「ストライプ構造」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

多層膜は、共振器長方向に延び、ストライプの幅がテーパ状に変化するテーパ部を有するストライプ構造６と、ストライプ構造６を挟む、第１の側面３０ａ及び第２の側面３０ｂとを有する。例文帳に追加

The multilayer film has a stripe structure 6 of tapered width extending in the longitudinal direction of a resonator, and first and second side faces 30a and 30b holding the stripe structure 6 between. - 特許庁

また、共振器方向に延びるストライプ状の上部電極６がストライプ構造１０上に形成されている。例文帳に追加

Further, an upper electrode 6 shaped in stripe which is extended towards the resonator direction is formed on the stripe structure 10. - 特許庁

第１リッジストライプ構造９と第２リッジストライプ構造９ａ、９ｂ間のリッジ分離溝の幅Ｓａ、Ｓｂは、第１リッジストライプ構造９の長手方向垂直断面の作り付け屈折率構造で決定される光波モードサイズの水平方向半値幅より広い。例文帳に追加

The widths Sa, Sb of a ridge separating groove between the first ridge stripe structure 9 and the second ridge stripe structures 9a, 9b are wider than the horizontal half-value width of a light wave mode size determined by the built-in refractive index structure of the vertical cross section of the first ridge stripe structure 9 in its longitudinal direction. - 特許庁

メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。例文帳に追加

To promote a high output of a ridge waveguide-type semiconductor laser device having a mesa stripe structure. - 特許庁

バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。例文帳に追加

From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22. - 特許庁

リッジ型ストライプ構造を有する半導体レーザのリッジ形状の対称性の向上を図ること。例文帳に追加

To improve symmetry of ridge shape of a semiconductor laser having a ridge type stripe structure. - 特許庁

ＩｎＰからなる基板の上にメサストライプ形状の積層構造体が形成されている。例文帳に追加

A laminate structure in a mesa stripe shape is formed on a substrate made of InP. - 特許庁

半導体積層構造１６の上面にストライプ状の導波路領域３８が形成されている。例文帳に追加

A stripe-shaped waveguide region 38 is formed on an upper surface of the semiconductor laminated structure 16. - 特許庁

屈折率ガイド形インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造を提供することである。例文帳に追加

To provide refractive index guide-type inner stripe nitride laser diode structure. - 特許庁

積層構造は上部が、幅が約１０μｍのストライプ状リッジ３２として形成されている。例文帳に追加

The laminated structure is formed at its upper part as the striped ridge 32 having the width of about 10 μm. - 特許庁

リッジストライプ構造の長手方向側面には保護層１０が堆積されている。例文帳に追加

A protection layer 10 is deposited on the longitudinal direction side surface of the ridge stripe structure. - 特許庁

アライメントマーク１１のマーク本体領域１５にストライプ状の周期構造を形成する。例文帳に追加

A stripe-like periodic structure is formed on a mark body region 15 of the alignment mark 11. - 特許庁

そして、導光体には、微細なストライプ構造が面内に複数本配列され、ストライプ構造の中央領域はその側部側の領域に比べて屈折率が高く形成され、厚さ方向およびストライプ構造の長さ方向に光を導く機能を有したストライプ状導光シートを用いた。例文帳に追加

A stripe-shaped light guide sheet wherein a plurality of fine stripe structures are arranged in a surface thereof and the central area of the stripe structures is formed so as to have high reflectivity relative to areas on the sides of its side parts and which has a function for guiding light in the thickness direction and in the length direction of the stripe structure is used for the light guide body. - 特許庁

積層フォトスペーサーはブラックマトリックス２１上に設けられており、少なくともストライプ状の積層部１層を積層した構造、少なくともストライプ状の積層部１層とドット状の積層部１層を積層した構造、ストライプ状の積層部２層とドット状の積層部よりなること。例文帳に追加

The layered photospacer is formed on a black matrix 21, and includes a layered structure of at least one single layer of stripe multilayer portion, or at least one single layer of stripe multilayer portion and a single layer of dot-like multilayer, or two layers of stripe multilayers and a dot multilayer part. - 特許庁

ストライプ幅Ｗが屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限された複数のレーザ構造を基板21を挟んで積層する。例文帳に追加

Plural laser structures which have their stripe width W restricted by a refractive index waveguide structure or current stricture structure are stacked across a substrate 21. - 特許庁

特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つのＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極を有する。例文帳に追加

This laser array has a plurality of stripe structures in one LD chip and p-electrodes on the p-type contact layers which become the uppermost layers of the stripe structures. - 特許庁

ストライプ構造の側面及び底面に形成された誘電体膜と、ストライプ構造の上面に形成された導電膜よりなるオーミック電極とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device further includes: a dielectric film formed on the side and base of the stripe structure; and an ohmic electrode composed of a conductive film formed on the upper face of the stripe structure. - 特許庁

第２のクラッド層４〜６は、第１リッジストライプ構造９の長手方向に沿い、その左側・右側の少なくとも一方に短く設けられ、電流注入される第２リッジストライプ構造９ａ、９ｂを更に含む。例文帳に追加

The second clad layers 4-6 are provided along the longitudinal direction of the first ridge stripe structure 9, and are made shorter on at least either one side of its right and left sides, and also include second ridge stripe structures 9a, 9b to which a current is injected. - 特許庁

データ記憶スペースの仮想ストライプとキャッシュ・データを関連付けるストライプ・バッファ・リスト・エントリの状態情報を定義するストライプ・バッファ・リスト記述子を含むアトミック・ライト・データ構造が提供される。例文帳に追加

An atomic write data structure includes a stripe buffer list descriptor for defining state information of a stripe buffer list entry associating a virtual stripe of a data storage space and cache data. - 特許庁

結晶欠陥がない垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ridge waveguide type semiconductor laser device which has a vertical mesa ridge stripe structure without crystal defects. - 特許庁

多角柱構造体の側面に内接して周回するストライプ状電極を、上記多角柱構造体の上面上に形成する。例文帳に追加

A stripe-shaped electrode which revolves while being in contact with an inner side surface of a polygonal pillar structure is formed on the upper surface of the polygonal pillar structure. - 特許庁

本マルチビーム半導体レーザ素子はＳＣＨ構造を有するＧａＮ系半導体レーザ素子であって、共通のサファイア基板４２上に複数個のレーザストライプ４４を有し、レーザストライプ４４に直交する劈開面に設けられた各レーザストライプのストライプ出射端面４４ａからレーザ光を出射させる半導体レーザ素子である。例文帳に追加

This multi-beam semiconductor laser device is a GaN semiconductor laser device having an SCH structure, where laser stripes 44 are provided on a common sapphire board 42, and laser beams are projected from the stripe projection end faces 44a of the laser stripes provided to a cleavage plane vertical to the laser stripes 44. - 特許庁

誘電体マスクを用いてメサストライプ状のリッジ構造をエッチングによって形成し、メサストライプ外のクラッド層状にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１１０を形成する。例文帳に追加

A ridge structure of a mesa-stripe shape is formed using a dielectric mask by etching, and an n-GaAs current block layer 110 is formed as a clag layer outside the mesa stripe. - 特許庁

本発明は、リッジストライプ構造を有する窒化物系半導体レーザ装置であって、リッジストライプが、酸窒化アルミニウムＡｌＯ_xＮ_y（ｙ＝１−２ｘ／３）からなる埋め込み層を有することを特徴とする。例文帳に追加

The present invention relates to the nitride-based semiconductor laser device having a ridge-stripe structure, and a ridge stripe has the embedded layer made of aluminum nitride AlO_xN_y (y=1-2x/3). - 特許庁

スリット露光を用いて形成したストライプ状の着色画素２２を有するカラーフィルタであって、少なくともストライプ状の積層部１層を積層した構造よりなる積層フォトスペーサー付きカラーフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a color filter with a layered photospacer, which is a color filter having stripe color pixels 22 formed by use of slit exposure and having a structure comprising at least a single layer of a stripe multilayer. - 特許庁

ストライプ状の赤色画素形成部１Ｒを持つ赤色層１と、ストライプ状の青色画素形成部２Ｂを持つ青色層２を重ね合わせて、２層構造の遮光部を形成する。例文帳に追加

The light shield part having the two-layered structure is formed by overlapping a red layer 1 having a striped red pixel formation part 1R with a blue layer 2 having a striped blue pixel formation part 2B. - 特許庁

構造化光システムにより発生された光ストライプ（Ｌ１〜Ｌｎ）が、部品上に投射され、反射光の画像がカメラ（１６）によって捕捉されて、試験片の区域全体にわたる各々のストライプの特性を求めるために評価される。例文帳に追加

Optical stripes (L1-Ln) generated by structured light system are projected on parts, the image of reflection light is captured with a camera (16) and is evaluated to search for the property of each stripe covering the whole zone of test specimen. - 特許庁

ストライプ構造を有する半導体レーザ装置において、ヒートシンク等へのボンディングの際にストライプ部が傷ついて素子特性が低下することを防止し、安定した出力を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser device which is provided with a stripe structure, prevented from degradation on of device characteristics due to the fact that the stripe structure is damaged when a bonding operation is performed onto a heat sink or the like, and capable of outputting stably. - 特許庁

所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。例文帳に追加

The predetermined direction is set so that the side surface of the stripe mesa structure 40 formed by wet etching has a forward mesa shape. - 特許庁

ＢＨ構造等の半導体レーザ装置において、メサストライプ部側面でのＡｌの酸化を抑えて良好な特性を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser device of superior characteristics restraining Al contained in the side of a mesa stripe from be oxidized in the semiconductor laser of BH structure. - 特許庁

チャネルを形成するトレンチＭＯＳ構造をストライプ状ではなく、短い線状のトレンチを周期的に配置する。例文帳に追加

Short linear trenches are cyclically arranged instead of arranging trench MOS structures forming a channel in a stripe-like form. - 特許庁

電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。例文帳に追加

To ensure the throwing power of a metal during formation of an electrode, and to constrict a current being injected into a stripe mesa structure effectively. - 特許庁

積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはｐｎ分離の電流狭窄領域が形成する。例文帳に追加

The laminate structure is etched in the shape of mesa-stripe and a current pinching regions of pn isolation are formed in both sides of the mesa-stripe. - 特許庁

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current. - 特許庁

第１のコア層２７ｂにおける側面２８ａ、２８ｂを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ１３に関して非対称である。例文帳に追加

An embedding structure for embedding the side faces 28a, 28b in the first core layer 27b is asymmetric with respect to the semiconductor stripe mesa 13. - 特許庁

窒化物半導体積層構造部２は、ストライプ状の線状部１０と、島状の合流部１１とを備えている。例文帳に追加

The nitride semiconductor multilayer structure portion 2 has striped linear portions 10 and an island-shaped confluence portion 11. - 特許庁

化合物半導体多層構造においてストライプ部の幅を、レーザ光の水平放射角との相関関係に基づいて決定する。例文帳に追加

In the compound semiconductor multilayer structure 8 of the semiconductor laser element, the width of its stripe 13 is determined based on the correlation of its laser beam to its horizontally radiating angle. - 特許庁

このダブルヘテロ構造はエッチング停止層１４に至るまでリッジ状のストライプパターンにエッチングされている。例文帳に追加

The double hetero structure is etched into a ridge-like stripe pattern until reaching the etching stop layer 14. - 特許庁

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。例文帳に追加

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure. - 特許庁

ストライプ状の凹凸構造を含む窒化物半導体発光ダイオード素子における光取出し効率の改善を図ること。例文帳に追加

To improve light take-out efficiency in a nitride semiconductor light emitting diode element including a stripe protrusion/recess structure. - 特許庁

積層構造の上部は、メサストライプ状に加工され、両側は、キャリアブロック層で埋め込まれている。例文帳に追加

The upper part of the lamination structure is processed like mesa-stripes, and carrier block layers are buried in both sides of the lamination structure. - 特許庁

半導体レーザは、積層構造１７０と第１及び第２ストライプサイド領域１５１，１５２を有する。例文帳に追加

The semiconductor laser comprises a laminated structure 170 and first and second stripe side areas 151 and 152. - 特許庁

積層構造はメサストライプにエッチング加工され、その両側にはｐｎ分離の電流狭窄領域が形成されている。例文帳に追加

The lamination structure is etched into a mesa stripe, at both ends of which p-n separated current constricting areas are formed. - 特許庁

横多モード発振をするストライプ構造を有する半導体レーザにおいて、光出力の安定した低雑音発振を行う。例文帳に追加

To generate a stable optical output with small noise in a semiconductor laser having a stripe structure for oscillating at a lateral multi-mode. - 特許庁

ストライプコンタクト構造を有するＭＯＳ型半導体装置において、Ｌ負荷耐量を低下させることなく、オン抵抗を低減させること。例文帳に追加

To provide a MOS semiconductor device having a stripe contact structure in which an on-resistance is reduced without reducing an L load tolerance. - 特許庁