例文 (201件) |
共融晶の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 201件
このクリームはんだは、共晶はんだ13bと、該共晶はんだの融点より高い融点を持つ金属粒子(Ag粒子13a)と、を具備し、上記金属粒子は220℃まで加熱すると上記共晶はんだに全て拡散されるものである。例文帳に追加
The cream solder is provided with eutectic solder 13b and metallic grain (Ag grain 13a) having a melting point higher than that of eutectic solder, and metallic grain is wholly diffused into eutectic solder when it is heated up to 220°C. - 特許庁
液体冷却浴は、炉の開放端の下に位置する溶融した共晶または近−共晶の金属組成物からなる。例文帳に追加
The liquid-cooling bath is composed of the molten eutectic or near eutectic metal composition and positioned below the opening end part of the furnace. - 特許庁
同種金属部材(特に、低融点アルミニウム合金)の共晶圧接方法、及び共晶圧接用装置を提供する。例文帳に追加
To provide a eutectic press-contacting method and eutectic press- contacting device for the same kind of metallic member (especially, a low melting point aluminum alloy). - 特許庁
(1)重合体A、Bのポリ乳酸系重合体の融点が150℃以上(2)脂肪族ポリエステル共重合体の融点が重合体Bの融点よりも低い(3)脂肪族ポリエステル共重合体が結晶融点を有する。例文帳に追加
(2) The melting point of the aliphatic copolyester is lower than that of the polymer B. (3) The aliphatic copolyester has a crystal melting point. - 特許庁
溶融成形が可能で、耐熱性、結晶性に優れる共重合ポリアミド樹脂を得る。例文帳に追加
To provide a copolyamide resin which can be melted to mold and is excellent in heat resistance and crystallinity. - 特許庁
該吸熱部3は、Sn、In、Bi、Li、共晶はんだの何れかの低融点金属材料である。例文帳に追加
The heat absorbing part 3 is either one of metallic materials having a low fusing point selected from Sn, In, Bi, Li, or eutectic solder. - 特許庁
低い融点と高い結晶化温度、および広い結晶性分布を持つプロピレン−環状オレフィン共重合体を提供すること。例文帳に追加
To obtain a propylene-cyclic olefin copolymer having a low melting point and a high crystallization temperature, and a wide distribution of crystalline. - 特許庁
高融点金属の少なくとも一方のろう接部表面に、高融点金属の炭化物層を形成し、該炭化物層と前記高融点金属とを共晶化させることにより高融点金属をろう接する。例文帳に追加
On the surface of at least one brazing part of a high melting point metal, a carbide layer of the high melting point metal is formed, and by entectize the carbide layer and the high melting point metal, the high melting point metal is brazed. - 特許庁
また、融液に磁場を印加すると共に、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ半導体単結晶を引き上げ成長させる。例文帳に追加
In addition, the semiconductor single crystal is lifted and grown by applying a magnetic field to the melt while cooling the semiconductor single crystal by a cooler arranged around the semiconductor single crystal that is lifting from the melt. - 特許庁
Siは融点が高いことから、単独で接合材料として用いることは困難であるが、それよりも低融点であってSiと共晶を作るAlと共に用いると、封着材56の融点がその混合割合に応じて低下する。例文帳に追加
Si is difficult to be used independently as the joining material because of its high melting point. - 特許庁
共重合ポリアミド系樹脂は結晶性を有していてもよく、共重合ポリアミド系樹脂の融点又は軟化点は75〜160℃であってもよい。例文帳に追加
Furthermore, the copolymer polyamide-based resin may have crystallinity, and the melting point or softening point of the copolymer polyamide-based resin may be 75-160°C. - 特許庁
このときの温度は、非晶質膜14において、基板11の垂直方向に対して{100}面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または{100}以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。例文帳に追加
The temperature at this time is high enough to partially melt crystal grains of silicon having a {100} plane orientation in the vertical direction to a substrate 11 and also melt amorphous crystal grains or crystal grains of silicon having plane orientations other than {100}. - 特許庁
このときの温度は、非晶質膜14において、基板11の垂直方向に対して{100}面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または{100}以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。例文帳に追加
The temperature at this time is high enough to partially melt crystal grains of silicon having a {100} plane orientation in the vertical direction to a substrate 11, and also melt amorphous crystal grains of silicon or crystal grains having plane orientations other than {100}, in the noncrystalline film 14. - 特許庁
溶融重縮合後のポリエステル樹脂を加熱結晶化処理するにおいて、ポリエステル樹脂粒状体同士の融着を抑制し、効率的に結晶化させることができる、共重合ポリエステル樹脂の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a copolyester resin, by which the copolyester resin can efficiently be crystallized in a state preventing the mutual granule fusion of the copolyester resin, when the copolyester resin is thermally crystallized after melt-polycondensed. - 特許庁
高周波誘導コイル10に交流を通電して、融液をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液の頂点付近に種結晶基板3を接触させると共に、融液を電磁攪拌する。例文帳に追加
The melt is lifted by the Lorentz force by applying alternating current to a high frequency induction coil 10, the seed crystal substrate 3 is brought into contact with around the apex of the lifted melt and also the melt is electromagnetically stirred. - 特許庁
本発明では、その液相線温度(融点)が660℃より低いAl共晶系合金を使用するので、その溶融物の保持温度を従来の溶融Alの保持温度(670〜800℃)よりも低い温度に設定できる。例文帳に追加
In this invention, since the Al eutectic alloy whose liquidus line temperature (melting point) is lower than 660°C is used, a holding temperature of the melt can be set at a temperature lower than a holding temperature (670-800°C) of conventional molten Al. - 特許庁
絶縁電線上に、融着層を設けて成る自己融着性絶縁電線において、該融着層は105〜150℃の温度範囲中に融点がある結晶性共重合ポリアミド樹脂とアルコール可溶性共重合ポリアミド樹脂とをアルコール系有機溶剤を含む混合有機溶剤に溶解してなる融着塗料を塗布焼き付けしてなる自己融着性絶縁電線によって上記課題を解決しうる。例文帳に追加
In the self-bonding insulated wire having a self-bonding layer on an insulated wire, the self-bonding layer is formed by applying and baking a bonding paint prepared by dissolving a crystalline copolymerized polyamide resin having a melting point in the temperature range from 105 to 150°C and an alcohol-soluble copolymerized polyamide resin into a mixture organic solvent containing an alcohol organic solvent. - 特許庁
金属酸化物とIVa族元素としてジルコニウムの酸化物との共晶点の組成またはその近傍の組成における共融混合物が、タングステンなどの高融点金属基体中に含まれる材料により形成されている。例文帳に追加
An eutectic mixture having a composition at an eutectic point of a metal oxide and an oxide of zirconium as the IVa group element or a composition in the vicinity thereof is formed of a material contained in a high- melting-point metal base such as tungsten. - 特許庁
共晶系不純物を含むシリコン融液1に冷却体10を接触させ、該冷却体10の表面にシリコン2を晶出させる固体シリコンの製造方法であって、シリコン融液1の温度を、シリコン融液1と冷却体10との接触時間の経過に伴って下げるようにした。例文帳に追加
In the method for producing the solid silicon by bringing a silicon melt 1 containing eutectic impurities into contact with a cooling body 10 to crystallize silicon 2 on the surface of the cooling body 10, the temperature of the silicon melt 1 is lowered with the lapse of the contact time of the silicon melt 1 with the cooling body 10. - 特許庁
準安定・非平衡共晶組織の粉末を得る工程、前記準安定・非平衡共晶組織の粉末を、平衡共晶温度以下で加熱して過冷却液体を得る工程、および前記過冷却液体を溶融成形する工程を具備する方法である。例文帳に追加
This method comprises a step of providing a powder of a metastable and nonequilibrium eutectic structure, a step of heating the powder of the metastable and nonequilibrium eutectic structure at the equilibrium eutectic temperature or below and providing a supercooled liquid and a step of melt forming the supercooled liquid. - 特許庁
溶体化処理時におけるAl−Cu化合物の共晶融解を防止するアルミニウム合金製部材の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for producing a member made of an aluminum alloy where the eutectic fusion of Al-Cu compounds in solution treatment is prevented. - 特許庁
自己混合共融法を利用した高出力リチウム2次電池用の結晶質ナノ微粒子正極活物質の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE MATERIAL NANO PARTICULATE ANODE ACTIVE MATERIAL USING SELF-BLENDING EUTECTIC METHOD FOR HIGH OUTPUT LITHIUM SECONDARY BATTERY - 特許庁
シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。例文帳に追加
The silicon nanowires are formed by the thermal decomposition of a polysilane gas using a metal forming an eutectic alloy having a low melting point with silicon as a catalyst. - 特許庁
スルーホールの封止に共晶合金の封止材を溶融させ密封封止を行う圧電デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a piezoelectric device for hermetically sealing through holes by melting a sealing material of eutectic alloy. - 特許庁
融温度を約270℃とした共晶合金AuSnを用いたシーム溶接なので、比較的低温での溶接となる。例文帳に追加
Since the seam welding uses the eutectic alloy AuSn whose melting point temperature is about 270°C, the seal welding is performed at a relatively low temperature. - 特許庁
シリカ及び融点が60℃以下の結晶性高級α−オレフィン共重合体を含むタイヤ用ゴム組成物に関する。例文帳に追加
The tire rubber composition includes silica and a crystalline higher α-olefin copolymer having a melting point of not higher than 60°C. - 特許庁
金属とポリマとからなり、Sn−Pb系の共晶はんだに比べて融点が低い鉛フリー型コンポジット組成物を提供する。例文帳に追加
To provide a lead-free composite composition which comprises metal and a polymer and has a melting point lower than that of an Sn-Pb based eutectic solder. - 特許庁
次に、接合すべき部材を、共晶混合物の融点より大きい温度に加熱して、金属学的ボンドを形成する。例文帳に追加
Then a metallurgical bond is formed by heating the members to be joined up to a temperature higher than the melting point of the eutectic mixture. - 特許庁
共重合ポリアミド系樹脂の融点又は軟化点は75〜160℃であり、結晶性を有していてもよい。例文帳に追加
The copolyamide-based resin has a melting point or softening point of 75-160°C and may have the crystallizability. - 特許庁
共重合ポリアミドの融点(Tm)は280〜320℃であり、昇温結晶化温度(Tc1)は90〜140℃であることが好ましい。例文帳に追加
The melting point (Tm) of the copolyamide is preferably 280 to 320°C and the heating crystallization temperature (Tc1) thereof is preferably 90 to 140°C. - 特許庁
Sn−Pb共晶はんだの代替Pbフリー低融点ろう材層を具備する電子部品を提供する。例文帳に追加
To provide an electronic component having a Pb-free low melting point brazing metal layer used in place of Sn-Pb eutectic solder. - 特許庁
鉛30と、錫の一部分20とが相互に作用して、鉛と錫の共晶点に近い、比較的低い融点の半田を形成する。例文帳に追加
Lead 30 and a part of tin 20 interact with each other to form a solder of comparatively low-melting point close to the eutectic point of lead and tin. - 特許庁
さらに、前記溶融Al、Mg含有Znめっき層は、Al/Zn/Zn2Mgの三元共晶組織を含む黒色めっき鋼板の製造方法。例文帳に追加
Further, in the method for manufacturing the hot-dip zinc-coated steel sheet showing black color, the Zn coating layer containing molten Al and Mg contains the three-component eutectic structure of Al/Zn/Zn2Mg. - 特許庁
(a)成分:結晶融解ピーク温度が150℃以上である結晶性ポリプロピレン系樹脂(b)成分:ビニル芳香族化合物と共役ジエンとの共重合体またはその水素添加誘導体例文帳に追加
The component (a) is a crystalline polypropylene based resin of which the peak crystal melting temperature is ≥150°C, and the component (b) is a copolymer of a vinyl aromatic compound and a conjugate diene, or a hydrogenated derivative thereof. - 特許庁
これにより、溶融された共晶合金層13の基板20に対する濡れ性が向上するため、共晶合金層13中に気泡が生じても周囲に押し出され、ボイドとして残存しにくい。例文帳に追加
Accordingly, since wettability with respect to the board 20 of the melted eutectic alloy layer 13 is improved, even if bubbles are generated in the eutectic alloy layer 13, they are extruded and are less likely to remain as voids. - 特許庁
スルーホールの体積に適合した体積の共晶金属の封止材をスルーホールに配置して、共晶金属を溶融しパッケージ内部の気密を保つ圧電デバイスの封止方法を提供する。例文帳に追加
To provide a sealing method of a piezoelectric device in which a sealing eutectic metal, whose cubic volume is suited to the cubic volume of a through-hole, is disposed in the through-hole, the eutectic metal is melted and air-tightness inside a package is maintained. - 特許庁
ポリエステル系エラストマーの例は、ハードセグメントに高融点高結晶性の芳香族ポリエステルを、ソフトセグメントに非晶性もしくは低結晶性の芳香族ポリエステルを使用したブロック共重合体である。例文帳に追加
A block copolymer which is formed by using a high-melting, highly crystalline aromatic polyester as hard segments and the amorphous or lowly crystalline aromatic polyester as soft segments is exemplified as the polyester-based elastomer. - 特許庁
(2)上記(1)の液晶性樹脂に、溶融時に光学異方性を呈する液晶性樹脂(a)と反応性を有する官能基を持つ共重合体(d)を含有せしめてなることを特徴とする液晶性樹脂組成物。例文帳に追加
The liquid crystalline resin composition is obtained by incorporating with the liquid-crystalline resin a copolymer (d) bearing a functional group reactive with the liquid-crystalline resin (a) exhibiting optical anisotropy when melted. - 特許庁
合金化箇所の共晶組織部分が固相線温度で融液化され、この融液に単体金属材が融解されていき、単体金属材全体の融解が終了し全体が液相化されるまでにヒューズエレメントが分断される。例文帳に追加
The eutectic structure part of the alloyed spot is melted and liquefied at a solidus line temperature, the simple metal materials are melted into the melt, and the fuse element is disrupted by the time melting of the whole simple metal materials is finished and the whole is made into a liquid phase. - 特許庁
単結晶育成過程において坩堝の回転数と結晶の回転数とにより決まる融液を駆動する振動数が、融液のスロッシング共振振動数の95%から105%の範囲に入らないように、坩堝回転数及び結晶回転数又はそのいずれかを制御する。例文帳に追加
Both of the rotation number of the crucible and the rotation number of the crystal or either of them are controlled so that the number of vibration driving a melt, which is determined by the rotation number of the crucible and the rotation number of the crystal in the crystal growth process, deviates from the range from 95 to 105% of the vibration number of sloshing resonance of the melt. - 特許庁
製造方法は、耐火性容器内の一面側から第一非晶質ガラス材料、結晶性ガラス小体、第二非晶質ガラス材料を順に配置し、軟化点以上で熱処理して融着一体化させると共に、結晶性ガラス小体を結晶化させる。例文帳に追加
Regarding its production method, a first amorphous glass material, crystalline glass small bodies and a secondary amorphous glass material are arranged in order from one side in a refractory vessel, and are heat-treated at a softening temperature or above, so as to be fused and integrated, and further, the crystalline glass small bodies are crystallized. - 特許庁
高密度エネルギー熱源を用いた溶融処理で多元共晶組織を有する金属を製造するときにおいて、前記溶融処理は、前記多元共晶組織を構成する成分金属を含む母材表面にその母材に含まれない多元共晶組織を構成する他の成分金属を含む粉体を載置した状態で、又は粉体を供給しながら行われる。例文帳に追加
In the method for producing a metal having a multiple eutectic structure by melting treatment using a high density energy heat source, the melting treatment is performed in a state in which the surface of a base metal containing componential metals composing the multiple eutectic structure is provided with powder containing the other componential metal composing the multiple eutectic structure not contained in the base metal or while the powder is being fed thereto. - 特許庁
(A)成分のエポキシ樹脂は、エポキシ当量が120〜220の結晶性の固体または半固体であり、かつ150℃における溶融粘度が3ポイズ以下であると共に、140℃以下の融点を有する。例文帳に追加
The epoxy resin, ingredient (A) is a crystalline solid or semi-solid having an epoxy equivalent of 120-220, a melt viscosity at 150°C of ≤3 poises and a melting point of ≤140°C. - 特許庁
溶融部Mの上部へ比重差を利用して黒鉛を浮上させた後、その状態で溶融部Mを凝固させてチルの晶出しないフェライトを形成すると共に、フェライトの周りにマルテンサイトを形成する。例文帳に追加
Graphite is floated to the upper part of the fusion part M by utilizing a specific gravity difference, thereafter, the fusion part M is solidified in such a state, a ferrite which does not crystallize chill is formed and martensite is formed around the ferrite. - 特許庁
Sn−1Ag−57Bi共晶の低融点はんだは融点が低いため特に高温での接合部界面の強度、組織の安定性に欠け大気中でのフローでははんだ浴中のドロス量が多い。例文帳に追加
To provide solder which is hardly changed in its structure in spite of long- time use at a high temperature and is capable of assuring joint boundary strength and is hardly oxidizable in spite of long-time use in flow soldering in the atmosphere. - 特許庁
(a)特定のメルトフローレート、(b)特定の融点、(c)特定のQ値、および(d)特定の小角X線散乱法で求めた長周期と融点との関係を有する結晶性プロピレン・α−オレフィン共重合体。例文帳に追加
This crystalline propylene/α-olefin copolymer has (a) a specific melt flow rate, (b) a specific melting point, (c) a specific Q value and (d) a specific relation between a long cycle obtained by small-angle X-ray scattering and a melting point. - 特許庁
リベット状半田棒2は、融点のより高い共晶半田2aでより形状の小さい心材2cを形成し、この心材2cの外側に融点のより低い通常半田2eを付け最終形状とされる。例文帳に追加
This BGA package is equipped with a rivet-type solder bar 2 which is composed of a smaller core 2c formed of eutectic solder 2a of higher melting point and a normal solder 2e which has a lower melting point and is attached to the outer side of the core 2c. - 特許庁
一方向凝固させたシリコンインゴットCを作製する方法であって、ルツボ1内に貯留させたシリコン融液Lに多結晶シリコンの種結晶Sを浸した後、該種結晶と共に前記シリコンインゴットを引き上げて作製する工程を有し、前記種結晶は、平板状である。例文帳に追加
The method of manufacturing a unidirectional solidified silicon ingot C has a process for dipping a polycrystalline silicon seed crystal S into a silicon molten liquid L stored in a crucible 1 and pulling up the silicon ingot with the seed crystal, wherein the seed crystal is planar. - 特許庁
〔3〕溶融時に光学的異方性を示す液晶性ポリマーが、(A)液晶ポリエステルを連続相とし、(B)液晶ポリエステルと反応性を有する官能基を有する共重合体を分散相とする液晶ポリエステル樹脂組成物である〔1〕または〔2〕に記載のフィルムコンデンサー。例文帳に追加
A liquid crystal polymer showing an optical anithotropy during melting is a liquid crystal polyester resin composition (A) using a liquid crystal polyester as a continuous phase, and (B) using a copolymer with a functional group having a reactivity with the liquid crystal polymer as a dispersed phase. - 特許庁
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