「ギャップ準位」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ならい制御のＯＮで、ギャップ測定用基準部材に対するノズル先端のならいギャップをギャップ量指令値に基づく位置でレーザ加工ヘッドのＺ軸移動を停止せしめ、この第１Ｚ軸座標値をメモリに記憶する。例文帳に追加

When copying control is ON, the Z axis movement of the laser beam machining head is stopped, at the position based on the copying gap of a nozzle tip from the reference member and a gap quantity command value, this first Z axis coordinate value is stored in a memory. - 特許庁

バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。例文帳に追加

Defects in a band tail level and a band gap are reduced as much as possible, whereby optical absorption of energy in the vicinity of the band gap or less than or equal to the band gap is reduced. - 特許庁

よって、上下シールド間のギャップ長（ＧＬ）の下部シールド層２１側の基準位置を、前記下地層１上とみなすことができ、従来に比べて狭ギャップ化を図ることができる。例文帳に追加

Accordingly, a reference position of a lower shielding layer 21 side of a gap length (GL) between upper and lower shields can be considered as the base layer 1, and a gap can be made to be smaller than a conventional one. - 特許庁

そして、この基準位置から前記印字ヘッド及び前記ガイド部を前記プラテンローラから離間方向に移動させ、前記印字ヘッド又は前記ガイド部にギャップ（ギャップ幅ｄ）を設定する構成である。例文帳に追加

The printing head and the guide portion are moved from the reference position in an isolation direction from the platen roller, thereby setting a gap (gap width d) to the printing head or the guide portion. - 特許庁

ホールブロック材料とは異なる材料として、最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値が、発光層の最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値よりも大きい材料を用いる。例文帳に追加

For the material different from the hole-blocking material, a material having a value of an energy gap between the highest occupied molecular orbit level and the lowest unoccupied molecular orbit level larger than that of the luminescent layer is used. - 特許庁

記録ヘッドを測定基準位置から降下させてプラテン面を検出し、ついで記録ヘッドを測定基準位置から降下させて紙面を検出し、これらの差によってプラテンギャップを決定し、プラテンギャップを調整するプラテンギャップ調整機構を備え、紙厚に応じて測定基準位置Ａ，Ｂを変更する手段を備えた。例文帳に追加

This apparatus comprises a platen gap adjusting mechanism for detecting a platen surface by lowering a recording head from a measurement reference position, then detecting a paper surface by lowering the recording head from a measurement reference position so as to determine the platen gap according to the difference thereof for adjusting the platen gap, and a means for changing the measurement reference positions A, B according to the paper thickness. - 特許庁

これにより、基準位置に対する印字ヘッドの位置を正確に求めることができ、印字ギャップを正確に調節できる。例文帳に追加

By this constitution, the position of the printing head to the reference position can be calculated and a printing gap can be regulated accurately. - 特許庁

Ｈｆ（或いはＺｒ）酸化物に高価数金属を添加することでギャップ内準位を作りだし、窒素あるいはフッ素などによりギャップ内準位の位置を変化させることで、最適な実効仕事関数を有する電極を備え、低閾値動作が可能なＣＭＩＳデバイスを実現した。例文帳に追加

A CMIS device with an electrode having the optimum effective job function to enable a low threshold operation is actualized by forming levels within a gap through high-valent metal addition to an Hf (or Zr) oxide and changing the locations of the levels within the gap with nitrogen or fluorine or the like. - 特許庁

ガラス転移温度が高い上にバンドギャップが広く、最低励起三重項準位が高い有機化合物を提供する。例文帳に追加

To provide an organic compound that has a high glass transition temperature, a broad band gap and a high minimum excited triplet level. - 特許庁

ならいセンサを備えたレーザ加工ヘッドをギャップ測定用基準部材へ相対的に移動位置決めする。例文帳に追加

A laser beam machining head arranged with a copying sensor is relatively moved and positioned in a reference member for gap measurement. - 特許庁

素子チップの上部に光電変換層２０を積層してなる積層型固体撮像素子において、光電変換層２０を単結晶シリコンで形成することで、光電変換領域内のギャップ準位を大幅に低減し、当該ギャップ準位に起因する残像や暗電流を改善する。例文帳に追加

A laminate solid-state imaging element including a photoelectric conversion layer 20 laminated on an element chip is characterized in that the layer 20 is formed of single crystal silicon. - 特許庁

回折格子層２５は、隣接したクラッド層２４，２６のバンドギャップエネルギーＥＧｐより小さいバンドギャップエネルギーＥＧ１を有する層２５ａと、ＥＧ１より大きいバンドギャップエネルギーＥＧ２を有する層２５ｂとが交互に積層された積層構造を有し、層２５ａはホールの基底準位が存在しない層厚Ｌcladに形成される。例文帳に追加

The diffraction lattice layer 25 has a lamination structure where a layer 25a having smaller band gap energy EG1 than band gap energy EGp of the adjoining clad layers 24 and 26 and a layer 25b having larger band gap energy EG2 than the band gap energy EG1 are stacked alternately, and the layer 25a is formed at a layer thickness Lclad where no ground state of the hole exists. - 特許庁

ヨーク６４のリヤハウジング３１ｂに対する相対位置が基準位置Ｐｓよりも離れた場合、内側対向面積及び外側対向面積がそれぞれ増大するように内側ギャップ部Ｇ１及び外側ギャップ部Ｇ２をそれぞれ構成した。例文帳に追加

The inside gap portion G1 and the outside gap portion G2 are constructed so that the inside facing area and the outside facing area are increased when the position of the yoke 64 relative to the rear housing 31b is farther from the reference position Ps. - 特許庁

ヨーク６４のリヤハウジング３１ｂに対する相対位置が基準位置よりも近づいた場合、内側対向面積及び外側対向面積がそれぞれ減少するように内側ギャップ部Ｇ１及び外側ギャップ部Ｇ２をそれぞれ構成した。例文帳に追加

An inside gap portion G1 and an outside gap portion G2 are constructed so that an inside facing area and an outside facing area are reduced when the position of a yoke 64 relative to a rear housing 31b is closer than a reference position. - 特許庁

バンドギャップリファレンス回路３０は、基準電位トリミング信号RTMを入力し、PN接合ダイオード特性を利用して基準電位REFを生成すると共に、温度に依存した第１の温度依存電位VTEMPMを生成する。例文帳に追加

A bandgap reference circuit 30 inputs a reference potential trimming signal RTM and generates a first temperature dependent potential VTEMPM depending on temperature, while generating a reference potential REF utilizing properties of P-N junction diode. - 特許庁

第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁

裏面電極直下の高電荷層は低品質なためにバンドギャップ内に多くの不整準位を持っており、多数キャリアの一部はこのような不整準位に蓄えられている。例文帳に追加

Since the high charge layer just below the back electrode has low quality, it has much irregular levels in a band gap, and a part of majority carriers is accumulated in such irregular levels. - 特許庁

本発明の太陽電池は、ｐ型及びｎ型の半導体を接合してなる太陽電池において、ｐ型半導体は、バンドギャップ幅において1.5eV以上のワイドバンドを有し、ギャップ中に不純物準位とは異なる中間準位を形成したカルコパイライト構造を持つワイドバンド化合物であることを特徴とするものである。例文帳に追加

In a solar battery comprising p-type and n-type semiconductors jointed, the p-type semiconductor is a wide-band compound having a wide band of 1.5 eV or more, in a band gap width and having a chalcopyrite structure forming an intermediate level different from the impurity level in a gap. - 特許庁

電流源１及び２はバンドギャップリファレンス回路４から供給される基準電圧に基づいて基準電流Ｉｒｅｆを低電位側電源ＶＳＳ側に流す。例文帳に追加

The current sources 1 and 2 cause a reference current Iref to flow to a side of a low-potential side power source VSS on the basis of a reference voltage supplied from a band gap reference circuit 4. - 特許庁

電気信号のレベルがハイレベルの状態にある間にラベル１及び台紙２が搬送方向に搬送された距離がギャップの長さとなるので、電気信号のレベルがローレベルに変化したときのセンサの位置から、ギャップの長さの１／２（図５の距離ｘ）だけ移動した地点を基準位置として、ラベル上に印刷を行う。例文帳に追加

Since a distance wherein the label 1 and the paper mount 2 are conveyed in the direction of conveyance while the level of the electric signals is maintained high becomes the length for a gap, a point whereto the label and the paper mount are moved by a half length of the gap (distance x as shown in the attached figure) is made to become a reference position, and printing is made on the label. - 特許庁

基準の位置において、位置制御コイル２４の両端の所定長は磁気ギャップを横切り、それぞれの端で生じるローレンツ力は逆向きに釣り合っている。例文帳に追加

At a reference position, a specified length between both edges of the position control coil 24 crosses the magnetic gap, and Lorentz forces which occur at the edges are reversely balanced. - 特許庁

ギャップＧ１は、ＭＯＳ型素子Ｑ１へ伝達されようとする異常電圧のみを半導体基板は基準電位（接地電位）にバイパスさせるため、所定の離間距離をもって互いに対向する尖端部１１Ａ１，１１Ａ２を有する。例文帳に追加

The gap G1 comprises ends 11A1 and 11A2 counterposed mutually with a predetermined clearance in order that the semiconductor substrate may make only the abnormal voltage transmitted to the MOS element Q1 bypass reference potential (grounding potential). - 特許庁

半導体チップ２の端面２ａをＰＬＣチップ３の端面３ａに接触させた位置を基準位置（ゼロ点）として、半導体導波路４と光導波路７とのギャップ調整（距離Ｄの調整）が可能になる。例文帳に追加

Gap adjustment (adjustment of a distance D) between the semiconductor waveguide 4 and the optical waveguide 7 becomes possible, on the basis of the position where the end face 2a of the semiconductor chip 2 is brought into contact with an end face 3a of the PLC chip 3 as a reference position (zero point). - 特許庁

多極スパークプラグのギャップ検査を行う際に、接地電極Ｗ2の先端位置を、撮影工程に先立って基準部位置として予め測定する。例文帳に追加

At the time of performing gap inspection on a multi-electrode spark plug, the location of the tip of a ground electrode W2 is measured in advance as a reference part location prior to an image pickup process. - 特許庁

ギャップ設定機構部は、前記プラテンローラ上の印字媒体（印刷用紙１４）に前記印字ヘッドのヘッド面又は前記印字ヘッドを搭載しているガイド部が接触する位置を基準位置とする。例文帳に追加

The gap setting mechanism portion makes a position where a head surface of the printing head or the guide portion carrying the printing head coming in contact with the printing medium (printing paper 14) on the platen roller, a reference position. - 特許庁

磁気テープ記録再生装置７上に定義した装置基準面に対して、ガイドローラ９及び磁気ヘッドギャップ１１の相対位置調整をそれぞれ独立して行うことにより、結果として両者の相対位置関係を保証する。例文帳に追加

It adjusts the respective relative positions of the guide roller 9 and the head gap 11 to the reference plane defined in a magnetic recording and reproducing device 7 and ensures their relative positions in result. - 特許庁

そして、ヘッドコアの媒体摺動面において、磁気ギャップｇ１は、ヘッドベースの基準面と反対側にずれた位置に形成されており、磁気ギャップｇ１の全長であるトラック幅に対し、実質的な記録トラックとなるトラックピッチに対応する部分が、媒体摺動面のほぼ中央部に配置されている。例文帳に追加

In the medium sliding surface of the head core, the magnetic gap g1 is formed in a position deviated from the reference surface of a head base to the opposite side, and a part corresponding to a track pitch being a substantial recording track to the track width being the whole length of the magnetic gap g1 is arranged in the nearly central part of the medium sliding surface. - 特許庁

半導体の不純物のエネルギー準位を介して電子・正孔対が再結合するときに電磁波を放射する電磁波放射素子であり、半導体に傾斜バンドギャップ領域を設ける。例文帳に追加

The electromagnetic wave radiation element radiates the electromagnetic wave when an electron and hole pairs are recombined through the energy potential of impurities of a semiconductor, which is provided with inclined band gap areas. - 特許庁

この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。例文帳に追加

According to this method, the level of a deep trap can be evaluated even at room temperature, and this can also be utilized for the evaluation aiming at performance improvement of the semiconductor device, using a wide band gap. - 特許庁

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。例文帳に追加

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping. - 特許庁

バンドギャップ基準電圧回路において、位相補償用のコンデンサの接続数をより少なくする、若しくは、発振を防止するために必要な容量をより小さくする。例文帳に追加

To reduce the number of connection of a capacitor for phase compensation or reduce the capacity required for preventing oscillation in a band gap reference voltage circuit. - 特許庁

飛び出し領域に滑らかな立体画像を表示させるときには、光学素子と前記表示面との間の光学的ギャップをその立体画像の位置に応じて基準の距離よりも大きく設定する。例文帳に追加

When smooth three-dimensional images are displayed in the projection region, optical gaps among the optical elements and a display surface are set at values larger than a reference distance in response to the positions of the three-dimensional images. - 特許庁

（ａ）キノキサリン骨格とオリゴチオフェン骨格とを含み、（ｂ）バンドギャップ（Ｅｇ）が１．８ｅＶ以下であり、（ｃ）最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位が−４．８ｅＶ以下であるキノキサリン化合物。例文帳に追加

There is provided a quinoxaline compound satisfying requirements that (a) it contains a quinoxaline skeleton and an oligothiophene skeleton, (b) it has a band gap (Eg) of ≤1.8 eV and (c) the level of highest occupied molecular orbital (HOMO) is ≤-4.8 eV. - 特許庁

バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥は、リーク電流に対する依存性が弱い。例文帳に追加

The crystal defect of the trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in the region of <0.2 eV in the energy difference from the center of the band gap is small in dependency with respect to a leak current. - 特許庁

また、被加工物６の上方に基準プレート１４の参照面１１を設置し、加えて工具５の後端部に参照面１１とのギャップを測定する変位検出センサ１２を設置する。例文帳に追加

In addition, a reference surface 11 of a reference plate 14 is placed above the workpiece 6, and also, a displacement detection sensor 12 for measuring a gap from the reference surface 11 is disposed on a rear end of the tool 5. - 特許庁

刃物台基準位置計測部２３は、被検出軸２１の外周面に対する隙間を検出するギャップセンサＳを、円周方向の少なくとも２箇所に有する。例文帳に追加

The tool post reference position measuring part 23 has gap sensors S for detecting the gaps between the outer peripheral surface of the shaft to be detected 21 and itself at least in two positions in the circumferential direction, respectively. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いたゲート絶縁膜において、バンドギャップ中の準位の発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a high-k material is used for a gate insulating film, and the occurrence of an impurity state in a band gap is suppressed. - 特許庁

そして、ゼロ点となる基準線３００の位置が、カッター・ヘッドギャップ＋カッター補正値になるように、印刷用紙１２を移動させた後、カッター５０により切断を行う。例文帳に追加

A printing paper 12 is moved to bring a position of a reference line 300 as a zero point to be a cutter-to-head gap + cutter correction value, and then cut by a cutter 50. - 特許庁

井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。例文帳に追加

The band gap of the well layer 14w is narrowed to secure a sufficient effective barrier height ΔEc between the quantum level of an electron in the well layer 14w and the conduction band of the barrier layer 14b. - 特許庁

光学部材１２は、１次元のフォトニックバンドギャップを構成し、かつ、欠陥に起因するエネルギー準位が所定の発光スペクトル内に存在するように設定された欠陥部を有する。例文帳に追加

The optical member 12 constitutes a one-dimensional photonic band gap, and has a defective part where the energy level caused by a defect is set within prescribed spectrum of emitted light. - 特許庁

効率よく電子・正孔対を最狭バンドギャップ領域に集め、この領域でのみ不純物準位を介した電磁波放射を行わせ、他の領域は高抵抗にして、放射電磁波の吸収を抑えるようにする。例文帳に追加

Electron-hole pairs are efficiently gathered in the narrowest band gap area, and electromagnetic wave radiation via the impurity potential is carried out only in the area, and other areas are made high in resistance so as to suppress absorbing of the radiation electromagnetic wave. - 特許庁

フィード要素１０４は、当該アンテナの前記照準軸上の前記複反射器の頂点からギャップを以て分離されたフィード要素位置にて導入されている。例文帳に追加

A feed element 104 is introduced at a feed element position, that is separated from the vertex of the dual reflector at the aiming axis of the antenna with a gap. - 特許庁

磁気テープ記録再生装置の磁気ヘッドギャップとガイドローラとの相対位置を、調整用基準テープを用いる事無く簡易に調整するための方法と装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device to simply adjust the relative position of a magnetic head gap and a guide roller in a magnetic tape recording and reproducing device without using a reference tape for adjusting. - 特許庁

映像コアバー２１，２７，２８，２９を同時に切出すことにより、切出し面からのギャップの基準位置Ｈ１の高さが適正化されたヘッドコアが作成される。例文帳に追加

The head cores optimized in the heights of the reference positions H1 of the gaps from the segmenting surface are formed by simultaneously segmenting the bars 21, 27, 28, and 29. - 特許庁

（２）前記光吸収層は、（ａ）バンドギャップ中に中間準位が存在し、かつ、（ｂ）光を吸収して生成するホットキャリアの寿命が２０ｐｓ以上であるものからなる。例文帳に追加

(2) The light absorption layer has (a) intermediate level in a band gap, and (b) hot carrier generated by absorbing the light and having equal to or more than 20 ps of hot carrier lifetime. - 特許庁