, and is incorporated into a recess part provided in the contour regulating jig 3. - 特許庁

成長温度を徐々に変化させて行くと、成長する網状膜は多結晶ないしアモルファス5となって、バンドギャップが徐々に広がったヘテロ構造をなす。例文帳に追加

When the growing temperature is changed gradually, the net-shaped films 4 to be grown are turned into polycrystalline or amorphous 5 so that a heterostructure whose band gap is widened gradually can be obtained. - 特許庁

潰瘍性大腸炎、クローン病、ベーチェット病などの炎症性腸疾患や過敏性腸症候群の進行の予防又は治療、寛解に有用である。例文帳に追加

The medicine and the food composition are useful for prevention or treatment, remission of the advance of the inflammatory intestinal diseases and the allergic intestinal syndromes, such as ulcerous colitis, Crohn's disease, and Behcet's disease. - 特許庁

動物の体全体に拡散し、毛皮がべとつかないペット、特にネコとイヌに寄生する寄生虫を抑制および駆除する寄生虫の治療または予防用組成物の提供。例文帳に追加

To provide a composition for treating pet animals and protecting them from animal parasites, inhibiting and exterminating the parasites on them, particularly cats and dogs, while being spreadable over their bodies with causing no stickiness of their hair. - 特許庁

脊髄損傷患者に嗅神経鞘細胞または該細胞を含む粘膜組織を移植することにより脊髄を再建する再生治療するに際して、その再生治療効果を増強させる薬剤を提供する。例文帳に追加

To provide a medicine for potentiating a regenerative effect in the regeneration treatment of reconstructing spinal cord by grafting olfactory nerve sheath cells or mucosal tissue containing the above cells. - 特許庁

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置10と、基板表面に加熱用レーザ光21を照射する加熱レーザ照射装置20とを備える。例文帳に追加

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate. - 特許庁

以上のように、少子高齢化・人口減少で高い経済成長を見込むことが困難な我が国においては、今後も高い成長が見込まれる東アジア経済との相互依存性をより一層増していくことが必要になる。例文帳に追加

As described above, there is a need for Japan, which will find it difficult to expect high economic growth given its aging society with a falling birthrate and shrinking population, to further promote interdependence with the East Asian economy, which is expected to continue experiencing high growth. - 経済産業省

水平円盤型サセプタを使用し、エピタキシャル成長膜を形成する際に、ウェハーとサセプタに跨った貼り付き現象の発生を十分に防止することを可能とするエピタキシャル成長膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth film formation method which can adequately prevent the sticking phenomenon spreading over both a wafer and a susceptor when a horizontal disc-like susceptor is used to form an epitaxial growth film. - 特許庁

1チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。例文帳に追加

To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip. - 特許庁

MBE法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。例文帳に追加

This is an MBE-assisted compound semiconductor crystal growing method wherein correlation between the cell temperature and molecular beam rate is determined on the basis of the physical properties of a grown film, the correlation is used for correcting the flux gage measurement, and the corrected measurement is used for setting the cell temperature. - 特許庁

スペアミント、レモングラス、及びレモンバームからなる群から選択されるハーブの水性抽出物を有効成分とするα−グルコシダーゼ阻害剤によって、糖尿病又は肥満症を予防又は治療することができる。例文帳に追加

Diabetes or obesity can be prevented or treated with an α-glucosidase inhibitor containing an aqueous extract of a herb selected from the group consisting of spearmint, lemongrass, and lemon balm, as an active ingredient. - 特許庁

また、検出器50は、制御装置60から半導体層の目標膜厚と、原料ガスを停止して反応容器10内で成長する半導体層の膜厚(=過剰膜厚)とを受ける。例文帳に追加

Also, the sensor 50 receives from a controller 60 a desired film-thickness value of the semiconductor layer, and receives a film-thickness value (=an excess film-thickness value) of the semiconductor layer which is related to its film thickness grown in the reaction vessel 10 after the feed of its raw-material gas is stopped. - 特許庁

経済構造改革の効果が発現し再び安定成長に向かうまでには一定の時間を要するため、当面の間、これらの重債務国の財政不安は継続する可能性が高い。例文帳に追加

Since it takes a certain amount of time before stable growth is restarted after any economic structural reform takes effect, it is likely that the fiscal uncertainty of these heavily-indebted countries will continue for the time being. - 経済産業省

非炎症性腸疾患、下痢型過敏性腸症候群、または他の非特異的な腸疾患の治療用または予防用の薬剤を製造するための、バルサラジド、あるいは4-ABA側鎖を含むように修飾された4-ASAもしくは5-ASA化合物またはその塩もしくは誘導体の使用。例文帳に追加

The present invention also discloses the use of the balsalazide, the 4-ASA or 5-ASA compound modified to include the 4-ABA side chain, or the salt or derivative thereof, for producing a medicament for the treatment of prophylaxis of the non-inflammatory bowel disease, the diarrheal type irritable bowel syndrome or the other non-specific bowel disease. - 特許庁

電解メッキ法により第1の銅膜の上に第2の銅膜を接続孔102及び配線溝103が途中まで埋まるように成膜した後、熱処理により銅膜を構成する金属結晶を成長させる共に第1の銅膜と第2の銅膜とを一体化させて第3の銅膜107を形成する。例文帳に追加

After a second copper film is deposited on the first copper film by means of an electrolytic deposition technique so as to fill up the contact hole 102 and the wiring groove until midway, metal crystallites constituting the copper films are grown through heat treatment to combine the first and the second copper films together to form a third copper film 107. - 特許庁

十八 次のいずれかに該当するものの多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板例文帳に追加

(xviii) Substrates having multiple layers consisting of heteroepitaxial growth crystals that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

清朝になって白い紙(桃花紙)が出てくると、油煙墨を使ってピカピカになるほど上墨した拓本が生まれた。例文帳に追加

In the time of the Qing dynasty, when white paper was invented, the engraved print, rubbed by ink stick made from lamp soot until it became shiny, was born.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

社伝によると北条政子が朝廷より白旗大明神の神号を賜り正治2年(1200年)に創建したされる。例文帳に追加

According to the shrine's biography, Masako HOJO was granted with shingo (literally "shrine name" which is the title given to a Shinto shrine) of Shirahata Daimyojin (the great deity of the white flag) and she founded the shrine in 1200.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

重合時に重合生長末端の副反応を抑制し、優れた性能のイソブチレン系重合体を製造する。例文帳に追加

To control the side reaction of the polymerization growth terminal in polymerization to thereby produce an isobutylene polymer exhibiting an excellent performance. - 特許庁

凹凸が選択的に形成された基板の上に平坦な結晶成長膜が形成された半導体装置を実現できるようにする例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a flat crystal growth film is formed on a substrate in which pits and projections are selectively formed. - 特許庁

例文

そのエピタキシャル成長層2の動作領域で、半導体基板1との境界部から上方にかけて、n^++形の埋込層6が設けられている。例文帳に追加

In the operation region of the epitaxial growth layer 2, an n++-type embedded layer 6 is provided from the border part with a semiconductor substrate 1 extending upward. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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