「光伝導性半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体の伝導帯間散乱を減少させて、電気伝導度および発光・受光特性を向上させる。例文帳に追加

To improve electric conductivity and light emitting and receiving characteristics of a isotope superlattice semiconductor device by reducing the scattering between conduction bands in a semiconductor. - 特許庁

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property. - 特許庁

本発明の受光素子は、導電層及び色素で増感された半導体を含有する感光層をそれぞれ含む２つの半導体電極、並びにイオン伝導性電解質層を有し、２つの半導体電極がイオン伝導性電解質層を挟んで感光層を内側に対向していることを特徴とする。例文帳に追加

The light receiving element has two semiconductor electrodes and ion conductive electrolytic layers respectively including a photosensitive layer containing a semiconductor sensitized by a conductive layer and a pigment, and the two semiconductor electrodes sandwiches the ion conductive electrolytic layer to oppose the photosensitive layer to the inside. - 特許庁

また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がｎ型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする光電変換素子である。例文帳に追加

This photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through an electrolyte layer abutting them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has a metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode is the above type electrode. - 特許庁

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。例文帳に追加

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁

第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。例文帳に追加

The vertical light emitting device has a structure having: a semiconductor layer of a first conductivity type 30; a light emission layer 20 located on the semiconductor layer of a first conductivity type; and a semiconductor layer of a second conductivity type 10 located on the light emission layer and having an etching barrier layer 40; in which a light extraction structure 50 is formed on the etching barrier layer. - 特許庁

結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。例文帳に追加

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support. - 特許庁

光半導体装置は、第２の基板４にも第２の電極２を備えており、第２の電極２と、光伝導性のある半導体薄膜の電極が接触して成る。例文帳に追加

The photosemiconductor device has a second electrode 2 on the second substrate 4 too, and the second electrode 2 and the electrode of photoconductive semiconductor film are contacted. - 特許庁

熱伝導性が高く、ダイボンド材を用いた光半導体装置においてクラックを生じ難くすることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。例文帳に追加

To provide a die-bonding material for an optical semiconductor device of high thermal conductivity which can restrain cracks from being generated in an optical semiconductor device using a die-bonding material. - 特許庁

素子実装基板３は、熱伝導性を有する材料からなり、表面３ａに半導体発光素子１１を実装し、半導体発光素子１１が開口部５に臨むように基板収容凹部６に収容固定される。例文帳に追加

The element mounting substrate 3 is made of a heat conductive material, and is mounted with semiconductor light emitting elements 11 on the surface 3a, with the semiconductor light emitting elements 11 so stored and secured in the substrate storage recess 6 as to face the opening 5. - 特許庁

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。例文帳に追加

To improve conductivity by making current easy to flow across a hetero interface in a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing the hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists. - 特許庁

該合金化フィルム１９は優れた熱伝導性と優れた電気伝導性を有しているため、電流がｐ型半導体層１３全体に均一に供給され、該発光素子は均一な光を発する。例文帳に追加

Since the film 19 has excellent thermal conductivity and excellent electric conductivity, a current is supplied to the overall p-type semiconductor layer 13, and the element emits the uniform light. - 特許庁

このような構成により、半導体レーザ素子１では、活性層１２での光吸収などによって発生した熱が熱伝導性膜２２を介して速やかに外部に伝導し、放熱性の向上が図られる。例文帳に追加

With this constitution, the semiconductor laser element 1 speedily conducts heat generated through light absorption of an active layer 12 etc., to the outside via the thermally conductive film 22 to improve the heat dissipation. - 特許庁

電気製品に使用される半導体素子や電源、光源などの部品から発生する熱を効果的に放散させる高い熱伝導性と電気絶縁性を兼ね備えた熱伝導性シート例文帳に追加

To obtain a heat conductive sheet having high thermal conductivity and electrical insulating properties for effectively radiating heat generated from parts of a semiconductor element, a power supply, a light source, etc., used in an electrical appliance. - 特許庁

予め半導体レーザ素子が固定保持された熱伝導性を有する保持部材を、筐体に固定保持された熱伝導性を有するベース部材に、熱伝導性を有する加熱接着型の接着部材を用いて、該半導体レーザ素子が筐体の光学系に対する光学調整がなされた所定の光学位置となるように固定する。例文帳に追加

By using a heat curing adhesive member having thermal conductivity, a holding member having thermal conductivity, whereon a semiconductor laser element is held previously and fixedly, is so fastened to a base member having thermal conductivity which is held fixedly in a housing that the semiconductor laser element is placed in a prescribed optical position for which the relative optical adjustment of the semiconductor laser element to the optical system of the housing has been performed. - 特許庁

有機電気伝導体の融点を光電変換装置の動作温度以下とすることより、非結晶の有機電気伝導体と半導体との密着性を向上させた光電変換装置。例文帳に追加

The photoelectric transfer device has an improved adhesiveness between the amorphous organic electrical conductor and the semiconductor by setting the melting point of the organic electrical conductor below the operating temperature of the photoelectric transfer device. - 特許庁

半導体発光素子１から発生した熱は、ベース部材２および熱伝導性接着シート５を通ってリフレクタ６へ伝導され、リフレクタ６から外部へ放熱される。例文帳に追加

The heat generated from the semiconductor light emitting element 1 is conducted through the base member 2 and the thermally conductive adhesive sheet 5 to the reflector 6, and radiated from the reflector 6 to the outside. - 特許庁

半導体発光素子１から発生した熱は、ベース部材２および熱伝導性接着シート４を通ってリフレクタ５へ伝導され、リフレクタ５から外部へ放熱される。例文帳に追加

Heat generated from the semiconductor light-emitting element 1 is transferred to the reflector 5 via the base member 2 and the heat conduction type adhesive sheet 4, and then is radiated to the outside from the reflector 5. - 特許庁

ヒートシンクをガラスとの良好な封着性と高い熱伝導性とを兼ね備えた構造として、光半導体素子の動作に伴う熱を効率良く外部に放熱でき、より気密性、生産性の高い光半導体装置用気密端子を提供すること。例文帳に追加

To provide an airtight terminal for an optical semiconductor device that efficiently dissipates heat generated as the optical semiconductor device operates to the outside by structuring a heat sink having good sealing properties with glass and high thermal conductivity, thereby having higher airtightness and productivity. - 特許庁

導電性基板上3に光触媒用の半導体層を設け、当該半導体層を、可視光透過性で、且つ正孔伝導性を有し、親水性を増加させたりできる特定の酸化物で完全にコートするとともに、上記導電性基板上の当該半導体層とは別の位置に、助触媒層4を設けた光触媒膜構造。例文帳に追加

In the photocatalyst structure, a semiconductor layer for photocatalyst is disposed on a conductive substrate 3, the semiconductor layer is completely coated with a visible-light-transmitting, positive-hole-conductive and hydrophilicity-increasing specific oxide, and a promotor layer 4 is disposed on the conductive substrate at a position different from the semiconductor layer. - 特許庁

本発明に係る硬化性組成物は、パッケージを用いずに、熱伝導体２と導電層４とを有する基板の導電層４上に光半導体素子５を直接搭載したチップオンボード方式の光半導体装置１を得る際に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２を導電層４に接着するために用いられる。例文帳に追加

The curable composition is used for adhering a heat conductor 2 having thermal conductivity of ≥10 W/m-K on an electroconductive layer 4 when a chip-on-board optical semiconductor device is obtained in which an optical semiconductor element 5 is directly mounted on the electroconductive layer 4 of a board having the heat conductor 2 and the electroconductive layer 4 instead of using a package. - 特許庁

本発明に係る硬化性組成物は、パッケージを用いずに、熱伝導体２と導電層４とを有する基板の導電層４上に光半導体素子５を直接搭載したチップオンボード方式の光半導体装置１を得る際に、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２を導電層４に接着するために用いられる。例文帳に追加

The curable composition is used for adhering a heat conductor 2 having thermal conductivity of ≥10 W/m-K to an electroconductive layer 4 when a chip-on-board optical semiconductor device 1 is obtained in which an optical semiconductor element 5 is directly mounted on the electroconductive layer 4 of a board having the heat conductor 2 and the electroconductive layer 4 instead of using a package. - 特許庁

電気部品や電子部品に使用される半導体素子や電源、光源などから発生する多大な熱を効果的に放散できる高い熱伝導性を有し、しかも加工性に優れた熱伝導性高分子組成物及び熱伝導性成形体を提供する。例文帳に追加

To obtain both a heat-conductive polymer composition and a heat- conductive molding having high thermal conductivity capable of effectively radiating an intense heat generated from semiconductor elements used in electric parts and electronic parts, a power supply, a light source, etc., and excellent processability. - 特許庁

本発明によれば、発光素子は、伝導性を有する支持部材を含む電極と、電極の上面の周縁領域に金属物質を含むチャンネル層と、電極及びチャンネル層の上に形成され、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と、を含む。例文帳に追加

The light-emitting device comprises: an electrode that includes support member with conductivity; a channel layer containing metal substance on a peripheral region of a top surface of the electrode; and a light-emitting structure that is formed on the electrode and the channel layer, and that includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer. - 特許庁

高消費電力化された半導体素子１又は光半導体素子の裏面に、ダイヤモンド層又は炭化珪素及び窒化アルミニウム等のセラミックス層からなる高熱伝導特性と光透過性を有するヒートスプレッダ２が直接接合されている。例文帳に追加

The heat spreader 2 composed of a diamond layer or a ceramic layer made of a silicon carbide, aluminum nitride, etc., and having high thermal conductivity and light transmittancy is directly joined to the rear surface of the semiconductor element 1 or an optical semiconductor element which is highly reduced in power consumption. - 特許庁

半導体発光素子１１と；半導体発光素子１１を支持すると共に熱伝導性を有して構成した光源体１２と；光源体１２を支持し半導体発光素子１１を点灯する点灯回路１５を収納したカバー部材１３と；カバー部材１３に支持された口金部材１４と；を具備する構成とする。例文帳に追加

This lighting system comprises: the semiconductor light emitting elements 11; a light source body 12 supporting the semiconductor light emitting elements 11 and composed by having thermal conductivity; a cover member 13 supporting the light source body 12 with a lighting circuit 15 for lighting the semiconductor light emitting elements 11 housed therein; and a base member 14 supported by the cover member 13. - 特許庁

基板の熱伝導率を上げることのみに主眼を置く放熱対策ではなく、チップ型半導体発光素子全体からの熱放散を向上させることにより、発熱に対する信頼性を向上させたチップ型半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a chip semiconductor light emitting device which can increase a reliability against heat generation by increasing heat dissipation from the entire light emitting device without resorting to a heat radiation measure aiming principally at only increasing the heat conductivity of a substrate. - 特許庁

発光半導体デバイスは、第１伝導型を有する第１半導体により形成される第１キャリア閉じ込め層と、活性領域と、上記活性領域と上記第１キャリア閉じ込め層との間に設けられるウェハボンディング界面とを含む。例文帳に追加

The light emitting semiconductor device includes a first conductivity first semiconductor first carrier trapping layer, an active region, and a wafer-bonding interface between the active region and the first carrier trapping layer. - 特許庁

半導体基板を用いることでチップの上下に一対の電極を形成する垂直型の素子を作製でき、かつ、高い熱伝導性を維持しながら、基板での光吸収を防止すると共に、その上に成長される窒化物半導体の転位密度を低減し、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting element having high light-emitting efficiency which can manufacture a vertical element forming a pair of electrodes on the top and bottom of a chip by employing a semiconductor substrate, prevents optical absorption on the substrate while maintaining high heat conductivity and reduces the dislocation density of a nitride semiconductor to be grown thereon. - 特許庁

発光半導体デバイスは、さらに、第２伝導型を有する第２半導体により形成される第２キャリア閉じ込め層を含み、上記活性領域は、上記第１キャリア閉じ込め層と上記第２キャリア閉じ込め層との間に設けられる。例文帳に追加

Furthermore, the light emitting semiconductor device includes a second conductivity-type second semiconductor second carrier trapping layer, and the active region is interposed between the first carrier trapping layer and the second carrier trapping layer. - 特許庁

共振器と、放射発生用に設けられた層列を有する半導体ボディと、前記半導体ボディの放射通過面と熱コンタクトした透明な周波数選択性の熱伝導素子と、予め設定可能な共振モードを抑圧するのに適した光学バンドパスフィルタを有していることを特徴とする、表面発光半導体レーザ素子。例文帳に追加

The surface emitting semiconductor laser device has a resonator, a semiconductor body having an array of layers prepared for the generation of radiation, a transparent thermal conduction element with frequency selectivity brought into heat-contact with the radiation passage face of the semiconductor body, and an optical band path filter suitable for suppressing a resonance mode which can be previously set. - 特許庁

レーザ光を出力する半導体レーザ素子３と半導体レーザ素子３の駆動温度を計測するサーミスタ４とを、ダイヤモンド等の絶縁性かつ高熱伝導性の材料で作成されたキャリア１上に、半導体レーザ素子３とサーミスタ４とを近接配置するとともに、金膜を含む多層膜を介して接合する。例文帳に追加

A semiconductor laser element 3 outputting a laser beam and a thermistor 4 measuring the drive temperature of the semiconductor laser element 3 are adjacently arranged on a carrier 1 made of a highly insulating and highly heat-conductive material such as a diamond or the like, and are connected through a multilayer film containing a gold film. - 特許庁

上記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層２７ａと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層２７ｂと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層２７ｃを有する。例文帳に追加

The element also includes an ohmic contact layer 27a formed on the p-type nitride semiconductor layer, an optically-transparent conductive oxide layer 27b formed on the ohmic contact layer, and a highly reflective metal layer 27c formed on the optically-transparent conductive oxide layer. - 特許庁

上記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層２７ａと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層２７ｂと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層２７ｃを有する。例文帳に追加

The light-emitting element 20 also includes an ohmic contact layer 27a formed on the p-type nitride semiconductor layers 26, a light-transmitting conductive oxide layer 27b formed on the ohmic contact layer 27a, and a high-reflective metal layer 27c formed on the light-transmitting conductive oxide layer 27b. - 特許庁

強誘電体層１３及び光伝導体層１４は、不揮発性光メモリ１０のゲート電極部を構成し、半導体層１２は、不揮発性光メモリ１０のチャネル部を構成する。例文帳に追加

The ferroelectric layer 13 and the optical conductive layer 14 constitute a gate electrode of the nonvolatile optical memory 10, and the semiconductor layer 12 constitutes a channel of the nonvolatile optical memory 10. - 特許庁

熱放射性および熱伝導性に優れ、基板上に形成するLED素子等の光源素子や半導体素子の温度上昇を抑制でき、熱に対する安定性を高めることが出来る高放熱炭素材料を提供する。例文帳に追加

To provide a high-heat-radiation carbon material excelling in heat radiation capability and thermal conductivity, capable of suppressing temperature rise of a light source element such as an LED element and a semiconductor element formed on a substrate, and enhancing stability against heat. - 特許庁

この光伝導体のネットワーク状の導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１の互いに異なる部位に第１の電極および第２の電極を電気的に接続して光電変換素子を構成する。例文帳に追加

A photoelectric conversion element is configured by connecting first and second electrodes electrically to different parts of the conductive polymer and/or a polymer semiconductor 11 in network of the photoconductor. - 特許庁

このようにして得た電気伝導性パターンは電気もしくは半導体装置、例えば印刷回路板、集積回路、ディスプレー、電界発光装置または光電池などを製造するための電子回路として使用可能である。例文帳に追加

The electric conductive pattern thus obtained can be used as the electric circuit for manufacturing electric or semiconductor equipment such as printed circuit board, integrated circuit, display, electroluminescence device or photocell, etc. - 特許庁

ｐ型伝導や紫外線発光など半導体としての物性を発揮できる結晶性の良い高品質な酸化亜鉛超微粒子を提供すること。例文帳に追加

To provide a high quality ultrafine zinc oxide particle having the physical properties as semiconductor such as p-type conduction, ultraviolet light emitting and the like and having an excellent crystallinity. - 特許庁

ブラケット５０は、半導体発光素子３２と接する領域の少なくとも一部が等方的熱伝導性を有する第１伝熱部材を含み、第１伝熱部材と接する領域が異方的熱伝導性を有する第２伝熱部材を含む。例文帳に追加

The bracket 50 includes a first heat conductive member wherein at least a part of an area contacting with the semiconductor light emitting element 32 has isotropic heat conductivity, and includes a second heat conductive member wherein an area contacting with the first heat conductive member has anisotropic heat conductivity. - 特許庁

電気製品などに使用される半導体素子や電源、光源などの部品から発生する多大な熱を効果的に放散可能な、優れた熱伝導性を有する黒鉛化炭素粉末の製造方法及び熱伝導性成形体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing graphitized carbon powder having excellent thermal conductivity, and capable of effectively diffusing large heat generated from parts such as a semiconductor device, an electric source and a light source used for electric products or the like, and to provide a method for producing a thermally conductive molded body. - 特許庁

本発明の光半導体モジュール用パッケージ１０は、フレーム１１およびカバー１４は低熱伝導性で低熱膨張率の材料で形成され、ヒートシンク１３は高熱伝導性で低熱膨張率の材料で形成されている。例文帳に追加

A package 10 for an optical semiconductor module comprises a frame 11 and a cover 14 formed of a material having a low thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient, and a heat sink 13 formed of a material having a high thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient. - 特許庁

素子に適用する際にスピンコーティングが可能であるうえ、電気伝導性および光起電力にも優れた新規な窒素系半導体化合物およびこれを用いた素子を提供する。例文帳に追加

To provide a new nitrogen-based semiconductor capable of spin-coating on applying as an element, also excellent in electroconductivity and photo-electromotive force, and elements by using the same. - 特許庁

導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１と、少なくとも一つの、長寿命励起状態を有する色素１２ａを含む一つまたは複数のタンパク質１２との複合体により光伝導体を形成する。例文帳に追加

The photoconductor is formed of a composite of a conductive polymer and/or a polymer semiconductor 11, and one or a plurality of proteins 12 containing at least one dye 12a having a long life excited state. - 特許庁