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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > うまはせいちに関連した英語例文

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うまはせいちの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1128



例文

被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing a transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece. - 特許庁

パパイヤおよび白花蛇舌草の水溶性抽出成分を含む癌の予防、治療または改善のための組成物例文帳に追加

COMPOSITION FOR PREVENTION, TREATMENT, OR AMELIORATION OF CANCER CONTAINING WATER-SOLUBLE EXTRACT CONSTITUENTS OF CARICA PAPAYA AND HEDYOTIS DIFFUSA - 特許庁

P型埋込領域108は、エピタキシャル成長、および酸化膜103をマスクとしたエッチングによってトレンチ内に形成される。例文帳に追加

A p-type embedding area 108 is formed in a trench by epitaxial growth and etching while an oxide film 103 is used as a mask. - 特許庁

Eph受容体を調節することによる神経系内のグリオーシス、グリア瘢痕、炎症、または軸索成長阻害の処置例文帳に追加

TREATING GLIOSIS, GLIAL SCARRING, INFLAMMATION, OR INHIBITION OF AXONAL GROWTH IN NERVOUS SYSTEM BY MODULATING Eph RECEPTOR - 特許庁

例文

この他、例えば配線部分11の膜厚を積層又は成長により電極部分よりも厚く構成しても良い。例文帳に追加

The film thickness of the wiring part 11 may be made thicker than that of an electrode part by stacking or growth. - 特許庁


例文

埋込半導体層の形成において異常成長の発生を低減可能な、III−V化合物半導体光素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a group III-V compound semiconductor optical element that can reduce abnormal growth when an embedded semiconductor layer is formed. - 特許庁

成長マスク12のストライプ状の開口12aはGaN系半導体層13の〈1−100〉方向に平行な方向に延在している。例文帳に追加

The stripe-like windows 12a of the growth mask 12 is extended in a direction parallel to a <1-100> direction of the GaN-based semiconductor layer or layers 13. - 特許庁

成長マスク12のストライプ状の開口12aはGaN系半導体層13の〈1−100〉方向に平行な方向に延在している。例文帳に追加

The stripe-shaped openings 12a of the growth mask 12 extend in the direction parallel to the <1-100> direction of the GaN-based semiconductor layers 13. - 特許庁

また、老人性痴呆の発症を予防または改善作用を有する医薬品、機能性食品に応用することができる。例文帳に追加

The nerve cell differentiation inducer or the NGF action enhancer is applied to a pharmaceutical and functional foods having prevention or amelioration action on onset of senile dementia. - 特許庁

例文

ハイドライド気相成長装置において、大口径または多数枚のサファイア基板上にGaN膜を均一に効率的に製膜することを可能にする。例文帳に追加

To efficiently form a GaN film on a large diameter safire substrate or a large number of safire substrates in a hydride vapor phase growing device. - 特許庁

例文

人口1,000万人減となる2030年でも、経済成長と労働参加が進めば就業者数の大幅な減少は抑えられる。例文帳に追加

Even in 2030, when the total population is expected to have decreased by 10 million from its current level, we will be able to avoid a significant decrease in the number of employees if we can successfully realize economic growth and progress in workforce participation.  - 経済産業省

他方、これまで、グローバル化は、概して人類の繁栄の後押しとなったと同時に、雇用創出、生産性向上、また経済成長を促しています。例文帳に追加

On another front, globalization has contributed to human prosperity, and at the same time, encouraged job creation, and created improvements in productivity and economic growth. - 厚生労働省

特に、それは、発作またはその再発の治療、心筋梗塞の急性治療および消耗または悪液質の治療または予防と関連して用いることができ、かくして、老化の症状および徴候の治療に有用である。例文帳に追加

In particular, it may be used in connection with therapy of stroke or its recurrence, acute treatment of myocardial infarction, and treatment or prevention of wasting or cachexia, and is thus useful in treatment of symptoms and signs of ageing. - 特許庁

前記図示平均有効圧又は発生熱量が判定レベルS/Lよりも小さいときには、前記図示平均有効圧又は発生熱量の基準値に対する低下割合が大きいほど、より大きな補正値を設定する。例文帳に追加

When the illustrated average effective pressure or quantity of generated heat is smaller than a decision level S/L, the larger a lowering rate for a reference value of the illustrated average effective pressure or quantity of generated heat becomes, the larger correction value is set. - 特許庁

半導体素子は、GaN系半導体と異なる物質からなる基板11と、基板11上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口12aを有する成長マスク12と、成長マスク12を用いて基板11上に(0001)面方位に成長された一つまたは複数の島状のGaN系半導体層13とを有する。例文帳に追加

The semiconductor element includes: a substrate 11 made of a material differing from a GaN semiconductor, a growth mask 12 provided directly or indirectly on the substrate 11 and having one or a plurality of striped openings 12a; and one or a plurality of island-like GaN semiconductor layers 13 grown on the substrate 11 in the (0001) plane orientation by using the growth mask 12. - 特許庁

昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に結晶性に優れた長尺のII-VI 族化合物半導体結晶を成長させる結晶成長方法を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide the method for growing a long-size II-VI compound semiconductor crystal having excellent crystal properties on a seed crystal with a sublimation process or halogen chemical transport process. - 特許庁

ローディングアーム15は、加工物80を加工前に保持する求心性チャック16と、求心性チャック16の中心軸線上に位置するガイドバー18とを備えている。例文帳に追加

The loading arm 15 is provided with a centripetal chuck 16 for holding the work piece 80 before machining, and a guide bar 18 positioned on the center axis of the centripetal chuck 16. - 特許庁

半導体ウェハ面の一部に微小な隆起ドット状のマーク(M′)を形成し、同マーク(M′)を含むウェハ面の全体をエピタキシャル処理による成長層を成長させて本発明のドットマーク(M)を形成する。例文帳に追加

After a very small raised dot-like mark M' is formed on part of the surface of the semiconductor wafer, this dot mark (M) is formed by epitaxially growing a layer on the whole surface of the wafer including the mark (M'). - 特許庁

前記攪乱情報は、乱数情報や、前記電子封蝋画像の生成中における日付情報、時刻情報、又は、これらの組み合わせ情報や、前記電子封蝋画像の生成中における気象情報等である。例文帳に追加

As the disturbance information, random number information, date information during the generation of the electronic sealing wax image, time information, combined information of those pieces of information or weather information during the generation of the electronic sealing wax image is listed. - 特許庁

多数の細孔を有する基板と、基板上にエピタキシャル成長され、III−V族半導体層又はII−VI族半導体層又はIV族半導体層のうち少なくともいずれかの半導体層とを含む。例文帳に追加

The device includes a substrate having multiple small holes, and a semiconductor layer which is epitaxially grown on the substrate and has at least either one among a III-V semiconductor layer, a II-VI semiconductor layer, and a IV semiconductor layer. - 特許庁

また、振幅変調マスクテーパ穴形成中央部、振幅変調マスクテーパ穴形成傾斜部および振幅変調マスクテーパ穴形成周縁部はそれぞれ、複数の振幅変調単位領域からなる。例文帳に追加

Each of the tapered bore forming center part, tapered bore forming taper part and tapered bore forming circumference part of the amplitude modulation mask is composed of a plurality of amplitude modulation unit regions. - 特許庁

VB法又はVGF法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。例文帳に追加

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method. - 特許庁

湿った場所で成長し、緑の海草または緑の多い沼地に似ている苔類綱の多数の小さな緑の導管のない植物の総称例文帳に追加

any of numerous small green nonvascular plants of the class Hepaticopsida growing in wet places and resembling green seaweeds or leafy mosses  - 日本語WordNet

15代応神天皇から26代継体天皇までの名は、おおむね諱、つまり在世中の名であると考えられている。例文帳に追加

The names from the 15th Emperor Ojin to the 26th Emperor Keitai are considered to be imina, that is, the names during their reign.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

邦良親王(くによししんのう/くにながしんのう、正安2年(1300年)-正中3年3月20日(1326年4月23日))は、大覚寺統の後二条天皇の第一皇子。例文帳に追加

Imperial Prince Kuniyoshi, also pronounced Kuninaga (1300 - April 23, 1326) was the first Prince of Emperor Gonijo of the Daikakuji Imperial line.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

生まれながらの『鎌倉殿』である頼家は、古今に例を見ないほど武芸の達人として成長した。例文帳に追加

Yoriie, who had been "Kamakura-dono" since he was born, grew up to be an excellent master of military arts, the likes of which had never been seen before.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

3月16日、貞顕は内管領長崎高資により、邦時成長までの中継ぎとして擁立されて15代執権に就任する。例文帳に追加

On April 19, having received the backing of Uchi-Kanrei Takasuke NAGASAKI to act as interim regent until Kunitoki became an adult, Sadaaki became the fifteenth regent.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

前述の通り西園寺実俊の成長までの中継ぎと考えられていたため問題とはされなかったとみられている。例文帳に追加

But, as is mentioned above, this promotion was not thought to be a problem because he was recognized in the interim until Sanetoshi SAIONJI grew up.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

養殖魚介類及び観賞魚に寄生する寄生虫の駆虫又は感染予防するために、フェルラ酸と乳酸を組み合わせて使用する。例文帳に追加

Ferulic acid is combined with lactic acid and used in order to exterminate parasites living within farmed fishes and shellfishes and aquarium fishes or to prevent infection. - 特許庁

学習者の成績等に応じてキャラクタが成長または退行していく様子等を学習者に出力するようにした。例文帳に追加

The ways, etc., of the characters growing or regressing according to the results, etc., of the learner are outputted to the learner. - 特許庁

生細胞又は生物学的活性因子を封入し送達するための、細胞適合性、注射可能、かつ自己ゲル化性のキトサン溶液の組成物例文帳に追加

COMPOSITION FOR CYTOCOMPATIBLE, INJECTABLE, SELF-GELLING CHITOSAN SOLUTION FOR ENCAPSULATING AND DELIVERING LIVE CELL OR BIOLOGICALLY ACTIVE FACTOR - 特許庁

医薬、農薬、レジスト等の原料又は合成中間体として有用なβ−ヒドロキシラクトン類の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of efficiently producing β-hydroxylactones useful as a raw material or a synthetic intermediate for medicines, agrochemicals, resists and the like. - 特許庁

グルコサミン塩を有効成分とする炎症性腸炎、例えば潰瘍性大腸炎の予防または治療剤に関するものである。例文帳に追加

The preventive or therapeutic agent of the inflammatory intestinal disease, e.g. the ulcerative colitis contains a glucosamine salt as an active ingredient. - 特許庁

毒性、副作用等の少なく、持続的摂取の可能な炎症性腸炎、例えば潰瘍性大腸炎の予防または治療剤を見いだすこと。例文帳に追加

To obtain a preventive or therapeutic agent of inflammatory intestinal disease, e.g. ulcerative colitis, having little toxicity, side effect or the like, and enabling continuous ingestion. - 特許庁

PVD銅膜又は異種金属膜の上に平滑なCVD銅薄膜を再現性良く、高い成長速度で形成する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for forming a flat CVD copper thin-film on a PVD copper film or a dissimilar metal film, with satisfactory reproducibility in a high growth rate. - 特許庁

医薬、農薬等の原料又は合成中間体として有用な光学活性アミノアルコール誘導体類の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing optically active aminoalcohol derivatives useful as raw materials or synthetic intermediates for medicines, agrochemicals, and the like. - 特許庁

接続部材15は、パッド電極13上から金属膜14上まで、めっきにより金属を成長させることにより形成される。例文帳に追加

The connecting member 15 is formed by growing a metal by plating from the part on the pad electrode 13 to the part on the metal film 14. - 特許庁

また、通信端末100と通信端末200とは、音楽データの再生中、無線通信S1を介してチャットを行う。例文帳に追加

Further, the communication terminal 100 and the communication terminal 200 chat via the radio communication S1 during the reproduction of the music data. - 特許庁

ZnO基板等の基板上に、基板劣化を抑制して、結晶性が良好なAlGaInN層又はGaInN層を成長させる。例文帳に追加

To provide a method for growing an AlGaInN layer or GaInN layer with a good crystal on a substrate such as a ZnO substrate by suppressing substrate deterioration. - 特許庁

電荷蓄積処理の後、プラズマ・ドライエッチングまたはプラズマ化学的気相成長法によりONO積層膜5に電荷を注入する。例文帳に追加

An electric charge is poured into the ONO laminated film 5 by plasma dry etching or plasma chemical gas phase growing method after the charge accumulation treatment. - 特許庁

DNAの溶解安定剤として機能する塩基性化合物を併用して、DNAを清澄な飲料または液体食品に添加する。例文帳に追加

The DNA-containing clear beverage or the DNA-containing clear liquid food is obtained by adding DNA together with a basic compound functioning as dissolution stabilizer to the clear beverage or the liquid food. - 特許庁

ウエハWを均一に加熱することができるし、ウエハWにおいてエピタキシャル成長膜が形成される部分を多くすることができる。例文帳に追加

In addition, the wafer W can be uniformly heated and a part of the wafer W on which an epitaxial growth film is to be formed can be increased. - 特許庁

前記組成物を哺乳動物に投与する過程を含んでなる、神経突起の成長又はミエリン形成を促進するための方法。例文帳に追加

This invention further relates to a method for promoting neurite outgrowth or myelination, including the step of administering the composition to a mammal. - 特許庁

c軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。例文帳に追加

To provide a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film comprising an aggregate of c-axis oriented aluminum nitride single crystals and having excellent crystallinity and denseness. - 特許庁

調整中またはコミッショニング中(非定常状態)のフィールド機器によるプロセスへの影響を低減すること。例文帳に追加

To reduce the influence to a process owing to a field device during adjustment or commissioning (non-steady state). - 特許庁

第2の酸化膜TO1b上に第3の酸化膜TO2が気相成長法または塗布法により形成される。例文帳に追加

A third oxide film TO2 is formed in the second oxide film TO1b by a vapor growth method or application method. - 特許庁

記録中または再生中の光ディスクの反りに追従させたチルト制御ができるチルト制御方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a tilt control method which can perform tilt control to follow warpage of an optical disk under recording or reproduction. - 特許庁

露出変化ステップが2.0Evで撮影枚数が9枚であるとき、露出補正値は-8.0Ev、-6.0Ev、-4.0Ev、-2.0Ev、0.0Ev、+2.0Ev、+4.0Ev、+6.0Ev、+8.0Evとなる。例文帳に追加

Where the exposure change step is 2.0 Ev and the number of photographing is nine, exposure correction value becomes -8.0 Ev, -6.0 Ev, -4.0 Ev, -2.0 Ev, 0.0 Ev, +2.0 Ev, +4.0 Ev, +6.0 Ev, +8.0 Ev. - 特許庁

そのc軸方向が膜厚方向であり、a軸は成長層の面内方向(膜厚方向と垂直な方向)となる。例文帳に追加

The direction of the c-axis is the film thickness direction of each layer, and the direction of the a-axis is the in-plane direction (the direction perpendicular to the film thickness direction) of a growth layer. - 特許庁

例文

半導体基板上に、この半導体基板の[011]方向から傾いた方向に沿って選択成長マスクを形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor laser comprises the step of forming a selectively grown mask along a direction which is inclined from the direction [011] of a semiconductor substrate on the substrate. - 特許庁

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