「ゲート温度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁例文帳に追加

TEMPERATURE-CONTROLLED PURGE GATE VALVE FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER - 特許庁

製品キャビティをゲートからの位置により好ましい温度に管理する。例文帳に追加

To manage a product cavity at a preferable temperature according to a position from a gate. - 特許庁

さらに温度調節通路31によりゲートカットスリーブ29自体を冷却する。例文帳に追加

Moreover, the sleeve 29 itself is cooled by the passage 31. - 特許庁

筐体の温度が予め定めた温度よりも低下したことを温度検出部40が検出したとき、ゲート信号オンオフ部44がゲート信号をインバータ18に供給する。例文帳に追加

When the detecting part 40 detects that the temperature of the cabinet becomes lower than the previously set temperature, the gate signal ON/OFF part 44 supplies the gate signal to the inverter 18. - 特許庁

ゲート電圧制御回路２２は、素子温度としきい値電圧変動分とに基づいてＦＥＴ１のゲート電圧を制御する。例文帳に追加

A gate voltage control circuit 22 controls the gate voltage of the FET 1 on the basis of the temperature of the element and the flucuation in the threshold voltage. - 特許庁

著しく異なった温度の複数の部屋間の通路のクロージャのためのゲート装置例文帳に追加

GATE DEVICE FOR CLOSURE OF PASSAGE BETWEEN PLURAL ROOMS OF REMARKABLY DIFFERENT TEMPERATURE - 特許庁

シリコン基板の表面温度を低下させつつ、リーク電流が少ないゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form a gate insulating film with less leakage current while lowering a surface temperature of a silicon substrate. - 特許庁

温度変動に関わらず正確なセンシングができる多軸フラックスゲート型磁気センサを供給する。例文帳に追加

To supply a multi-axis flux-gate magnetic sensor correct sensing irrespective of a fluctuation in temperature. - 特許庁

温度が変化してもスイッチング速度が変化し難い絶縁ゲート型半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate semiconductor device the switching speed of which hardly changes in spite of a change in temperature. - 特許庁

ＩＢＩＡＳは、ＭＰ１のゲートを駆動し、例えば正の温度特性を備えた電流Ｉ１を生成する。例文帳に追加

The IBIAS drives a gate of the MP1 to generate current I1 provided with, for example, a positive temperature characteristic. - 特許庁

ゲートカット部を開口するために前記加熱手段によって金属材料の加熱を開始し、一のノズルの前記ゲートカット部の温度が前記ゲートカット部を開口する所定の温度まで達した後に、他の前記ノズルの前記ゲートカット部の全てが前記所定の温度に達するまでその温度を保持させる。例文帳に追加

The metallic material is started to heat with a heating means to open a gate-cut part, and after the temperature of the gate-cut part in one nozzle reaches a prescribed temperature for opening the gate-cut part, this temperature is kept until the gate-cut parts in the whole other nozzles reach the prescribed temperature. - 特許庁

温度センサや電圧センサを用いずに、ゲート遅延をモニタすることができるＬＳＩを提供する。例文帳に追加

To provide an LSI (Large Scale Integration) capable of monitoring gate delay without using a temperature sensor or a voltage sensor. - 特許庁

ゲートバルブ部の温度を制御することにより余剰堆積物の付着を防止する。例文帳に追加

To avoid depositing extra deposits by controlling the temperature of a gate valve. - 特許庁

温度補償を容易に行うことが可能なフラックスゲート式磁気センサを提供する。例文帳に追加

To provide a flux gate type magnetic sensor capable of compensating easily a temperature. - 特許庁

ゲートバルブ２５は常時開いておき半導体ウエハ１５の温度を測定する。例文帳に追加

By opening always the gate valve 25, the temperature of the semiconductor wafer 15 is measured. - 特許庁

そして、全ての前記ノズルの前記ゲートカット部の温度が前記所定の温度に達したときに、前記金属材料の射出を行うようにする。例文帳に追加

Then, when the temperatures of the gate-cut parts in the whole nozzles reach the prescribed temperature, the injection of the metallic material is performed. - 特許庁

摺動案内用筒体27及び前記ゲートカットスリーブ29に冷却水など温度調節用流体を通す温度調節通路28，31を備える。例文帳に追加

Temperature adjustment passages 28 and 31 for passing a temperature adjusting fluid such as cooling water are provided in the cylinder 27 and the sleeve 29. - 特許庁

そして、温度特性補正回路１５によりＦＥＴ１２のゲート電位を制御することで、ＯＮ抵抗の温度特性を補正する。例文帳に追加

Then, a temperature characteristics of the on-resistance of the MOSFET 12 is corrected by controlling the gate potential of the MOSFET 12 by means of the correction circuit 15. - 特許庁

第１ゲートオフ電圧は周辺温度の上昇に応じて上昇し、周辺温度の下降に応じて下降する。例文帳に追加

A first gate-off voltage rises in accordance with the rise of the ambient temperature and falls in accordance with the fall of the ambient temperature. - 特許庁

温度センサ１０によって検知される周囲の温度に応じて薄膜トランジスタ７９のゲート電圧を可変とする。例文帳に追加

The gate voltage of a thin film transistor (TFT) 79 is made variable according to the ambient temperature detected by a temperature sensor 10. - 特許庁

しかし、レーザアニール時には、ゲート電極１５０はゲート配線３０と分離されているので、与えられた熱はゲート電極１５０からゲート配線３０に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極１５０の温度を上昇させる。例文帳に追加

However, in laser annealing, the gate electrode 150 is separated from a gate wiring 30, so that the applied heat raises the temperature of the gate electrode 150 by heat conduction from the gate electrode 150 to the gate wiring 30 without being radiated. - 特許庁

タービン３Ｔのウエストゲート弁３Ｖを開く際に、第１浄化触媒１０の温度予め定めた所定の設定温度以上である場合には、バイパス弁９の弁体９Ｖを開いてからウエストゲート弁３Ｖを開く。例文帳に追加

When the temperature of the first conversion catalyst 10 reaches a predetermined temperature or higher when a waistgate valve 3V of a turbine 3T opens, the waistgate valve 3V is opened after opening a valve element 9V of a bypass valve 9. - 特許庁

パネル温度が高いほど正極性及び負極性のゲートオン電圧を低くし、パネル温度が低いほど正極性及び負極性のゲートオン電圧を高く設定する。例文帳に追加

The higher the panel temperature is, the lower the gate-on voltages of the positive and negative polarities are set, and the lower the panel temperature is, the higher the gate-on voltages of the positive and negative polarities are set. - 特許庁

低濃度ゲートのトランジスタは不純物の濃度変化に対する出力電圧の温度特性の変化が大きいため、所望の温度特性を待つゲート材を安定に作ることが困難である。例文帳に追加

To provide a reference voltage source highly stable against a process fluctuation, and having a desired temperature characteristic by finding out a condition of changing little a temperature factor even if the impurity concentration of a gate material fluctuates by a process. - 特許庁

（２）第１の工程で、金型内部表面の射出ゲート５５から遠い第１の領域の温度を前記金型内部表面の射出ゲート５５に近い第２の領域の温度より高くする。例文帳に追加

(2) At the first process, the temperature of the first area of the inner surface of the mold distant from the injection gate 55 is made higher than the temperature of the second area of the inner surface of the mold near to the injection gate 55. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered under the temperature conditions of a temperature (about 550°C) or less in which the gate electrode 14 is recrystallized, and heat treatment at about 1000°C is carried out. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

Then, a silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered under the temperature conditions of a temperature(about 550°C) or less in which the gate electrode 14 is recrystallized, and heating treatment at about 1000°C is carried out. - 特許庁

温度補償ユニット５０はゲート駆動ユニット４４及びクロック発生器４６に電気接続され、温度変化に基づいてクロック発生器４６の出力を調整して、ゲート駆動ユニット４４の駆動信号を補償する。例文帳に追加

The temperature compensation unit 50 is electrically connected to the gate driving unit 44 and the clock generator 46 and controls the output of the clock generator 46 based on temperature changes to compensate for the driving signals of the gate driving unit 44. - 特許庁

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。例文帳に追加

A silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered in the temperature condition below a temperature (about 550°C) at which the gate electrode 14 is recrystallized, and thereafter a heating treatment at about 1,000°C is carried out. - 特許庁

一つのゲートをフィードバック温度制御するに際して、このフィードバック制御の制御量を、同じブロックの他のゲートの制御量として適正に使用することができるようにすることにより、ブロック内の各ゲート温度の均一化を確実に、正確に達成し、ゲート温度のバラツキによる不良品の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent occurrence of a fault product due to unevenness of a gate temperature by enabling a suitable use of a control amount of a feedback control as that of another gate of same block when one gate is feedback temperature controlled, and surely and accurately performing uniformity of each gate temperature in the block. - 特許庁

すると、この後、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜をプラズマＣＶＤにより通常２５０〜３５０℃程度の温度で成膜しても、ゲート電極２２及びゲート線の表面にヒロックがより一層発生しにくいようにすることができる。例文帳に追加

Even if a gate insulation film of silicon nitride is deposited subsequently by plasma CVD normally under at 250-350°C, occurrence of hillocks can be retarded furthermore on the surface of the gate electrode 22 and the gate line. - 特許庁

オンゲート回路８内に存在する温度検出回路１５は、ＧＴＯサイリスタ１に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子２，カソード端子３ａより得られるゲート−カソード間電圧ＶＧＥに基づき、ＧＴＯサイリスタ１の温度を検出する。例文帳に追加

A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1. - 特許庁

ゲート選択制御回路60は、サーミスタ31,32,〜,3nから受け取った温度データに基づき、温度の低いＦＥＴを検出し、ゲート選択回路50を介してそのＦＥＴにより多くの電源電流が流れるように、そのＦＥＴのゲートバイアス電圧を調節させる。例文帳に追加

A gate selection control circuit 60, based on the temperature data received from thermistors 31, 32 to 3n, detects a FET of low temperature, and allows a gate bias voltage of the FET to be controlled so that more power source current flows the FET through a gate selection circuit 50. - 特許庁

開口部１２の存在により、ゲート２付近のＭ部分の樹脂成形品１１の冷却効率が向上し、樹脂成形品１１が金型入れ駒１３，１４から取り出されるとき、ゲート２から離れているＮ位置とゲート２付近のＭ位置との樹脂温度差が、金型温度とほぼ一定になる。例文帳に追加

The cooling efficiency of a resin molded article 11 of an M portion near a gate 2 improves by the existence of an orifice 12, and when a resin molded article 11 is taken out from mold nested pieces 13 and 14, the plastic temperature gradient of the N position distant from a gate 2 and the M position near the gate 2 becomes approximately the same as a mold temperature. - 特許庁

射出成形金型は、バルブピン３１によりゲート３２を開閉するバルブゲート３と、成形品Ｍのバルブゲート３と対応する位置の周囲の所定範囲Ｍａを変形可能な温度に調整する温度調整手段（５、６、７）と、成形品Ｍを突き出す突出し手段４と、を備えている。例文帳に追加

The injection molding die has a valve gate 3 which opens and closes a gate 32 by a valve pin 31, temperature control means (5, 6, and 7) which control a specified range Ma surrounding the position corresponding to the valve gate 3 of a molded article M to a deformable temperature, and an ejector means 4 to eject the molded article M. - 特許庁

検出温度が保護温度を超えると、解除温度以下になるまでの過熱保護動作中過熱信号がハイとなり、ＯＲゲート２２が通常モードからスタンバイモードへの切り替えを禁止する。例文帳に追加

When detected temperature gets over the protection temperature, an overheat signal becomes high during protective action against overheat until it becomes below a cancel temperature, and an OR gate 22 inhibits the switching from the normal mode to the standby mode. - 特許庁

天井壁１１の穴１７、１８に対応する部分には、エミシビティ測定用放射温度計２１および温度測定用放射温度計２４を、ゲートバルブ２２、２５をそれぞれ介して取り付ける。例文帳に追加

An emissivity measuring irradiation thermometer 21 and a temperature measuring irradiation thermometer 24 are mounted through gate valves 22 and 25 in positions corresponding to holes 17 and 18 of a ceiling wall 11. - 特許庁

ゲート電圧補正部７は、各温度Ｔ_1〜Ｔ_6から平均温度Ｔ_avrをそれぞれ減算することにより、各トランジスタＱ１〜Ｑ６に関する温度差ΔＴ_1〜ΔＴ_6を算出する。例文帳に追加

A gate voltage correction section 7 respectively subtracts an average temperature T_avr from temperatures T_1 to T_6 of transistors Q1 to Q6 to calculate temperature differences ΔT_1 to ΔT_6 of the transistors Q1 to Q6. - 特許庁

各温度で、最適のゲートバイアスを設定し、温度による特性変化を少なくし使用温度範囲全域で効率と線形性を改善することができる高周波電力増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide a high-frequency power amplifier, capable of improving efficiency and linearity in all ranges of working temperature by setting optimal gate biases for every temperature to reducing changes in characteristics due to temperature. - 特許庁

ＪＦＥＴ２および温度補償用ダイオード１０は、ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向特性と温度補償用ダイオード１０の順方向特性とが等しい温度依存性を有するように形成されている。例文帳に追加

A JFET 2 and a temperature compensation diode 10 are so formed as to enable forward characteristics between the gate and source of the JFET 2 and the forward characteristics of the diode 10 to have the same temperature dependence. - 特許庁

ＡＮＤゲート回路５５にはコンパレータ５４の出力とＭＰＵ１からのヒータのオン／オフ信号が入力され、サーミスタ１８の検出温度が予熱温度あるいは定着温度などに保持されるように制御される。例文帳に追加

The output of a comparator 54 and the on/off signals of a heater from an MPU (Micro Processing Unit) 1 are inputted to an AND gate circuit 55 and control is performed so that the detection temperature of a thermistor 18 is held for a preheating temperature, a fixing temperature or the like. - 特許庁

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation. - 特許庁

そして第１、第２ツェナーダイオード８ａ、８ｂの順電圧降下の温度依存性を利用して、温度上昇したグループのゲート電圧を低下させて、電流を絞り、温度を下げることによりチップ４０面内の温度分布の均一化を図る。例文帳に追加

Gate voltages of the group increased in temperature are lowered by using temperature dependency of forward voltage drop of the first, second zener diodes 8a, 8b to reduce the current and lower the temperature, whereby the temperature distribution in a surface of a chip 40 is uniformized. - 特許庁

能動素子の温度変化に対応させるため、ゲートバイアスを温度と共に変化させ、出力飽和電力の温度特性を補償し、効率と線形性を改善させるための温度補償回路を設けたことを特徴とする構成を有している。例文帳に追加

To deal with the changes in temperature of an active element, the amplifier is provided with a temperature compensation circuit for compensating the temperature characteristics of output saturation power and improving the efficiency and the linearity, by changing the gate bias with the temperature. - 特許庁

駆動電圧を受け、周辺温度によって電圧レベルが変わる温度依存可変電圧を出力する演算増幅器を含む温度感知部と、前記温度依存可変電圧を入力されたパルス信号の振幅だけシフトし、ゲートオン電圧を出力するチャージポンプ部とを有する。例文帳に追加

The circuit includes a temperature sensor, having an operational amplifier configured to receive a driving voltage and produce a temperature-dependent variable voltage, the level of which varies according to the ambient temperature, and a charge pump unit for shifting the temperature-dependent variable voltage by the amplitude of an input pulse signal and generating the gate-on voltage. - 特許庁