「めでぃたてぃぶ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ディジタルメディアフレームは、独立したテキスト又はグラフィックスを表示するための複数のディスプレイ部分を含むディスプレイを有する。例文帳に追加

The digital media frame has a display including a plurality of display parts for displaying independent texts or graphics. - 特許庁

ここで、あらかじめＣＰＵに記憶してあった各標準値ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４と比較して、その差分ΔＴｎ（ｎ＝１〜４）を求める。例文帳に追加

In this case, the time is compared with each standard value previously stored by the CPU, and then, the difference ΔTn (n=1 to 4) is obtained. - 特許庁

ＬＣＤドライバ４は、ＬＣＤディスプレイ装置５を駆動するための駆動データテーブルを有する。例文帳に追加

The LCD driver 4 has a driving data table for driving the LCD device 5. - 特許庁

検出水温値Ｔｄと制御装置内に予め設定された基準水温値Ｔｔｈの差分値ΔＴを求める（ＳＡ２）。例文帳に追加

A difference value ΔT of the detected water temperature value Td and a reference water temperature value Tth preset inside a control device is obtained (SA2). - 特許庁

アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。例文帳に追加

Further, as the drive circuit, all are formed of the same conductivity type TFT as the pixel. - 特許庁

アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。例文帳に追加

Further, all of drive circuits are formed of the same conductivity type TFT as the pixel part. - 特許庁

メディアプロセッサ１２からのブロックデータ転送動作をオフロードするために、テンプレートデータ転送コプロセッサ（ＴＤＴＰ）１４を実現する。例文帳に追加

To realize a template data transfer coprocessor (TDTP) 14 to off-load block data transfer operation from a media processor 12. - 特許庁

この商品選定画面ＴＳＧで選定された店頭販売商品ＳＴＰの商品ＩＤデータＴＩＤで販売商品データＴＰＤが検索され、検索された販売商品データＴＰＤと商品属性データＴＡＤが整合して販売価格データＳＶＤが高額な販売商品データＴＰＤが抽出される。例文帳に追加

Sales commodity data TPD is searched with the commodity ID data TID of the an over the counter sale commodity STP selected in this commodity selection screen TSG, and the sales commodity data TPD whose sales price data SVD is expensive is extracted by coordinating searched sales commodity data TPD and commodity attribute data TAD. - 特許庁

機関温度を示すパラメータ（ＴＷ，ＴＷＩＮＩ）及びアルコール濃度パラメータＫＲＥＦＢＳに応じて上限変化量ＤＴＨＴＷＮ及び下限変化量ＤＴＨＴＷＮＢＳを算出する（Ｓ１８，Ｓ１９）。例文帳に追加

An upper limit variation DTHTWN and a lower limit variation DTHTWNBS are computed according to parameters TW, TWINI showing an engine temperature and an alcohol concentration parameter KREFBS (S18, S19). - 特許庁

流量パラメータ設定部２は、ＴＤｒ温度単位（ユーザの所望の単位）で記述されたＴＤｒ値を、上記の共通温度単位で記述されたＴＤｒ値に変換する単位変換部２２ｂを有しており、変換されたＴＤｒ値（変換後ＴＤｒ値）を設定する。例文帳に追加

The flow-rate parameter-setting part 2 has a unit conversion part 22b for converting a TDr value described by a TDr temperature unit (unit which the user desires) into a TDr value described by the common temperature unit, and sets the converted TDr value (post-conversion TDr value). - 特許庁

フィラメント電流は、ツェナーダイオードＺＤにも流れるが、入力電圧ＨＶが印加されている期間Ｔｈ１の間、制御電圧Ｖｃ２によってトランジスタＴｒ２をオンにすると、ツェナーダイオードＺＤは短絡されるため、フィラメント電流は、ツェナーダイオードＺＤを流れない。例文帳に追加

Since the filament current flows to the Zener diode ZD as well, but the Zener diode ZD is shorted if the transistor Tr2 is turned on by the control voltage Ve2 during the period Th1, when the input voltage HV is applied, the filament current will not flow through the Zener diode ZD. - 特許庁

またＧＰＳタイムと１ＰＰＳとの誤差ΔＴｐ１，ΔＴｐ２を求め、第１・第２のイベントカウント値Ｔ_E1(1) ，Ｔ_E1(2) の差分の補正を行う。例文帳に追加

Additionally, errors ΔTp1, ΔTp2 between a GPS time and 1 PPS are obtained, whereby the difference between count values T_E1(1), T_E1(2) of first and second events is compensated. - 特許庁

但し、（１）式において、Ｐ_ｔｏｔａｌ は鋳片の圧下量（％）、ΔＴは鋳片の厚み中心部の温度（Ｔｍ）と鋳片の表面温度（Ｔｓ）との温度差（ΔＴ＝Ｔｍ−Ｔｓ）である。例文帳に追加

Meanwhile, in the formula (1), P_total is a roll reduction amount (%) of the slab and ΔT is the temperature difference (ΔT=Tm-Ts) between the temperature (Tm) in the center of the slab and the surface temperature (Ts) of the slab. - 特許庁

内部共通バスＩｎｔ＿Ｂｕｓを介してのメモリコントローラＭｅｍｏ＿Ｃｎｔと１つの不揮発性メモリデバイスＭｅｍｏ＿Ｄｖ０の間のデータ転送Ｔ６〜Ｔ９の間Ｔ７〜Ｔ８に、このデータ転送を中断する。例文帳に追加

During a period T7-T8 of data transfer T6-T9 between a memory controller Memo_Cnt and one nonvolatile memory device Memo_Dv0 via an internal common bus Int_Bus, data transfer is interrupted. - 特許庁

メモリ３３には、キューＱ０に対応するディスクリプタテーブルＴ０と、キューＱ１に対応するディスクリプタテーブルＴ１が設けられる。例文帳に追加

A descriptor table T0 corresponding to a queue Q0 and a descriptor table T1 corresponding to a queue Q1 are set on the memory 33. - 特許庁

これらの算出値から、Ｖ_L＝２・ΔＺ・（Δｔ_V^2−Δｔ_L^2）^-1/2を用いて漏洩弾性表面波の音速Ｖ_Lを求める。例文帳に追加

On the basis of their calculated values, the sound velocity of the leakage surface acoustic waves is found by using VL=2.ΔZ.(ΔtV2-ΔtL2)-1/2. - 特許庁

ＣＦ＝Ｎｗ×√Ｄｗ＋Ｎｆ×√Ｄｆ（式１）（ここで、Ｎｗ，Ｎｆは、経糸および緯糸の織密度（本／ｃｍ）、Ｄｗ，Ｄｆは、経糸および緯糸の繊度（ｄｔｅｘ）を表す）例文帳に追加

In the formula, Nw and Nf are the weaving density (number/cm) of the warp and the weft and Dw and Df are the fineness (dtex) of the warp and the weft. - 特許庁

最後に、トランジスタＴ２，Ｔ６をＯＦＦした後、トランジスタＴ４をＯＮすることにより、トランジスタＴ３，Ｔ４を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにデータ電圧Ｖdataで決められた駆動電流が流れる。例文帳に追加

Finally, by turning on the transistor T4 after turning off the transistor T2 and T6, a drive current determined by a data voltage Vdata flows to the organic electroluminescence element OLED via the transistors T3 and T4. - 特許庁

ＳＲＡＭのメモリセルは、２個の駆動ＭＩＳＦＥＴ（ＤＲ_１、ＤＲ_２）および２個の縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）で構成されている。例文帳に追加

The memory cell of an SRAM is constituted of two drive MISFETs (DR_1, DR_2) and two vertical MISFETs (SV_1, SV_2). - 特許庁

軸角度演算部２２は、上記ＡＤ変換出力であるＡｓｉｎωｔ・ｓｉｎθ，Ａｓｉｎωｔ・ｃｏｓθからｔａｎθ＝Ａｓｉｎωｔ・ｓｉｎθ／Ａｓｉｎωｔ・ｃｏｓθを算出し、さらに、θ＝ｔａｎ−１θを算出する。例文帳に追加

A shaft angle computing part 22 calculates tanθ=Asinωt×sinθ/Asinωt×cosθ, based on Asinωt×sinθ and Asinωt×cosθ of AD conversion outputs, and calculates further θ=tan ^-1 θ. - 特許庁

この検出部２４の出力と、第２入力端２１ｂから与えられる２／ΔＴ（ΔＴは、サンプリング回数の逆数）とが、乗算器２５で乗算されて、近似式で示す補償要素ｅ^ｓＴｄ＝１＋（１−Ｚ^−１）／（１＋Ｚ^−１）・２／ΔＴ・Ｔｄが得られる。例文帳に追加

An output of the detector 24 is multiplied with 2/ΔT(ΔT is inverse number of sampling frequency) supplied from a second input end 21b using a multiplier 25, to obtain a compensation element e^sTd=1+(1-Z^-1)/(1+Z^-1)×2/ΔT×Td, expressed in approximate expression. - 特許庁

本発明に係るデータ転送装置では、ＢＤ（Ｂｒｉｄｇｅ Ｄｅｖｉｃｅ）と同様な機能をデータ転送装置内部のレジスタに備える。例文帳に追加

In the data transfer device, a function similar to the BD (Bridge Device) is provided to a register inside the data transfer device. - 特許庁

計測した基準クロック信号とＳＯＳ信号との現在の位相差と、基準クロック信号（ＣＬＫ）とＳＯＳ信号との初期位相差（ΔＴｃ、ΔＴｋ、ΔＴｍ、ΔＴｙ）との差分を求めることで、各色毎に位相差変動量（Ｔｃ、Ｔｋ、Ｔｍ、Ｔｙ）を演算する（ステップ１０４）。例文帳に追加

Phase difference variation (Tc, Tk, Tm, Ty) is operated for each color by determining the difference between the current phase difference between the measured reference clock signal and the SOS signal and the initial phase difference (ΔTc, ΔTk, ΔTm, ΔTy) between the reference clock signal (CLK) and the SOS signal (step 104). - 特許庁

ブレーキディスク加工用竪型両頭平面研削盤例文帳に追加

VERTICAL TYPE DUPLEX SURFACE GRINDER FOR MACHINING BRAKE DISC - 特許庁

ブレーキディスク加工用竪型両頭平面研削盤例文帳に追加

VERTICAL DOUBLE HEAD SURFACE GRINDING MACHINE FOR BRAKE DISK WORKING - 特許庁

そして、縦軸をＶｂｅ、横軸をＴａとし、Ｔａ−Ｖｂｅグラフを描き、ΔＴａ／△Ｐｏｗｅｒを計算し、熱抵抗を求める。例文帳に追加

A Ta-Vbe graph is drawn, wherein Vbe is an abscissa axis and Ta is an ordinate axis, ΔTa/ΔPower is calculated, and a thermal resistance is obtained. - 特許庁

第２試験データＴＷＤ２は、第２レギュラーメモリブロックＭＢ２だけでなくパリティメモリブロックＰＭＢにも書き込まれる。例文帳に追加

Second test data TWD2 is written not only in a second regular memory block MB2 but also in a parity memory block PMB. - 特許庁

コネクタ１４は、磁気ディスク１２を備えたＨＤＤ部３と外部装置との間のデータ転送を行うためのインターフェースである。例文帳に追加

The connector 14 is interface for performing data transfer between the HDD 3 provided with the magnetic disk 12 and an outside device. - 特許庁

本発明の織物は、横糸−縦糸構造（ｗｅｆｔ−ａｎｄ−ｗａｒｐ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することを特徴としている。例文帳に追加

The fabric characteristically has a weft-and-warp structure. - 特許庁

この時、積分開始速度と、積分終了速度は各々１回目の加速と同じであるが、加速レートは変える（ω_3＝ω_1、ω_4＝ω_2、Δｔ_12≠Δｔ_34）。例文帳に追加

During acceleration, the motor torque τm is computed and subjected to time integration. - 特許庁

この代表値δ_Ｔ、δ_Ｔ−１の値に対応するブロック探索方法を、代表値δ_Ｔ、δ_Ｔ−１の各値に対応して予め決められている各種ブロック探索方法の中から選択する。例文帳に追加

Block search methods, corresponding to those representative values δ_T and δ_T-1, are selected from among various block searching methods predetermined according to the representative values δ_T and δ_T-1. - 特許庁

ディスク装置組み立ての際、ディスク面に異物が付着を最小限に抑え、ディスク装置の組み立て歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To improve the assembling yield of a disk device by limiting the disk surface sticking of foreign objects to a minimum during disk device assembling. - 特許庁

ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧Ｖｔｈの影響を補正するために、第１スイッチングトランジスタＴｒ２は、スキャナ７から供給される制御信号ＡＺｎに応じ導通してドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧを第１基準電位Ｖｓｓ１に設定する。例文帳に追加

A first switching transistor Tr2 is conducted according to a control signal AZn supplied from a scanner 7 in order to correct the influence of a threshold voltage Vth of a drive transistor Trd and sets a gate G of the drive transistor Trd at a first reference potential Vss1. - 特許庁

アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもしくはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。例文帳に追加

For reducing the cost of manufacturing an active matrix type display device, a monoconductive TFT (which is either a p-channel TFT or a n-channel TFT) is used for all TFTs used in a pixel unit, and the same conductive TFTs as in the pixel unit are used to fabricate a drive circuit. - 特許庁

ロジックトランジスタ（Ｔｒ）３３のＬＤＤ幅ＳＷ１１をセルＴｒ３５のＬＤＤ幅ＳＷ１３とは別個に設定し、中間絶縁膜の埋め込み時のボイド発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress the occurrence of void upon embedding an intermediate insulating film, by setting an LDD width SW11 of a logic transistor (Tr) 33 separately from an LDD width SW13 of a cell Tr35. - 特許庁

ＤＴＳ，ＩＤ，格納アドレス保持メモリ１０６に、ＤＴＳ抽出手段１０３で抽出されたＤＴＳとＩＤ付加手段１０４でピクチャ毎に発行したＩＤとピクチャの先頭を格納した入力バッファ１０５のアドレスとを関連づけたテーブルを作成する。例文帳に追加

A table that a DTS extracted by a DTS extract means 103, an ID issued by each picture from an ID addition means 104 is related to an address of an input buffer 105 storing a head of a picture is created in a DTS, ID, storage address storage memory 106. - 特許庁

本発明は、オフ電流の低いｐチャネル型ＴＦＴ１５５を画素部１５０に用いるＴＦＴとし、ＧＯＬＤ構造を備えたｎチャネル型ＴＦＴ１５３、１５４を駆動回路１４９のＴＦＴとして、５枚のフォトマスクで作製する。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of adopting the TFT using a p-channel TFT 155 having a low off- current for a pixel 150, forming an n-channel TFTs 153 and 154 each having the GODL structure as a TFT of a drive circuit 149, and forming the TFT with five photomasks. - 特許庁

横糸フィラメント１２と縦糸フィラメント１３で、複数本の極細同軸ケーブル１１を織ることで形成する極細平型ケーブル２０ａの、横糸フィラメント１２と縦糸フィラメント１３を着色して、識別用横糸フィラメント１２ｂ、識別用縦糸フィラメント１３ｂとする。例文帳に追加

A weft filament 12 and a warp filament 13 of an extra-fine flat cable 20a which is formed by weaving a plurality of extra-fine coaxial cables 11 by a weft filament 12 and a warp filament 13 are colored to be used as a weft filament 12b for identification and a warp filament 13b for identification. - 特許庁

その後、マージ機能１３は、呼び出しに応じて、Δ１抽出機能１４が抽出したＴＤＭ０とＴＤＭ１の差分Δ１と、ＴＤＭ０＿ｎから抽出したΔ２とを、予め記憶された処理パターンに基づいてマージする。例文帳に追加

Afterwards, the marge function 13 merges a difference Δ1 between the TDM0 and the TDM1 extracted by a Δ1 extraction function 14 and the difference Δ2 extracted by the TDM0_n based on a preliminarily registered processing pattern in response to calling. - 特許庁

受信機は、基準ブーケアイデンティティおよび基準サブ−ブーケアイデンティティをストアする手段と、受信信号内のチャンネルのためのブーケアイデンティティとサブ−ブーケアイデンティティとを基準ブーケおよび基準サブ−ブーケアイデンティティと比較する手段と、比較により規定される番組または他のサービスの表示を行なうために受信したテレビジョン信号を出力する手段とを含む。例文帳に追加

The receiver includes: means for storing a reference bouquet identity and a reference sub-bouquet identity; means for comparing the bouquet identity and sub-bouquet identity for a channel in a received signal with the reference bouquet and the reference sub-bouquet identities; and means for outputting the received television signal for displaying a program or other services as defined by the comparison. - 特許庁

ウィーンフィルタといったようなデバイスを構成する各部材を組み立てるための固定具例文帳に追加

FIXING TOOL FOR ASSEMBLING EACH MEMBER COMPOSING A DEVICE SUCH AS WIEN FILTER - 特許庁

本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴ、閾値電圧変動のない安定した性能のＴＦＴを提供することにある。例文帳に追加

To provide a TFT which uses an amorphous oxide semiconductor, has no threshold voltage variation, and has stable performance. - 特許庁

オペレータが設置したメニューシート２０のＩＤ部９０からＩＤ読み取り部８０が固有ＩＤを読取り、データテーブル群６４のひとつめのデータテーブルを開いてヘッダの固有ＩＤを読み込む。例文帳に追加

An ID read part 80 reads a peculiar ID from an ID part 90 of a menu sheet 20 set by an operator, and a first data table in a data table group 64 is opened to read in the peculiar ID of the header. - 特許庁

補正演算部５６０は、排気熱回収器を介した排気ガスからのエンジン冷却水の受熱量を反映した補正温度ΔＴｃｎｔを求めるとともに、推定温度Ｔｃｎｔおよび補正温度ΔＴｃｎｔの和に従って、エンジン冷却水の温度推定値Ｔｗｃｎｔを算出する。例文帳に追加

A correction calculation part 560 determines correction temperature ΔTcnt reflecting heat receive quantity of engine cooling water from exhaust gas via an exhaust heat recovery apparatus and calculates temperature estimation value Twcnt of engine cooling water according to sum of the estimation temperature Tcnt and the correction temperature ΔTcnt. - 特許庁

表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。例文帳に追加

In this semiconductor device where a first n-channel type TFT is arranged in a display region and a second n-channel type TFT and a p-channel type TFT are arranged in a drive circuit, the p-channel type TFT includes a channel formation region and an impurity region adjacent to it, wherein an impurity element added for the n-channel type TFT is not included in the impurity region. - 特許庁