「のうけっかんせいにんちしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

種結晶を融液中に保持した状態で種結晶成長を行う場合に、低品質結晶の成長を抑制し、大きなＩＩＩ族窒化物の高品質結晶を短時間で製造することができる製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method capable of producing a large and high-quality group III nitride crystal in a short period of time by controlling the growth of a low-quality crystal when the growth of a seed crystal is carried out while the seed crystal is kept in melt. - 特許庁

坩堝降下法において、種結晶近傍の温度制御を規定するために、種結晶近傍の温度を変化させるための流体循環路を設け、その周辺に観測用の温度センサーを設置した結晶製造装置を用い、種結晶の長さを長くし、又は種結晶と結晶部の接続部を加工する構成とした。例文帳に追加

The production method employs a crystal production apparatus provided with a fluid circulation path for changing temperature near a seed crystal to define temperature control in the vicinity of the seed crystal, and a temperature sensor for observation is provided on the periphery of the fluid circulation path in a crucible descending method, where the length of the seed crystal is elongated, or the joint part between the seed crystal and a crystallization part is processed. - 特許庁

半導体素子の構造内部に発生する結晶欠陥を抑制してしきい値電流、動作電流、製造歩留まりや信頼性等を向上させる。例文帳に追加

To improve a threshold current, operation current, production yield, and reliability, etc., by suppressing crystal defects which occur inside the structure of a semiconductor element. - 特許庁

紫外線照射による光感応性添加物を用いて作製した高結晶性・表面平滑なセラミック薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING HIGH CRYSTALLINE AND SURFACE SMOOTHED CERAMIC THIN FILM FORMED USING PHOTOSENSITIVE ADDITIVE BY IRRADIATION WITH ULTRAVIOLET RAY - 特許庁

低結晶性チタニルフタロシアニンおよび電子写真感光体とその製造方法例文帳に追加

LOW CRYSTALLINE TITANYLPHTHALOCYANINE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND PRODUCTION THEREOF - 特許庁

シンチレータ結晶層を別個に形成することによって、シンチレータ結晶層の上面、および下面を検査可能として不良結晶を確実に除去するとともに、簡便な放射線検出器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a simple radiation detector by separately forming a scintillator crystal layer to inspect an upper face and a lower face of the scintillator crystal layer so as to surely remove an inferior crystal. - 特許庁

そして、入力音声データのうち、この声紋認証の対象とすることを決定した各声紋認証単位時間分の音声データについてのみそれぞれ声紋認証を行う。例文帳に追加

Then the voiceprint authentication is carried out for respective speech data of respective voiceprint authentication unit times determined as objects of voiceprint authentication among input speech data. - 特許庁

そのため、実測のテスト結果の合格／不合格と遅延時間の大小が上記に従う故障候補は、真の故障である可能性が高い。例文帳に追加

Thus, it is highly possible that the fault candidate in which acceptance/rejection of the test result of the actual measurement and magnitude of the delay time follow the above is the true fault. - 特許庁

本発明の糖尿病網膜症治療剤は、糖尿病網膜症、特に増殖糖尿病網膜症における血管新生を有意に抑制することから糖尿病網膜症、特に増殖糖尿病網膜症の治療に用いることができる。例文帳に追加

The therapeutic agent for diabetic retinopathy is useful for treating diabetic retinopathy, especially proliferating diabetic retinopathy since it significantly controls vascularization in diabetic retinopathy, especially proliferating diabetic retinopathy. - 特許庁

炭化珪素単結晶の成長面全体においてマイクロパイプ欠陥の継承を防止できるようにする。例文帳に追加

To suppress the succession of the defect growth of the micro pipe all over the faces of the silicon carbide single crystal. - 特許庁

内面部３７は、正面部１５とポケット形成面１９の間に位置し、正面部１５との間に収納空間Ｓを形成する一方、ポケット形成面１９との間にポケットＰを形成する。例文帳に追加

The inside face section 37 is arranged between the front face section 15 and the pocket forming face 19, and forms the housing space S between the front face section 15 and the inside face section, while forming the pocket P between the pocket forming face section 19 and the inside face section. - 特許庁

液晶表示装置用の光学補償フィルムの複屈折ムラを起こす欠陥を特定でき、欠陥の発生源に対して適切な処置が可能な、光学補償フィルムの欠陥検査方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To specify a defect causing birefringence uneveness in an optical compesating film for a liquid crystal display, and to allow appropriate treatment for a defect generating source. - 特許庁

単結晶シリコン基板１１上には四角形環状（回字状）のトレンチ１２が形成されている。例文帳に追加

A thick square (square-shaped) trench 12 is formed on a monocrystal silicon substrate 11. - 特許庁

このような評価は、狭心症、心臓発作、卒中等に関連する器官の損傷の評価や、動脈瘤、外傷後のびまん性出血等に関連する血管漏出の評価を含め、数多くの臨床上の診断に使用できる。例文帳に追加

Such evaluations can be used in a number of clinical diagnoses, including assessing organ damage associated with angina pectoris, heart attack, stroke, and the like, as well as assessing vessel leakages associated with aneurysms, diffuse bleedings after trauma, and the like. - 特許庁

本発明はまた、ＩＧＦ１Ｒ ｍＲＮＡの発現を沈黙させ、したがってＩＧＦ−１／ＩＧＦ−１Ｒ結合複合体の活性を減少させ、かつ血管形成前および血管形成時の眼細胞活性を低下させることにより眼血管形成を治療する、干渉性ＲＮＡを対象とする。例文帳に追加

In addition, the invention is directed to interfering RNAs that silence IGF1R mRNA expression, thus decreasing activity of the IGF-1/IGF-1R bound complex and treating ocular angiogenesis by reducing activity of ocular cell activity before angiogenesis and during angiogenesis. - 特許庁

ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の光透過率を制御することにより、透明感があり、かつ着色されたルチル(ＴｉＯ_２)単結晶、特に青色のルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a production method of a rutile (TiO_2) single crystal, by which a colored rutile (TiO_2) single crystal having transparent feeling, especially a blue rutile (TiO_2) single crystal can be produced by controlling the light transmittance of the rutile (TiO_2) single crystal. - 特許庁

テープ状の基材２１の上面上に多数の結晶粒が結合されてなる配向制御多結晶中間薄膜２２が形成され、上記基材２１の下面上に多結晶速成中間薄膜２３が形成され、上記配向制御多結晶中間薄膜２２の上面に酸化物超電導層２４が形成されてなる酸化物超電導導体２０。例文帳に追加

In an oxide superconductor 20, an alignment control polycrystal intermediate thin film 22 in which a plurality of crystal grains are bonded is formed on an upper face of a tape-like base material 21, a polycrystal quick intermediate thin film 23 is formed on a lower face of the base material 21, and an oxide superconductive layer 24 is formed on an upper face of the thin film 22. - 特許庁

鑑賞画像参照データ生成部１０７は、決定された硬さの調整値及び明るさの調整値に従って、鑑賞画像参照データの硬さ及び明るさを調整する。例文帳に追加

An appreciation image reference data generating section 107 adjusts the stiffness and lightness of the appreciation image reference data according to the adjustment value of the stiffness and the adjustment value of the lightness that have been decided. - 特許庁

また、不整合結晶格子は、半導体材料の変形可能な薄膜上に堆積されて、結晶を成長させる際のひずみを低減し、かつ転位欠陥を低減してモノリシック結晶構造を実現する。例文帳に追加

Moreover, mismatched crystal lattices are deposited on a deformable thin film consisting of a semiconductor material to reduce the distortion when the crystal is grown and the defect of distortion is reduced to realize a monolithic crystal structure. - 特許庁

回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects. - 特許庁

そして、検査対象の配線基板を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出し、その検出された欠陥の配線基板内における位置に基づいて、データベースから欠陥修正手法を読み出して選定し、その選定された欠陥修正手法に基づき欠陥の修正を実行することを特徴とする。例文帳に追加

A defect image in which the image of the wiring board to be inspected is picked up is collated with a reference image without any defect to detect the defects; the defect correcting method is read and selected from the database based on the position of the detected defect in the wiring board, and the defect is corrected based on the selected defect correcting method. - 特許庁

ピュアマージンを減少させることなく、ほぼ全長にわたって点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶のインゴットを製造する。例文帳に追加

To manufacture an ingot of a silicon single crystal in which the aggregates of point defects do not exist almost over the whole length. - 特許庁

レイヤ１において障害検出を行い、障害の生じたパケットが到着する前にパケットの送信先を迂回させるとともに、障害の発生した経路の障害検出時間の短い通信経路切替装置を得ること。例文帳に追加

To provide a communication path switching apparatus in which a transmission destination of a packet is detoured before a packet wherein a fault occurs arrives by detecting the fault in a layer 1, and a time for detecting the fault on a path where the fault occurs is shortened. - 特許庁

認証判定部１０４は、ログイン情報すなわち成功裏に完了している認証に関する情報に基づいて、新たに開始された認証についてどのような手順が必要かを判定し、判定結果を認証制御部１０１に送る。例文帳に追加

An authentication determination part 104 determines necessary procedures as to the newly started authentication, based on log-in information i.e. information on successfully finished authentication, and transmits a determination result therein to an authentication control part 101. - 特許庁

三次元操作空間において、対象物もしくはその対象物の一部（対象物と称する）と、対象物表示姿勢すなわち操作空間上での位置および方向に対して、その対象物の空間表示（対象物表示と称する）との間の重畳度Ｍを決定する方法、並びに装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus of determining in a three-dimensional operating space a measure of super-imposition M between an object and a spatial representation of the object or part thereof (hereinafter called the object) in a pose comprising position and orientation in operating space (hereinafter called the object representation pose). - 特許庁

その化合物は、糖尿病網膜症および加齢性黄斑変性症、および慢性関節リウマチ、バルーン血管形成術、ならびに癌後の冠状動脈の再狭窄といった細胞増殖および血管形成の特徴がある疾患といった後区眼疾患に罹患しているヒトの治療に特に有用である。例文帳に追加

The composition is useful especially for a person suffering from retinopathia diabetica, age-related macular degeneration, chronic rheumatoid arthritis, posterior segment eye disease or disease characterized in cell proliferation and angioplasty such as restenosis of a coronary artery after balloon angioplasty and cancer. - 特許庁

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。例文帳に追加

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity. - 特許庁

これをマスクとして下地結晶層１２をエッチングしたのち、窒化物系中間結晶層１４を形成する。例文帳に追加

After the layer 12 is etched by using the pattern 13 as a mask, a nitride-based intermediate crystalline layer 14 is formed. - 特許庁

また、シリコン基板１１の第２の主面下に形成された結晶欠陥２４において注入された正孔を捕捉することが可能である。例文帳に追加

Positive holes injected in crystal defects 24 which are formed below a second main surface of a silicon substrate 11 can be captured. - 特許庁

ウエハの反りを抑制しつつ、結晶欠陥の少ないエピタキシャル成長層を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having an epitaxial growth layer with few crystal defects while suppressing warpage of wafer. - 特許庁

効果的な欠陥補償を行なうことで、欠陥による画質劣化を事実上生じない高性能な撮像装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an imaging system with high performance not to virtually generate degradation of image quality due to a defect by performing effective defect compensation. - 特許庁

基板のうちデバイスが形成される側の表面に結晶欠陥形成されるようにし、十分なゲッタリング効果が得られるようにすること。例文帳に追加

To obtain a sufficient gettering effect in the surface of a substrate in which devices are formed in a plurality of substrates by treating the surface so as to form crystal defects therein. - 特許庁

リファレンス製品の月別致命欠陥密度に平均致命率の比をかけ、予測対象製品の月別致命欠陥密度を算出する。例文帳に追加

The monthly fatal defect density of the reference product is multiplied by a calculated average fatality ratio to calculate the monthly fatal defect density of the yield prediction subject product. - 特許庁

結晶多形を有する有機化合物の準安定型結晶から安定型結晶を製造する方法及びその方法によって製造される安定型結晶、特に、エチル＝（Ｒ）−２−［４−（６−クロロ−２−キノキザリルオキシ）フェノキシ］プロピオン酸の高融点型結晶を製造する方法及びその方法によって製造される安定型結晶に関する。例文帳に追加

To provide a method for producing a stabilized crystal of a crystal polymorphic organic compound from its metastable crystal and obtain the stabilized crystal produced by the method, especially provide the method for producing high melting point type crystal of ethyl=(R)-2-[4-(6-chloro-2-quinoxalyloxy) phenoxy] propionate and the stabilized crystal produced by the same method. - 特許庁

本発明は、フッ化物結晶を収納する坩堝とフッ化物結晶との間に結晶内の応力を緩和させる部材を結晶底に設置した構成とした。例文帳に追加

The apparatus has such a constitution that a member for alleviating stress in the crystal is arranged on the bottom of the crystal between a crucible for accommodating the fluoride crystal and the fluoride crystal. - 特許庁

この方法によって、パケット間のデッドタイム中に発生する線路内の過渡現象が減衰する。例文帳に追加

In this manner, a transient phenomenon in the line generated during the dead time between the packets is attenuated. - 特許庁

これにより、活性層７及びＤＢＲ層６，８に結晶欠陥が生じるのを抑制することができる。例文帳に追加

Accordingly, the generation of crystal defects in the active layer 7, and DBR layers 6 and 8 can be prevented. - 特許庁

気相輸送法により酸化亜鉛結晶を成長させる方法で、適用する輸送剤に起因して発生する着色に代表される結晶欠陥を低減させ、高純度で高品質な酸化亜鉛結晶の製造を可能とする成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a zinc oxide crystal by a gas phase transport method, wherein crystal defects such as coloring caused by a transporting agent used are decreased, so that a high-purity and high-quality zinc oxide crystal can be manufactured. - 特許庁

また、この移動体用緩衝器と制動器とを備え、移動体用緩衝器は、衝突を検知する手段と、検知結果を制動器に出力する手段とを有し、制動器は検知結果を取得すると移動体用緩衝器の座屈変形期間内に自動的に移動体を停止させるための制動を行う移動体を提供する。例文帳に追加

The mobile body is provided, which performs braking for automatically stopping the mobile body within a buckling deformation period of the mobile body shock-absorber when the braking unit obtains the detection result. - 特許庁

干渉危険領域決定手段２３は、決定された工具軸姿勢ごとに、加工中に干渉が起こる可能性がある領域を干渉危険領域として決定する。例文帳に追加

An interference danger region determination means 23 determines a region having the possibility of the occurrence of an interference during processing as an interference danger region for every determined tool shaft attitude. - 特許庁

本邦において塩酸チクロピジン投与の３つの重大な副作用（血栓性血小板減少性紫斑病、重篤な肝臓障害、無顆粒球症）のうち、特に日本人で報告件数が多い肝臓障害の発現に関する遺伝学的素因の解明を課題とする。例文帳に追加

To elucidate genetic factors on expression of liver disorders frequently reported on Japanese in serious three side effects (thrombotic thrombocytopenic purpura, serious liver disorder, and agranulocytosis) caused by administering ticlopidine hydrochloride, in the country. - 特許庁

この時間を１００〜５０００ｎｓｅｃとすることにより、必要とする結晶性を有する結晶性半導体薄膜を得ることができる。例文帳に追加

When that time is set in the range of 100-5,000 nsec, a crystalline semiconductor thin film having required crystallinity can be obtained. - 特許庁

試料表面の微小な欠陥の存在及びその性状を正確に検出できる欠陥検出装置を実現する。例文帳に追加

To accurately detect the presence and properties of the minute flaw on the surface of a sample. - 特許庁

血管傷害の部位で再狭窄を抑制するために血管傷害の部位に配置するために設計された放射状に拡張可能な血管内ステント、ステントを使用する方法、ステントを製造する方法。例文帳に追加

To provide a radially expandable, endovascular stent designed for placement at a site of vascular injury, for inhibiting restenosis at the site, a method of using the stent and a method of making the stent. - 特許庁

カソードルミネッセンスを用いた半導体基板中の結晶欠陥の評価において、半導体基板表面のクリーニングをせずに高精度に結晶欠陥を評価することを可能にする。例文帳に追加

To evaluate a crystal defect highly accurately without cleaning a semiconductor substrate surface, in evaluation of the crystal defect in the semiconductor substrate using cathode luminescence. - 特許庁