「ストライプ構造」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

多層膜は、共振器長方向に延び、ストライプの幅がテーパ状に変化するテーパ部を有するストライプ構造６と、ストライプ構造６を挟む、第１の側面３０ａ及び第２の側面３０ｂとを有する。例文帳に追加

The multilayer film has a stripe structure 6 of tapered width extending in the longitudinal direction of a resonator, and first and second side faces 30a and 30b holding the stripe structure 6 between. - 特許庁

ストライプ構造の側面及び底面に形成された誘電体膜と、ストライプ構造の上面に形成された導電膜よりなるオーミック電極とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting device further includes: a dielectric film formed on the side and base of the stripe structure; and an ohmic electrode composed of a conductive film formed on the upper face of the stripe structure. - 特許庁

そして、導光体には、微細なストライプ構造が面内に複数本配列され、ストライプ構造の中央領域はその側部側の領域に比べて屈折率が高く形成され、厚さ方向およびストライプ構造の長さ方向に光を導く機能を有したストライプ状導光シートを用いた。例文帳に追加

A stripe-shaped light guide sheet wherein a plurality of fine stripe structures are arranged in a surface thereof and the central area of the stripe structures is formed so as to have high reflectivity relative to areas on the sides of its side parts and which has a function for guiding light in the thickness direction and in the length direction of the stripe structure is used for the light guide body. - 特許庁

アライメントマーク１１のマーク本体領域１５にストライプ状の周期構造を形成する。例文帳に追加

A stripe-like periodic structure is formed on a mark body region 15 of the alignment mark 11. - 特許庁

ストライプ幅Ｗが屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限された複数のレーザ構造を基板21を挟んで積層する。例文帳に追加

Plural laser structures which have their stripe width W restricted by a refractive index waveguide structure or current stricture structure are stacked across a substrate 21. - 特許庁

データ記憶スペースの仮想ストライプとキャッシュ・データを関連付けるストライプ・バッファ・リスト・エントリの状態情報を定義するストライプ・バッファ・リスト記述子を含むアトミック・ライト・データ構造が提供される。例文帳に追加

An atomic write data structure includes a stripe buffer list descriptor for defining state information of a stripe buffer list entry associating a virtual stripe of a data storage space and cache data. - 特許庁

特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つのＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極を有する。例文帳に追加

This laser array has a plurality of stripe structures in one LD chip and p-electrodes on the p-type contact layers which become the uppermost layers of the stripe structures. - 特許庁

積層構造は上部が、幅が約１０μｍのストライプ状リッジ３２として形成されている。例文帳に追加

The laminated structure is formed at its upper part as the striped ridge 32 having the width of about 10 μm. - 特許庁

バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。例文帳に追加

From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22. - 特許庁

リッジ型ストライプ構造を有する半導体レーザのリッジ形状の対称性の向上を図ること。例文帳に追加

To improve symmetry of ridge shape of a semiconductor laser having a ridge type stripe structure. - 特許庁

多角柱構造体の側面に内接して周回するストライプ状電極を、上記多角柱構造体の上面上に形成する。例文帳に追加

A stripe-shaped electrode which revolves while being in contact with an inner side surface of a polygonal pillar structure is formed on the upper surface of the polygonal pillar structure. - 特許庁

半導体積層構造１６の上面にストライプ状の導波路領域３８が形成されている。例文帳に追加

A stripe-shaped waveguide region 38 is formed on an upper surface of the semiconductor laminated structure 16. - 特許庁

リードバック・データはＲＡＩＤストライプ等のデータ構造と関連付けられ、時間パラメータは構造への最終アクセス以来の経過時間を示し、局所性パラメータは構造へのアクセスを示す。例文帳に追加

The readback data is associated with a data structure such as a RAID stripe, the time parameter indicates elapsed time since last access to the structure and the locality parameter indicates accesses to the structure. - 特許庁

上記ダイの口を通過する溶液は上記ウエブに向けて送られて、実質的に一定の厚さのストライプ構造または帯状構造で付着する。例文帳に追加

The solution passing the mouth in the die is sent toward the web so as to adhere in the stripe structure or a band-shaped structure having a substantially definite thickness. - 特許庁

積層フォトスペーサーはブラックマトリックス２１上に設けられており、少なくともストライプ状の積層部１層を積層した構造、少なくともストライプ状の積層部１層とドット状の積層部１層を積層した構造、ストライプ状の積層部２層とドット状の積層部よりなること。例文帳に追加

The layered photospacer is formed on a black matrix 21, and includes a layered structure of at least one single layer of stripe multilayer portion, or at least one single layer of stripe multilayer portion and a single layer of dot-like multilayer, or two layers of stripe multilayers and a dot multilayer part. - 特許庁

窒化物半導体積層構造部２は、ストライプ状の線状部１０と、島状の合流部１１とを備えている。例文帳に追加

The nitride semiconductor multilayer structure portion 2 has striped linear portions 10 and an island-shaped confluence portion 11. - 特許庁

チャネルを形成するトレンチＭＯＳ構造をストライプ状ではなく、短い線状のトレンチを周期的に配置する。例文帳に追加

Short linear trenches are cyclically arranged instead of arranging trench MOS structures forming a channel in a stripe-like form. - 特許庁

ＳｉＣ基板１０にトレンチ溝１１が形成され、トレンチ溝１１は＜１１−２０＞方向に延びるストライプ構造をなしている。例文帳に追加

A trench 11 is formed in the SiC substrate 10, and extends in the <11-20> direction. - 特許庁

さらに、電流狭窄構造とは独立してストライプ状の凹溝が形成された光閉じ込め層が設けられてもよい。例文帳に追加

It is also possible to provide a light-confining layer, having a stripe-like recessed groove independently of the current constricting structure. - 特許庁

ストライプ状の凹凸構造を含む窒化物半導体発光ダイオード素子における光取出し効率の改善を図ること。例文帳に追加

To improve light take-out efficiency in a nitride semiconductor light emitting diode element including a stripe protrusion/recess structure. - 特許庁

高精細又は画素構造が横ストライプの表示装置において、狭ピッチ化と狭額縁化とを両立させること。例文帳に追加

To make a display device, which is high definition or in which a pixel structure is horizontal stripe, narrow in pitch and also narrow in frame compatibly. - 特許庁

単・複EPROMセル構造は、基板に配置された分離領域を備え、これはストライプ状アクティブ領域を画定する。例文帳に追加

Cell structures of the single and double EPROMs are each provided with a separation region arranged on a base plate while the separation region defines a stripe-shape active region. - 特許庁

第１発光部１及び第２発光部２は各々キャリア注入に用いるストライプ状リッジ構造を有する。例文帳に追加

Each of the first light emitting portion 1 and the second light emitting portion 2 has a stripe-shaped ridge structure used for carrier injection. - 特許庁

有機電界発光ディスプレー装置に係り、残像及びストライプ現象を除去するための画素構造に関する。例文帳に追加

To provide a pixel structure for removing a persistence image and a stripe phenomenon in an active matrix type organic electro-luminescence display device. - 特許庁

ストライプ状の赤色画素形成部１Ｒを持つ赤色層１と、ストライプ状の青色画素形成部２Ｂを持つ青色層２を重ね合わせて、２層構造の遮光部を形成する。例文帳に追加

The light shield part having the two-layered structure is formed by overlapping a red layer 1 having a striped red pixel formation part 1R with a blue layer 2 having a striped blue pixel formation part 2B. - 特許庁

これらの開口は、異なる形状、たとえば、円形通路を形成するための丸い構造、ストライプ導体、または通路を画定するための長方形構造を有する。例文帳に追加

These apertures have different shapes, i.e., a round structure for forming a round passage, a rectangular structure for defining a passage or stripe conductor, etc. - 特許庁

酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。例文帳に追加

To prevent or suppress cracking etc., from a current constriction structure part made of oxide insulators with respect to a semiconductor laser having a striped ridge structure including a current constriction structure made of the oxide insulators. - 特許庁

このストライプ構造１０は、凹部９が四角格子状に配列されたフォトニック結晶構造２を有しており、フォトニック結晶構造２の凹部９の配列方向と共振器方向とが同一となっている。例文帳に追加

The stripe structure 10 has a photonic crystal structure 2 in which a concave portion 9 is arranged in square lattice state, and the arrangement direction of the concave portion 9 of the photonic crystal structure 2 is identical to its resonator direction. - 特許庁

横多モード発振をするストライプ構造を有する半導体レーザにおいて、光出力の安定した低雑音発振を行う。例文帳に追加

To generate a stable optical output with small noise in a semiconductor laser having a stripe structure for oscillating at a lateral multi-mode. - 特許庁

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current. - 特許庁

ストライプ構造を有する半導体レーザ装置において、ヒートシンク等へのボンディングの際にストライプ部が傷ついて素子特性が低下することを防止し、安定した出力を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor laser device which is provided with a stripe structure, prevented from degradation on of device characteristics due to the fact that the stripe structure is damaged when a bonding operation is performed onto a heat sink or the like, and capable of outputting stably. - 特許庁

また、導電部８がベース層３と接続する部分は、平面視においてストライプ状であり、ゲート構造ＧＴ間に形成されている。例文帳に追加

Portions where the conductive portions 8 are connected to the base layer 3 are formed in stripes in plan view, and formed between the gate structures GT. - 特許庁

ノンドープＩｎＰ基板４上に、下部クラッド層３、コア層２、上部クラッド層１からなる３層ストライプ構造を有する。例文帳に追加

This waveguide grating filter has a three-layered stripe structure consisting of a lower clad layer 3, a core layer 2 and an upper clad layer 1 on a non-doped InP substrate 4. - 特許庁

スーパージャンクション構造をなすストライプ状のｎピラー層３及びｐピラー層４の上方に、ゲート電極８を「あみだ状」に形成する。例文帳に追加

A gate electrode 8 is formed like a "ladder" above striped n-pillar layer 3 and p-pillar layer 4 exhibiting a super-junction structure. - 特許庁

この表面構造層３１は、本来、結晶表面に形成されるストライプ層１２に対して、同じ層内に、ストライプ層を構成するロッド１１と直交する方向に該ロッド１１と同じ材料で構成される連結部材３２を付加した、直交格子構造の層である。例文帳に追加

The surface structure layer 31 has an orthogonal grid structure that is formed by adding a connection member 32 formed of the same material as a rod 11 to a stripe layer 12 which is originally formed on the crystal surface, into the same layer, in the direction orthogonal to the rod 11 composing the stripe layer. - 特許庁

前記構造体前駆体は、ストライプ状の複数の第１、第２構造体前駆体を有し、前記第１、第２構造体前駆体が互いにそれぞれ２以上交差し、第１構造体前駆体に沿って第２構造体前駆体との隣接する交差部２点間の中心位置における第１構造体前駆体の高さをｈ_１、第２構造体前駆体に沿って第１構造体前駆体と第２構造体前駆体との隣接交差部２点間の中心位置における第２構造体前駆体の高さをｈ_２、第１構造体前駆体と第２構造体前駆体との交差部における第１構造体前駆体の高さをｈ_３とするとき、ｈ_１、ｈ_２、ｈ_３がそれぞれ式（１）を満たす構造体の製造方法。例文帳に追加

The structure precursor includes a plurality of first and second stripe-shaped structure precursors wherein two or more first and second stripe-shaped structure precursors intersect each other respectively. - 特許庁

スリット露光を用いて形成したストライプ状の着色画素２２を有するカラーフィルタであって、少なくともストライプ状の積層部１層を積層した構造よりなる積層フォトスペーサー付きカラーフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a color filter with a layered photospacer, which is a color filter having stripe color pixels 22 formed by use of slit exposure and having a structure comprising at least a single layer of a stripe multilayer. - 特許庁

高分子液晶層４の、第１の凹凸構造４ａが形成された面には、互いに平行に配置された複数のストライプ溝２２からなる第２の凹凸構造がさらに形成されており、高分子液晶層４の液晶分子は、当該第２の凹凸構造の溝長手方向（ストライプ溝２２の長手方向）に沿って配向されている。例文帳に追加

A second concave-convex structure made up of a plurality of stripe grooves 22 disposed parallel to each other is further formed on the face of the polymer liquid crystal layer 4 on which the first concave-convex structure 4a is formed, and liquid crystal molecules in the polymer liquid crystal layer 4 are oriented in the groove lengthwise direction (the lengthwise direction of the stripe grooves 22) of the second concave-convex structure. - 特許庁

３次元フォトニック結晶構造の前駆体510と光閉じ込め部を含むストライプ509Aが形成された基板とを貼り合わせることによって、３次元フォトニック結晶構造体の中央部に光閉じ込め部が形成された構造体が得られる。例文帳に追加

A precursor 510 in three dimensional photonic crystal structure and a substrate where a stripe 509A including a light confinement part is stuck together to obtain a structure having the light confinement part formed at the center part of the three dimensional photonic crystal structure. - 特許庁

ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。例文帳に追加

The stripe structure 18 is buried by a p-type InP buried layer 19, an n-type InP buried layer 20, and a p-type InP buried layer 21. - 特許庁

また、この連結部材３２は、表面構造層３１と最隣接するストライプ層１２５のロッドと1/2周期ずれた位置に形成される。例文帳に追加

The connection member 32 is formed at a position at which the surface structure layer 31 shifts by 1/2 cycle from the rod of the most adjacent stripe layer 125. - 特許庁

化合物半導体多層構造においてストライプ部の幅を、レーザ光の水平放射角との相関関係に基づいて決定する。例文帳に追加

In the compound semiconductor multilayer structure 8 of the semiconductor laser element, the width of its stripe 13 is determined based on the correlation of its laser beam to its horizontally radiating angle. - 特許庁

窒化物半導体発光ダイオード素子１０は、表面にストライプ状の凹凸構造を有する透明基板１１と、該凹凸構造を埋めるように形成された窒化物半導体層Ｎとを有している。例文帳に追加

The nitride semiconductor light emitting diode 10 comprises: a transparent substrate 11 having a stripe protrusion/recess structure on the surface; and a nitride semiconductor layer N formed to fill the protrusion/recess structure. - 特許庁

メサ構造半導体レーザ１０では、メサの頂部にストライプ構造コンタクト１８を規定し、有意な導波性を提供するために用いられるパターン化された誘電体コーティングは、カルコゲナイドガラス１６を含む。例文帳に追加

In a mesa structure semiconductor laser 10, a stripe structure contact 18 is specified on the top of the mesa, and patterned dielectric coating to be used for providing significant waveguide property contains chalcogenide glass 16. - 特許庁

ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２６からｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１４の上部までの積層構造は、ストライプ状メサとして加工され、メサの両側は、電流ブロック構造で埋め込まれている。例文帳に追加

The stacked structure from the p-InP buried layer 26 to the n-InP lower clad layer 14 is worked as a striped mesa, and both sides of the mesa are buried by a current block structure. - 特許庁