「どいちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

トナー円形度（ＳＦ）＝［トナー面積／（トナー周囲長）^2］×４π＜０．９５ …（１）例文帳に追加

(1):toner circularity (SF)=[toner area/(circumference length of toner)^2]×4π<0.95. - 特許庁

慶長20年（1615年）5月6日の未明、長宗我部隊の先鋒が藤堂高虎隊を発見した。例文帳に追加

Early on June 2, 1615, the vanguard of Chosokabe troop found the troop of Takatora TODO.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

②成熟分野から成長分野への失業なき労働移動を進める例文帳に追加

2. Moving labor from mature sectors to growth sectors without creating unemployment  - 経済産業省

サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をｑ面2とする。例文帳に追加

This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2. - 特許庁

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

主制御部１は、輝度変更前の画像の階調数ｉから、輝度変更後の画像の階調数としてｉの階調数より小さいｊの階調数の範囲で画像を表示するために、［（ｉ−ｊ）／２］＋ｎ （但し、ｎは０〜ｊ−１の階調値）の条件を満足するように階調値を変更する。例文帳に追加

In order to display an image, after the luminance change within a range of j gradations whose number is smaller than i being the number of gradations of the image before the luminance change, a main control part 1 changes the gradation values so as to satisfy the condition: [(i-j)/2]+n (n is a gradation value of 0 to j-1). - 特許庁

これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。例文帳に追加

Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown. - 特許庁

子供の成長段階で2番目の性的社会的時期で、直腸の管理が学ばれる例文帳に追加

the second sexual and social stage of a child's development during which bowel control is learned  - 日本語WordNet

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface. - 特許庁

澱んでいたヒト、モノ、カネを一気に動かし、10年間の平均で名目成長率３％程度、実質成長率２％程度を実現。例文帳に追加

Mobilize idle talents, goods, and funds to achieve about a 3% nominal GDP growth rate and a 2% real GDP growth rate on average over the next 10 years.  - 経済産業省

2代目藤井長古（宗古）の弟子で茶堂を務めたものに、安喰善知と為石九方がある。例文帳に追加

From disciples of the second Choko FUJII (also known as Soko), Zenchi AJIKI (安喰善知) and Kyuho TAMEISHI (為石九方) served as sado.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

現金自動取引装置１０の通帳吸入／排出口部１より通帳５を吸入し、通帳印刷機構部２にて金融取引記録を印刷中に通帳繰越しが発生した場合、届出印読取部３にて通帳５の届出印を読取り、その通帳５を通帳吸入／排出口部１より排出後、新規ホルダー部４より新通帳６を通帳印刷機構部２へ送り、通帳印刷機構部２にて届出印、および氏名、口座番号等印刷後、金融取引記録を印刷し、通帳吸入／排出口部１より新通帳６を排出する。例文帳に追加

A bankbook 6 is inserted through a bankbook insertion/ejection hole part 1 of an automatic teller machine 10, and financial transaction records are printed on the bankbook by a bankbook print mechanism part 2. - 特許庁

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。例文帳に追加

The GaN grown in second time has a further low dislocation density because the dislocation density in the surface of the seed crystal is low. - 特許庁

砥石本体２は、これら砥粒層６のめっき成長面６ａ同士を接合する。例文帳に追加

The grinding wheel body 2 is formed by bonding the plating growth surfaces 6a of the abrasive grain layers 6. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

量目は1匁2分（4.5グラム）程度、金品位も五十二匁二分位（84.3%）程度とみられ、これも慶長一分判に継承されていると考えられる。例文帳に追加

Its ryome is likely to be only 1 monme 2 bu (4.5gram) and gold carat is approximately 52 monme 2 bu (84.3%), and it was also inherited by Keicho Ichibuban.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

表示装置の階調表示において、同一画面内に異なる２種類以上の階調データの上限をもつ画像を表示可能とする。例文帳に追加

Display of the images having the upper limit of ≥2 kinds of different gradation data within the same screen is made possible in the assigning intensity levels of the display device. - 特許庁

今回の成長戦略を始めとする三本の矢を実施することなどを通じて、中長期的に、２%以上の労働生産性の向上を実現する活力ある経済を実現し、今後10 年間の平均で名目GDP 成長率３%程度、実質GDP 成長率２%程度の成長を実現することを目指す。2010 年代後半には、より高い成長の実現を目指す。例文帳に追加

Through the implementation of the three “arrows,” including this Growth Strategy, among other measures, Japan aims to achieve a vibrant economy that will register over 2% labor productivity improvement in the medium- to long-term, and around 3% nominal gross domestic product (GDP) growth and around 2% real GDP growth, on average, over the next ten years. By the late 2010s, the goal will be to achieve even higher growth.  - 経済産業省

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

マスクを用いて成長源領域２の表面のみにニッケルを添加し、電気炉で加熱処理を施して、成長源領域２で発生させた結晶粒をターゲット領域３へ結晶成長させる。例文帳に追加

Nickel is added to only the surface of the growth source region 2 using a mask, which is heated in an electric furnace, so that the crystal grain generated in the growth source region 2 crystallizes into the target region 3. - 特許庁

２　港湾台帳に関し必要な事項は、国土交通省令で定める。例文帳に追加

(2) Necessary matters concerning the port ledger shall be provided by an Ordinance of the Ministry of Land, Infrastructure, Transport and Tourism.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

両ユニット１、２の調湿方向が相反する運転モードにおいては、室内調湿ユニット２による運転を優先させる。例文帳に追加

In the operation mode with the humidity control directions of the two units 1 and 2 being opposite to each other, priority is given to an operation by the indoor humidity control unit 2. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

2通目には宛名がなく、最澄、もしくは藤原冬嗣の両説ある。例文帳に追加

The second letter is not directed to a specific person, but there have been two different theories that the letter was written to the attention of either Saicho or FUJIWARA no Fuyutsugu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

佐竹義直（さたけよしなお、慶長17年（1612年）-明暦2年閏4月8日(旧暦)（1656年5月31日））は江戸時代の人物。例文帳に追加

Yoshinao SATAKE (1612 - May 31, 1656) was a person in the Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

久世郡淀町の区域は、明治22年（1889年）の市制町村制施行時には以下の1町2村であった。例文帳に追加

The area of Yodo town, Kuse County included the following one town and two villages at the time of the enforcement of the Municipal Government Act in 1889.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

また、このサファイア基板2は、窒化物半導体を成長させる装置とは別の装置内で前記半導体成長面の表面部を窒化する工程を含む製造方法により得られる。例文帳に追加

The substrate 2 is obtained by a manufacturing method including a step of nitriding the semiconductor growing surface of the substrate 2 in a device which is different from the device used for growing a nitride semiconductor. - 特許庁

２　前項の規定により管区気象台長又は沖縄気象台長に委任された権限は、国土交通省令で定めるところにより、その一部を地方気象台長に委任することができる。例文帳に追加

(2) The authority delegated to the head of a District Meteorological Observatory, or the head of the Okinawa Meteorological Observatory pursuant to the provisions of the preceding paragraph may be delegated in part to the head of a Local Meteorological Observatory, pursuant to the provisions of Ordinance of the Ministry of Land, Infrastructure, Transport and Tourism.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

通帳２に対して磁気ヘッド１７を移動させることにより磁気情報を読書きする磁気媒体処理装置１において、前記通帳２の搬送方向Ａに直交する方向に移動可能で、前記磁気情報の読書き時に、前記通帳２を媒体基準面１８に押し付け、押し付けた状態で前記通帳２を保持する可動ガイド部材２０を設ける。例文帳に追加

A magnetic medium processor 1, which reads/writes magnetic information by moving the magnetic head 17 in relation to a passbook 2, includes a movable guide member 20 which can move in the direction orthogonal to the conveyance direction A of the passbook 2, pushes the passbook 2 against a medium reference plane 18 when reading/writing the magnetic information, and holds the passbook 2 while keeping pushing it. - 特許庁

シャッタ１０には、第１の案内長穴１１ａと第２の案内長穴１１ｂが形成され、第１の案内長穴１１ａが筐体２の前面２ａに固定された第１の摺動突部１２を摺動し、第２の案内長穴１１ｂが第２の摺動突部１３を摺動する。例文帳に追加

In the shutter 10, a first guiding slotted hole 11a and a second guiding slotted hole 11b are formed, and a first sliding projected part 12 fixed to a front surface 2a of a casing 2 is slid by the first guiding slotted hole 11a and a second sliding projected part 13 is slid by the second guiding slotted hole 11b. - 特許庁

オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部（４）および凹部（３）を有する構造化された成長面（２）を備えた成長基板（１）と、 − この成長面（２）にデポジットされるアクティブ層列（５）と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加

The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁

梅渓季通（うめたにすえみち、慶長20年3月29日(旧暦)（1615年4月26日）-万治元年2月2日(旧暦)（1658年3月5日））は、江戸時代前期の公卿。例文帳に追加

Suemichi UMETANI (April 26, 1615 - March 5, 1658) was a kugyo (court noble) during the first half of the Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

これにより、路盤２の表面からの噴泥が防止され、路盤２の表面における新たな空洞の発生・成長が阻止される。例文帳に追加

Thus, mud pumping from the surface of the roadbed 2 is prevented, and new cavity generation and cavity growth in the surface of the roadbed 2 are inhibited. - 特許庁

これにより、路盤２の表面からの噴泥が確実に防止され、路盤２の表面における空洞の発生・成長が阻止される。例文帳に追加

Thus, mud pumping from the surface of the roadbed 2 can be positively prevented, and cavity generation and cavity growth in the surface of the roadbed 2 are inhibited. - 特許庁

高階調画像の階調を低下させることにより、第１と第2サブフレーム間の輝度差を維持して動画ぼやけ改善効果を高める。例文帳に追加

The gradation of the high gradation image is lowered, thereby enhancing the effect of improving the moving image blurring while maintaining a gradation difference between the first and second sub-frames. - 特許庁

そして、水平調整用座板２は、ガイドレール載置面２ａと、主梁１の両端部上面とのなす角度を調整可能に構成されている。例文帳に追加

The horizontal adjustment seat plate 2 is constructed so as to be capable of adjusting the angle formed by the guide rail placing surface 2a and the both end upper faces of the main beam 1. - 特許庁

装置本体２の前面には通帳挿入ガイド４が設けられ、この通帳挿入ガイド４の通帳挿入口には第２の光学センサ９と、搬送ローラ２０と、第１の光学センサ５とが通帳搬送方向に沿って設けられている。例文帳に追加

A passbook insertion guide 4 is provided on the front surface of a device body 2, and second optical sensors 9, a carrying roller 20, and first optical sensors 5 are provided in the passbook insert port of the guide 4 along the passbook carrying direction. - 特許庁

(2)特許登録局は，同局に対してなされた国際出願以外の特許出願を，第78L条(1)に定める国際調査機関による国際調査に服せしめることができるものとする。例文帳に追加

(2) The Patent Registration Office may subject an application, other than an international application, for the grant of a patent filed with it to an international search to be carried out by the International Searching Authority which is specified under subsection 78L(1). - 特許庁

そして、微粒子集合体３の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置５を微粒子分散液２の側へ移動させることにより、微粒子集合体３の成長端４を微粒子分散液２の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加

By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁

２　総務大臣は、前項の規定による届出のあった統計調査が基幹統計調査の実施に支障を及ぼすおそれがあると認めるときは、当該地方公共団体の長その他の執行機関に対し、当該届出のあった統計調査の変更又は中止を求めることができる。例文帳に追加

(2) The Minister of Internal Affairs and Communications may, when finding it likely that the statistical survey for which a notification under the preceding paragraph was made might hinder the implementation of a fundamental statistical survey, request the head of the local public entity or any other executive committees to change or suspend the statistical survey for which the notification was made.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

懲戒審判所は，登録特許弁護士が任命に同意しない限り，当該人を(1)又は(2)に基づく登録特許弁護士に任命してはならない。例文帳に追加

The Disciplinary Tribunal must not appoint a registered patent attorney under subregulation (1) or (2) unless the registered patent attorney consents to the appointment.  - 特許庁