「ヒ素がない」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

安全且容易に、しかも極く安価に地下水等の被処理水内のヒ素を除去できるようにしたヒ素含有被処理水のヒ素除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of removing arsenic-containing water to be treated which can stably, easily and highly inexpensively remove arsenic in water to be treated such as ground water. - 特許庁

よって、少ない処理工数、かつ、少ない処理物質により、効果的にヒ素を除去することができる。例文帳に追加

As a result, arsenic can be effectively removed with small treatment man-hour and a small amount of treatment material. - 特許庁

水路が移動したとしても，ヒ素の濃度は近い将来ではそれほど変化しないであろう。例文帳に追加

The arsenic concentrations will not change very much in the near future regardless of any channel shifting. - 英語論文検索例文集

水路が移動したとしても，ヒ素の濃度は近い将来ではそれほど変化しないであろう。例文帳に追加

The arsenic concentrations will not change very much in the near future regardless of any channel shifting. - 英語論文検索例文集

水路が移動したとしても，ヒ素の濃度は近い将来ではそれほど変化しないであろう。例文帳に追加

The arsenic concentrations will not change very much in the near future regardless of any channel shifting. - 英語論文検索例文集

移動経路が変化したとしても，ヒ素の濃度は近い将来ではそれほど変化しないであろう。例文帳に追加

The arsenic concentrations will not change very much in the near future regardless of any channel shifting. - 英語論文検索例文集

ヒ素を含まない大型の自立したＧａＮ単結晶基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a large size self-supporting GaN single crystal substrate free from arsenic, and a method for producing the same. - 特許庁

いくつかの井戸で，EPAによって提案されている主要な飲料水基準が，ヒ素と硫酸塩で越えていた。例文帳に追加

Several wells exceeded the Primary Drinking Water Standards proposed by the EPA in arsenic and sulfate. - 英語論文検索例文集

いくつかの井戸で，EPAによって提議されている主要な飲料水基準が，ヒ素と硫酸塩で越えていた。例文帳に追加

Several wells exceeded the Primary Drinking Water Standards proposed by the EPA in arsenic and sulfate. - 英語論文検索例文集

いくつかの井戸で，EPAによって提案されている主要な飲料水基準が，ヒ素と硫酸塩で越えていた。例文帳に追加

Several wells exceeded the Primary Drinking Water Standards proposed by the EPA in arsenic and sulfate. - 英語論文検索例文集

非鉄製錬にて発生する煙灰から、銅とヒ素とを効率よく分離出来、且つ、Ｎａ及びＫが殆ど含まれないヒ素溶液を提供出来る結晶性ヒ酸鉄原料液の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystalline iron arsenate starting material liquid, capable of separating efficiently copper and arsenic from smoke and ash generated by non-ferrous smelting, and capable of providing an arsenic solution not containing substantially Na and K. - 特許庁

皮膚の鱗状ないし肥厚した斑点を特徴とする皮膚疾患で、ヒ素に長期間曝されることが原因で生じる場合が多い。例文帳に追加

a skin disease marked by scaly or thickened patches on the skin and often caused by prolonged exposure to arsenic.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

このガラスは、清澄剤として鉄およびスズを含有するものであり、ヒ素およびアンチモンを実質的に含まないことが好ましい。例文帳に追加

The glass contains iron and tin as fining agents, and preferably is substantially free of arsenic and antimony. - 特許庁

環境負荷の大きい酸化ヒ素や酸化アンチモンの使用量が少なく、しかも残泡の少ないガラス組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a glass composition where the used amount of an arsenic oxide and an antimony oxide having a large environmental load is small and the amount of residual bubbles is reduced. - 特許庁

ヒ素プロフィールの傾向と固相の硫酸塩プロフィールの傾向との間には類似性があるように思われない。例文帳に追加

There seems to be no similarity between the trends in arsenic profiles and the trends in solid-phase sulfate profiles. - 英語論文検索例文集

ヒ素プのロフィールの傾向と固体層の硫酸塩プロフィールの傾向の間には類似性がないようには思われる。例文帳に追加

There seems to be no similarity between the trends in arsenic profiles and the trends in solid-phase sulfate profiles. - 英語論文検索例文集

ヒ素プロフィールの傾向と固体相の硫酸塩プロフィールの傾向の間に類似性がないようだ。例文帳に追加

There seems to be no similarity between the trends in arsenic profiles and the trends in solid-phase sulfate profiles. - 英語論文検索例文集

光学検出可能な、フロート可能な、ヒ素およびアンチモンを含まないグレイザブルなリチウム−アルミノケイ酸ガラス例文帳に追加

OPTICALLY DETECTABLE, FLOATABLE, ARSENIC- AND ANTIMONY-FREE AND GLAZABLE LITHIUM-ALUMINOSILICATE GLASS - 特許庁

ヒ素含量が低く、かつ異味、異臭のない、食品素材に適したサメ軟骨抽出物及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a shark cartilage extract having low arsenic content and no nasty taste and smell and suitable for food materials, and to provide a method for producing the extract. - 特許庁

このヒ素クロムは、当然のことながら、はんだ槽のステンレス鋼と反応してヒ化クロムを生成することはあり得ない。例文帳に追加

In other words, because the arsenic has been substantially removed, the erosion of the solder bath can be prevented. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム及びヒ素を含有する廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを効率的に回収するとともに、ヒ素の凝集沈殿汚泥が発生しないガリウム及びヒ素を含有する廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment apparatus for wastewater containing gallium and arsenic for treating wastewater containing gallium and arsenic discharged from a compound semiconductor wafer manufacturing factory, a device manufacturing factory or the like not only to efficiently recover gallium being an especially scarce and valuable metal but also to prevent flocculated sedimented sludge of arsenic. - 特許庁

選鉱廃物中のヒ素の化学的性質をコントロールしている要因が，室内実験の結果によっての洞察される。例文帳に追加

Insights into the factors controlling the chemistry of arsenic in the tailings are provided by the results of the laboratory experiments. - 英語論文検索例文集

選鉱廃物中のヒ素の化学的性質をコントロールしている要因が，室内実験の結果によっての洞察される。例文帳に追加

Insight into the factors controlling the chemistry of arsenic in the tailings is provided by the results of the laboratory experiments. - 英語論文検索例文集

選鉱廃物中のヒ素の化学的性質をコントロールしている要因が，室内実験の結果によっての洞察される。例文帳に追加

Insight into the factors controlling the chemistry of arsenic in the tailings is provided by the results of the laboratory experiments. - 英語論文検索例文集

選鉱廃物中のヒ素の化学的性質をコントロールしている要因が，室内実験の結果によって洞察される。例文帳に追加

Insight into the factors controlling the chemistry of arsenic in the tailings is provided by the results of the laboratory experiments. - 英語論文検索例文集

トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that will not cause increasing diffusion of arsenic into silicon oxide film or in a silicon substrate, and will not cause degradation of tunnel oxide film even if a nitride film exists near transistors. - 特許庁

トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which, even if a nitride film is present near a transistor, enhanced diffusion of arsenic into a silicon dioxide film and enhanced diffusion of arsenic into a silicon substrate can be avoided and also deterioration of a tunnel oxide film will not be caused. - 特許庁

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるヒ素含有廃水を処理して、凝集汚泥、特に鉄塩による凝集汚泥の発生量を大幅に低減し又は凝集汚泥が発生しないヒ素含有廃水の処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for treating waste water containing arsenic which treats waste water containing arsenic discharged from a wafer manufacture factory or a device manufacture factory of compound semiconductors or the like to significantly reduce the production amount of coagulated sludge, in particular, coagulated sludge of iron salts or to prevent production of coagulated sludge. - 特許庁

安全な水を必要とするその場で、容易な操作で水中のヒ素など有害なイオンを検出し、その汚染を知ることを方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detecting harmful ions such as arsenic in water by a simple operation at a site requiring safe water and letting a user know the contamination. - 特許庁

シュベルトマナイトで構成される複合材に於いて、流亡の虞がないと共に透水性を有し、汚染水に安定接触してヒ素等の重金属陰イオンを安定的に吸着できる複合材を提供する。例文帳に追加

To provide a composite material composed of shwertmannite, which has no risk of runoff and further has water permeability, and can stably adsorb heavy metal anions such as arsenic in such a manner that it is stably contacted with contaminated water. - 特許庁

亜鉛及び／又は鉛製錬の熔錬炉から産出されるスラグをスラグフューミングする際に、ヒ素及びアンチモン含有量が少ない亜鉛と鉛を含むダストと安定的に土壌環境基準を満足するスラグとを得るとともに、同時に形成される鉄、鉛、ヒ素その他の不純物金属を含む銅合金とマットを、該銅融体の銅源として再利用する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which provides dust containing zinc and lead and having low arsenic and antimony contents and slag stably satisfying soil environmental standards, and realizes reutilization of a copper alloy and a mat including iron, lead, arsenic and other impurity metals which are simultaneously formed as copper sources for a copper fused body, when the method is used for subjecting slag produced from a smelting furnace for zinc and/or lead smelting to slag fuming. - 特許庁

魚介類を原料とし、イミダゾールジペプチド類を高含有しつつヒ素含有量が低く、更には、低塩分で、変色の少ないイミダゾールジペプチド類高含有魚介抽出物の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing fish and shellfish extract highly containing imidazole dipeptide comprising fish and shellfish as raw material, containing a small amount of arsenic while highly containing the imidazole dipeptide, having low salt content, and less in discoloration. - 特許庁

光学検出可能な、フロート可能な、ヒ素およびアンチモンを含まないグレイザブルな、プレストレス可能であるリチウム−アルミノケイ酸ガラス、およびそれを変換したガラスセラミックが記載される。例文帳に追加

There are provided an optically detectable, floatable, arsenic- and antimony-free, glazable lithium-aluminosilicate glass which can be prestressed and the glass ceramic converted therefrom. - 特許庁

ガラス組成として、モル％で、ＳｎＯ ４３．５〜９０％、Ｐ_２Ｏ_５＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＳｉＯ_２ ０．１〜５６．５％を含有し、かつ、鉛成分、ヒ素成分およびフッ素成分を実質的に含有しないことを特徴とする光学ガラス。例文帳に追加

The optical glass has a glass composition of containing, by mol%, 43.5 to 90% of SnO and 0.1 to 56.5% of P_2O_5+B_2O_3+SiO_2 and not substantially containing a lead component, an arsenic component, and a fluorine component. - 特許庁

ヒ素（Ａｓ）その他の重金属類（カドミウム、鉛、６価クロム、セレンなど）が環境中に溶出することが無い、発泡ガラスの製造方法及び発泡ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing foamed glass in which the elution of arsenic (As) and other heavy metals (cadmium, lead, hexavalent chromium, selenium or the like) to the environment is inhibited; and to provide the foamed glass. - 特許庁

リンを含む材料よりなるクラッド層と、ヒ素を含む一方、リンを含まない活性層とを有する赤外半導体レーザ素子の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance the reliability of an infrared semiconductor laser element having a clad layer composed of a material containing phosphorus, and an active layer not containing phosphorus but containing arsenic. - 特許庁

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。例文帳に追加

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method. - 特許庁

汲み上げた地下水に含まれるヒ素等の有害イオンを容易に除去して安全な飲用水が得られる簡便な有害イオン除去装置及び該装置を用いた井戸水汲み上げ設備の提供。例文帳に追加

To provide a simple hazardous ion remover which easily removes hazardous ions, such as arsenic, contained in pumped-up ground water to thereby provide safe drinking water, and well water pumping-up equipment using the remover. - 特許庁

Environ社は，Marsh Creek域からの選鉱滓がおよぼす地質化学的挙動に対する室内研究に出資した。その研究は，ヒ素の挙動に対する酸化反応の影響と抑制に力点を置いていた。例文帳に追加

Environ Company sponsored a laboratory study of the geochemical behavior of tailings from the Marsh Creek area, with emphasis on the effects of oxidation and the controls on arsenic behavior. - 英語論文検索例文集

Environ社は，Marsh Creek域からの選鉱くずがおよぼす地球化学的挙動に対する室内研究に出資した。その研究は，ヒ素の挙動に対する酸化効果とコントロールに力点を置いていた。例文帳に追加

Environ Company sponsored a laboratory study of the geochemical behavior of tailings from the Marsh Creek area, with emphasis on the effects of oxidation and the controls on arsenic behavior. - 英語論文検索例文集

真空外囲器11の内面およびアンチモンカップ21に、硫黄、リン、ヒ素、セレン、亜鉛、ガリウムおよびインジウムから選んだ少なくとも１種以上の元素を含有するコーティング部23を形成する。例文帳に追加

A coating part 23 containing at least one or more kinds of elements selected from sulfur, phosphorus, arsenic, selenium, zinc, gallium and indium, is formed on an inner face of a vacuum envelope 11 and an antimony cup 21. - 特許庁

この誘電材料はガリウムヒ素あるいはチタン酸バリウムを要素としており、抵抗値またはコンデンサ容量は、エネルギースペクトルの分布に従って変化し、電気回路の動的なインピーダンスマッチングをとるために利用できる。例文帳に追加

This dielectric material contains gallium arsenic or barium titanate as its element and the resistance or capacitance varies depending on an energy spectrum distribution, so that it can be used for dynamic impedance matching in an electric circuit. - 特許庁

そして、Ｐウエルマスクを用いて、第１のフォトレジスト層６を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のＮ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＮ型化する。例文帳に追加

In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask. - 特許庁

ヒ素などの有害な重金属イオンで汚染された水の浄化を、家庭などで出来る容易な操作で、安全な飲料水としうる浄化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a purifier capable of purifying water polluted with harmful heavy metal ions such as arsenic into safe drinking water with a simple operation that can be done at home. - 特許庁

低電圧ＮＭＯＳ領域ＬＮＲにおけるシリコン基板１の表面内に、Ｎ型不純物、例えばヒ素をイオン注入により比較的低濃度に導入して、エクステンション層６１を形成する。例文帳に追加

An extension layer 61 is formed by introducing through implantation, N-type impurities, for instance, arsenic at a relatively low concentration into a surface of a silicon substrate 1, in a low-voltage NMOS region LNR. - 特許庁