「プラズマ端部」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

誘導結合型プラズマ源は、アンテナ２０の両端部２５に高周波電力を供給してプラズマ生成室２の内部に誘導結合型プラズマＰを生成する高周波電源８を備えている。例文帳に追加

The induction coupling type plasma source has a high frequency power supply 8 which supplies high frequency power to the both ends parts 25 of the antenna 20 and generates induction coupling type plasma P inside the plasma generating chamber 2. - 特許庁

プラズマ処理室２と、プラズマ処理室２に搬入された基板１の搬送保持手段１４とを含み、プラズマ処理室２内で基板１に薄膜を形成するものであって、プラズマ処理室２の一端部に受渡領域８を設置する。例文帳に追加

In this apparatus including a plasma treating chamber 2 and a carrying holding means 14 for a substrate carried into the plasma treating chamber 2 and forming a thin film on the substrate in the plasma treating chamber 2, a delivering region 8 is provided at one end part of the plasma treating chamber 2. - 特許庁

誘導性結合が強い範囲でプラズマＰが生成されるためプラズマ密度が高くなるとともに閉端部の内壁面に堆積物が生ずることがなく、高密度のプラズマＰが局所的に集中することもないのでプラズマ生成容器２の削れも生じない。例文帳に追加

The plasma P is generated in a region where inductive coupling is strong, so that the plasma density is enhanced and no deposit develops on the inside surface of the closed end part, and the high density plasma P never locally concentrates, so that the abrasion of the plasma generation container 2 never occurs. - 特許庁

プラズマ密度を高くして処理の高速化が図れるようにするとともに、プラズマ生成容器閉端部内壁へのデポ物質の堆積を防ぐことでパーティクルの発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device that speeds up processing by enhancing plasma density and prevents the generation of particles by preventing the accumulation of a deposited substance on the inside wall of the closed end of a plasma generation container. - 特許庁

更にプラズマハウジングは回転出力端の近くに空気吸引孔を有し、空気吸引孔はプラズマハウジングの外側壁からプラズマハウジングの内部に延びる。例文帳に追加

Furthermore, the plasma housing has an air suction hole near the rotating output end, and the air suction hole extends from an external sidewall of the plasma housing to the inside of the plasma housing. - 特許庁

ＩＣＰ質量分析装置３は、試料９をイオン化するプラズマＰを発生させるプラズマトーチ２１と、このプラズマトーチ２１の先端部近傍に位置するイオン導入部２３を有する質量分析部２４とを備え、プラズマトーチ２１と質量分析部２４のイオン導入部２３との間のプラズマ発生領域を囲うガスパージ用のケーシング３６が設けられている。例文帳に追加

An ICP mass spectrometer 3 comprises: a plasma torch 21 which ionizes a sample 9 to generate a plasma P; and a mass spectrometry section 24 which has an ion introduction part 23 located near the top of the plasma torch 21; where a casing 36 for purging a gas is set to surround a plasma generating area between the plasma torch 21 and the ion introduction part 23 of the mass spectrometry section 24. - 特許庁

プラズマ加速装置は、一端部を開放する出口を有するチャンネルと、チャンネル内にガスを供給するガス供給部と、チャンネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成するプラズマ生成部、チャンネル内に所定の間隔を隔てて横方向に配置され、生成されたプラズマビームを電場によって出口に向かって加速する複数の格子からなるプラズマ加速部とを含む。例文帳に追加

The plasma accelerator comprises a channel having an exit releasing one end, a gas supplier which supplies gas into the channel, a plasma generator which supplies ionization energy to the gas in the channel to generate a plasma beam, and a plasma accelerator composed of a plurality of grids arranged in the lateral direction at set intervals in the channel to accelerate the generated plasma beam toward the exit with an electric field. - 特許庁

電極端子部の連結構造及びこれを備えたプラズマディスプレイパネル例文帳に追加

ELECTRODE TERMINAL PART CONNECTION STRUCTURE AND PLASMA DISPLAY PANEL HAVING THE SAME - 特許庁

アンテナには、その先端部から間隔をあけた位置にプラズマ遮断手段６ａ〜６ｃが設けられる。例文帳に追加

The antenna is provided with plasma blocking means 6a-6c at positions spaced apart from its front end. - 特許庁

それによって基板の周端部付近におけるプラズマの活性種の分布の偏りを抑える。例文帳に追加

Accordingly, an uneven distribution of active species of plasma near the peripheral end of the substrate is prevented. - 特許庁

放電電極の端子部不良を防止するプラズマディスプレイパネルを提供する。例文帳に追加

To provide a plasma display panel of which structural defect of a terminal part of discharge electrode is prevented. - 特許庁

プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ例文帳に追加

CATHODE LINER ADAPTED FOR INJECTING GAS AT WAFER EDGE IN PLASMA REACTOR CHAMBER - 特許庁

プラズマ電極のテーパ部２５ａに形成された切り欠き部２６は、プラズマ電極２５の軸心部と直角方向に広がる底面２６ａと、この底面２６ａの最大外周部からプラズマ電極２５の基端部の方向へ伸びる側面２６ｂとを有している。例文帳に追加

A notch 26 formed in the tapered part 25a of the plasma electrode includes a bottom surface 26a expanding in a direction perpendicular to an axis part of the plasma electrode 25, and a side surface 26b extending in a direction of a base end of the plasma electrode 25 from the maximum peripheral part of the bottom surface 26a. - 特許庁

これにより、遮蔽部と基板支持部により基板の周縁部を除く領域でのプラズマ生成を防ぎ、誘導結合型プラズマ放電を用いて高密度のプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、誘導結合型プラズマ放電により基板の端部のエッチング率を高めることができる。例文帳に追加

Production of plasma in a region other than the peripheral portion of the substrate is prevented by the shielding portion and the substrate supporting portion, particles and a thin film can be removed from the end region of the substrate by producing high density plasma using induction coupled plasma discharge, and etching rate can be enhanced at the end of the substrate by induction coupled plasma discharge. - 特許庁

噴霧室空冷部４ｂからのクーラントガスが、プラズマトーチ７の石英管７ｃに送られ、補助ガスが石英管７ｂに送られ、プラズマトーチ７の先端でプラズマが発生し、その発光が分光器８で分光され、データ処理部９のデータが表示部１０で表示される。例文帳に追加

The coolant gas from the air-cooling part 4b is sent to a quartz tube 7c in a plasma torch 7, an auxiliary gas is sent to a quartz tube 7b, a plasma is generated at the tip of the plasma torch 7, its emission is spectrally diffracted by a spectroscope 8, and data in a data processing part 9 is displayed on a display part 10. - 特許庁

また、このプラズマ溶接は、リード端子４の先端部の嵌合孔４ａに外部端子７の接続部７ａの凸部７ｂを嵌合させた状態で、この凸部７ｂの頂部に放電プラズマを照射することにより行う。例文帳に追加

The plasma welding is executed by irradiating a top part of a projecting part 7b of the connection part 7a of the external terminal 7 with discharge plasma in a state where the projecting part 7b is fitted to a fitting hole 4a at a tip part of the lead terminal 4. - 特許庁

ＦＰＣ２３は、プラズマディスプレイパネル１７の周縁部に設けられた外部接続端子アレイ部２７に、プラズマディスプレイパネル１７の内側から、その先端縁がプラズマディスプレイパネル１７の外方を向く態様で、接続されて、プラズマディスプレイパネル１７の側方にはみ出さないように配置されている。例文帳に追加

An FPC 23 is connected to an external connection terminal array portion 27 provided on an outer peripheral portion of a plasma display panel 17 so that its tip end edge faces on the outside of the plasma display panel 17 from the inside of the plasma display panel 17, and arranged not to protrude by the plasma display panel 17. - 特許庁

放射ソースは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ形成部位に燃料を供給するように構成された燃料供給と、放射ビームが燃料と衝突した場合に極端紫外線を放つプラズマが生成されるようにプラズマ形成部位に放射ビームを放つように構成されたレーザとを含む。例文帳に追加

A radiation source includes a chamber, a fuel supply configured to supply a fuel to a plasma formation region in the chamber, and a laser configured to emit a radiation beam to the plasma formation region so that plasma for emitting extreme ultraviolet radiation is generated when the radiation beam impacts the fuel. - 特許庁

励起コイル６で形成された高周波磁界の磁束線２０は、磁路構造体７のコア部７Ａの設けられたプラズマ室ボディ３の上端面からプラズマ室２に導入され、プラズマ室２を交差した後に側面リターン部７Ｂへと導かれる。例文帳に追加

A flux line 20 of a high frequency magnetic field formed by the exciting coil 6 is introduced from the upper end face of the plasma chamber body 3 provided in a core portion 7A of the magnetic path structure 7 into a plasma chamber 2 and then introduced into a rear side return portion 7B after crossing the plasma chamber 2. - 特許庁

筒状絶縁体６１ａの両端部に閉塞蓋６１ｂ、６１ｃが設けられ、内部でガス状物質をプラズマ化するプラズマ室６１の、一方の閉塞蓋６１ｂにガス状物質を導入するガス導入管６２が挿入され、他方の閉塞蓋６１ｃにプラズマ放射口６１ｄが設けられている。例文帳に追加

Closing covers 61b and 61c are provided at both the ends of a cylindrical insulator 61a, a gas approach pipe 62 for introducing a gas-like substance is inserted into one choking lid 61b, and a plasma radiation opening 61d is provided at the other closing covers 61c. - 特許庁

プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Ｓの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室１外部に取り付けられたガス導入管５には、内部にプラズマ発生室６ａを備えたプラズマ発生室部材６が接続され、このプラズマ発生室部材６の端部にはガス制御部７が設けられている。例文帳に追加

The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6. - 特許庁

アンテナ側磁力線９で示す外部磁場に沿って伝播するヘリコン波やスロー波等の波動をアンテナ３で励起するプラズマ発生装置において、プラズマ６を大面積化し、プラズマ境界端面を明確化し、基板等の処理材料１１の位置選択を可能にすること。例文帳に追加

To generate plasma in a large area, to clarify the plasma boundary end face and to allow the position selection of a process material such as a substrate in a plasma generator exciting the wave motion of the helicon wave or slow wave propagating along the external magnetic field shown by the magnetic lines of force on the antenna side with an antenna. - 特許庁

プラズマガス通路を隔てて電極を被覆するように配置されたノズル１７をトーチ本体１の先端部に備え、ノズル１７のオリフィス１８を通じて電極本体１３と被切断材７１間でプラズマアーク８１を発生させて、被切断材７１を切断するプラズマトーチである。例文帳に追加

This plasma torch is provided with a nozzle 17 arranged so that an electrode is covered across a plasma gas path at the tip part of a torch main body 1 for cutting a material 71 to be cut by generating a plasma arc 81 between an electrode main body 13 an the material 71 through the orifice 18 of the nozzle 17. - 特許庁

ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、アーク放電による中心電極先端部のエロージョンを低減してその寿命を大幅に延ばすことができ、かつプラズマ媒体の供給量を増加させてプラズマを高密度化できるプラズマ光源を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma light source capable of stably generating plasma light for EUV emission for a long time (on the order of μsec), reducing erosion of a center electrode tip part due to an arc discharge to greatly prolong the life of the part, and increasing the amount of supply of a plasma medium to increase the density of plasma. - 特許庁

液晶表示素子１の端子部３に回路基板を接合する工程に先立って前記端子部３にプラズマ照射器１０を用いてプラズマジェットＪを照射して洗浄する。例文帳に追加

The terminal part 3 of the liquid crystal display element 1 is irradiated with a plasma jet J using a plasma irradiator 10 prior to a circuit board bonding process to be cleaned. - 特許庁

このプラズマ切断装置用ノズル６は、先端側に配置されたワークにプラズマジェットを噴出してワークを切断するためのものであり、筒状部６ａと先端部６ｂとを備えている。例文帳に追加

The nozzle 6 for a plasma cutting apparatus for jetting a plasma jet to a workpiece disposed on the tip side to cut the workpiece includes a cylindrical part 6a and a tip part 6b. - 特許庁

そして、開口部を介して酸化物半導体膜２６を還元性プラズマあるいはドーピング元素を含むプラズマに曝すことにより、接続用端子部１８、１７、ソース・ドレイン部１５、１６、画素電極１３を同時に低抵抗化する。例文帳に追加

The oxide semiconductor film 26 is exposed through the opening to reducing plasma or plasma containing doping elements to simultaneously decrease the resistance in the connection terminals 18, 17, the source-drain parts 15, 16 and the pixel electrode 13. - 特許庁

プラズマトーチ１はガラスチューブ２とメタルチューブ３とから成り、その先端部分２Ｆ（プラズマ発生部分及びその近傍部分）は、例えば、６０μｍ程度の内半径を有する。例文帳に追加

A plasma torch 1 is composed of a glass tube 2 and a metal tube 3, and a tip portion 2F (plasma generating portion and its neighboring portion) thereof has an inner diameter of, for example, about 60 μm. - 特許庁

開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。例文帳に追加

Etching (methane/hydrogen plasma irradiation) is performed for each opening having the same opening width, in a condition where a hydrogen plasma concentration at a mask end becomes a predetermined concentration. - 特許庁

噴出口２１１からアルゴン流が電極４１及び電極４２間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に左端から右方向へ噴出される。例文帳に追加

An argon flow from a jet nozzle 211 is processed to plasma by means of a high-frequency power in between electrodes 41, 42, and blown out inside a cylindrical member 15 from a left end to a right direction as a preliminary plasma. - 特許庁

高周波電力の供給によって、プラズマキャピラリ４０の内部でガスがプラズマ化し、その先端部からボンディング対象８に対し噴出して表面処理が行われる。例文帳に追加

The gas is changed into plasma in the plasma capillary 40 by the supply of the high-frequency power, and the surface treatment is carried out by jetting it to the target 8 to be bonded. - 特許庁

開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。例文帳に追加

For each opening having the same opening width, etching (irradiation of methane/hydrogen plasma) is carried out, under the condition such that a hydrogen plasma concentration at a mask end becomes a predetermined concentration. - 特許庁

試料ガスおよびプラズマ用ガスを噴出するプラズマトーチ１０の先端外周付近に設けた高周波誘導コイル２１の外周部に、該コイル２１を取り囲むように円筒形の強磁性部材２３を配置する。例文帳に追加

On the outer periphery of a high-frequency induction coil 21 mounted in the vicinity of the end outer periphery of a plasma torch 10-jetting a sample gas and a gas for plasma, a cylindrical ferromagnetic member 23 is disposed so as to surround the coil 21. - 特許庁

ガラス端部処理装置１のプラズマ生成部１０の流路１５に処理ガスを流すとともに、流路１５内でプラズマを生成して、処理ガスにガラス板９に対するエッチング能又は溶解能を付与する。例文帳に追加

A treating gas is made to flow into a flow path 15 in a plasma generating section 10 of a glass end treating apparatus 1 and plasma is generated in the flow path 15 to provide ability to etch or dissolve the glass plate 9 to the treating gas. - 特許庁

その後、被覆層が除去されプラズマ粒子が照射された複数の光ファイバそれぞれの端末部は、プラズマ粒子が照射されたスリーブの内部に挿入される（ステップＳ４）。例文帳に追加

Then the end part of each fiber in a plurality of optical fibers where the coating layer is removed and the end part is irradiated with plasma particles is inserted into the inside of the sleeve irradiated with the plasma particles (step S4). - 特許庁

噴射ノズル先端部分１８の噴射口１９から噴射した還元剤を、プラズマ領域２０において少なくとも部分的にプラズマ化するインジェクター、排ガス浄化システム、及び還元剤噴射方法とする。例文帳に追加

In the plasma injector, the exhaust gas purification system, and the injection method of a reducing agent, the reducing agent injected from an injection port 19 of a tip 18 of an injection nozzle is at least partly converted in the state of plasma in a plasma region 20. - 特許庁

マイクロプラズマ源６には、ガス供給装置７と電源８が接続されており、局所的にプラズマを発生させることができ、端子部となる部分４のエナメル被覆を除去することができる。例文帳に追加

A micro plasma source 6 is connected with a gas supply unit 7 and a power source 8, and it can locally generate a plasma and the enamel coating of the part 4 as a terminal can be removed. - 特許庁

チューブ端挿入部材３０には、プラズマ供給部２０のプラズマ導出口２０ｂに連なる連通口３２と、これに続くチューブ用孔３３とを形成する。例文帳に追加

A communicating port 32 communicating with a plasma extraction port 20b of the plasma feed section 20, and a hole for a tube 33 following it are formed in the tube end-inserting member 30. - 特許庁

ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method, capable of quickly and surely removing a material attached to an end section of a processing subject, such as a wafer and preventing damages due to plasma to each component inside a chamber. - 特許庁

マイクロプラズマ源６には、ガス供給装置７と電源８が接続されており、局所的にプラズマを発生させることができ、端子部となる部分４のエナメル被覆を除去することができる。例文帳に追加

A micro-plasma source 6 is connected with a gas supplying device 7 and a power source 8, and can remove the enamel coating film from the portion 4 as the terminal by locally generating plasma. - 特許庁

噴出口２２１においては、アルゴン流が電極４３及び電極４４間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に右端から左方向へ噴出される。例文帳に追加

In the blowing nozzle 221, the argon flow is processed to the plasma by means of the high-frequency power in between the electrodes 43, 44, and blown out inside the cylindrical member 15 from the right end to the left direction as the preliminary plasma. - 特許庁

しかしながら、相対移動の経路がＣより小さい場合には、磁石システムは、プラズマチューブの端部の幅ｄがプラズマチューブの直径の２倍に等しいか小さくなるようにレイアウトされる。例文帳に追加

If, however, the route of the relative movement is smaller than C, the magnet system is so laid out that the width at the end of the plasma tube is made equal to twice the diameter of the plasma tube or smaller than the same. - 特許庁

誘電体パーツ３１を支持する梁２６は，その端部周辺でのプラズマ電子密度Ｎ_ｅがカットオフのプラズマ電子密度Ｎ_ｃ以上になるように基板側に突出して設けられる。例文帳に追加

In order to make the plasma electron density N_e around the end of the beam 26 not less than the cutoff plasma electron density N_c, the beam 26 for supporting the dielectric parts 31 is so installed as to project to the substrate side. - 特許庁

ターゲットおよび磁石システムが、距離Ｃにほぼ等しい経路で相対移動される場合には、磁石システムは、プラズマチューブの端部の幅がプラズマチューブの直径に等しいか小さくなるようにレイアウトされる。例文帳に追加

When the target and the magnet system are relatively moved at a route nearly the same with the distance C, the magnet system is so laid out that the width at the end of the plasma tube is made equal to or smaller than the diameter of the plasma tube. - 特許庁

管（２）の端部にはプラズマ場（６）が形成され、繊維や織物（５）にこのプラズマ場（６）を通過させることにより、表面改質処理が施される。例文帳に追加

A plasma field (6) is formed at an end of the tube (2), and fiber or fabric (5) is made to pass the plasma field (6) to apply a surface reforming treatment. - 特許庁