「のうけっかんせいにんちしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、サーバ１１０は、検証の結果、正当性が認められる場合には、前記端末側認証情報管理装置１４０にサービスの提供を行う。例文帳に追加

When validity is recognized as the result of retrieval, the server 110 provides a service to the terminal side authentication information management device 140. - 特許庁

本発明の予防・治療剤は、アディポネクチン産生を上昇させるので、低アディポネクチン状態によって引き起こされる疾患、例えば低アディポネクチン血症、耐糖能障害、糖尿病、２型糖尿病、インスリン抵抗性症候群、糖尿病合併症、高血糖症、動脈硬化症、アテローム性動脈硬化症、心臓血管疾患、脳血管障害、血管狭窄、末梢血管疾患、動脈瘤、高脂血症、高コレステロール血症または肥満等の予防・治療剤として有用である。例文帳に追加

Since the preventing/treating agent elevates the production of the adiponectin, it is useful for the prevention and treatment of the diseases caused by the low adiponectin state such as hypoadiponectinemia, glucose tolerance disorder, diabetes mellitus, type 2 diabetes mellitus, insulin resistance syndrome, diabetic complications, hyperglycemia, arteriosclerosis, atherosclerosis, cardiovascular diseases, cerebrovascular accidents, vascular stenosis, peripheral vascular diseases, aneurysm, hyperlipidemia, hypercholesterolemia, obesity, or the like. - 特許庁

本発明は、フラックス法を用いて磁性ガーネットなどの単結晶を育成する単結晶の製造方法に関し、Ｐｂの含有量を削減した単結晶の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal having reduced Pb content with respect to the method for producing the single crystal such as a magnetic garnet by a flux method. - 特許庁

効率的かつ確実に欠陥画素の修正を行うことができる液晶パネルの画素欠陥修正方法及び修正装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of correcting pixel defects of a liquid crystal panel and a correction device permitting to efficiently and surely correct defective pixels efficiently and surely. - 特許庁

血管新生促進作用を有し、虚血性疾患または褥瘡などの創傷、組織欠損の予防及び／又は治療のために有用な医薬する。例文帳に追加

To provide a medicine having a vascularization-promoting action, and useful for preventing and/or treating ischemic diseases, wounds such as bedsore and tissue deficit. - 特許庁

このあと、（４）ツメＱが合体し、（５）これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Ｊからなる結晶欠陥集合領域Ｈを形成する。例文帳に追加

(4) Thereafter, the pawls Q are unified, and (5) a crystal having the same orientation grows in the vertical direction by using the unified pawl Q as a seed, and a crystal defect aggregation region H composed of a polarity reversal crystal J is formed. - 特許庁

被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing a transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece. - 特許庁

一枚あたりの溶融再結晶化に要する処理時間を短縮させた多結晶薄膜の形成方法及び装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method and a device for forming a polycrystalline thin film by which a processing time required for melting and recrystalizing per sheet can be shortened. - 特許庁

衛生用器の表面に銀含有物質を含む焼成釉薬表面層を形成するに際し、この焼成表面層の銀含有量を、金属銀に換算して、０．０１〜１重量％とし、かつ銀含有物質の焼成物が焼成表面層の結晶層中、またはガラス相中に含有させる。例文帳に追加

In forming a fired and glazed surface layer containing a silver contained material on the surface of the sanitary tool, the silver content of the fired surface layer is 0.01-1 wt.% in terms of metallic silver and a fired product of the silver contained material exists in a crystal layer of the fired surface layer or a glass phase. - 特許庁

その結果、装置の運用上の支障を損ねることなく欠損画素を検出して補間する一連の操作（欠損登録）を正確に行うことができる。例文帳に追加

As the result, the series of operations to detect and interpolate the defective pixel (defect registration) can be accurately executed without interfering the operation of the apparatus. - 特許庁

本発明は、酸化物単結晶の製造装置及び製造方法に関し、高品質な単結晶を得られる単結晶の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for obtaining a single crystal of high quality, as an apparatus and a method for manufacturing an oxide single crystal. - 特許庁

カメラ１は、欠陥情報が示す欠陥画素の値と、欠陥画素と焦点検出用画素対を構成する第１の焦点検出用画素又は第２の焦点検出用画素の値とを、欠陥画素でない同種の焦点検出用画素の値に基づいて補間する。例文帳に追加

The camera 1 interpolates the values of the defective pixels and the values of the first focus detecting pixels or second focus detecting pixels constituting the focus detecting pixel pairs with the defective pixels, based on the values of the same kind of focus detecting pixels which are not defective pixels. - 特許庁

シリコンの単結晶ブロックを八角柱に加工して、その中央に貫通孔１１を形成する。例文帳に追加

A monocrystal block of silicon is worked into an octagonal pole, and the through-hole 11 is formed in the center. - 特許庁

位置が確実に規制される検査対象物の部位に欠陥検出用の光を照射して、検査対象物の欠陥を確実に検出することができ、しかも欠陥検出装置全体の小型化を図ることができる欠陥検出装置および欠陥検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a defect detection apparatus and a defect detection method for detecting the defect of an object to be inspected reliably by applying light for detecting defects to the site of the object to be detected whose position is regulated reliably, and for miniaturizing the entire defect detection apparatus. - 特許庁

昇華再析出法によるＳｉＣ単結晶の製造において、坩堝の自己発熱によらない加熱方法により、種結晶の温度、原料の温度、及び成長空間領域の温度分布を容易に制御できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a SiC single crystal by which the temperature of a seed crystal, the temperature of a raw material and the temperature distribution in a growth space area can be easily controlled by a heating method not depending on self-heating of a crucible, in the production of the SiC single crystal by a sublimation and redeposition method. - 特許庁

フラックス法を用いて磁性ガーネットなどの単結晶を育成するガーネット単結晶の製造方法に関し、Ｐｂの含有量を削減したガーネット単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a garnet single crystal containing Pb in a reduced content, in regard to a garnet single crystal production method for growing a single crystal such as a magnetic garnet by using a flux method. - 特許庁

蓋体の種結晶支持部の表面に接着剤を介して第１の炭化珪素基板を接着し、この第１の炭化珪素基板上に接着剤を介して、種結晶として第２の炭化珪素基板を接着し、炭化珪素単結晶を成長させることにより、種結晶の裏面昇華を防ぎ、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥を抑制することができる。例文帳に追加

It is possible to prevent the rear face sublimation of the seed crystal and the suppressing of the generation of macro defects that elongate in the growing crystal, by adhering a first silicon carbide substrate on the surface of the seed crystal supporting part of a covering body via an adhesive, adhering a second silicon carbide substrate as the seed crystal on the first silicon carbide substrate via an adhesive, and growing silicon carbide single crystal. - 特許庁

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。例文帳に追加

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal. - 特許庁

顧客１０においては、商品の発注申請、その申請の承認決裁、承認決裁に基づく発注メールの作成及び送信、発注情報の管理等のワークフローがグループウェアによって実現される。例文帳に追加

For the customer 10, workflows, such as order application of merchandises, approval payment for the application, creation and transmission of order mail based on the approval payment, and management of order information, are realized through groupware. - 特許庁

市販の磁性ガーネット単結晶膜形成用基板に本発明のバッファ層を形成することで、結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成すること。例文帳に追加

To stably form a high quality thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling, or the like, in a high yield by liquid phase epitaxial growth by forming a buffer layer of this invention on a commercially available substrate for forming the magnetic garnet single crystal film. - 特許庁

所望の欠陥領域あるいは所望の無欠陥領域を有するシリコン単結晶を容易に歩留まりよく製造できる半導体単結晶の製造装置及び製造方法を実現すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing device and a manufacturing method for a semiconductor single crystal by which a silicon single crystal having a desired defect region or a desired defect-free region can be easily manufactured in high yield. - 特許庁

前記炭酸温水に、末梢血管疾患部位を浸漬することにより、該疾患部位の末梢血液中の血管内皮前駆細胞数を１．１倍以上に増加させることを特徴とする血管新生療法。例文帳に追加

The angiogenesis therapy is further characterized by that the number of vascular endothelial precursor cells within the peripheral blood at the affected area is increased to 1.1 times or more by immersing the affected area of the peripheral vascular disease in the carbonic warm water. - 特許庁

結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。例文帳に追加

A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion. - 特許庁

Ｖ／Ｇ値を制御して単結晶を引上げる際に、より正確に所望欠陥領域及び／又は所望無欠陥領域を有するＶ／Ｇ値を決定することができ、より確実に所望品質の単結晶を引上げることができる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a value of V/G having a desired defect area and/or a desired defect-free area can be determined more precisely when the single crystal is pulled by controlling the value of V/G, and a desired quality single crystal can be pulled more exactly. - 特許庁

電池電圧の高低に対応して遮断弁の駆動時間を決定し電池の消耗を抑制する。例文帳に追加

To suppress consumption of a battery by determining drive time of a shutoff valve by corresponding to high or low battery voltage. - 特許庁

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。例文帳に追加

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal. - 特許庁

短時間で結晶化し、成形したガラスの形状と表面状態を保持しつつ結晶化する結晶性ガラス、及び、機械的強度が優れ、建材用結晶化ガラスとして好適な熱膨張係数を有し、アルカリ金属酸化物の含有量が少なく優れた化学的耐久性を有する結晶化ガラス、並びに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide crystallizable glass which crystallizes in a short time and crystallizes while retaining the shape and surface state of a glass molding thereof, crystallized glass having excellent mechanical strength, a coefficient of thermal expansion suitable for use as crystallized glass for building materials, a low alkali metal oxide content and excellent chemical durability, and a method for producing the crystallizable glass and crystallized glass. - 特許庁

この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法（ＶＰＥ）によって、１次種結晶２１の表面に所定厚さのＺｎＯ膜２を成膜し、結晶欠陥領域がＺｎＯ膜２の表面まで到達しないようにする。例文帳に追加

A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented. - 特許庁

半導体積層構造１０においては、欠陥が少なく薄い半導体単結晶膜１３を実現するために、絶縁性単結晶膜１２と半導体単結晶膜１３との面方向の格子不整合が５％以下となるように、絶縁性単結晶膜１２及び半導体単結晶膜１３の組成が決定されている。例文帳に追加

In the semiconductor laminate structure 10, in order to realize the thin semiconductor single-crystal film 13 having few defects, compositions of the insulating single-crystal film 12 and the semiconductor single-crystal film 13 are determined so that each of lattice mismatch in the surface directions of the insulating single-crystal film 12 and the semiconductor single-crystal film 13 is be 5% or lower. - 特許庁

生体の血管像を利用して個人認証する生体認証装置の血管像読取装置に関し、照合エラーを識別するため、生体の温度を検出する。例文帳に追加

To detect a temperature of a biological object in order to identify an identifying error with respect to a blood vessel image reading device of a biometric authentication device for executing personal authentication using the blood vessel image of the biomedical object. - 特許庁

疼痛、炎症、けいれんおよび再狭窄の抑制のための血管灌注溶液並びにその方法例文帳に追加

VASCULAR IRRIGATION SOLUTION FOR AND METHOD FOR SUPPRESSING PAIN, INFLAMMATION, SPASM AND RESTENOSIS - 特許庁

該化合物は、酸化ストレスに対する脆弱性を改善して、酸化ストレスの関連する神経変性疾患、虚血性脳血管障害、虚血性心疾患、炎症性腸疾患、眼疾患、リウマチ等を予防、治療に有効である。例文帳に追加

The compound improves fragility to oxidative stress and is effective for preventing and treating oxidative stress-associated neurodegenerative disease, ischemic cerebrovascular disorder, ischemic heart disease, inflammatory intestinal disease, eye disease, rheumatism etc. - 特許庁

ＳＴＩ上端部近傍のシリコン基板に集中する応力を緩和することによって、結晶欠陥や転位の発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress occurrence of crystal defects or dislocation by reducing the stress concentrating on a silicon substrate near the upper end of an STI. - 特許庁

血漿成分の分離膜による血液処理で血漿を流し始めた初期より分画性に優れ、かつ性能が長時間にわたって保持された血漿成分の分離膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a separation membrane for a plasma component which is excellent in fractional characteristic from an initial period when the flow of the plasma is begun in blood treatment by the separation membrane for the plasma component and maintains the performance for a long period of time. - 特許庁

トレンチゲート構造の半導体装置において、トレンチ上方コーナ部に結晶欠陥が生じることを抑制する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having such a structure as to suppress the occurrence of crystal defects in an upper corner of a trench and to be reduced in size, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。例文帳に追加

Thereby, hydrogen is bonded to a dangling bond in a crystal, thus producing the crystalline silicon particle 3 whose crystal defect is inactivated. - 特許庁

結晶の引上速度をＶ、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をＧとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるＶ／Ｇ値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度Ｖ、および／または温度勾配Ｇを変更する。例文帳に追加

A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range. - 特許庁

単結晶棒と融液との離間識別を自動化して、テール部形成工程の後半での単結晶棒を融液から離間する作業を自動化し、無人自動制御による単結晶製造を可能とする単結晶の製造方法と装置を提供する。例文帳に追加

To provide a production method by which identification of the separation between a single crystal bar and a melt is automated and also, the operation for separating a single crystal bar from a melt in the latter half of a tailing stage is automated and further, a single crystal can be produced through unmanned automatic control, and also to provide the equipment for the method. - 特許庁

簡便な方法により、立方晶の結晶型を有するイットリア安定化酸化ジルコニウム結晶を高率的に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an yttria-stabilized zirconium oxide crystal having a cubic crystal structure with high yield by an easy method. - 特許庁

従って、空乏層内にシリサイド層１６の形成時にｐ^+ 不純物層８内に生じる結晶欠陥が取り込まれにくくなる。例文帳に追加

Consequently, crystal defects occurring in the p^+ impurity layer 8 at the time of forming the silicide layer 16 in the depletion layer are not taken in readily. - 特許庁

末梢血管疾患部位の血管を新生することができ、人体に対する安全性が高く、実施が容易である治療方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of therapy for forming a blood vessel of an affected area of a peripheral vascular disease which is safe for the human body and is easy to practice. - 特許庁

ＧａＮから成る半導体基板１の結晶成長面σでは、結晶欠陥の少ない平坦で結晶品質の良好な領域と、結晶欠陥集中領域とがａ軸方向において、略一定の周期Λ（≒４００μｍ）で繰り返し現れる。例文帳に追加

An area having less crystal defect that is flat and superior in crystal quality and another area having concentrated crystal defect appear repeatedly at a nearly constant cycle Λ (≈400 μm) in an (a) axis direction on the crystal growth surface σ of a semiconductor substrate 1 made of GaN. - 特許庁

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。例文帳に追加

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized. - 特許庁

なお、上記のほかに平成18年度の協会の品質管理レビューの対象である１中規模監査法人の検査結果も対象に加えている。例文帳に追加

The Board conducted examination and inspection of 17 firms as of February 2007.  - 金融庁

光部品、電子部品、構造部品等に好適に用いることができる高性能な単結晶質多結晶体、単結晶を液相を介することなく比較的短時間また容易に低コストで製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high performance single crystalline polycrystal and single crystal, which is preferably used for optical part, electronic part, structural part or the like, without through a liquid phase, in a relatively short time, easily and at a low cost. - 特許庁