「ギャップ準位」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ワイドバンドギャップを有する半導体材料を使用しているため耐電圧特性等に優れ、大電力に使用すること等が可能、その上フラットバンドの位置も適切で、界面準位の低下が発生せず、高速作動する電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an electronic device which is so excellent in voltage endurance characteristics as to be usable to high electric power, and where the position of a flat band is so proper as to avoid occurrence of lowering of an interface level to operate at high speed by using a semiconductor material having a wide band gap. - 特許庁

ドリフト領域４内に形成されている結晶欠陥には、バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥が含まれている。例文帳に追加

A crystal defect formed in the drift region 4 includes a crystal defect of a trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in a region of <0.2 eV in an energy difference from the center of a band gap. - 特許庁

接離機構Ｃ１を駆動して印字ヘッド４１をプラテンに接近する方向へ移動させて印字ヘッドを用紙に押し付け、当該位置を基準としてギャップ調整手段Ｃ２を駆動して印字ヘッドをプラテンから所定量離反させて印字ヘッドとプラテンとの間隔を調整する。例文帳に追加

An approach/retreat mechanism C1 is driven to move a print head 41 in the direction approaching a platen and, with reference to a position where the print head is pressed against the sheet, a gap adjusting means C2 is driven to retreat the print head from the platen by a specified amount thus adjusting the interval between the print head and the platen. - 特許庁

また、一般式（Ｇ１）における置換基（Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^３、及びα^３）としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップ（Ｂｇ）が広く、Ｔ１準位が高い置換基をいずれも用いるものとする。例文帳に追加

Further, as each of substituents (R^1, R^2, Ar^3, and α^3) in general formula (G1), a substituent from which a compound having a wide band gap (Bg) and a high T1 level is derived by substituting a bond thereof with hydrogen is used. - 特許庁

そして、量子井戸対は、そのバンドギャップエネルギーが漸次変化するとともに、電界の印加されない状態で、第１の井戸層８の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以下でありかつ第２の井戸層１０の第１準位が光吸収層４のフェルミ準位以上である。例文帳に追加

Then, the quantization well pair is changed successively in band gap energy, and the first level of the first well layer 8 is the Fermi level or below of the light absorbing layer 4 in the state in which the electric field isn't applied, and the first level of the second well layer 10 is the Fermi level or above of the light absorbing layer 4. - 特許庁

また、ｐＭＯＳのゲート電極７の仕事関数ΦＭｐを、シリコンの電子親和力χsとシリコンのバンドギャップエネルギーＥgとを加えたものと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値、すなわち、Φｉ＜ΦＭｐ＜χｓ＋Ｅｇの関係が成り立つように設定する。例文帳に追加

Besides, a work function ΦMp of a gate electrode 7 of pMOS is made into value between the added result of the electron affinity χs of silicon and a band gap energy Eg of silicon and the energy difference Φi of the intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of Φi<ΦMp<χs+Eg. - 特許庁

カム面１８ａは、円周方向における一の位置において駆動モーター２１に最大負荷を与える形状を有しており、駆動モーター２１を制御する制御部２８が、前記最大負荷が生じる際の回転位相を基準にしてギャップ調整カム１８を目的とする回転位相に停止させる。例文帳に追加

The cam face 18a has such a shape that gives a maximum load to the driving motor 21 at a specified position in the circumferential direction, and a controlling part 28 for controlling the driving motor 21 stops the gap adjusting cam 18 to an aimed rotational phase by using a rotational phase when the maximum load is generated as a reference. - 特許庁

これにより、押圧方向の接地電極Ｗ2の先端位置がプラグ個体間でばらついている場合でも、接地電極Ｗ2との当接位置を基準として押圧ストロークが設定されるので、接地電極Ｗ2に実際に施される押圧曲げの量を精度よくコントロールすることができ、ギャップ間隔不良等を生じにくくすることが可能となる。例文帳に追加

With this, even when tip positions of the ground electrodes W2 in a pressing direction vary among plug individuals, the pressing stroke is set using the contact position with the ground electrode W2 as a standard, so that an amount of pressing and bending practically processed to the ground electrode W2 can be accurately controlled, and generation of gap spacing failure or the like can hardly occur. - 特許庁

これにより、押圧方向の接地電極Ｗ2の先端位置がプラグ個体間でばらついている場合でも、接地電極Ｗ2との当接位置を基準として押圧ストロークが設定されるので、接地電極Ｗ2に実際に施される押圧曲げの量を精度よくコントロールすることができ、ギャップ間隔不良等を生じにくくすることが可能となる。例文帳に追加

Even when the tip position of the earthed electrode W2 in the pressing direction is dispersed between plugs, pressing stroke is set based on the contact position with the earthed electrode W2, and the amount of pressing bending actually executed to the earthed electrode W2 is accurately controlled, and generation of failure of distance between caps is suppressed. - 特許庁

Ｈｆを構成元素として含む高誘電体膜３と多結晶シリコンまたは金属シリサイドからなるゲート電極５との間に、ゲート電極５のバンドギャップ内にフェルミレベルピンニングを発生させる準位を発生させない程度にゲート電極５との再ネットワークの構造緩和ができるアモルファス構造のＳｉＯ_2 膜４を介在させる。例文帳に追加

In the insulated gate semiconductor device, an amorphous structured SiO_2 film 4 is interposed between a high dielectric film 3 containing Hf as its constituent element and a gate electrode 5 comprising polycrystal silicon or metallic silicide, and the film 4 can achieve structural relaxation of re-netwoking with the gate electrode 5 to a degree of not causing a level of producing the Fermi level pinning in a band gap of the gate electrode 5. - 特許庁

読み出し動作時に第１強磁性層から第２強磁性層へ電子を流し、かつ、第１強磁性層に用いる強磁性体は、高エネルギー側と低エネルギー側に二つのマイノリティースピンバンドを有し、二つのマイノリティースピンバンドのギャップの中央よりも高エネルギー側にフェルミ準位を有する。例文帳に追加

In readout operation, electrons are made to flow from the first ferromagnetic layer to the second ferromagnetic layer, and a ferromagnetic body used for the first ferromagnetic layer has two minority spin bands on a high-energy side and a low-energy side and a Fermi level on an energy side higher than the center of the gap of the two minority spin bands. - 特許庁

ロックオン荷重を、固定された初期基準荷重とするのではなく、現在のロールギャップ位置において目標とする出側板厚を得るために必要な荷重を演算し、その荷重をロックオン荷重とすることにより、過制御又は逆制御を防止するようにした、圧延機の板厚制御方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a gage control method for rolling mills for preventing over-control or reverse control by calculating load which is necessary to obtain the target thickness on the outlet side in the position of the present roll gap and taking the load as lock-on load without taking the lock-on load as a fixed initial reference load. - 特許庁

Ｍｇドープｐ型ＩｎＧａＮで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のＩｎ組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。例文帳に追加

In this heterojunction bipolar transistor, where a base layer constituted of an Mg-doped p-type INGaN is made between an emitter layer and a collector layer, In composition of that base layer is changed, according to the distance from that emitter layer to that base layer, and the depth of the acceptor level within that base layer is changed together with a band gap. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt metal-insulator transition (MIT) semiconductor material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor material layer. - 特許庁

シリコン基板上に絶縁層を介して電極を形成したＭＩＳ構造を有する半導体装置において、絶縁層は、熱励起した電子によるトンネル電流を低くするバンドギャップが４．５ｅＶ以上のＳｉ_3 Ｎ_4 膜２と、フェルミ準位近傍からのトンネル電流を低くする誘電率３０以上のＴｉＯ_2 膜３とを積層した構造からなる。例文帳に追加

In a semiconductor device having MIS structure where an electrode is formed on a silicon substrate through an insulating layer, the insulating layer is formed by stacking a Si3N4 film 2 whose band gap for reducing tunnel current by thermally excited electrons is not less than 4.5 eV, and a TiO2 film 3 whose permittivity for reducing tunnel current from the vicinity of a Fermi level is not less than 30. - 特許庁

また、第１絶縁膜の組成と電荷蓄積層の組成との関係は、(A) 第１絶縁膜の価電子帯バンドオフセットが電荷蓄積層の価電子帯バンドオフセットよりも大きく、かつ、(B) 電荷蓄積層内の酸素空孔によるトラップエネルギー準位が電荷蓄積層のバンドギャップ内に存在する、ことを条件に決定される。例文帳に追加

Further, the relation between the composition of the first insulating film and the composition of the charge storage layer is determined under the following conditions: (A) a valence band offset of the first insulating film is larger than that of the charge storage layer, and (B) a trap energy level of an oxygen hole in the charge storage layer exists within a band gap of the charge storage layer. - 特許庁

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。例文帳に追加

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer. - 特許庁

ホスト材料や電子阻止材料として使用される電荷輸送材料として有用な、耐熱性、電気的酸化還元耐久性、Ｔ１準位、バンドギャップ、電荷輸送性、膜安定性といった性質をバランス良く有する新規化合物と、この化合物を用いた電荷輸送材料および有機電界発光素子の提供。例文帳に追加

To obtain a new compound having properties such as heat resistance, electric oxidation reduction durability, T1 level, bandgap, charge transportability and film stability in good balance and useful as a charge transport material used as host materials and electronic prevention materials, and provide a charge transport material and an organic electroluminescent element using the compound. - 特許庁

本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。例文帳に追加

The two-terminals semiconductor device comprises: a first electrode film; a rapid metal-insulator transition semiconductor substance, arranged on the first electrode film, having an energy gap of 2 eV or less and holes within a hole level; and a second electrode film arranged on the rapid metal-insulator transition semiconductor substance. - 特許庁

フレーム形式で伝送されたラインデータからクライアントデータを取り出して一時的にデマッピングＦＩＦＯ１２に蓄え、このデマッピングＦＩＦＯ１２へのデータの書き込み頻度に対応して位相同期ループによりクライアントデータのクロックを再生して、デマッピングＦＩＦＯ１２からクライアントデータを読み出す構成において、ラインデータに含まれるヘッダ領域やエラー訂正領域によって書き込み周期にギャップがあるため、データの書き込み周期を位相比較の基準としてクロックを再生するのでは、回路が複雑となる。例文帳に追加

To provide phase comparison signals without variations of a phase cycle even when there is a gap in client signals on the write side and to set a phase comparison cycle by a threshold, by using cyclic signals corresponding to a client data amount estimated to be stored in a demapping FIFO as the phase comparison signals being the phase reference of a phase locked loop for reproducing a client clock. - 特許庁